快快閃記憶體儲怎麼發展

❶ 什麼是快閃存儲器卡

近年來，發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。

❷ 什麼是快閃記憶體啊

快閃記憶體是一種半導體存儲器，用於存儲數據信息，可反復讀寫，十分方便。其性質與軟盤和移動硬碟的十分相似。但與其不盡相同的是，快閃記憶體不像軟盤那樣有可動部件，也不像硬碟那樣會有功率的消耗。快閃記憶體卡可以反復應用。MMC卡是在不同電子設備中傳輸文件的一種更好的移動存儲卡。例如：用戶可以在用數碼相機拍照後，保存在MMC卡里，用該用戶的PDA或電腦觀看，也可以把照片刻錄成光碟。

快閃記憶體 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory製造，翻譯成中文就是\"閃動的存儲器\"，通常把它稱作\"快閃記憶體\"，簡稱\"快閃記憶體\"。快閃記憶體檔是一種移動存儲產品，可用於存儲任何格式數據文件便於隨身攜帶，是個人的「數據移動中心」。快閃記憶體檔採用快閃記憶體存儲介質（Flash Memory）和通用串列匯流排（USB）介面，具有輕巧精緻、使用方便、便於攜帶、容量較大、安全可靠、時尚潮流等特徵，是大家理想的便攜存儲工具.

目前流行的迷你移動存儲產品幾乎都是以快閃記憶體作為存儲介質。快閃記憶體作為一種非揮發性（簡單說就是在不加電的情況下數據也不會丟失，區別於目前常用的計算機內存）的半導體存儲晶元，具有體積小、功耗低、不易受物理破壞的優點，是移動數碼產品的理想存儲介質。隨著價格的不斷下降以及容量、密度的不斷提高，快閃記憶體開始向通用化的移動存儲產品發展。

快閃記憶體有許多種類型，從結構上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最為常見的類型。NOR型快閃記憶體是目前大家接觸得最多的快閃記憶體，它在存儲格式和讀寫方式上都與大家常用的內存相近，支持隨機讀寫，具有較高的速度，這也使其非常適合存儲程序及相關數據，手機就是它的用武之地。但是NOR型的最大缺點就是容量小，Intel最近才發布了採用0.13μm工藝生產的64Mb晶元。與NOR型相比，NAND型快閃記憶體的優點就是容量大，在去年512Mb的晶元就不是稀罕事了。但是，NAND型的速度比較慢，因為它的I/O埠只有8個，比NOR型的少多了。區區8個埠需要完成地址和數據的傳輸就得讓這些信號輪流傳送，很顯然，這種時候串列傳輸比NOR型、內存等晶元的並行傳輸慢許多。但是，NAND型的存儲和傳輸是以頁和塊為單位的（一頁包含若干位元組，若干頁組成塊），相對適合大數據的連續傳輸，這樣也可以部分彌補串列傳輸的不利。因此，NAND型快閃記憶體最適合的工作就是保存大容量的數據，作為電子硬碟、移動存儲介質等使用。

❸ 快閃快閃記憶體是什麼

快閃記憶體 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory製造，翻譯成中文就是"閃動的存儲器"，通常把它稱作"快閃記憶體"，簡稱"快閃記憶體"。快閃記憶體檔是一種移動存儲產品，可用於存儲任何格式數據文件便於隨身攜帶，是個人的「數據移動中心」。快閃記憶體檔採用快閃記憶體存儲介質（Flash Memory）和通用串列匯流排（USB）介面，具有輕巧精緻、使用方便、便於攜帶、容量較大、安全可靠、時尚潮流等特徵，是大家理想的便攜存儲工具.

我們常說的快閃記憶體其實只是一個籠統的稱呼，准確地說它是非易失隨機訪問存儲器(NVRAM)的俗稱，特點是斷電後數據不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內存是揮發性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。快閃記憶體也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。

快閃記憶體的分類

NOR型與NAND型快閃記憶體的區別很大，打個比方說，NOR型快閃記憶體更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而NAND型更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一般，而且NAND型與NOR型快閃記憶體相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，手機就是使用NOR型快閃記憶體的大戶，所以手機的「內存」容量通常不大；NAND型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體檔、數碼存儲卡都是用NAND型快閃記憶體。

這里我們還需要端正一個概念，那就是快閃記憶體的速度其實很有限，它本身操作速度、頻率就比內存低得多，而且NAND型快閃記憶體類似硬碟的操作方式效率也比內存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為快閃記憶體檔的性能瓶頸是在介面，甚至想當然地認為快閃記憶體檔採用USB2.0介面之後會獲得巨大的性能提升。

前面提到NAND型快閃記憶體的操作方式效率低，這和它的架構設計和介面設計有關，它操作起來確實挺像硬碟(其實NAND型快閃記憶體在設計之初確實考慮了與硬碟的兼容性)，它的性能特點也很像硬碟：小數據塊操作速度很慢，而大數據塊速度就很快，這種差異遠比其他存儲介質大的多。這種性能特點非常值得我們留意。

