sram的存儲原理

1. SRAM，DRAM，ROM，PROM，EPROM，EEPROM基本存儲原理

SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態刷新，所以叫靜態隨機存儲器。
DRAM 利用MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息，一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，由於柵極漏電，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這樣會造成數據丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於 1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持數據的連續性。

PROM（可編程ROM）則只能寫入一次，寫入後不能再更改。

EPROM（可擦除PROM）這種EPROM在通常工作時只能讀取信息，但可以用紫外線擦除已有信息，並在專用設備上高電壓寫入信息。

EEPROM（電可擦除PROM），用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。

2. SRAM和DRAM依靠什麼原理存儲信息

此二者為動態記憶體是揮發性記憶體，也就是會資料隨著電源關閉而消失，不會保存下來。
可視為一種暫存功能。

此二者都是靠1(高電壓表示)或0(低電壓表示)來表示資料數據

並採用「行、列」方式來定址儲存資料

但因DRAM是利用電容儲存電荷，因電容的特性，其電荷會隨時間而下降，所以需要不停的reflash，來表示0或1，以維持資料的正確性。

總結：
二者相同處：採用「行、列」方式來定址儲存資料，依靠電荷0/1來表達資料數據。

二者異：
>DRAM
-由電容器組成-須定時重覆充電更新
-容量可以很大、密度高-一般都是做為系統的主記憶體
-速度較慢、價錢較便宜

► SRAM
-由正反器組成-不須定時重覆充電更新
-容量無法做大、密度低一般做為快取記憶體或BUFFER
-速度較快、價錢較貴

3. 半導體靜態存儲器SRAM的存儲原理是()

半導體靜態存儲器(SRAM)是靠雙穩態存儲信息，半導體動態存儲器(DRAM)是靠電容存儲信息。

4. 請描述SRAM，DRAM，ROM，PROM，EPROM，EEPROM基本存儲原理

SRAM 靜態RAM（Static RAM / SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。
DRAM 動態RAM（Dynamic RAM / DRAM），DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的

ROM指的是「只讀存儲器」，即Read-Only Memory。這是一種線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝， 一次性製造，其中的代碼與數據將永久保存，不能進行修改。在微機的發展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只讀存儲器）中。如果發現內部數據有錯，則只有舍棄不用，重新訂做一份。

PROM指的是「可編程只讀存儲器」既Programmable Red-Only Memory。這樣的產品只允許寫入一次，所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)， 以實現對其「編程」的目的。PROM的典型產品是「雙極性熔絲結構」，如果我們想改寫某些單元，則可以給這些單元通以足夠大的電流，並維持一定的時間， 原先的熔絲即可熔斷，這樣就達到了改寫某些位的效果。另外一類經典的PROM為使用「肖特基二極體」的PROM，出廠時，其中的二極體處於反向截止狀態，還是用大電流的方法將反相電壓加在「肖特基二極體」，造成其永久性擊穿即可。PROM一旦寫入後無法修改，若是出了錯誤，已寫入的晶元只能報廢。

EPROM指的是「可擦寫可編程只讀存儲器」，即Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的特點是具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程，但是缺點是擦除需要使用紫外線照射一定的時間。這一類晶元特別容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射

EEPROM指的是「電可擦除可編程只讀存儲器」，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。它的最大優點是可直接用電信號擦除，也可用電信號寫入。鑒於EPROM操作的不便，後來出的主板上的BIOS ROM晶元大部分都採用EEPROM。EEPROM的擦除不需要藉助於其它設備，它是以電子信號來修改其內容的，而且是以Byte為最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了EPROM Eraser和編程器的束縛。EEPROM在寫入數據時，仍要利用一定的編程電壓，此時，只需用廠商提供的專用刷新程序就可以輕而易舉地改寫內容，所以，它屬於雙電壓晶元。 藉助於EEPROM晶元的雙電壓特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升級時，把跳線開關打至「ON」的位置，即給晶元加上相應的編程電壓，就可以方便地升級；平時使用時，則把跳線開關打至「OFF」的位置，防止病毒對BIOS晶元的非法修改。

