flash存儲廠商

1. 長江存儲是國企還是私企

私企。因為其公司性質為其他有限責任公司。

長江存儲科技有限責任公司（「長江存儲」）於2016年7月在中國武漢成立，是一家專注於3DNAND快閃記憶體晶元設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業客戶提供存儲器產品，廣泛應用於移動設備、計算機、數據中心和消費電子產品等領域。

2017年，長江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路製造工廠的基礎上，通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計並製造了中國首批3DNAND快閃記憶體晶元。長江存儲在武漢、上海、北京等地設有研發中心，通過不懈努力和技術創新，致力於成為的NAND快閃記憶體解決方案提供商。

發展歷史

中國存儲晶元產業以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注於移動存儲晶元的合肥長鑫以及致力於普通存儲晶元的晉華集成三大企業為主。

以三家廠商的進度來看，試產時間預計將在2018年下半年，量產時間可能都在2019年上半年，這預示著2019年將成為中國存儲晶元生產元年。

以上內容參考：網路-長江存儲科技有限責任公司

2. nandflash和norflash的區別

NANDflash和NORflash的區別
兩種並行FLASH
Flash存儲器又稱快閃記憶體，是一種可以在線多次擦除的非易失性存儲器，即掉電後數據不會丟失，具體積小、功耗低、抗振性強等優點，為嵌入式系統中典型的兩種存儲設備。
1、NOR型Flash：如SST39VF160，可以直接讀取晶元內存儲器的數據，速度比較快，但價格較高；晶元內執行（XIP，eXecute
In
Place），應用程序可以直接在Flash上運行，不必再把代碼讀到系統RAM中；
2、NAND型Flash：如K9F2808U0C，內部數據以塊為單位存儲，地址線和數據線共用，使用控制信號選擇；極高的單元密度，可以達到高存儲密度，並且寫入和擦除的速度也快，應用NAND型的困難在於Flash的管理需要特殊的系統介面。
3、細述二者的差別：
（1）、介面差別：
NOR型Flash採用的SRAM介面，提供足夠的地址引腳來定址，可以很容易的存取其片內的每一個位元組；NAND型Flash使用復雜的I/O口來串列的存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同，通常是採用8個I/O引腳來傳送控制、地址、數據信息。
（2）、讀寫的基本單位：
NOR型Flash操作是以「字」為基本單位，而NAND型Flash以「頁面」為基本單位，頁的大小一般為512位元組。
（3）、性能比較：
NOR型Flash的地址線和數據線是分開的，傳輸效率很高，程序可以在晶元內部執行，NOR型的讀速度比NAND稍快一些；NAND型Flash寫入速度比NOR型Flash快很多，因為NAND讀寫以頁為基本操作單位。
（4）、容量和成本：
NAND型Flash具有較高的單元密度，容量可以做得比較大，加之其生產過程更為簡單，價格較低；NOR型Flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND型Flash只是用在8～128MB的產品中，這也說明NOR主要用在代碼存儲介質中，NAND適合數據存儲在CompactFlash、PC
Cards、MMC存儲卡市場上所佔的份額最大。
（5）、軟體支持：
NAND型和NOR型Flash在進行寫入和擦除時都需要MTD（Memory
Technology
Drivers，MTD已集成在Flash晶元內部，它是對Flash進行操作的介面。），這是它們的共同特點；但在NOR型Flash上運行代碼不需要任何的軟體支持，而在NAND型Flash上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，即內存技術驅動程序MTD。

3. 在立創商城中的FLASH存儲器有哪些品牌，好用嗎

有很多，像st、安森美、三星的都有。種類不少，立創的東西質量還是很不錯的。

4. spi flash存儲晶元有哪些廠商

不同廠家生產的，相對於計算機用的cpu手機的沒有那麼多的功能和指令集，但是又具有其自己的特點，比如說功耗很低，命令短小，編程容易等特點。說白了，就是功能強大的單片機。其cpu有摩托羅拉生產的，有三星生產的等幾個大的it廠商都能自己生產。