NAND型快閃記憶體的技術特點

內存和NOR型快閃記憶體的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型快閃記憶體的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到，NAND型快閃記憶體的頁就類似硬碟的扇區，硬碟的一個扇區也為512位元組)。每一頁的有效容量是512位元組的倍數。所謂的有效容量是指用於數據存儲的部分，實際上還要加上16位元組的校驗信息，因此我們可以在快閃記憶體廠商的技術資料當中看到「(512+16)Byte」的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型快閃記憶體絕大多數是(512+16)位元組的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型快閃記憶體則將頁容量擴大到(2048+64)位元組。

NAND型快閃記憶體以塊為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數據，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。一般每個塊包含32個512位元組的頁，容量16KB；而大容量快閃記憶體採用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。

每顆NAND型快閃記憶體的I/O介面一般是8條，每條數據線每次傳輸(512+16)bit信息，8條就是(512+16)×8bit，也就是前面說的512位元組。但較大容量的NAND型快閃記憶體也越來越多地採用16條I/O線的設計，如三星編號K9K1G16U0A的晶元就是64M×16bit的NAND型快閃記憶體，容量1Gb，基本數據單位是(256+8)×16bit，還是512位元組。

定址時，NAND型快閃記憶體通過8條I/O介面數據線傳輸地址信息包，每包傳送8位地址信息。由於快閃記憶體晶元容量比較大，一組8位地址只夠定址256個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，佔用若干個時鍾周期。NAND的地址信息包括列地址(頁面中的起始操作地址)、塊地址和相應的頁面地址，傳送時分別分組，至少需要三次，佔用三個周期。隨著容量的增大，地址信息會更多，需要佔用更多的時鍾周期傳輸，因此NAND型快閃記憶體的一個重要特點就是容量越大，定址時間越長。而且，由於傳送地址周期比其他存儲介質長，因此NAND型快閃記憶體比其他存儲介質更不適合大量的小容量讀寫請求。

決定NAND型快閃記憶體的因素有哪些？

1．頁數量

前面已經提到，越大容量快閃記憶體的頁越多、頁越大，定址時間越長。但這個時間的延長不是線性關系，而是一個一個的台階變化的。譬如128、256Mb的晶元需要3個周期傳送地址信號，512Mb、1Gb的需要4個周期，而2、4Gb的需要5個周期。

2．頁容量

每一頁的容量決定了一次可以傳輸的數據量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量快閃記憶體(4Gb)提高了頁的容量，從512位元組提高到2KB。頁容量的提高不但易於提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例，前者為1Gb，512位元組頁容量，隨機讀(穩定)時間12μs，寫時間為200μs；後者為4Gb，2KB頁容量，隨機讀(穩定)時間25μs，寫時間為300μs。假設它們工作在20MHz。

讀取性能：NAND型快閃記憶體的讀取步驟分為：發送命令和定址信息→將數據傳向頁面寄存器(隨機讀穩定時間)→數據傳出(每周期8bit，需要傳送512+16或2K+64次)。

K9K1G08U0M讀一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M實際讀傳輸率：512位元組÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷131.1μs=15.6MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組也容量約提高讀性能20%。

寫入性能：NAND型快閃記憶體的寫步驟分為：發送定址信息→將數據傳向頁面寄存器→發送命令信息→數據從寄存器寫入頁面。其中命令周期也是一個，我們下面將其和定址周期合並，但這兩個部分並非連續的。

K9K1G08U0M寫一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M實際寫傳輸率：512位元組÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M實際寫傳輸率：2112位元組/405.9μs=5MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組頁容量提高寫性能兩倍以上。

3．塊容量

塊是擦除操作的基本單位，由於每個塊的擦除時間幾乎相同(擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息佔用的時間可以忽略不計)，塊的容量將直接決定擦除性能。大容量NAND型快閃記憶體的頁容量提高，而每個塊的頁數量也有所提高，一般4Gb晶元的塊容量為2KB×64個頁=128KB，1Gb晶元的為512位元組×32個頁=16KB。可以看出，在相同時間之內，前者的擦速度為後者8倍！

4．I/O位寬

以往NAND型快閃記憶體的數據線一般為8條，不過從256Mb產品開始，就有16條數據線的產品出現了。但由於控制器等方面的原因，x16晶元實際應用的相對比較少，但將來數量上還是會呈上升趨勢的。雖然x16的晶元在傳送數據和地址信息時仍採用8位一組，佔用的周期也不變，但傳送數據時就以16位為一組，帶寬增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16晶元，它每頁仍為2KB，但結構為(1K+32)×16bit。

模仿上面的計算，我們得到如下。K9K4G16U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+(1K+32)×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+(1K+32)×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M實際寫傳輸率：2KB位元組÷353.1μs=5.8MB/s

