ddr存儲器高速緩存

Ⅰ DDR2、DDR3和緩存到底是什麼意思

1、DDR2(Double Data Rate 2)：是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)進行開發的內存技術標准，它與上一代DDR內存技術標准最大的不同就是，雖然同是採用了在時鍾的上升/下降沿同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍於上一代DDR內存預讀取能力。
DDR2內存技術最大的突破點其實不在於用戶們所認為的兩倍於DDR的傳輸能力，而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標准DDR的400MHZ限制。
2、DDR3：它屬於SDRAM家族的內存產品，提供了相較於DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍資料率同步動態隨機存取內存）的後繼者（增加至八倍），也是現時流行的內存產品。
DDR3 SDRAM為了更省電、傳輸效率更快，使用了SSTL15的I/O介面，運作I/O電壓是1.5V，採用CSP、FBGA封裝方式包裝，除了延續DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更為精進的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。
3、緩存：就是數據交換的緩沖區(稱作Cache)，當某一硬體要讀取數據時，會首先從緩存中查找需要的數據，如果找到了則直接執行，找不到的話則從內存中找。由於緩存的運行速度比內存快得多，故緩存的作用就是幫助硬體更快地運行。
當CPU處理數據時，它會先到Cache中去尋找，如果數據因之前的操作已經讀取而被暫存其中，就不需要再從隨機存取存儲器（Main memory）中讀取數據——由於CPU的運行速度一般比主內存的讀取速度快，主存儲器周期（訪問主存儲器所需要的時間）為數個時鍾周期。因此若要訪問主內存的話，就必須等待數個CPU周期從而造成浪費。

Ⅱ FLASH存儲器DDR存儲器RAM存儲器SRAM存儲器DRAM存儲器有啥區別各有什麼作用用在那

Flash存儲器又稱為快閃記憶體，是一種非易失性的ROM存儲器，在EEPROM的基礎上發展而來，但不同於EEPROM只能全盤擦寫，快閃記憶體可以對某個特定的區塊進行擦寫，這源於它和內存一樣擁有獨立地址線。快閃記憶體的讀寫速度快，但遠不及RAM存儲器；但它斷電後不會像內存一樣丟失數據，因此適合做外存儲設備。用途：U盤、固態硬碟、BIOS晶元等。

DDR是一種技術，中文為雙倍速率，並不屬於一種存儲器。DDR通常指DDR SDRAM存儲器，全稱為Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙倍速率同步動態隨機存儲器。顧名思義，它有三個重要特性：Double Date Rate、Synchronous和Dynamic。首先是Dynamic（動態），表明存儲元為電容，通過電容的電荷性判斷數據0和1。而由於電容有漏電流，必須隨時對電容進行充電，以防數據丟失，這個過程就叫動態刷新；其次是Synchronous（同步），表明讀寫過程由時鍾信號控制，只能發生在時鍾信號的上沿或下沿，是同步進行的，而不可以在隨意時刻進行；最後是Double Date Rate（DDR），這是DDR內存最重要的特性，即相比SDRAM內存，DDR內存在時鍾的上沿和下沿均可以完成一次數據發射，因此一個周期內可以傳輸兩次數據，所以稱為雙倍速率。因此等效頻率是SDRAM的兩倍。用途：內存條和顯存顆粒，如DDR、DDR2、DDR3、GDDR5。

RAM是Random Access Memory的縮寫，中文為隨機存儲器。這個定義非常廣，凡是可以進行隨機讀寫的存儲器，都可以稱為RAM，和ROM（只讀存儲器）相對。用途：內存、顯存、單片機、高速緩存等等

SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，靜態存儲器，和動態存儲器DRAM相對。由於SRAM工作原理是依靠晶體管組合來鎖住電平，並不需要進行刷新，只要不斷電，數據就不會丟失，因此稱為靜態RAM。相比動態RAM，優點：1.不需要刷新操作，省去刷新電路，布線簡單；2.速度遠高於DRAM。缺點：1.容量遠小於DRAM；2.由於晶體管規模遠大於DRAM，成本遠高於DRAM。用途：寄存器、高速緩存、早期內存

DRAM是Dynamic Random Access Memory的縮寫，動態存儲器。和上面的定義一樣，由電容存儲數據，需要實時刷新，因此叫動態RAM。和SDRAM的區別在於DRAM可以不需要時鍾信號控制發射，但通常我們不嚴格區分它們，把SDRAM和DRAM都叫做DRAM。DDR SDRAM也屬於一種DRAM。用途：內存、顯存

Ⅲ FLASH存儲器DDR存儲器RAM存儲器SRAM存儲器DRAM存儲器有什麼區別各有什麼作用

Flash存儲器：

它屬於內存器件的一種，是一種非易失性( Non-Volatile )內存。快閃記憶體的物理特性與常見的內存有根本性的差異:目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬於揮發性內存，只要停止電流供應內存中的數據便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數據重新載入內存;快閃記憶體在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。

DDR存儲器：

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。

RAM存儲器：

存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器(英文:Static RAM，SRAM)和動態隨機存儲器(英文Dynamic RAM，DRAM)。

SRAM存儲器：

是Static Random Access Memory的縮寫，靜態存儲器，和動態存儲器DRAM相對。由於SRAM工作原理是依靠晶體管組合來鎖住電平，並不需要進行刷新，只要不斷電，數據就不會丟失，因此稱為靜態RAM。

DRAM存儲器：

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)

Ⅳ 高速緩沖存儲器與硬碟的存儲容量哪個大

硬碟本身的容量大 比如500GB
緩存就是8MB 16MB 32MB

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Ⅳ DDR內存有什麼好處

1、在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對於計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存）。

2、DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。

Ⅵ DDR與緩存是不是一個慨念

不是一個概念，但是有關聯！

1. DDR=DoubleDataRate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDRSDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM是的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。

2. 緩存是指臨時文件交換區，電腦把最常用的文件從存儲器里提出來臨時放在緩存里，就像把工具和材料搬上工作台一樣，這樣會比用時現去倉庫取更方便。因為緩存往往使用的是RAM（斷電即掉的非永久儲存），所以在忙完後還是會把文件送到硬碟等存儲器里永久存儲。電腦里最大的緩存就是內存條了，最快的是CPU上鑲的L1和L2緩存，顯卡的顯存是給GPU用的緩存，硬碟上也有16M或者32M的緩存。千萬不能把緩存理解成一個東西，它是一種處理方式的統稱！

Ⅶ DDR內存和KVR內存的主要區別

一、公司不同

1、DDR內存：是由三星公司於1996年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現代等八家公司協議訂立的內存規格。

2、KVR內存：金士頓內存的簡稱，世界第一大內存生產廠商的Kingston的產品。

二、特點不同

1、DDR內存：在規格上按信號延遲時間(CL；CAS Latency，CL是指內存在收到訊號後，要等待多少個系統時鍾周期後才進行讀取的動作。

2、KVR內存：金士頓內存產品在進入中國市場以來，就憑借優秀的產品質量和一流的金士頓內存售後服務，贏得了眾多中國消費者的心。

三、主頻不同

1、DDR內存：DDR運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由於DDR內存具有雙倍速率傳輸數據的特性，因此在DDR內存的標識上採用了工作頻率×2的方法。

2、KVR內存：內存容量：2GB 內存主頻：800MHz 內存傳輸類型：DDRII 介面類型：240Pin 。