硒化鋅存儲

⑴ 硒化鋅是什麼,有哪些用途

那是食品添加劑．食品中有強化鋅的作用．

⑵ 硒化鋅高溫會產生有毒氣體嗎

硒化鋅化學式為ZnSe，為淡黃色固體化合物，不溶於水，不燃，受熱，遇酸放出劇毒硒化氫氣體。見光迅速變紅色，久置空氣中或遇酸易分解。可溶於發煙鹽酸和過氧化氫作用生成硒酸鋅。

⑶ 3毫米硒化鋅鏡片能承受多少個大氣壓

硒化鋅實際聚焦光斑達到最小,能承受的功率更大。易擦拭,耐用性強。 砷化鎵聚焦鏡耐高溫、穩定性好,怎麼說呢,各有各的好處吧。

⑷ 硒化鋅三階非線性極化率數值是多少

硒化鋅晶體三階非線性極化率數值是多少
三階非線性光學材料的范圍很廣。由於不受是否具有中心對稱這一條件的限制，這些材料可以是氣體、原子蒸氣、液體、液晶、等離子體以及各類晶體、光學玻璃等，從其產生三階非線性極化率的機制來說也可以很不相同。有些來源於原子或分子的電子躍遷或電子雲形狀的畸變；有些來源於分子的轉向或重新排列；有些來源於固體的能帶之間或能帶以內的電子躍遷；有些來源於固體中的各種元激發，如激子、聲子、各種極化激元等的狀態改變。常見的三階非線性光學材料有：①各種惰性氣體，通常用於產生光學三次諧波、三階混頻，以獲得紫外波長的相干光。②鹼金屬和鹼土金屬的原子蒸氣,如Na、K、Cs原子及Ba、Sr、Ca原子等，通常用於產生共振的三階混頻、受激喇曼散射、相干反斯托克斯喇曼散射等效應（見受激光散射），以實現激光在近紅外、可見及紫外波段間的頻率變換及頻率調諧。③各種有機液體及溶液，如CS2、硝基苯、各種染料溶液等,這些介質由於有較大的三階非線性極化率，常用來進行各種三階非線性光學效應的實驗觀測，例如光學克爾效應、受激布里淵散射、簡並四波混頻及光學位相復共軛效應、光學雙穩態效應等都曾先後在這類介質中進行過實驗研究。④在液晶相及各向同性相中的各種液晶。由於液晶分子的取向排列有較長的弛豫時間，故液晶的各種非線性光學效應有自己的特點，引起人們特殊的興趣。例如曾用以研究光學自聚焦及非線性標准具等效應的瞬態行為。⑤某些半導體晶體。最近發現有些半導體，如lnSb，在紅