可以看到，相同容量的晶元，將數據線增加到16條後，讀性能提高近70%，寫性能也提高16%。

5．頻率

工作頻率的影響很容易理解。NAND型快閃記憶體的工作頻率在20～33MHz，頻率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M為例時，我們假設頻率為20MHz，如果我們將頻率提高一倍，達到40MHz，則

K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×25ns+25μs+(2K+64)×25ns=78μs。K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作頻率從20MHz提高到40MHz，讀性能可以提高近70%！當然，上面的例子只是為了方便計算而已。在三星實際的產品線中，可工作在較高頻率下的應是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的頻率目前可達33MHz。

6．製造工藝

製造工藝可以影響晶體管的密度，也對一些操作的時間有影響。譬如前面提到的寫穩定和讀穩定時間，它們在我們的計算當中佔去了時間的重要部分，尤其是寫入時。如果能夠降低這些時間，就可以進一步提高性能。90nm的製造工藝能夠改進性能嗎？答案恐怕是否！目前的實際情況是，隨著存儲密度的提高，需要的讀、寫穩定時間是呈現上升趨勢的。前面的計算所舉的例子中就體現了這種趨勢，否則4Gb晶元的性能提升更加明顯。

綜合來看，大容量的NAND型快閃記憶體晶元雖然定址、操作時間會略長，但隨著頁容量的提高，有效傳輸率還是會大一些，大容量的晶元符合市場對容量、成本和性能的需求趨勢。而增加數據線和提高頻率，則是提高性能的最有效途徑，但由於命令、地址信息佔用操作周期，以及一些固定操作時間(如信號穩定時間等)等工藝、物理因素的影響，它們不會帶來同比的性能提升。

1Page=(2K+64)Bytes；1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes；1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits

其中：A0～11對頁內進行定址，可以被理解為「列地址」。

A12～29對頁進行定址，可以被理解為「行地址」。為了方便，「列地址」和「行地址」分為兩組傳輸，而不是將它們直接組合起來一個大組。因此每組在最後一個周期會有若干數據線無信息傳輸。沒有利用的數據線保持低電平。NAND型快閃記憶體所謂的「行地址」和「列地址」不是我們在DRAM、SRAM中所熟悉的定義，只是一種相對方便的表達方式而已。為了便於理解，我們可以將上面三維的NAND型快閃記憶體晶元架構圖在垂直方向做一個剖面，在這個剖面中套用二維的「行」、「列」概念就比較直觀了。

❹ 儲存卡掃盲

手機內存卡
手機本身都有一定的內存容量，為了滿足人們對於手機內存的個性化需求，現代的許多手機品牌型號都設置了外接存儲器，也就是我們通常所說的手機內存卡。手機內存卡可以用來存儲歌曲，電影，電子書，游戲軟體等數據信息。現在市面上常見的內存卡分為MMC、SD、MiniSD、Memory Stick、SM等幾種。

MMC
MMC（MultiMedia Card）卡由西門子公司和首推CF的SanDisk於1997年推出。1998年1月十四家公司聯合成立了MMC協會（MultiMedia Card Association簡稱MMCA），現在已經有超過84個成員。MMC的發展目標主要是針對數碼影像、音樂、手機、PDA、電子書、玩具等產品，號稱是目前世界上最小的Flash Memory存貯卡，尺寸只有32mm x 24mm x 1.4mm。雖然比SmartMedia厚，但整體體積卻比SmartMedia小，而且也比SmartMedia輕，只有1.5克。MMC也是把存貯單元和控制器一同做到了卡上，智能的控制器使得MMC保證兼容性和靈活性。

MMC存貯卡可以分為MMC和SPI兩種工作模式，MMC模式是標準的默認模式，具有MMC的全部特性。而SPI模式則是MMC存貯卡可選的第二種模式，這個模式是MMC協議的一個子集，主要用於只需要小數量的卡（通常是1個）和低數據傳輸率（和MMC協議相比）的系統，這個模式可以把設計花費減到最小，但性能就不如MMC。

MMC被設計作為一種低成本的數據平台和通訊介質，它的介面設計非常簡單：只有7針！介面成本低於0.5美元，相比之下SmartMedia和Memory Stick的介面成本都要高於1美元。在介面中，電源供應是3針，而數據操作只用3針的串列匯流排即可（SPI模式再加上1針用於選擇晶元）。

MMC的操作電壓為2.7伏到3.6伏，寫/讀電流只有27mA和23mA，功耗很低。它的讀寫模式包括流式、多塊和單塊。最小的數據傳送是以塊為單位的，預設的塊大小為512bytes。

