存儲介質塊

『壹』 計算機存儲系統分哪幾個層次每一層次主要採用什麼存儲介質

計算機系統中存儲層次可分為高速緩沖存儲器、主存儲器、輔助存儲器三級

高速緩沖存儲器用來改善主存儲器與中央處理器的速度匹配問題

輔助存儲器用於擴大存儲空,即硬碟，光碟等，容量大，但存取數據慢，計算機都是先把輔存中要讀的東西放到主存後處理，然後在依據情況是否寫回。

主存即為內存，斷電信息丟失，但存取數據塊，它的容量大小直接影響計算機運行速度。由於儲存速度，儲存器各種類的造價問題，及儲存器的容量問題，電腦就形成了以CPU內置高速Cache（最快最貴），內存（快速貴），硬碟（便宜容量大），為主的儲存方式，而光碟，快閃記憶體是方便移動的儲存器介質

『貳』 計算機內存儲器一般用什麼作為存儲介質

計算機內存中儲存器一般用ROM作為儲存介質，通電時可以存儲信息，斷電時信息消失。

RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。RAM在計算機和數字系統中用來暫時存儲程序、數據和中間結果。

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ROM有多種類型，且每種只讀存儲器都有各自的特性和適用范圍。從其製造工藝和功能上分，ROM有五種類型，即掩膜編程的只讀存儲器MROM（Mask-programmedROM）、可編程的只讀存儲器PROM（Programmable ROM）、可擦除可編程的只讀存儲器EPROM（Erasable Programmable ROM）、可電擦除可編程的只讀存儲器 EEPROM（Elecrically Erasable Programmable ROM）和快擦除讀寫存儲器（Flash Memory）。

『叄』 fpga器件中的存儲器塊有何作用

3.2 FPGA器件中的存儲器塊有何作用？

FPGA器件內通常有片內存儲器，這些片內存儲器速度快，讀操作的時間一般為3～4 ns，寫操作的時間大約為5 ns，或更短，用這些片內存儲器可實現RAM、ROM或FIFO等功能，非常靈活，為實現數字信號處理（DSP）、數據加密或數據壓縮等復雜數字邏輯的設計提供了便利；採用ROM查表方式可以完成數值運算、波形信號發生器等功能，是FPGA設計中一種常用的設計方法。

『肆』 U盤屬於什麼儲存介質

U盤屬於快閃記憶體存儲介質，集磁碟存儲技術、快閃記憶體技術及通用串列匯流排技術於一體。

U盤機芯包括一塊PCB+USB主控晶元+晶振+貼片電阻、電容+USB介面+貼片LED（不是所有的U盤都有）+FLASH（快閃記憶體）晶元。

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計算機把二進制數字信號轉為復合二進制數字信號（加入分配、核對、堆棧等指令），讀寫到USB晶元適配介面，通過晶元處理信號分配給EEPROM存儲晶元的相應地址存儲二進制數據，實現數據的存儲。

U盤從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。

『伍』 存儲設備主要有哪幾種

硬碟：

硬碟是用來存儲數據的倉庫。看到「硬碟」這個名字，有的同學可能會問，硬碟外面看起明明是個盒子為什麼叫個「盤」呢？這是因為傳統的機械硬碟（HDD）盒子般的外表下藏著一張（或者幾張）盤子的「心」。我們存在電腦上的數據都在這些盤子里，這些盤子的學名叫「磁碟」。磁碟上方有一個名叫「磁頭」的部件，當電腦從磁碟上存讀數據的時候，「磁頭」就會與「磁碟」摩擦摩擦，魔鬼般的步伐…當然不是真的「摩擦」，它們之間是通過「心靈（電磁）感應」實現交流的。傳統的機械硬碟容量已經從G時代步入了T時代，它的量價比（存儲容量/價格）是最大的（嗯，給日本大姐姐們安家很合適）。

固態硬碟（SSD）是近幾年漸漸被普及的新產品，相比HDD來說，固態硬碟的這個「盤」字就有點名不副實了。SSD用快閃記憶體替代了HDD的「磁碟」來作為存儲介質，直接通過電流來寫入、讀取數據，摒棄了HDD中的機械操作過程，並且SSD的讀和寫可以將一個完整數據拆成多份，在主控的控制下並行操作，這樣就大大提高了讀寫的吞吐量。一般來說固態硬碟的隨機存取速度（讀取大量小文件）比HDD快幾十倍甚至上百倍，持續存取速度（一次讀取一個大文件）也比HDD快一倍以上。不過相對HDD來說，SSD還是硬碟界的高富帥，相同容量的SSD的售價可以買十幾塊同容量的HDD。

U盤、SD卡、MiniSD卡和各種卡：

這幾類產品都是用快閃記憶體作為存儲介質的常用存儲設備，不過相比SSD而言，存儲容量較小（人家身材好嘛），也沒有復雜的主控電路實現數據的並行寫入，所以存取速度上比SSD慢不少。 U盤的英文名是「USB flash disk」，名字中有個「USB」，顧名思義，這種「盤」經常與電腦上的USB介面插來插去，一般用來做數據中轉站。

『陸』 存儲器中說的塊、頁、簇、扇區對應的關系是怎麼樣的，最好能詳細點！~謝謝了

簡單的說，就是塊可以包含若干頁，頁可以包含若干簇，簇可以包含若干扇區。這里「若干」一般是二的方次。例如：一簇等於128扇區，一頁等於64簇，一塊等於4頁，那麼一塊就等於4x64x128扇區。

『柒』 固態硬碟的存儲介質和原理是什麼

1、固態硬碟原理是一種主要以快閃記憶體(NAND Flash)作為永久性存儲器的計算機存儲設備，此處固態主要相對於以機械臂帶動磁頭轉動實現讀寫操作的磁碟而言，NAND或者其他固態存儲以電位高低或者相位狀態的不同記錄0和1。

2、固態硬碟介質採用SATA 3、M.2或者PCI Express、mSATA、U.2、ZIF、IDE、CF、CFast等介面。但由於價格及存儲空間與機械硬碟有巨大差距，固態硬碟當前仍無法完全取代機械式硬碟。

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固態硬碟特點

1、固態硬碟和機械硬碟相比讀寫速度遠遠勝出，這也是其最主要的功能，還具有低功耗、無噪音、抗震動、低熱量的特點，這些特點可以延長靠電池供電的計算機設備運轉時間。

2、固態硬碟防震抗摔性傳統硬碟都是磁碟型的，數據儲存在磁碟扇區里。而固態硬碟是使用快閃記憶體顆粒（即mp3、U盤等存儲介質）製作而成，所以SSD固態硬碟內部不存在任何機械部件。

『捌』 U盤的存儲介質是什麼呀是不是磁碟

優盤由控電路和快閃記憶體記憶體組成

要講解快閃記憶體的存儲原理，還是要從EPROM和EEPROM說起。

EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然後重新寫入。其基本單元電路（存儲細胞）如下圖所示，常採用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電後（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0。若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。

EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，後者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使第一級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除後可重新寫入。

快閃記憶體的基本單元電路如下圖所示，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由於利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按位元組擦除，而是全片或分塊擦除。 到後來，隨著半導體技術的改進，快閃記憶體也實現了單晶體管（1T）的設計，主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵，

在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決於在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。

快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸「1」。

寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。

讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。