⑸ 半導體光電材料是什麼

光電材料是指用於製造各種光電設備（主要包括各種主、被動光電感測器光信息處理和存儲裝置及光通信等）的材料，主要包括紅外材料、激光材料、光纖材料、非線性光學材料等。
紅外探測材料
包括硫化鉛、銻化銦、鍺摻雜（金、汞）、碲錫鉛、碲鎘汞、硫酸三甘酞、鉭酸鋰、鍺酸鉛、氧化鎂等一系列材料，銻化銦和碲鎘汞是目前軍用紅外光電系統採用的主要紅外探測材料，特別是碲鎘汞（Hg-Cd-Te）材料，是當前較成熟也是各國側重研究發展的主要紅外材料。它可應用於從近紅外、中紅外、到遠紅外很寬的波長范圍，還具有以光電導、光伏特及光磁電等多種工作方式工作的優點，但該材料也存在化學穩定性差、難於製成大尺寸單晶、大面積均勻性差等缺點，Hg-Cd-Te現已進入薄膜材料研製和應用階段，為了克服該材料上述的缺點，國際上探索了新的技術途徑： （1）用各種薄膜外延技術制備大尺寸晶片，這些技術包括分子束外延（MBE）、液相外延（LPE）和金屬有機化合物氣相淀積（MOCVD）等。特別是用MOCVD可以制出大面積、組分均勻、表面狀態好的Hg-Cd-Te薄膜，用於制備大面積焦平面陣列紅外探測器。國外用MOCVD法已製成面積大於5cm2、均勻性良好、Δx=0.2±0.005、工藝重復性好的碲鎘汞單晶薄膜，64×64焦平面器件已用於型號系統、512×512已有樣品。 （2）尋找高性能新紅外材料取代Hg-Cd-Te，主要包括：①Hg-Mn-Te和Hg-Zn-Te，美國和烏克蘭等國從80年代中就開展了這方面的研究，研究表明，Hg1-xZnxTe和Hg1-x CdxZnyTe的光學特性和碲鎘汞很相似，但較容易獲得大尺寸、低缺陷的單晶，化學穩定性也更高。Hg1-xMnxTe是磁性半導體材料，在磁場中的光伏特性與碲鎘汞幾乎相同，但它克服了Hg-Te弱鍵引起的問題。②高溫超導材料，現處於研究開發階段，已有開發成功的產品。 ③Ⅲ-V超晶格量子阱化合物材料，可用於8～14μm遠紅外探測器，如：InAs/GaSb（應變層超晶格）、GaAs/AlGaAs（量子阱結構）等。 ④SiGe材料，由於SiGe材料具有許多獨特的物理性質和重要的應用價值，又與Si平面工藝相容，因此引起了微電子及光電子產業的高度重視。SiGe材料通過控制層厚、組分、應變等，可自由調節材料的光電性能，開辟了硅材料人工設計和能帶工程的新紀元，形成國際性研究熱潮。Si/GeSi異質結構應用於紅外探測器有如下優點：截止波長可在3～30μm較大范圍內調節，能保證截止波長有利於優化響應和探測器的冷卻要求。Si/GeSi材料的缺點在於量子效率很低，目前利用多個SiGe層來解決這一問題。 〔6〕1996年美國國防部國防技術領域計劃將開發先進紅外焦平面陣列的工作重點確定為：研製在各種情況下應用（包括監視和夜間/不利氣象條件下使用的紅外焦平面陣列）的紅外探測器材料，其中包括以如下三種材料為基礎的薄膜和結構：具有晶元上處理能力的GgCdTe單片薄膜、InAs/GaSb超晶格和SiGe（肖特基勢壘器件）。這三種材料也正是當前紅外探測材料發展和研究的熱點。
紅外透波材料
主要用作紅外探測器和飛行器中的窗口、頭罩或整流罩等，它的最新進展和發展方向如下：（1）目前，在中紅外波段採用的紅外透過材料有鍺鹽玻璃、人工多晶鍺、氟化鎂（MgF2）、人工藍寶石和氮酸鋁等，特別是多晶氟化鎂，被認為是綜合性能比較好的材料。遠紅外材料是紅外透過材料當前研究發展的重點之一，8～14μm長波紅外透過材料有：硫化鋅（ZnS）、硒化鋅（ZnSe）、硫化鑭鈣（CaLa2S4）、砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）和鍺（Ge）等。ZnS被認為是一種較好的遠紅外透過材料，在3～12μm范圍，厚2mm時，平均透過率大於70%，無吸收峰，採取特殊措施，最大紅外透過率達95.8%。