SD
Super Dollfie 簡稱SD，

是日本volks公司製造生產的1/3球型關節可動人偶，

是由圓句昭浩大師開發塑造的。

一般常見的SD高58cm，

還有高60cm的13歲SD以及高43cm的mini SD，

價格都是不同的，一般都在人民幣4500-8500元左右，

mini SD一般也在2000-4000元左右。

SD的特色是可以讓玩家自行改裝，

因為SD的眼珠、頭發、身體關節、手腳、胳膊、腿都是可以分開的，

不會組裝的玩家可以購買到組合完成的SD，

正是因為這些靈活的關節，

所以我們看到的SD娃娃們才能擺出那麼多的Pose，

或瀟灑或優雅，栩栩如生的在鏡頭前演出一幕幕的故事。

還有就是SD的臉部可以讓玩家自行化妝，

不論是眉毛、睫毛、眼線、唇彩甚至是臉部膚色胭脂等等，

都能夠讓玩家將自己的SD裝扮成國色天香的美女或貌比潘安的帥哥，

塑造你獨一無二的SD。

正因為一個SD能夠因為不同的發色發型、眼珠色彩、千變萬化的華麗服裝和不同的裝扮，

展現出萬種風情，所以才更加讓人喜愛。

由於門檻太高，所以SD的玩家以尚未喪失童心，但已經開始有收入的X世代為主。自己開娃娃工作室的IMAI總共有六隻SD，她說家裡也知道她有這種嗜好，現在已經「放棄她」了。

在台北的「娃娃圈」內，玩SD娃娃的就有數十人，來自各行各業，甚至還有一位年輕的女牙醫「火火」，不僅利用牙醫的技術替娃娃修臉，還把SD帶出國，在湖光山色的瑞士替SD拍外景照。

除了「檯面上」的這個年輕族群外，「貴夫人」也是SD、Momoko與珍妮娃娃的超級大戶，常常一下手就是五萬、十萬，買起衣服來也絲毫不猶豫，但礙於身份地位，從來不與一般玩家接觸。

SD娃娃因為十分精緻，所以也吸引了不少男性玩家。從事美術設計的「熊熊」與妹妹「熊妹」從去年開始加入，目前已經有六隻SD，投資金額超過廿萬，熊熊說：「根本不敢去想花了多少錢，實在太可怕了。」而從事日文翻譯的Nakururu則是因為女朋友的關系，自己也開始玩SD。

每隔一個月左右，這些玩家就會舉辦一次「娃聚」，因為每個人擁有的SD都不多，大部分只有一、二隻，大家用原廠的大紙盒或是小提琴箱把娃娃帶到會場後，就會趁這個時候多玩一下別人的娃娃，或是讓娃娃擺出一些特殊姿勢，例如讓男孩抱住男孩的「BL」，就很受女性玩家喜愛。

此外，玩家還會交換「媽媽經」與「保養經」，「我都用潤絲精幫她洗頭，這樣就不會毛躁了！」、「這個發型好可愛哦」、「你的褲子是用窗簾布做得對不對？」

目前市面上流行的娃娃大多以「六分之一」與「三分之一」為主，前者高約30公分，有女孩子玩的珍妮、莉卡、Momoko與男孩子的大兵娃娃，後者高約60公分，目前比較流行的只有SD。

SD娃娃有不同的身高,普通SD為58cm，還有miniSD為43cm，最新出來的SD13（13指的是貌像13歲的女孩）為60cm。這些SD的關節都可以動，可以換頭發，可以換眼睛的顏色，你都可以幫她們改妝束，改臉形。

在網路中，SD經常用於罵人的話，是漢字「傻屌」的首字母。
還有解釋我 <是的>

SD也有上海盛大網路公司的代稱的意思

在電子產業中

SD卡就是SecureDigitalCard—安全數碼卡，由松下公司，東芝公司和美國SANDISK公司共同開發研製的，具有大容量、高性能、安全等多種特點的多功能存儲卡。它比MMC卡多了一個進行數據著作權保護的暗號認證功能（SDMI規格）。主要用於松下數碼攝像機、照相機，佳能和夏普攝像機、柯達、美能達、卡西歐數碼相機等廠家使用。尺寸為32mm×24mm×2.1mm，比MMC卡略厚一點容量則要大許多，已經生產出1G的容量。此卡的讀寫速度比MMC卡要快4倍，達2MB/秒。同時兼容MMC卡，SD卡的插口大多支持MMC卡。

之後還出現了RS-SD(Rece size SD)mini-SD等

Mini SD卡：全名（Mini Secure Digital Memory Card）。miniSD卡是SD卡發展而來，性能和傳統的SD卡並無大的區別，miniSD卡和SD卡一樣，都具有每秒2MB的數據傳輸速度。與傳統SD卡一樣，miniSD卡同樣具有硬體數據防寫保護開關，可避免儲存內容不慎刪除的風險。miniSD卡特點是體積小巧（體積只有21.5×20x1.4mm，相比較原來的SD卡減少了40%的體積）、性能穩定，可配合專用轉接卡使用，完全兼容標准SD卡插槽。而且miniSD卡採用的是低耗電的設計，比SD卡更適用於移動通信設備，因此主要進攻手機、PDA、掌上電腦的信息終端。