5. 半導體存儲器sram是靠什麼存儲信息

按其功能可分為：隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）
RAM包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用於主存（內存的主體部分），SRAM主要用於高速緩存存儲器。
ROM 主要用於BIOS存儲器。
按其製造工藝
可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
按其存儲原理
可分為：靜態和動態兩種。

6. 計算機的「dram」和「sram」分別是什麼意思，有什麼區別

按照存儲信息的不同，隨機存儲器分為靜態隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和動態隨機存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。

靜態存儲單元（SRAM）
●存儲原理：由觸發器存儲數據
●單元結構：六管NMOS或OS構成
●優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache
●缺點：元件數多、集成度低、運行功耗大
●常用的SRAM集成晶元：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)

動態存儲單元（DRAM）
●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；現在：單管基本單元）
●刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作
●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小於柵極電容自然保持信息的時間（小於2ms）。
●優點： 集成度遠高於SRAM、功耗低，價格也低
●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較DRAM慢，所以在計算機中，SRAM常用於作主存儲器。
盡管如此，由於DRAM[1]存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產品。

7. SRAM是緩存還是內存

SRAM是一種讀寫速度很優秀的存儲器（比DRAM速度快很多的存儲器），因為讀寫速度優秀，所以價格就貴，所以一般容量做的比較小，容量做大的話成本就會很高（因為計算機要親民啊，做的那麼貴誰買得起呢），所以一般不拿來當內存使用（就是平常說的內存條），一般用作TLB（快表）或者用來減少存取時間的高速緩存，而DRAM一般用來做內存，一般容量比較大，為什麼容量大呢，因為他比SRAM存儲器慢所以價格便宜，容量做大一點就沒關系啦

8. 簡述SRAM,DRAM型存儲器的工作原理

您可能經常聽別人說，某台電腦的內存不夠了，硬碟太小了之類的話。這里的"不夠"、"太小"都指的是它們的容量，而不是他們的數量或幾何形狀的大小。內存和硬碟都是計算機用來存儲數據的，它們的單位就是我們剛剛談過的"Bytes"。 那麼，為什麼一個叫內存，一個叫硬碟呢？我們知道，計算機處理的數據量是極為龐大的，就好比一個人在堆滿了穀物的倉庫里打穀子，那怎麼施展得開，工作效率又怎會高呢？於是，人們把穀子堆在倉庫中，自己拿了一部分穀子到場院中去打，打完了再送回去。這下子，可沒什麼礙事的東西了，打穀子的速度快多了，內效率提高了。計算機也是這樣解決了同類的問題。它把大量有待處理和暫時不用的數據都存放在硬碟中，只是把需要立即處理的數據調到內存中，處理完畢立即送回硬碟，再調出下一部分數據。硬碟就是計算機的大倉庫，內存就是它幹活的場院。 內存簡稱RAM，是英文Random Accessmemory的縮寫。在個人計算機中，內存分為靜態內存（SRAM）和動態內存（DRAM）兩種，靜態內存的讀寫速度比動態內存要快。目前市面上的內存條以"MB"為單位，比如32MB的和64MB的內存條。硬碟容量要比內存大得多，現在以"GB"為單位已屬常見。當然了，內存和硬碟容量都是越大越好。可是容量越大，價錢就越高。重要的是，我們要選購夠用而又不造成浪費的內存條和硬碟。