國外已採用ZnS作為遠紅外窗口和頭罩材料，象美國的LANTRIRN紅外吊艙窗口，Learjel飛機窗口等。美國Norton國際公司先進材料部每年生產上千個ZnS頭罩。ZnS多晶體的制備方法主要有兩種：熱壓法與化學氣相淀積法（CVD），CVD法制備的材料性能較好。 紅外透過材料發展的另一個重要方向是：耐高溫紅外透過材料的研究。高速飛行器在飛行過程中會對紅外窗口和罩材產生高溫、高壓、強烈的風砂雨水的沖刷和浸蝕，影響紅外透過材料的性能，因此需要一系列新型的耐高溫、具有綜合光學、物理、機械、化學性能的新材料。這些條件下使用的理想材料從室溫到1000℃應具有下列特性：在使用波段內具有高透過，低熱輻射、散射及雙折射，高強度，高導熱系數，低熱膨脹系數，抗風砂雨水的沖擊和浸蝕，耐超聲波輻射等。最近研究較多的耐高溫紅外透過材料有鎂鋁尖晶石、蘭寶石、氧化釔、鑭增強氧化釔和鋁氧氮化物ALON等。鎂鋁尖晶石是近年來研究最多的最優秀的紅外光學材料之一，它能在高溫、高濕、高壓、雨水、風砂沖擊及太陽暴曬下仍保持其性質，因而是優先選用的耐高溫紅外透過材料，它可透過200nm到6μm的紫外、可見光及紅外光。單晶監寶石也是一種耐高溫紅外材料，它可透過從遠紫外0.17μm到6.5μm的紅外光，用新研製的熱交換法晶體生長過程可以製造直徑達25cm的大尺寸藍寶石。氧化釔和鑭增強氧化釔的透過波長為8μm，在氧化釔中摻入氧化鑭，材料強度提高30%，光學特性不變。由於高溫下具有很高的硬度，所以它具有很好的抗沖擊、抗浸蝕性能。嚴格的說到目前還沒有一種理想的材料能完全滿足上述要求。但包括上述材料在內的不少材料具有較理想的綜合性質。紅外透過材料的第三個發展方向是：紅外/毫米波雙模材料，這是為適應紅外/毫米波雙模復合材料制導技術的需要。目前，還沒有一種材料能滿足紅外/毫米波雙模材料既要有高的遠紅外透過率又有小的介電常數和損耗角正切的要求，高性能的紅外/毫米波雙模材料尚待進一步研究發展。紅外材料的應用：包括各種導彈的制導、紅外預警（包括探測、識別和跟蹤、預警衛星、預警飛機、各種偵察機等）、觀察瞄準（高能束攔截武器等）。
編輯本段激光材料
目前固體激光器正尋求在可見和近可見光譜范圍波長可調，為此而發現的可調諧激光晶體已有30多種，其中，Cr3 離子摻雜新晶體具有較高受激輻射截面和低飽和能量密度，它們的波長范圍是：Cr3 :LiCaAlF3為0.72～0.84μm、Cr3 :LiSrAlF6為0.78～1.01μm，特別是Cr:LiSAF，它的飽和能量密度為5J/cm2，在激光調諧范圍，熒光壽命、激光效率、熱透鏡效應等方面具有良好的性能。
編輯本段軍事應用
軍用光電材料研究的目的是將研究成果應用於新一代高技術光電子裝備系統，提高電子進攻和防衛綜合電子戰的能力。軍用光電材料是軍用光電子技術的重要基礎，對軍用光電子裝備系統有重要的賦能和倍增作用。以紅外材料為基礎的光電成像夜視技術能增強坦克、裝甲車、飛機、軍艦及步兵的夜戰能力，為航空、衛星偵察、預警提供重要手段，成像制導技術可大大提高導彈的命中率和抗干擾能力。以新型固體激光材料為基礎的激光測距、激光致盲武器和火控制系統等使作戰能力大大加強。可調諧激光晶體為從可見光到紅外波段可調諧激光系統提供工作物質可提高激光雷達、空中感測和水下探測等軍用激光系統的領域監視、偵察能力。利用光纖材料、寬頻、抗電磁和強核電磁脈沖干擾、保密、體積小、環境適應性強和抗輻照等優點，可實現地面武器系統無人遠距離感測陣和有人控制站之間的GB/s級信息傳輸；艦船指揮可以通過光纖為遠距離艦隊發送信號，進行指揮；飛機將能發射光纖攜繩的機載無人加強飛機或靶機；以往的武器有線制導將被光纖制導所取代；軍用運載體的慣性導航系統將被光纖陀螺所取代；戰略武器發射的C3I系統也將啟用光纖C3I網路等等。總之，軍用光纖系統的應用，將遠遠超越話音和低速率數據通信的范圍，而進入感測、海上或空中武器平台及各種高速率傳輸系統。