如今松下已推出了單載4GB的SD卡。

miniSD
mini-SD卡是在數碼相機，PDA等所用的Flash Memory Card（中文名：快快閃記憶體儲卡）基礎上發展出的一種更小更適合小型手機用的存儲卡。盡管mini-SD卡的外形大小及介面形狀與原來的SD卡不同，但介面等電氣標准相同，以確保兼容性。將mini-SD卡插入專用適配器，可通過原來的SD卡插槽讀寫mini-SD卡。不過，不具備像SD卡那樣防寫入的鎖定功能。

� mini-SD卡的介面比SD卡的9個還多2個，有11條信號線（圖4）。mini-SD卡多出的2條信號線是為未來擴展性能准備的。比如，可用於非接觸型IC等近距離無線通信的天線連接等。mini-SD卡剩下的9條信號線是與原來SD卡相同標準的信號線。

� Mini-SD卡則是專門為手機等數碼設備開發的小型SD卡，與SD卡相比，Mini-SD卡的體積更為精巧。在SD卡和Mini-SD卡領域，松下是行業標準的推動者和主要的產品提供商。

Memory Stick
SONY公司的Memory Stick（簡稱MS卡）

自從1997年7月SONY宣布開發Memory Stick以來，Memory Stick已經在Sony全系列產品上得到充分應用，從4M到128M容量的產品都能在SONY自己的產品上得到不同的應用，數碼設備的產品線最為豐富的SONY甚至力圖使這種Flash Memory成為業界標准。SONY自己稱它的中文名字是記憶棒，其實它的大小為50mm x 21.5mm x 0.28mm，重量4克。接品是由單一平面的10針接合器連獨立針槽，並具有防寫開關。在越來越強調的版權保護需求中，在1999年12月Sony推出了新的MagicGate Memory Stick，主要的變化在於加入了稱為MagicGate的Sony專利的版權保護技術，遵從SDMI的標准。

SONY的Memory Stick卡中，因外形尺寸大小的不同，又分成三種規格，即Memory Stick、Memory Stick PRO、Memory Stick DUO，目前Memory Stick的容量在16MB-128MB之間，Memory Stick Pro的容量在256MB-1GB之間，未來可以達到32GB，Memory Stick DUO的容量最小，在16MB-32MB之間，通過一個適配器，可以像原來的MS卡插在卡槽中。

MS PRO屬於MS家族中的高檔產品，盡管形狀和MS卡相同，但它的傳輸速度有所提高，最低記錄速度為15Mbps。可以適應記錄連續的動態圖象。

3.一種智能存儲卡，現代科技名詞
即Smart Media，智能媒體卡，一種存儲媒介。SM卡採用了SSFDG/Flash內存卡，具有超小超薄超輕等特性，體積37（長）×45（寬）×0.76（厚）毫米，重量是1.8g，功耗低，容易升級，SM轉換卡也有PCMCIA界面，方便用戶進行數據傳送。

SM卡是日本東芝推出的小型存儲卡，具有22針的介面，尺寸為45mm×37mm×0.9mm，重量為1.8g左右。與大部分數碼存儲卡不同的是，SM卡由塑膠製成，控制器被內置到了數碼相機中，由於相機的兼容性不強，所以並沒有被廠商廣泛推廣，產品的最大容量也非常有限，SM卡的最高存儲容量只有128MB。奧林巴斯的老款數碼相機以及富士的老款數碼相機多採用SM存儲卡，新推出的數碼相機中都已經沒有採用SM存儲卡的產品了。

❺ 誰知道快閃記憶體的工作流程

近年來，發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫， 功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。

由於Flash Memory的獨特優點，如在一些較新的主板上採用Flash ROM BIOS，會使得BIOS 升級非常方便。 Flash Memory可用作固態大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬碟的手段。由於Flash Memory集成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。 目前研製的Flash Memory都符合PCMCIA標准，可以十分方便地用於各種攜帶型計算機中以取代磁碟。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為Flash存儲器卡，此卡中只有Flash Memory晶元組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為Flash驅動卡，此卡中除Flash晶元外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標准兼容，可在DOS下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態盤。 Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性高，重量輕，但容量不大的攜帶型系統中。在586微機中已把BIOS系統駐留在Flash存儲器中。

❻ 什麼是SD卡

SD卡（Secure Digital Memory Card）是一種基於半導體快閃記憶器的新一代記憶設備。SD卡由日本松下、東芝及美國SanDisk公司於1999年8月共同開發研製。大小猶如一張郵票的SD記憶卡，重量只有2克，但卻擁有高記憶容量、快速數據傳輸率、極大的移動靈活性以及很好的安全性。
SD卡在24mm×32mm×2.1mm的體積內結合了SanDisk快閃記憶卡控制與MLC（Multilevel Cell）技術和Toshiba（東芝）0.16u及0.13u的NAND技術，通過9針的介面界面與專門的驅動器相連接，不需要額外的電源來保持其上記憶的信息。而且它是一體化固體介質，沒有任何移動部分，所以不用擔心機械運動的損壞。

