存儲器擴展知識
1. PLC存儲器的組成有哪些各部分的作用是什麼
PLC存儲器分為系統程序存儲器和用戶存儲器。
系統程序存儲器用以存放系統程序,包括管理程序,監控程序以及對用戶程序做編譯處理的解釋編譯程序。由只讀存儲器、ROM組成。廠家使用的,內容不可更改,斷電不消失。
用戶存儲器:分為用戶程序存儲區和工作數據存儲區。由隨機存取存儲器(RAM)組成。用戶使用的。斷電內容消失。常用高效的鋰電池作為後備電源,壽命一般為3~5年。
lc基本結構基本相同,主要有CPU,電源,儲存器和輸入輸出介面電路等組成。中央處理器單元一般由控制器、運算器和寄存器組成。
CPU通過地址匯流排、數據匯流排、控制匯流排與儲存單元、輸入輸出介面、通信介面、擴展介面相連。CPU是PLC的核心,它不斷採集輸入信號,執行用戶程序,刷新系統輸出。
PLC的存儲器包括系統存儲器和用戶存儲器兩種。系統存儲器用於存放PLC的系統程序,用戶存儲器用於存放PLC的用戶程序。現在的PLC一般均採用可電擦除的E2PROM存儲器來作為系統存儲器和用戶存儲器。
(1)存儲器擴展知識擴展閱讀:
PLC的輸入介面電路的作用是將按鈕、行程開關或感測器等產生的信號輸入CPU;PLC的輸出介面電路的作用是將CPU向外輸出的信號轉換成可以驅動外部執行元件的信號,以便控制接觸器線圈等電器的通、斷電。PLC的輸入輸出介面電路一般採用光耦合隔離技術,可以有效地保護內部電路。
輸入介面電路
PLC的輸入介面電路可分為直流輸入電路和交流輸入電路。直流輸入電路的延遲時間比較短,可以直接與接近開關,光電開關等電子輸入裝置連接;交流輸入電路適用於在有油霧、粉塵的惡劣環境下使用。
交流輸入電路和直流輸入電路類似,外接的輸入電源改為220V交流電源。
輸出介面電路通常有3種類型:繼電器輸出型、晶體管輸出型和晶閘管輸出型。
繼電器輸出型、晶體管輸出型和晶閘管輸出型的輸出電路類似,只是晶體管或晶閘管代替繼電器來控制外部負載。
當可編程邏輯控制器投入運行後,其工作過程一般分為三個階段,即輸入采樣、用戶程序執行和輸出刷新三個階段。完成上述三個階段稱作一個掃描周期。在整個運行期間,可編程邏輯控制器的CPU以一定的掃描速度重復執行上述三個階段。
根據上述過程的描述,可以對PLC工作過程的特點小結如下:
①PLC採用集中采樣、集中輸出的工作方式,這種方式減少了外界干擾的影響。
②PLC的工作過程是循環掃描的過程,循環掃描時間的長短取決於指令執行速度、用戶程序的長度等因素。
③輸出對輸入的影響有滯後現象。PLC採用集中采樣、集中輸出的工作方式,當采樣階段結束後,輸入狀態的變化將要等到下一個采樣周期才能被接收,因此這個滯後時間的長短又主要取決於循環周期的長短。此外,影響滯後時間的因素還有輸入濾波時間、輸出電路的滯後時間等。
④輸出映像寄存器的內容取決於用戶程序掃描執行的結果。
⑤輸出鎖存器的內容由上一次輸出刷新期間輸出映像寄存器中的數據決定。
⑥PLC當前實際的輸出狀態有輸出鎖存器的內容決定。
功能特點
(1)可靠性高。由於PLC大都採用單片微型計算機,因而集成度高,再加上相應的保護電路及自診斷功能,提高了系統的可靠性。
(2)編程容易。PLC的編程多採用繼電器控制梯形圖及命令語句,其數量比微型機指令要少得多,除中、高檔PLC外,一般的小型PLC只有16條左右。由於梯形圖形象而簡單,因此容易掌握、使用方便,甚至不需要計算機專業知識,就可進行編程。
(3)組態靈活。由於PLC採用積木式結構,用戶只需要簡單地組合,便可靈活地改變控制系統的功能和規模,因此,可適用於任何控制系統。
(4)輸入/輸出功能模塊齊全。PLC的最大優點之一,是針對不同的現場信號(如直流或交流、開關量、數字量或模擬量、電壓或電流等),均有相應的模板可與工業現場的器件(如按鈕、開關、感測電流變送器、電機啟動器或控制閥等)直接連接,並通過匯流排與CPU主板連接。
(5)安裝方便。與計算機系統相比,PLC的安裝既不需要專用機房,也不需要嚴格的屏蔽措施。使用時只需把檢測器件與執行機構和PLC的I/O介面端子正確連接,便可正常工作。
(6)運行速度快。由於PLC的控制是由程序控制執行的,因而不論其可靠性還是運行速度,都是繼電器邏輯控制無法相比的。
近年來,微處理器的使用,特別是隨著單片機大量採用,大大增強了PLC的能力,並且使PLC與微型機控制系統之間的差別越來越小,特別是高檔PLC更是如此。
2. 電腦怎樣增加硬碟容量和提高內存
硬碟容量無法提高,可以換一個。如果不想換的話,那就買個移動硬碟,320G的300塊左右。
內存要增加,那就去買根內存條,建議買和電腦里用的內存條的牌子和頻率相同的。
3. 1.存儲器與CPU連接時,把CPU輸出的高位地址用來生成片選信號,發過來會怎麼樣
.存儲器與CPU連接時,把CPU輸出的高位地址用來生成片選信號,發過來會怎麼樣?本章主要討論內存儲器系統,在介紹三類典型的半導體存儲器晶元的結構原理與工作特性的基礎上,著重講述半導體存儲器晶元與微處理器的介面技術。