9. 簡述SRAM,DRAM型存儲器的工作原理

個人電腦的主要結構:
顯示器
主機板
CPU
(微處理器)
主要儲存器
(記憶體)
擴充卡
電源供應器
光碟機
次要儲存器
(硬碟)
鍵盤
滑鼠
盡管計算機技術自20世紀40年代第一台電子通用計算機誕生以來以來有了令人目眩的飛速發展，但是今天計算機仍然基本上採用的是存儲程序結構，即馮·諾伊曼結構。這個結構實現了實用化的通用計算機。
存儲程序結構間將一台計算機描述成四個主要部分：算術邏輯單元（ALU），控制電路，存儲器，以及輸入輸出設備（I/O）。這些部件通過一組一組的排線連接（特別地，當一組線被用於多種不同意圖的數據傳輸時又被稱為匯流排），並且由一個時鍾來驅動（當然某些其他事件也可能驅動控制電路）。
概念上講，一部計算機的存儲器可以被視為一組「細胞」單元。每一個「細胞」都有一個編號，稱為地址；又都可以存儲一個較小的定長信息。這個信息既可以是指令（告訴計算機去做什麼），也可以是數據（指令的處理對象）。原則上，每一個「細胞」都是可以存儲二者之任一的。
算術邏輯單元（ALU）可以被稱作計算機的大腦。它可以做兩類運算：第一類是算術運算，比如對兩個數字進行加減法。算術運算部件的功能在ALU中是十分有限的，事實上，一些ALU根本不支持電路級的乘法和除法運算（由是使用者只能通過編程進行乘除法運算）。第二類是比較運算，即給定兩個數，ALU對其進行比較以確定哪個更大一些。
輸入輸出系統是計算機從外部世界接收信息和向外部世界反饋運算結果的手段。對於一台標準的個人電腦，輸入設備主要有鍵盤和滑鼠，輸出設備則是顯示器，列印機以及其他許多後文將要討論的可連接到計算機上的I/O設備。
控制系統將以上計算機各部分聯系起來。它的功能是從存儲器和輸入輸出設備中讀取指令和數據，對指令進行解碼，並向ALU交付符合指令要求的正確輸入，告知ALU對這些數據做那些運算並將結果數據返回到何處。控制系統中一個重要組件就是一個用來保持跟蹤當前指令所在地址的計數器。通常這個計數器隨著指令的執行而累加，但有時如果指令指示進行跳轉則不依此規則。
20世紀80年代以來ALU和控制單元（二者合成中央處理器，CPU）逐漸被整合到一塊集成電路上，稱作微處理器。這類計算機的工作模式十分直觀：在一個時鍾周期內，計算機先從存儲器中獲取指令和數據，然後執行指令，存儲數據，再獲取下一條指令。這個過程被反復執行，直至得到一個終止指令。
由控制器解釋，運算器執行的指令集是一個精心定義的數目十分有限的簡單指令集合。一般可以分為四類：1）、數據移動（如：將一個數值從存儲單元A拷貝到存儲單元B）2）、數邏運算（如：計算存儲單元A與存儲單元B之和，結果返回存儲單元C）3）、條件驗證（如：如果存儲單元A內數值為100，則下一條指令地址為存儲單元F）4）、指令序列改易（如：下一條指令地址為存儲單元F）
指令如同數據一樣在計算機內部是以二進制來表示的。比如說，10110000就是一條Intel
x86系列微處理器的拷貝指令代碼。某一個計算機所支持的指令集就是該計算機的機器語言。因此，使用流行的機器語言將會使既成軟體在一台新計算機上運行得更加容易。所以對於那些機型商業化軟體開發的人來說，它們通常只會關注一種或幾種不同的機器語言。
更加強大的小型計算機，大型計算機和伺服器可能會與上述計算機有所不同。它們通常將任務分擔給不同的CPU來執行。今天，微處理器和多核個人電腦也在朝這個方向發展。
超級計算機通常有著與基本的存儲程序計算機顯著區別的體系結構。它們通常由者數以千計的CPU，不過這些設計似乎只對特定任務有用。在各種計算機中，還有一些微控制器採用令程序和數據分離的哈佛架構（Harvard
architecture）。