TF卡,TranFlash的簡稱,一種全新的超小型大容量移動存儲卡，大小約等於目前市面最流行的SD記憶卡的1/4，或手機SIM卡的 1/2。可以隨意將拍攝的照片，下載的MP3或影音文件儲存在TF卡中；也可以通過SD卡適配器與電腦連接，從電腦中將文件拷在卡中，傳輸非常方便，隨時都能擴展收集的記憶容量。
TF卡是Motorola與SanDisk共同推出的最新一代的記憶卡規格，它採用了最新的封裝技術，並配合SanDisk最新NAND MLC技術及控制器技術。大小(11mm x 15mm x1mm)，約等於半張SIM卡，Trans-Flash Card為SD Card產品成員的一員,附有SD轉接器，可兼容任何SD讀卡器，TF卡可經SD卡轉換器後，當SD卡使用。T-Flash卡是市面上最小的快閃記憶體卡,適用於多項多媒體應用.Trans-flash產品採用SD架構設計而成,SD協會於2004年年底正式將其更名為 Micro SD，已成為SD產品中的一員。

MID?鈴聲格式啊！你說的可是MMC？
MMC(MultiMediaCard，多媒體存儲卡)由SanDisk和Siemens公司在1997年發起，與傳統的移動存儲卡相比，其最明顯的外在特徵是尺寸更加微縮——只有普通的郵票大小(是CF卡尺寸的1/5左右)，外形尺寸只有32mm×24mm×1.4mm，而其重量不超過2g。這使其成為世界上最小的半導體移動存儲卡，它對於越來越追求便攜性的各類手持設備形成強有力的支持。
MMC在設計之初是瞄準手機和尋呼機市場，之後因其小尺寸等獨特優勢而迅速被引進更多的應用領域，如數碼相機、PDA、MP3播放器、筆記本電腦、攜帶型游戲機、數碼攝像機乃至手持式GPS等。
另外，由於採用更低的工作電壓，驅動電壓為2.7-3.6V。MMC比CF和SM等上代產品更加省電，目前常見的容量為64MB/128MB，ATP Electrionics公司已經率先推出了1GB的高容量MMC卡。

說了這么多，其實記憶卡根據不同的協議，外觀和速度有所不同，但存儲方式確是基本一樣的。故不需考慮視頻或其他文件能不能存的問題（都能存），而是要考慮你的機型支持與否的問題！
T-Flash全名（TransFLash),這是Motorola與SanDisk共同推出的最新一代的記憶卡規格，它採用了最新的封裝技術，並配合SanDisk最新NAND MLC技術及控制器技術。大小(11mm x 15mm x1mm)，約等於半張SIM卡，Trans-Flash Card為SD Card產品成員的一員,附有SD轉接器，可兼容任何SD讀卡器，TF卡可經SD卡轉換器後，當SD卡使用。T-Flash卡是市面上最小的快閃記憶體卡,適用於多項多媒體應用.Trans-flash產品採用SD架構設計而成,SD協會於2004年年底正式將其更名為 Micro SD，已成為SD產品中的一員。

Micro SD Card產品設計乃是採用SD架構設計而成，尺寸幾乎只有一片指甲般的大小。

原名Trans-flash Card為SD Card產品協會的一員， SDA 協會於 2004 年年底正式更名為：Micro SD Card。
而全新推出的Micro SD記憶卡採用最先進的SLC控制技術，讓資料擁有高超的傳輸速度！對應於高畫素、影音播放將是如虎添翼。加上3G行動電話已經蓄勢待發，無限傳輸速度不斷提升，行動電話的使用方式將會有重大的轉變。數位攝影、照相、影片播放、MP3 音樂、游戲、個人帳目行事歷、電子郵件以及錄音等功能、、這些以往僅能夠在Notebook 或者是桌上型電腦才能夠展現的強大多媒體功能，現在已然實現在在這小小的一隻行動電話上頭！行動電話的發展，可說是一日千里，更是現在人類生活的必需品。

然而上述的這一切影音功能全都需要仰賴小小的一張記憶卡才能夠有其發揮的空間喔。運用於行動電話由早期的MMC Card 、SD Card 乃至全新規格的mini SD Card 、RS-MMC Card 等，其發展皆是著著「輕、薄、短、小」的概念而演進！才能夠使得數位產品擁有更大的發展空間。Micro SD 記憶卡的出現更是完全符合了這一個先進的概念！擁有目前全球最迷你體積的記憶卡，甚至僅有手機SIM卡的一半體積大小，目前已有MOTO數款行動電話採用Micro SD記憶卡。如此一來既能夠提供纖細體積如嵌入式裝置又低成本的優點，還能夠兼顧移除式快閃記憶體記憶卡的靈活性，搭配上轉接卡更能夠完全相容市面上所有支援SD記憶卡的數位產品。