6.1 重點與難點
本章的學習重點是8088的存儲器組織;存儲晶元的片選方法(全解碼、部分解碼、線選);存儲器的擴展方法(位擴展、位元組容量擴展)。主要掌握的知識要點如下:
6.1.1 半導體存儲器的基本知識
1.SRAM、DRAM、EPROM和ROM的區別
RAM的特點是存儲器中信息能讀能寫,且對存儲器中任一存儲單元進行讀寫操作所需時間基本上是一樣的,RAM中信息在關機後立即消失。根據是否採用刷新技術,又可分為靜態RAM(SRAM)和動態RAM(DRAM)兩種。SRAM是利用半導體觸發器的兩個穩定狀態表示「1」和「0」;DRAM是利用MOS管的柵極對其襯間的分布電容來保存信息,以存儲電荷的多少,即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」;ROM的特點是用戶在使用時只能讀出其中信息,不能修改和寫入新的信息;EPROM可由用戶自行寫入程序和數據,寫入後的內容可由紫外線照射擦除,然後再重新寫入新的內容,EPROM可多次擦除,多次寫入。一般工作條件下,EPROM 是只讀的。
2.導體存儲器晶元的主要性能指標
(1)存儲容量:存儲容量是指存儲器可以容納的二進制信息量,以存儲單元的總位數表示,通常也用存儲器的地址寄存器的編址數與存儲字位數的乘積來表示。
(2)存儲速度:有關存儲器的存儲速度主要有兩個時間參數:TA:訪問時間(Access Time),從啟動一次存儲器操作,到完成該操作所經歷的時間。TMC:存儲周期(Memory Cycle),啟動兩次獨立的存儲器操作之間所需的最小時間間隔。
(3)存儲器的可靠性:用MTBF—平均故障間隔時間(Mean Time Between Failures)來衡量。MTBF越長,可靠性越高。
(4)性能/價格比:是一個綜合性指標,性能主要包括存儲容量、存儲速度和可靠性。
4. 存儲器的類型
根據存儲材料的性能及使用方法的不同,存儲器有幾種不同的分類方法。1、按存儲介質分類:半導體存儲器:用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器:用磁性材料做成的存儲器。
下面我們就來了解一下存儲器的相關知識。
存儲器大體分為兩大類,一類是掉電後存儲信息就會丟失,另一類是掉電後存儲信息依然保留,前者專業術語稱之為「易失性存儲器」,後者稱之為「非易失性存儲器」。
1 RAM
易失性存儲器的代表就是RAM(隨機存儲器),RAM又分SRAM(靜態隨機存儲器)和DRAM(動態隨機存儲器)。
SRAM
SRAM保存數據是靠晶體管鎖存的,SRAM的工藝復雜,生產成本高,但SRAM速度較快,所以一般被用作Cashe,作為CPU和內存之間通信的橋梁,例如處理器中的一級緩存L1 Cashe, 二級緩存L2 Cashe,由於工藝特點,SRAM的集成度不是很高,所以一般都做不大,所以緩存一般也都比較小。
DRAM
DRAM(動態隨機存儲器)保存數據靠電容充電來維持,DRAM的應用比SRAM更普遍,電腦裡面用的內存條就是DRAM,隨著技術的發展DRAM又發展為SDRAM(同步動態隨機存儲器)DDR SDRAM(雙倍速率同步動態隨機存儲器),SDRAM只在時鍾的上升沿表示一個數據,而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一個數據。
DDR又發展為DDR2,DDR3,DDR4,在此基礎上為了適應移動設備低功耗的要求,又發展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM),對應DDR技術的發展分別又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。
目前手機中運行內存應用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4,主流配置為3G或4G容量,如果達到6G或以上,就屬於高端產品。
2 ROM
ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只讀存儲器,這種存儲器只能讀取它裡面的數據無法向裡面寫數據。所以這種存儲器就是廠家造好了寫入數據,後面不能再次修改,常見的應用就是電腦里的BIOS。
後來,隨著技術的發展,ROM也可以寫數據,但是名字保留了下來。
ROM中比較常見的是EPROM和EEPROM。
EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一種具有可擦除功能,擦除後即可進行再編程的ROM內存,寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射IC上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別,其封裝中包含有「石英玻璃窗」,一個編程後的EPROM晶元的「玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住, 以防止遭到紫外線照射。
