晶元存儲計算

Ⅰ 某存儲器晶元有地址12根，數據線16條。存儲容量是多少怎麼算就步驟

主存容量為8KB。

ram晶元的存儲容量 ＝地址線條數×數據線的條數bit ＝ 字數（存儲單元個數）×字長。

地址線12根，表示能指示2^12個內存單元；而數據線16根，表明通過數據線每次可以傳送16位(每根線每次只能傳送1位)，即2B(16bit= 2*8bit = 2B)，那麼可以理解為內存單元的大小等同於數據線每次的傳送位數，同樣為2B，所以主存容量為2^12*2B=8KB。

(1)晶元存儲計算擴展閱讀：

每一千個位元組稱為1KB，注意，這里的「千」不是我們通常意義上的1000，而是指1024。即：1KB=1024B。但如果不要求嚴格計算的話，也可以忽略地認為1K就是1000。 4）。

每1024個KB就是1MB（同樣這里的K是指1024），即：1MB=1024KB=1024×1024B=1,048,576B這是准確的計算。如果不精確要求的話，也可認為1MB=1,000KB=1,000,000B。

另外需要注意的是，存儲產品生產商會直接以1GB=1000MB，1MB=1000KB ，1KB=1000B的計算方式統計產品的容量，這就是為何買回的存儲設備容量達不到標稱容量的主要原因（如320G的硬碟只有300G左右）

每1024MB就是1GB，即1GB=1024MB，例如一張軟盤是1.44MB、一張CD光碟是650MB、一塊硬碟是120GB。一篇10萬漢字的小說，如果我們把存到磁碟上，需要佔用100,000漢字=200,000B=200,000B÷1024≈195.3KB≈195.3KB÷1024≈0.19MB。

Ⅱ EPROM晶元容量如何計算

512K個存儲單元，具體容量還要看數據匯流排寬度，如果寬度為8位，則容量為512K*8bit=512KB，如果寬度是16位的，則容量為512K*16bit=1MB

Ⅲ 計算機組成原理中存儲晶元計算問題

舉例子吧，如果是2k*4的晶元，2k是容量，由地址線決定，計算方法：2^n=容量,n就是地址線的位數，這里算出來是11位；4是一個存儲單元的位數，也就是數據線的位數，所以這個晶元的地址線11位，數據線4位。

Ⅳ 晶元存儲數據的原理是什麼

1、 sram 裡面的單位是若干個開關組成一個觸發器, 形成可以穩定存儲 0, 1 信號, 同時可以通過時序和輸入信號改變存儲的值。

2、dram, 主要是根據電容上的電量, 電量大時, 電壓高表示1, 反之表示0
晶元就是有大量的這些單元組成的, 所以能存儲數據。

所謂程序其實就是數據. 電路從存儲晶元讀數據進來, 根據電路的時序還有電路的邏輯運算, 可以修改其他存儲單元的數據

Ⅳ 晶元 如何運算的

中央處理器（CPU，Central Processing Unit）是一塊超大規模的集成電路，是一台計算機的運算核心（Core）和控制核心（ Control Unit）。它的功能主要是解釋計算機指令以及處理計算機軟體中的數據。

中央處理器主要包括運算器（算術邏輯運算單元，ALU，ArithmeTIc Logic Unit）和高速緩沖存儲器（Cache）及實現它們之間聯系的數據（Data）、控制及狀態的匯流排（Bus）。它與內部存儲器（Memory）和輸入/輸出（I/O）設備合稱為電子計算機三大核心部件。

CPU是在特別純凈的硅材料上製造的。一個CPU晶元包含上百萬個精巧的晶體管。人們在一塊指甲蓋大小的矽片上，用化學的方法蝕刻或光刻出晶體管。因此，從這個意義上說，CPU正是由晶體管組合而成的。簡單而言，晶體管就是微型電子開關，它們是構建CPU的基石，你可以把一個晶體管當作一個電燈開關，它們有個操作位，分別代表兩種狀態：ON（開）和OFF（關）。這一開一關就相當於晶體管的連通與斷開，而這兩種狀態正好與二進制中的基礎狀態「0」和「1」對應！這樣，計算機就具備了處理信息的能力。