⑹ 高中化學結構章節 硒化鋅晶胞中硒原子配位數是

: 思考,硒和硫是同族元素,所以硒化鋅和硫化鋅應該具有類似的結構,而後者的結構是學過的。 所以答案如下:配位數是4.

⑺ 圓偏振光是如何改變電子自旋的它們之間是如何作用的

探索自旋晶體管
The Quest for the Spin Transistor
■Glenn Zorpette
微電子研究人員研究自旋至少已有20年歷史了。事實上，他們的發現已經為硬碟驅動器帶來了革命，從1998年起硬碟已經採用基於自旋的機制來實現更大的容量。在未來三年裡，Motorola公司和IBM公司有望再進一步，推出第一款利用自旋特性的商用半導體晶元，一種稱為M（意指磁性）RAM的新型隨機存儲器。MRAM速度快且是非易失性的，有望在美國每年106億美元的快閃記憶體市場上佔有相當的份額。如果工程師們可將成本降到足夠低，MRAM甚至最終會侵入到每年350億美元的RAM市場。

自旋方面的權威人士稱存儲器應用僅僅是自旋技術應用的開始。他們已將目標瞄準邏輯應用，這主要是受到過去兩三年中獲得的實驗結果的鼓舞，實驗顯示這一自旋新技術與現有基於電荷機制的半導體電子學器件的製造材料和方法有非常好的兼容性。2000年2月份，美國國防部高級研究項目機構宣布了一項持續五年，每年投入1500萬美元的計劃，致力於推進各種利用自旋的半導體材料和器件的研究。

亞原子世界的奇特性質

目前自旋研究的支持者們預見了一種全新的電子學形式，稱為自旋電子學。自旋電子學器件將利用電子的自旋來控制電荷的移動。再進一步，研究人員甚至可成功地製造出利用自旋本身（而不需要進行電荷的移動）來存儲和處理數據的器件。自旋電子學比傳統電子學設備消耗更少的能源，因為改變自旋所需要的能量僅是推動電荷移動所需要能量的很小一部分。

自旋電子學的另一個優點是其非揮發性：當電源關閉後，自旋不會變化。自旋的特定性能以及描述它的量子理論還指出自旋所具有的其它神奇的可能性，如每秒可變化10億次的邏輯門功能（與、或、非等等）；可直接利用偏振光或電壓信號進行工作的自旋電子學器件；可同時處於兩種不同狀態的存儲器單元。加利福尼亞州立大學領導自旋電子學和量子計算中心的David D. Awschalom說："自旋提供了完全不同的功能。最令人激動的可能是那些我們還沒有想到的。"

神秘的量子機制

自旋的奇特之處在於它直接涉及到做為現代物理學基礎的量子理論的核心。於20世紀初發展起來的量子理論是非常精密的理論，其基本概念是在亞原子水平上，能量的交換必須以一定的最小量為單位，即是量子化的。

狄拉克於1920年代晚期預見了自旋的存在。在其獲得諾貝爾獎的工作中，他統一了量子理論的能量和動量方程和愛因斯坦的狹義相對論。
自旋比較難於理解，這是因為在我們熟悉的宏觀世界裡缺少一個准確的對照物。其名字是按照宏觀世界與之最接近的概念--旋轉物體的角動量命名的。但通常的行星角動量，或旋轉的球體，在停止運動後，角動量也消失了，因此是外在的。但自旋是一種粒子無法獲得或失去的內在角動量。

事實上，角動量和自旋之間的類比不能走得再遠了。粒子自旋並不是由於粒子的旋轉，而電子也沒有物理的維度，如半徑。因此在經典的意義上說電子具有角動量嚴格來說是沒有意義的。

最小的磁體

幸運的是，為了理解新近的進展，並不需要深入地了解自旋的特性。這時，通常用來使人們理解量子世界意義的不完善的類比還是很有用的，至少在自旋在磁性機制產生方面的作用而言是如此。

首先我們了解這樣的事實，自旋使電子成為一個微小的磁體，具有南極和北極。小磁體南北極軸的朝向依賴於粒子的自旋軸。在普通物質的原子中，一些自旋軸指向"上"（相對於周圍磁場而言）而同樣數量的自旋指向"下"。粒子的自旋與磁矩相關，這可以想像為偏轉電子自旋軸的方向柄。因此在普通物質中，向上的磁矩抵消了向下的，因此不能產生宏觀磁性。

為了得到宏觀磁性，需要鐵磁材料，如鐵，鎳或鈷。這些材料具有很多小的稱為磁疇的區域，其中的電子自旋指向上或指向下的更多一些（至少在溫度處於居里溫度以下，熱效應破壞磁性機制以前是這樣）。通常這些磁疇是隨機指向的，並且總自旋向上或向下的數量一樣多。但適加的外部磁場可打破磁疇間的界限，使所有的磁疇沿著磁場的方向排列，即它們都指向同一方向。結果就形成永久磁體。