5. Flash 到底是哪個公司出品的軟體

Flash是美國Macromedia公司所設計的一種二維動畫軟體。通常包括Macromedia Flash （包括8即以前版本），用於設計和編輯Flash文檔，以及Macromedia Flash Player，用於播放Flash文檔。

現在，Flash已經被Adobe公司購買（包括Adobe Flash CS3或4兩個版本），最新版本為：Adobe Flash CS4

6. 立創商城中的FLASH存儲器哪個品牌的好用點

都挺不錯的，都是原裝正品。

7. 幫忙解釋下solid state storage device 詳細點最好

固態存儲設備
一、固態存儲設備的應用
在航空航天信息處理系統中，大容量固態存儲器有磁泡和半導體盤。其主
要優點是沒有機械運動部件、比磁碟、磁帶存儲器更能承受溫度、振動、沖擊
。90年代初Intel公司推出新型閃速存儲器（Flash Memor
y）後，受到宇航系統及其它抗惡劣環境計算機應用領域高度重視。這種半導
體存儲器是非易失性的，當電源有故障或被切斷後，信息仍保存完整。
閃速存器基本特點是可以電擦除，並且可按位元組重新編程，特別適合用在
實時模擬和電子戰場合。Flash Memory現也譯為快速擦寫存儲器
。
在宇航系統中Flash Memory主要用在以下領域：
（1）數據採集子系統。所採集的數據可以周期性地從晶元中取出，進行
分析、綜合。電擦除後，Flash Memory成為空白晶元，可反復使
用萬次以上。
（2）需要周期性地修改已存儲的代碼和數據表。過去用EPROM（可
擦、可編程只讀存儲器），修改一次代碼耗時15～20分鍾，用Flash
只要一秒左右。擦除和重新編程可在同一系統或同一編程器插座中現場進行。
（3）宇航計算機研製階段（組裝、裝配），用它存放硬體診斷、調試程
序，晶元直接裝焊在電路板上，既可提高系統可靠性，又增加了調試靈活性。
此外，Flash可維修性優異，可通過串列通信口對電路上的晶元直接進行
改寫，可顯著降低維修費用。
（4）固化操作系統，可以比裝在軟盤或硬碟上的操作系統開機等待時間
大大減少，提高系統實時性。
（5）當要求系統關鍵數據安全性時，例如飛行員（領航、駕駛員）攜帶
飛機資料庫中保密信息時，一旦被擊落，要有安全措施或清除掉上述信息。美
國海軍空戰中心信息存儲部門十分強調：要在幾秒鍾內全部清除掉所存信息。
對此磁碟或磁帶機難以勝任。
因此，在航空航天及軍事系統中，Flash具有非易失性、可電擦除、
高密度和快速諸優點。即使價格昂貴，一般也傾向優選此方案。
二、閃速存儲器的基本工作原理
ETOX－Ⅱ（Eprom Tannel OXide）閃速存儲器是
Intel公司推出的典型Flash產品，其工藝是由標準的Cmos E
prom工藝發展而來的，單元結構一樣。兩者差別在於ETOX－Ⅱ的柵極
氧化層較薄，為100～120�，使它具有電擦除功能。而Epron的氧
化層一般為325�。
下面從編程（信息寫入）和擦除原理方面進行分析。
1．編程原理
Flash和Eprom的編程原理相同。控制柵上接＋12V±5％的
編程電村Vpp，漏極（drain）上外加5V電壓，源極（Source
）接地。漏源極間的電場作用使電子空越溝道，在控制柵的高電壓吸引下，這
些自由電子越過氧化導進入浮置柵，（Floating gate），一旦
該柵獲得足夠多的自由電子，源漏極間便形成導電溝道（接通狀態）。信息存
儲在周圍都絕緣的浮置柵上，即使電源切斷，信息仍然保存。
2．擦除原理
Flash的擦除原理和Eprom完全不同。電擦除可編程只讀存儲器
（EEPROM）每位信息可用電來擦除；而紫外（UV）型Eprom（U
VEPROM）是靠紫外光束來「中和」浮置柵上的電荷實現整體擦除的。
Flash備兩種Eprom特點。在源極上施加高電壓Vpp，而控制
柵接地，在這種電場作用下，浮置柵上的電子就越過氧化層進入源極區域，被
外加電源全部中和掉，實現整體擦除。隨著存儲容量增大，Flash也可采
取分區擦除。
@@503115T1.PCX;圖一@@
三、Flash存儲器晶元及半導體固態盤產品現狀
美國兩大供應Flash存儲晶元的廠商是Intel和AMD。前者約
佔70％，AMD佔16～30％市場。
Intel公司16Mbits晶元1993年面市，1994年春已推