其實，所有電子設備都有自己的電路和開關，電子在電路中流動或斷開，完全由開關來控制，如果你將開關設置為OFF，電子將停止流動，如果你再將其設置為ON，電子又會繼續流動。晶體管的這種ON與OFF的切換只由電子信號控制，我們可以將晶體管稱之為二進制設備。

如果能夠將任意數字准確的用算盤上的珠子的狀態變化進行表示，並且能正確的讀出算盤上珠子狀態所表示的數字，那就具備了使用算盤進行計算的入門要求。那麼接下類我們詳細了解一下cpu晶體管為什麼會計算。

cpu晶體管為什麼會計算

CPU的計算方式像算盤，算盤是打上多一個，打下來少一個，晶體管的開關用1和0表示，以二進制的方法來計算和讀取結果，算盤則是直接數，表達方式不同而已，但無論是算盤或cpu計算，都不能直接乘除，只能加減，乘以幾就加幾次，除以幾就減幾次。

感謝數學和數學家，數學讓這個世界變得邏輯透明，數學家讓我們明白這一切，cpu的邏輯單元依靠改變電平高低顯示0和1兩個狀態，當幾十個乃至幾億個邏輯單元並排，就能依靠讀取電平狀態得到很大的二進制數據1100010101…001010，這是計算的基礎，對於簡單數學1+1或者2+（-1），按照二進制進位計算就好，復雜計算怎麼辦12345*54321，化乘法為加法，化除法為減法，ok，那更復雜的函數計算呢，感謝傅立葉變換，任何周期函數都可以看作是正餘弦函數的疊加，原理不在這里解釋，反正記住因為各種數學工具，平方開方微分積分，數據都能換成加法計算，當然，演算法不同也決定了效率不同，這個是後話了，回到問題，cpu就是這么在集成電路裡面掰手指，然後自然而然的給了21世紀新的發展動力

理解這個問題，首先你要具備一定的數電知識，CPU是由晶體管組成的，利用晶體管可以很輕易的搭建與門，或門，非門，這一點毋庸置疑吧，然後利用這些邏輯們就可以組成各種觸發器，這一點也不用多解釋，數電的基礎內容，然後利用觸發器進一步組成移位寄存器等，到這里，你就可以輕易的組建一個加法器，減法器了，數字用0，1表示，對應到電路中就是高電平和低電平，至於乘法和除法，最基本的運算單元也是加減法，到了這里，具備了基本的四則運算，也就具備了信息處理能力，無非就是用一定的規則組成成不同的0和1，當你動手焊接出一個加法器的時候，你就徹底明白了。

計算是對人來說的，晶體管才不會知道什麼叫計算，他們只有兩種狀態，高電平和低電平，也就是通常所說的0和1，晶體管通過不同的組合形成大的輸入輸出元件，這些元件再通過組合形成邏輯電路，這就說我們說的運算基礎，邏輯電路再組合就形成運算電路，運算電路集成到一起形成CPU，再配合時鍾，就是我們所說的計算！所以計算是對整個CPU來說的，不是單一的晶體管！

Ⅵ 怎麼根據晶元的地址范圍求該晶元的存儲容量

用末地址減首地址，加1即為十六進制數，再用二進制的權位表示即可。所以根據該題中EPROM晶元的地址范圍為：30800H ~ 30FFFH。

可得晶元的存儲容量為2KB。另外EPROM晶元的存儲容量為4KB，再由於無地址重疊，所以晶元存儲容量為2KB。

片容量=2的地址線位數次方乘以數據線位數，比如地址線8位，數據線4位，晶元容量就是2的8次方乘以4=1024位。

按位計算 (b) ： 存儲容量 = 存儲單元個數 x 存儲字長。

按位元組計算(B)： 存儲容量 = 存儲單元個數 x 存儲字長 / 8。

存儲單元 ：CPU訪問存儲器的最小單位，每個存儲單元都有一個地址。

存儲字長 ：存儲器中一個存儲單元(存儲地址)所存儲的二進制代碼的位數。

(6)晶元存儲計算擴展閱讀：

晶元儲存之間的關系：

存儲單元與地址線的關系： CPU訪問存儲器的最小單位是存儲單元且每個存儲單元都有一個地址，1 根地址線可以查找 2 個地址既2個存儲單元，16根地址線則可以查找 2^16個存儲單元。