在Micro SD面市前之前，行動電話製造商都採用嵌入式記憶體，雖然這類模組容易裝設，然而有著無法因應實際因應潮流需求的困擾 – 容量被限制住了。無法再有升級空間。Micro SD仿效 SIM卡的應用模式，即是同一張卡可以應用在不同型號的行動電話內，讓行動電話製造商不用再為插卡式的研發設計而傷腦筋啦。 Micro SD足以堪稱可移動式的儲存IC 。
Micro SD 產品規格：

◆ 尺寸： 15mm × 11mm × 1mm

◆ 存取速度：最高 12.5MB/S

◆ 容量： 32MB ～ 128MB （目前最高）

◆ 低耗電量、延長您電池使用壽命

◆ 可接上轉接卡，相容於一般 SD Card 應用產品

◆ 腳位： 8pin

MMC SD RSMMC miniSD TF
其中MMC SD卡直接可以插到小E里使用,而miniSD RSMMC TF可以需要配合轉換適配器使用

MMC（MultiMedia Card）卡,可以分為MMC和SPI兩種工作模式，MMC模式是標準的默認模式，具有MMC的全部特性。而SPI模式則是MMC存貯卡可選的第二種模式，這個模式是MMC協議的一個子集，主要用於只需要小數量的卡（通常是1個）和低數據傳輸率（和MMC協議相比）的系統，這個模式可以把設計花費減到最小，但性能就不如MMC。

SD卡是Secure Digital Card卡的簡稱，直譯成漢語就是「安全數字卡」，是由日本松下公司、東芝公司和美國SANDISK公司共同開發研製的全新的存儲卡產品。SD存儲卡是一個完全開放的標准（系統），多用於MP3、數碼攝像機、數碼相機、電子圖書、AV器材等等，尤其是被廣泛應用在超薄數碼相機上。SD卡在外形上同MultiMedia Card卡保持一致，大小尺寸比MMC卡略厚，容量也大很多。並且兼容MMC卡介面規范。不由讓人們懷疑SD卡是MMC升級版。另外，SD卡為9引腳，目的是通過把傳輸方式由串列變成並行，以提高傳輸速度。它的讀寫速度比MMC卡要快一些，同時，安全性也更高。SD卡最大的特點就是通過加密功能，可以保證數據資料的安全保密。它還具備版權保護技術，所採用的版權保護技術是DVD中使用的CPRM技術（可刻錄介質內容保護）。

RSMMC卡又叫迷你MMC卡,Reced Size MultiMediaCard的簡稱,由MMCA協會發布。RSMMC卡繼承了MMC卡的低耗電特性，其形狀正好是MMC卡的一半，體積為24mm x 18 mm x 1.4mm，重量僅0.8克，是目前最小最輕的存儲卡之一。它的特性和MMC卡相同，也是7個針腳，通過在後面安裝專用適配器可以當作MMC卡一樣來用。RSMMC卡目前也已經得到了手機廠商的廣泛支持。

miniSD卡是在數碼相機，PDA等所用的Flash Memory Card（中文名：快快閃記憶體儲卡）基礎上發展出的一種更小更適合小型手機用的存儲卡。盡管miniSD卡的外形大小及介面形狀與原來的SD卡不同，但介面等電氣標准相同，以確保兼容性。將miniSD插入專用適配器，可通過原來的SD卡插槽讀寫miniSD卡。不過，不具備像SD卡那樣防寫入的鎖定功能。 miniSD卡的介面比SD卡的9個還多2個，有11條信號線。多出的2條信號線是為未來擴展性能准備的。比如，可用於非接觸型IC等近距離無線通信的天線連接等。剩下的9條信號線是與原來SD卡相同標準的信號線。

TF卡,TranFlash的簡稱,一種全新的超小型大容量移動存儲卡，大小約等於目前市面最流行的SD記憶卡的1/4，或手機SIM卡的 1/2。可以隨意將拍攝的照片，下載的MP3或影音文件儲存在TF卡中；也可以通過SD卡適配器與電腦連接，從電腦中將文件拷在卡中，傳輸非常方便，隨時都能擴展收集的記憶容量。