鐵電材料是許多自旋電子器件的核心。利用電壓差驅動電子流通過鐵電材料，其中鐵電材料起到自旋極化器的作用，將通過其中的電子自旋軸對齊，使它們都指向一個方向（上或下）。最基本和最重要的自旋電子器件之一是磁隧道結，其構造為兩層鐵電材料，中間用極薄的非導體層隔開（參見圖）。該器件是由法國物理學家M. Julli re於1970年代中期展示的。

相對論晶體管

研究人員現在特別熱衷探索的是類似傳統晶體管（甚至可以產生增益）的基於自旋的器件。這方面的研究有幾種不同的思路。最先提出的一種稱為自旋場效應晶體管（FET）。最近的一種方法則將自旋與物理學家幾十年來一起追求的一種器件--共振隧道晶體管，聯系在一起。
1990年 Supriyo Datta 和 Biswajit A. Das（後來兩人同時到了Pure大學）在一篇後來發表於Applied Physics Letters雜志上的文章中提出了自旋FET的概念。兩人建議的自旋FET器件，源極和漏極都是鐵電材料，其中的電子自旋相同。可將電子注入源極，注入電子的自旋軸會取與源極和漏極同樣的方向。這些自旋極化的電子將從源極以光速1%左右的速度貫穿到漏極。

這一速度很重要，因為以相對論速度移動的電子受某些效應的影響。其中一種效應是施加的電場看起來會象是一個磁場。因此施加在柵極上的電壓會改變從源極向漏極移動的自旋極化的電子的自旋，從而使其自旋方面反轉。因此電子的自旋會變得與漏極中的方向相反，從而使其不那麼容易穿透到漏極。這樣從源極進入漏極的電流會大大減小。

然而，在Datta和Das的文章發表11年之後，仍然沒有人製造出可工作的自旋FET。

最近在德國柏林進行的工作可能會改變所有這些。去年7月Paul Drude大學的Klaus H. Ploog 及其同事研製的結果表明，他們採用一層在砷化鎵上生長的鐵薄膜來使注入GaAs的電子自旋實現極化。這一實驗是在室溫下進行的，其注入速度為2%，這一速度比同類實驗要高。

NRL的Johnson說，這一工作"非常重要,它將為這一領域帶來革命。從現
在起一年多以後，許多自旋FET研究人員都會利用鐵來進行研究。"
另一類自旋晶體管製造方法則使用了稱為共振隧穿的量子現象。利用此現象的器件將是共振隧穿二極體的擴展。此類器件的核心是一個極小的稱為量子阱的區域，其中電子被限制於內。然後，在與量子阱能量相應的特定共振電壓下，電子可以穿出封閉量子阱的勢壘，術語稱之?quot;隧穿"。

通常，電子的自旋狀態與隧道效應無關，因為自旋向上和向下的電子具有同樣的能量。但採用不同的方法，研究人員可以設計出這樣的器件，其中自旋向上和自旋向下的電子能級是不同的，因此存在兩種不同的隧穿途徑。這兩種隧道可通過不同的電壓控制；每種電壓對應一種自旋狀態。在一種電壓下，可由自旋向下的電子產生一定的電流。在另一其它電壓下，可由自旋向上的電子穿透量子阱的勢壘產生一定的電流。

分開能級的一種方法是在量子阱的兩邊勢壘中採用不同的材料，從而使得將電子限制在量子阱中的兩端勢壘能量在量子阱的兩端不同。這一束縛勢壘的差異對於移動中的電子來說可看成量子阱內存在兩個區域，互相具有不同的磁場。這一非對稱的磁場使得自旋向上和向下的狀態具有不同的共振能級。

另一種分開能級的方法是簡單地將器件置於磁場中。這一方法被由紐約Buffalo大學的研究小組所採用。

兩個小組都還沒有製造出可工作的器件，但此類器件的前景使得研究興趣仍然很高。

希望之光

在這些研究人員進行上述器件研究的同時，他們還注意到另外一些科學家提出了全新一類實驗器件。這一新興的研究方法中採用的器件可以在半導體材料中建立或探測自旋極化的電子束，而不是採用鐵電金屬材料。在這些實驗中，研究人員利用激光來克服將極化自旋的電子注入半導體中的困難。通過利用極化的激光光束照射普通的半導體材料，如砷化鎵和硒化鋅，他們得到了自旋極化的電子簇。