存儲字長與數據線的關系 ： 存儲字長是指存儲器中一個存儲單元(存儲地址)所存儲的二進制代碼的位數，而二進制代碼的位數是由數據線的根數決定的，也就是說： 存儲字長 = 數據線根數位元組（B）與位(b)的關系 : 計算機里規定 1Byte = 8bit 。

Ⅶ 某SRAM晶元的存儲容量為64k*16位，該晶元的地址線和數據線數目為多少

SRAM晶元的存儲容量為64k*16位，該晶元的地址線是16根，數據線是16根。

存儲容量的計算公式是：2^n，其中n就表示地址線的數目。2^16=65536，在計算機中就稱其存儲容量最大可擴展為64K。存儲器晶元容量=單元數×數據線位數，因此64k*16位晶元的數據線是16根。

SRAM的中文意思就是靜態隨機存取存儲器，是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。

相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。

(7)晶元存儲計算擴展閱讀

SRAM主要用途：

SRAM主要用於二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。

SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）。

SRAM也有許多種，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，非同步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突發SRAM），還有INTEL沒有公布細節的CSRAM等。

SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址解碼器(decode），靈敏放大器(Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅動電路（FFIO）。

SRAM是靜態存儲方式，以雙穩態電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由於存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。

Ⅷ 某ROM晶元有8個地址輸入端和8個數據輸入端，該晶元的存儲容量是多少盡量說下計算方法，多謝各位了！

這個不難請聽我道來。首先有8位數據線，可知此存儲器為八位存儲器。然後有八條地址線可定址2^8=256個的單元。所以可見存儲器有256個存儲單元，而每個單元又是8位，所以存儲容量是256*8bit即256B。
動態RAM ,靜態RAM可隨時存儲。SRAM（靜態RAM）不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（動態RAM)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。PROM，一次性編程寫入，不可再改。EPROM，可擦除的可編程只讀存儲器。擦除條件比較特殊。例如12V高壓，或者光照一類。參看http://..com/question/505537932.html?oldq=1

Ⅸ 晶元存儲容量計算

晶元容量=2的地址線位數次方 乘以 數據線位數

比如地址線8位，數據線4位 晶元容量就是2的8次方乘以4=1024位

Ⅹ 晶元是如何儲存信息的

晶元儲存信息的原理如下：

對動態存儲器進行寫入操作時，行地址首先將RAS鎖存於晶元中，然後列地址將CAS鎖存於晶元中，WE有效，寫入數據，則寫入的數據被存儲於指定的單元中。

對動態存儲器進行讀出操作時，CPU首先輸出RAS鎖存信號，獲得數據存儲單元的行地址，然後輸出CAS鎖存信號，獲得數據存儲單元的列地址，保持WE=1，便可將已知行列地址的存儲單元中數據讀取出來。

(10)晶元存儲計算擴展閱讀

主存儲器的兩個重要技術指標：

讀寫速度：常常用存儲周期來度量，存儲周期是連續啟動兩次獨立的存儲器操作（如讀操作）所必需的時間間隔。

存儲容量：通常用構成存儲器的位元組數或字數來計量。

地址匯流排用於選擇主存儲器的一個存儲單元，若地址匯流排的位數k，則最大可定址空間為2k。如k=20,可訪問1MB的存儲單元。數據匯流排用於在計算機各功能部件之間傳送數據。控制匯流排用於指明匯流排的工作周期和本次輸入/輸出完成的時刻。

主存儲器分類：

按信息保存的長短分：ROM與RAM。

按生產工藝分：靜態存儲器與動態存儲器。

靜態存儲器（SRAM）：讀寫速度快，生產成本高，多用於容量較小的高速緩沖存儲器。動態存儲器（DRAM）：讀寫速度較慢，集成度高，生產成本低，多用於容量較大的主存儲器。