EPROM (Easerable Programable ROM)
EPROM存儲器就可以多次擦除然後多次寫入了。但是要在特定環境紫外線下擦除,所以這種存儲器也不方便寫入。
EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM),電可擦除ROM,現在使用的比較多,因為只要有電就可擦除數據,再重新寫入數據,在使用的時候可頻繁地反復編程。
FLASH
FLASH ROM也是一種可以反復寫入和讀取的存儲器,也叫快閃記憶體,FLASH是EEPROM的變種,與EEPROM不同的是,EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫,而FLASH的大部分晶元需要塊擦除。和EEPROM相比,FLASH的存儲容量更大。
FLASH目前應用非常廣泛,U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都屬於FLASH,SSD固態硬碟也屬於FLASH。
NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分為Nor Flash和Nand Flash。
Intel於1988年首先開發出Nor Flash 技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面;隨後,1989年,東芝公司發表了Nand Flash 結構,強調降低每比特的成本,有更高的性能,並且像磁碟一樣可以通過介面輕松升級。
Nor Flash與Nand Flash不同,Nor Flash更像內存,有獨立的地址線和數據線,但價格比較貴,容量比較小;而Nand Flash更像硬碟,地址線和數據線是共用的I/O線,類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一樣,而且Nand Flash與Nor Flash相比,成本要低一些,而容量大得多。
如果快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼,這時Nor Flash更適合一些。而Nand Flash則是大量數據存儲的理想解決方案。
因此,Nor Flash型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合,通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行,Nand Flash型快閃記憶體主要用來存儲資料,我們常用的快閃記憶體產品,如U盤、存儲卡都是用Nand Flash型快閃記憶體。
在Nor Flash上運行代碼不需要任何的軟體支持,在Nand Flash上進行同樣操作時,通常需要驅動程序。
目前手機中的機身內存容量都比較大,主流配置已經有32G~128G存儲空間,用的通常就是Nand Flash,另外手機的外置擴展存儲卡也是Nand Flash。
5. ROM是什麼存儲器
RAM是隨機存儲器的英文縮寫,指的是電子設備中的運行內存,它可讀可寫,但是斷電之後存儲數據會丟失;ROM是只讀存儲器的英文縮寫,它的特點是可以在斷電後依舊保留數據,但數據一旦寫入就無法更改,一般用於存放設備的引導固件。
RAM是Random Access Memory的首字母縮寫,意為隨機存儲器,它的特點就是可讀可寫,但是斷電之後存儲數據會丟失。我們手機、電腦中的運行內存就是RAM,一般不能被我們直接訪問,是用來緩存載入數據使用。
ROM是Read only Memory的首字母縮寫,意為只讀存儲器,它只允許數據生產出來之後有一次寫入的機會,它的特點是可以在斷電後依舊保留數據。這一類的存儲器一般用來存放固件,比如計算機啟動需要的引導固件等。
6. 單片機片內存儲器和片外存儲器的作用和概念
單片機片內存儲器包括片內ROM和片內RAM,片內ROM用於存儲程序代碼,片內RAM包括寄存器和片內擴展RAM,比如STC的很多型號都有片內擴展EEPROM。
片外存儲器包括片外ROM和片外RAM,片外ROM用戶存儲程序代碼,片外RAM用於存儲用戶的可改寫數據。
7. 關於存儲器的計算空間 (計算機組成原理)
首先紫軒之吻得回答絕對錯誤,因為他連什麼是存儲單元和什麼是位元組都沒有搞清楚。他應該解釋的是存儲單元。
,如果按位元組編址,一個位元組有8位二進制位組成,又因為CPU的輸出地址碼為20位 也就是它的地址匯流排寬度(位數)是20條,所以CPU可以支持的定址范圍為1MB.也就是可以支持2^20*8個bit
所以可以回答您的
1:存儲器的總容量可達到1MB.