一些觀察家認為依靠激光束非常不利。他們認為很難想像此類器件如何微型化到能夠與目前的傳統電子器件可比的程度，更不用說與傳統電子器件在同一集成電路上協調工作了。而且，在某些半導體中，如GaAs，自旋極化只能在低溫下持續存在。

在過去三年中，一系列突破性發現使這一領域成為一個活躍的學科。在Awschalom領導的實驗室中取得了幾項重要結果。他和其同事展示了自旋極化的電子簇保持他們極化的時間比預期的要長很多，可達到幾百納秒。Awschalom、Oestreich以及其它研究人員獨立地製造出來自旋極化的電子簇，並在不失去電子極化的情況下使電子跨越半導體邊界進行移動。

如果做不到這些，自旋在電子學方面根本沒有發展潛力。請注意，實用的器件是通過改變自旋的方面進行工作的。這意味著自旋相干持續的時間至少要比改變自旋極化所需要的時間要長一些。而且，就象傳統的電子器件一樣，自旋電子器件，必須採用多層半導體材料製造，因此在不失去相乾性的情況下，使自旋極化的電子簇通過半導體結就至關重要。

令人迷惑的進動 正如以前，Awschalom進行的實驗中電子簇不僅自旋極化了，而且還顯示出進動。進動發生在自旋極化的電子簇被置於一個磁場中時：磁場導致它們的自旋軸繞著磁場的方向旋轉進動。旋轉的頻率和方面與磁場的強度以及進動發生時所處的材料性質有關。

這一合作小組利用圓極化光脈沖在GaAs中製造自旋相乾的電子簇。然後施加磁場使電子進動，然後利用一個電壓將進動的電子拉過半導體結，使其進入另一種半導體材料ZnSe中。研究人員發現，如果他們採用較低的電壓將電子拉到ZnSe中，電子會在越過結後迅速具有ZnSe中的進動特徵。然而，如果他們採用較高的電壓將電子拉過結，電子就會保持其進動狀態，就象仍然在GaAs中一樣（見圖2）。

"根據採用的電場不同，你可調節電流的行為。"Awschalom在一次采訪中說，"這也使我們感到非常奇怪。"該小組在6月14日那期的Nature雜志上報告了其結果，等待全世界的理論學者解釋這一現象。

這一合作中得到的其它結果更令人迷惑。研究人員進行了類似的實驗，採用的是p型GaAs和n型ZnSe。N型材料依靠電子導電，而P型依靠空穴。由於採用兩種不同的載流子類型的材料，在結附近存在一個電場。而且，這一電場已經足夠強，以致可迅速將GaAs中的自旋相干電子簇拉到ZnSe中，並且其自旋相乾性可保持數百納秒。

這一結果在兩個方面都令人鼓舞。正如Awschalom所說，"這表明您可製造由n型和p型材料構成的結器件，而自旋可順利地通過兩者的界面。"同樣重要的是，試驗表明，自旋可在不需要外加電場的情況下從一種半導體材料進入另一種半導體，這在商業器件中是不可能的。

此類器件至少還要數年才會出現。但即使是研究人員能夠獲得可在實驗室條件下工作的自旋晶體管，仍然需要更大的突破才能使器件進入實用階段。例如，器件需要圓極化的激光脈沖使其看起來不很方便實現，盡管Awschalom認為是有利的。他認為關鍵是光子將用於晶元間的通信，磁性單元用作存儲器，而基於自旋的器件用來完成快速低功耗的邏輯功能。

這一切離現在都還太遠，但這並不比在三極真空管佔領導地位的日子裡想像1GB DRAM來得更遠。

⑻ 江湖救急！！！ 硒化鋅 直徑50MM*厚度11.5MM 密度5.27 體積的計算公式是什麼

問題錯了吧

⑼ ZnSe（硒化鋅）對身體的傷害

這些都是會致癌的~~
母體遇到~對孩子同樣不好~
不過偶爾一次遇到還好說~
如果是長期接觸~
不好~
必須遠離~