出單片32Mbits第四代產品。AMD公司將於1994年推出16Mb
its晶元，比商用產品推遲一季度交付軍品晶元。
日本有四家公司生產供應4Mb FlashE〔2〕prom，它們是
東芝、日本電氣（MEC）、三菱電機和日立，分別用512K×8b、25
6K×16b、或512K×6b以及512K×8b組成，可重寫次數10
≥〔4〕次，生產工藝為CMOS、0．7～1．0μm，批量生產時間均為
1992年以後。
從邏輯結構上看，Flash是與或（NOR）邏輯，一般電源電壓是＋
5V、＋12V。1987年東芝推出NAND與非邏輯的Nand Epr
om利用Fowler－Nerdhein隧道進行擦除和重寫，電源電壓只
用單一＋5V。它的位面積僅為Fash的36％，成本比Flash更低。
缺點是讀出時間比Flash約慢10倍，在要求體積緊湊、電源單一、可靠
性高的場合Nand型更有潛在優勢。第一個Flash產品是在美國的日本
公司開發的，但在生產和應用方面美國處於領先地位。
四、現有Flash存在的主要問題
雖然Flash具有電氣整體擦除、高速編程（每個晶元總編程時間仍需
以秒計，每位元組花費10～100μs）、低功耗、抗雜訊、內部命令寄存器
結構可以和微處理器、單機片機微控制器寫入介面兼容，以及比E〔2〕pr
om密度大、價兼、可靠等優點，但仍存在以下缺點和問題：
1．入時間過長（讀出速度可與RAM相當）。不適合在軍事宇航控制系
統中作隨機存儲器，適宜用作只讀存儲器（ROM）。
2．數據傳輸率不高。一般為270KB／S，而溫盤機一般都超過1M
B／S。
3．Flash晶元仍存在極限壽命。過去幾年，寫入一擦除周期已從1
0〔5〕次提高到10〔6〕次。由於晶元的寫入耐疲勞度所限，如果一個扇
區（Sector）被寫入5萬到10萬次，它的氧化層就被磨損。
目前解決上述壽命問題的技術方案有以下三點：
（1）為迴避此問題，Targa Electronics）公司研製
一種IDE（Integrated Device Electronic
s）介面的板級固態盤產品，該產品內裝軟體以保證數據完整性，一旦執行存
取操作就將數據重新安排並且在扇區磁軌上標注出已損壞的扇區號。
（2）Sundisk公司作為Flash盤的最早廠家之一已經較好地
解決了這一問題。它採用了糾錯碼（ECC）技術、磨損調整（Wear－L
eveling）技術，以及動態缺陷管理技術等。
所謂磨損調整技術就像更換汽車輪胎安裝部位那樣，當某一扇區已經寫入
太多次數時，就把基中數據搬移到另一扇區去。
動態降管理技術，必要時把某一已壞的信息位（bit）重新映像到另一
位。Sundisk公司不讓任一位寫入次數超過5萬次，據稱使用具備這些
技術的存儲系統工作100年也不會破壞。盡管Flash有壽命極限問題，
但可以克服。
Sundisk公司稱它不依靠另加軟體就可實現磨損調整功能並且該存
儲系統能和DOS及Windows系統100％全兼容。雖然它主要面向商
用，但已在波音777飛機上安裝使用。
4．在提高可靠性方面存在的問題及改進措施
（1）偶然性的擦除使信息丟失：為此Intel公司1990年在其F
lash晶元中增加了字組保護結構（boot block archit
ecture），它能保持一部分重要代碼不被偶然擦除丟失。
（2）傳統的Flash晶元為實現重新編程需要單獨的外電源＋12伏
電路。為適應軍品寬溫（－55℃～＋125℃）變化，要求＋12伏±5％
嚴格控制允差范圍，這對軍用固態盤存儲系統不合適。為此AND公司於19
93年4月推出一種單一＋5伏電源供電、1Mb Flash晶元，其寫入
次數至少有10萬次。採用這種晶元既提高了可靠性又使寫入周期次數增大。
寫入周期耐疲勞度（Write cycle enrance）指在每
一扇區內可以反復存儲數據的次數。
今後，要求雙電源（＋5，＋12伏）的晶元將漸被淘汰。
5．在模擬硬磁碟（HDD）時，佔用主機CPU時間
傳統的Flash晶元構成存儲器時由主機系統的軟體命令控制，花費C
PU時間。
AMD公司單電源（＋5伏）晶元中已裝入「嵌入式演算法」（Embed
ded algorithm）命令由它給出。
許多固態盤模擬旋轉式HDD時，主要是CPU花費時間在它的I／O端
口上訪問傳統的驅動器。
五、現有抗惡劣環境固態盤
我們將適應寬溫、耐沖擊、抗振動並經過美國軍標質量論證過的各公司產
品型號扼要列於表中，以供參考。