❼ 快閃儲存是 ssd嗎

快閃儲存是指：快閃記憶體（flash EPROM）是電子可擦除可編程只讀存儲器(electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)的一種形式。快閃記憶體允許在操作中多次擦或寫，並具有非易失性，即單指保存數據而言，它並不需要耗電。快閃記憶體和傳統的EEPROM不同在於它是以較大區塊進行數據抹擦，而傳統的EEPROM只能進行擦除和重寫單個存儲位置。這就使得快閃在寫入大量數據時具有顯著地優勢。
快閃記憶體具有較快的讀取速度，其讀取時間小於100ns，這個速度可以和主存儲器相比。但是由於它的寫入操作比較復雜，花費時間較長。而[1] 與硬碟相比，快閃記憶體的動態抗震能力更強，因此它非常適合用於移動設備上，例如筆記本電腦、相機和手機等。快閃記憶體的一個典型應用USB盤已經成為計算機系統之間傳輸數據的流行手段。
SSD是：固態硬碟（Solid State Drive）用固態電子存儲晶元陣列而製成的硬碟，由控制單元和存儲單元（FLASH晶元、DRAM晶元）組成。固態硬碟在介面的規范和定義、功能及使用方法上與普通硬碟的完全相同，在產品外形和尺寸上也完全與普通硬碟一致。被廣泛應用於軍事、車載、工控、視頻監控、網路監控、網路終端、電力、醫療、航空、導航設備等領域。
兩者是不一樣的。

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❽ 快閃記憶體的概述

快閃記憶體具有較快的讀取速度，其讀取時間小於100ns，這個速度可以和主存儲器相比。但是由於它的寫入操作比較復雜，花費時間較長。而 與硬碟相比，快閃記憶體的動態抗震能力更強，因此它非常適合用於移動設備上，例如筆記本電腦、相機和手機等。快閃記憶體的一個典型應用USB盤已經成為計算機系統之間傳輸數據的流行手段。

❾ Flash存儲器和傳統的只讀存儲器相比有什麼優點

FLASH快閃記憶體

快閃記憶體的英文名稱是"Flash
Memory"，一般簡稱為"Flash"，它屬於內存器件的一種。

不過快閃記憶體的物理特性與常見的內存有根本性的差異：
目前各類
DDR
、
SDRAM
或者
RDRAM
都屬於揮發性內存，只要停止電流供應內存中的數據便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數據重新載入內存；
快閃記憶體則是一種不揮發性（
Non-Volatile
）內存，在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。

只讀存儲器（read
only
memory）

只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。英文簡稱ROM。ROM所存數據，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定
，斷電後所存數據也不會改變；其結構較簡單，讀出較方便，因而常用於存儲各種固定程序和數據。除少數品種的只讀存儲器（如字元發生器）可以通用之外，不同用戶所需只讀存儲器的內容不同。為便於使
用和大批
量
生產
，進一步發展了可編程只讀存儲器（PROM）、可擦可編程序只讀存儲器（EPROM）和電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）。EPROM需用紫外光長時間照射才能擦除，使用很不方便。20世紀
80
年代制出的
EEPROM
，克服了EPROM的不足，但集成度不高
，價格較貴。於是又開發出一種新型的存儲單元結構同
EPROM
相似的快閃記憶體
。其集成度高、功耗低
、體積小
，又能在線快速擦除
，因而獲得飛速發展，並有可能取代現行的硬碟和軟盤而成為主要的大容量存儲媒體。大部分只讀存儲器用金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應管製成。

❿ 存儲卡問題

MSD---Memory Stick DuoTM（記憶棒）
SONY的記憶棒用在P900 P800以及S700上的叫做DUO,是短棒。屬於長棒的縮小板，技術規格和長棒是相同的，所以可以通過適配器可以用在長棒的設備上。在買卡的時候會有Memory Stick的適配器送,這個適配器是可以在sony的數碼產品上通用的.
T-Flash---TransFLash
這是Motorola與SanDisk共同推出的最新一代的記憶卡規格，它採用了最新的封裝技術，並配合SanDisk最新NAND MLC技術及控制器技術。大小(11mm x 15mm x1mm)，約等於半張SIM卡，Trans-Flash Card為SD Card產品成員的一員,附有SD轉接器，可兼容任何SD讀卡器，TF卡可經SD卡轉換器後，當SD卡使用。T-Flash卡是市面上最小的快閃記憶體卡,適用於多項多媒體應用.Trans-flash產品採用SD架構設計而成,SD協會於2004年年底正式將其更名為 Micro SD，已成為SD產品中的一員。
miniSD---mini Secure Digital Card
miniSD卡是在數碼相機，PDA等所用的Flash Memory Card（中文名：快快閃記憶體儲卡）基礎上發展出的一種更小更適合小型手機用的存儲卡。盡管miniSD卡的外形大小及介面形狀與原來的SD卡不同，但介面等電氣標准相同，以確保兼容性。將miniSD插入專用適配器，可通過原來的SD卡插槽讀寫miniSD卡。不過，不具備像SD卡那樣防寫入的鎖定功能。 miniSD卡的介面比SD卡的9個還多2個，有11條信號線。多出的2條信號線是為未來擴展性能准備的。比如，可用於非接觸型IC等近距離無線通信的天線連接等。剩下的9條信號線是與原來SD卡相同標準的信號線。