2:因為由上述可以知道存儲器為1M*8bit
所以有(1024/2)*(8/4)=1024片SRAM組成該存儲器.
也就是先有2片1M*2bit的SRAM位擴展組成1M*8bit的SRAM.然後512片SRAM字擴展組成1M*2bit的存儲器.
3.因為此SRAM片子有9位地址來選片(因為有512片SRAM字擴展組成1M*2bit的SRAM).一般均採用高位地址進行選片所以為A11---A20, 因為組成元素為2K*4(位)的SRAM片子所以片內地址應該是11位,也就是A0---A10。這樣全部的地址線就全部用上。
注意:這里還可以說明CPU的外部數據線也就是連內存的數據線的位數為8位,即8根數據線。 就是因為該內存用位元組編址。
回答可以嗎?希望得到您的分數。
8. 存儲器的主要功能是什麼為什麼要把存儲系統分成若干個不同層次
一、存儲器的主要功能:
1、隨機存取存儲器(RAM)。
2、只讀存儲器(ROM)。
3、快閃記憶體(Flash Memory)。
4、先進先出存儲器(FIFO)。
5、先進後出存儲器(FILO)。
二、存儲器分為若干個層次主要原因:
1、合理解決速度與成本的矛盾,以得到較高的性能價格比。
磁碟存儲器價格較便宜,可以把容量做得很大,但存取速度較慢,因此用作存取次數較少,且需存放大量程序、原始數據(許多程序和數據是暫時不參加運算的)和運行結果的外存儲器。
2、使用磁碟作為外存,不僅價格便宜,可以把存儲容量做得很大,而且在斷電時它所存放的信息也不丟失,可以長久保存,且復制、攜帶都很方便。
(8)存儲器擴展知識擴展閱讀:
存儲器可做處理器,未來裝置有望更加輕薄短小:
有一群跨國研究團隊做了實驗,並真的成功運用存儲器執行一般電腦晶元的運算任務,倘若技術成熟,將有望使手機與電腦等裝置更加輕薄。
新加坡南洋理工大學、德國亞琛阿亨工業大學和歐洲最大的跨學科研究中心德國尤利希研究中心組成的研究團隊發現,在調整演演算法後,存儲器能如英特爾、高通等傳統處理器一般,進行運算處理。
目前市面上的裝置或電腦都是透過CPU從存儲器提取資訊進行運算處理,以二進制0跟1來實現指令,如字母A是用「01000001」這樣8位元的形式來處理或紀錄。而存儲器ReRAM透過不同電阻態代表0或1的數據狀態儲存資訊,其實還可實現更高基數的數據狀態記錄。
研究團隊就將ReRAM原型(prototype)調整為0、1、2的三進制,透過這樣的高基數運算系統可加速運算任務,並於存儲器就可進行邏輯運算。也節省了處理器與存儲器間數據傳輸的時間與功耗的消耗。
研究參與人之一、南洋理工大學資訊工程學系助理教授Chattopadhyay解釋,這就像一段很長的會話卻只用一個極小的翻譯器來轉換,是一段耗時且費力的過程,團隊所做的就是增加這個小型翻譯器的處理容量,使其能更有效的處理數據。
9. 計算機的內存儲器是指RAM和ROM,RAN和ROM是什麼
RAM:隨機存取存儲器(random access memory,RAM)又稱作「隨機存儲器」,是與CPU直接交換數據的內部存儲器,也叫主存(內存)。它可以隨時讀寫,而且速度很快,通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。
ROM:ROM是只讀存儲器(Read-Only Memory)的簡稱,是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。
(9)存儲器擴展知識擴展閱讀:
ROM與RAM的不同使用范圍介紹:
RAM-Random Access Memory易揮發性隨機存取存儲器,高速存取,讀寫時間相等,且與地址無關,如計算機內存等。
ROM-Read Only Memory只讀存儲器。斷電後信息不丟失,如計算機啟動用的BIOS晶元。存取速度很低,(較RAM而言)且不能改寫。由於不能改寫信息,不能升級,現已很少使用。
EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash 和 NAND Flash),性能同ROM,但可改寫。一般讀出比寫入快,寫入需要比讀出更高的電壓(讀5V寫12V)。而Flash可以在相同電壓下讀寫,且容量大、成本低,如今在U盤、MP3中使用廣泛。
在計算機系統里,RAM一般用作內存,ROM用來存放一些硬體的驅動程序,也就是固件。
RAM為易失型隨機存取存儲器;ROM為非易失性只讀存儲器。