8. 請問國內外生產Nand Flash Memory 的公司有哪些，是生產商，不是代理商哦。

國內 。中芯國際。

韓國。 三星。現代

美國。英特爾。鎂光

日本。東芝。瑞薩。

歐洲。意法半導體，

剩下就是一些沒什麼名氣和市佔率的。台灣沒有能生產快閃記憶體晶元的公司。台灣只是晶元封裝廠和半導體代工廠比較多。

9. FLASH存儲器DDR存儲器RAM存儲器SRAM存儲器DRAM存儲器有什麼區別各有什麼作用

Flash存儲器：

它屬於內存器件的一種，是一種非易失性( Non-Volatile )內存。快閃記憶體的物理特性與常見的內存有根本性的差異:目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬於揮發性內存，只要停止電流供應內存中的數據便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數據重新載入內存;快閃記憶體在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。

DDR存儲器：

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。

RAM存儲器：

存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器(英文:Static RAM，SRAM)和動態隨機存儲器(英文Dynamic RAM，DRAM)。

SRAM存儲器：

是Static Random Access Memory的縮寫，靜態存儲器，和動態存儲器DRAM相對。由於SRAM工作原理是依靠晶體管組合來鎖住電平，並不需要進行刷新，只要不斷電，數據就不會丟失，因此稱為靜態RAM。

DRAM存儲器：

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)

10. Flash是哪個公司的產品

Flash又被稱之為閃客，是由macromedia公司推出的互動式矢量圖和 Web 動畫的標准，由Adobe公司收購。網頁設計者使用 Flash 創作出既漂亮又可改變尺寸的導航界面以及其他奇特的效果。Flash的前身是Future Wave公司的Future Splash，是世界上第一個商用的二維矢量動畫軟體，用於設計和編輯Flash文檔。1996年11月，美國Macromedia公司收購了Future Wave，並將其改名為Flash。後又於2005年12月3日被Adobe公司收購。Flash通常也指Macromedia Flash Player(現Adobe Flash Player)。2012年8月15日，Flash退出Android平台，正式告別移動端。