flash存儲器是什麼

A. Flash存儲器的簡要介紹

快閃記憶體是一種不揮發性（ Non-Volatile ）內存，在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。
NAND 快閃記憶體的存儲單元則採用串列結構，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干位元組，若干頁則組成儲存塊， NAND 的存儲塊大小為 8 到 32KB ），這種結構最大的優點在於容量可以做得很大，超過 512MB 容量的 NAND 產品相當普遍， NAND 快閃記憶體的成本較低，有利於大規模普及。
NAND 快閃記憶體的缺點在於讀速度較慢，它的 I/O 埠只有 8 個，比 NOR 要少多了。這區區 8 個 I/O 埠只能以信號輪流傳送的方式完成數據的傳送，速度要比 NOR 快閃記憶體的並行傳輸模式慢得多。再加上 NAND 快閃記憶體的邏輯為電子盤模塊結構，內部不存在專門的存儲控制器，一旦出現數據壞塊將無法修，可靠性較 NOR 快閃記憶體要差。
NAND 快閃記憶體被廣泛用於移動存儲、數碼相機、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數字設備中。由於受到數碼設備強勁發展的帶動， NAND 快閃記憶體一直呈現指數級的超高速增長.
NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel於1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,並且象磁碟一樣可以通過介面輕松升級。但是經過了十多年之後,仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR和NAND快閃記憶體。
相「flash存儲器」經常可以與相「NOR存儲器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND快閃記憶體技術相對於NOR技術的優越之處,因為大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼,這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。
NOR的特點是晶元內執行(XIP, eXecute In Place),這樣應用程序可以直接在flash快閃記憶體內運行,不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
NAND結構能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,並且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。 flash快閃記憶體是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行,所以大多數情況下,在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的,而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。
由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的,執行一個寫入/擦除操作的時間為5ms,與此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的,執行相同的操作最多隻需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距,統計表明,對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時),更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣,當選擇存儲解決方案時,設計師必須權衡以下的各項因素。
● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
● NAND的寫入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5ms快。
● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
● NAND的擦除單元更小,相應的擦除電路更少。 NOR flash帶有SRAM介面,有足夠的地址引腳來定址,可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據,各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。
NAND讀和寫操作採用512位元組的塊,這一點有點像硬碟管理此類操作,很自然地,基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。 NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由於生產過程更為簡單,NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了價格。
NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分,而NAND flash只是用在8MB～128GB的產品當中,這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中,NAND適合於數據存儲,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。 所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發生的次數要比NOR多),一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯,但是如果發生在一個關鍵文件上,這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題,多讀幾次就可能解決了。
當然,如果這個位真的改變了,就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體,NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候,同時使用EDC/ECC演算法。
這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然,如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時,必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。 NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力,但發現成品率太低,代價太高,根本不劃算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊,並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中,如果通過可靠的方法不能進行這項處理,將導致高故障率。 可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體,可以像其他存儲器那樣連接,並可以在上面直接運行代碼。
由於需要I/O介面,NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
在使用NAND器件時,必須先寫入驅動程序,才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧,因為設計師絕不能向壞塊寫入,這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。 當討論軟體支持的時候,應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體,包括性能優化。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持,在NAND器件上進行同樣操作時,通常需要驅動程序,也就是內存技術驅動程序(MTD),NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些,許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體,這其中包括M-System的TrueFFS驅動,該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。

B. flash存儲器

TF卡（全稱TransFlash）是由世界著名存儲設備商SanDisk開發的一種全球最小快閃記憶體卡，尺寸15 x 11 x 1mm，約為SD卡的1/4，和一片指甲差不多大小。在當然按照SanDisk公司的一慣作風，只要和適配器結合使用，就可以使用在標准SD卡設備上。

得益於其較小的身材，支持TF的設備（比如手機）可以體積上做的和常規差不多大小。而手機界的巨頭之一摩托羅拉是此種設備使用最為廣泛的企業，在諸如C975、E398、A840、V710、E1000、A1000、V1000等多款手機中都可以使用TF卡。

C. 在系統可編程flash存儲器是什麼意思

FLASH存儲器是閃速存儲器，它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫， 功耗很小。

D. 什麼是FLASH存儲器

什麼是Flash Memory存儲器

介紹關於閃速存儲器有關知識 近年來，發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫， 功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。

由於Flash Memory的獨特優點，如在一些較新的主板上採用Flash ROM BIOS，會使得BIOS 升級非常方便。 Flash Memory可用作固態大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬碟的手段。由於Flash Memory集成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。 目前研製的Flash Memory都符合PCMCIA標准，可以十分方便地用於各種攜帶型計算機中以取代磁碟。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為Flash存儲器卡，此卡中只有Flash Memory晶元組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為Flash驅動卡，此卡中除Flash晶元外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標准兼容，可在DOS下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態盤。 Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性高，重量輕，但容量不大的攜帶型系統中。在586微機中已把BIOS系統駐留在Flash存儲器中。

http://bbs.zol.com.cn/index20060220/index_17_241442.html

E. U盤屬於Flash存儲器嗎

U盤中的存儲介質是Flash存儲器。
目前來說，Flash存儲器的存儲速度在隨機讀、隨機寫時遠遠高於硬碟（畢竟硬碟有個超級蛋疼的尋道過程），連續讀寫則相差較遠。
跟RAM相比，讀速度有所不及，寫速度則差得老遠（Flash天生有個悲催的擦除過程，寫入也是有延遲的）。

「為什麼Flash不適合像磁碟那樣作為大容量存儲器？」
這是個偽命題。過去Flash顆粒存儲密度低、平均成本高、壽命也很差勁。隨著技術水平和生產工藝的進步，現在的Flash顆粒與過去完全不可同日而語，經過優化設計的Flash陣列所能實現的讀寫性能絕不遜於市面主流硬碟。

F. FLASH存儲器DDR存儲器RAM存儲器SRAM存儲器DRAM存儲器有啥區別各有什麼作用用在那

Flash存儲器又稱為快閃記憶體，是一種非易失性的ROM存儲器，在EEPROM的基礎上發展而來，但不同於EEPROM只能全盤擦寫，快閃記憶體可以對某個特定的區塊進行擦寫，這源於它和內存一樣擁有獨立地址線。快閃記憶體的讀寫速度快，但遠不及RAM存儲器；但它斷電後不會像內存一樣丟失數據，因此適合做外存儲設備。用途：U盤、固態硬碟、BIOS晶元等。

DDR是一種技術，中文為雙倍速率，並不屬於一種存儲器。DDR通常指DDR SDRAM存儲器，全稱為Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙倍速率同步動態隨機存儲器。顧名思義，它有三個重要特性：Double Date Rate、Synchronous和Dynamic。首先是Dynamic（動態），表明存儲元為電容，通過電容的電荷性判斷數據0和1。而由於電容有漏電流，必須隨時對電容進行充電，以防數據丟失，這個過程就叫動態刷新；其次是Synchronous（同步），表明讀寫過程由時鍾信號控制，只能發生在時鍾信號的上沿或下沿，是同步進行的，而不可以在隨意時刻進行；最後是Double Date Rate（DDR），這是DDR內存最重要的特性，即相比SDRAM內存，DDR內存在時鍾的上沿和下沿均可以完成一次數據發射，因此一個周期內可以傳輸兩次數據，所以稱為雙倍速率。因此等效頻率是SDRAM的兩倍。用途：內存條和顯存顆粒，如DDR、DDR2、DDR3、GDDR5。

RAM是Random Access Memory的縮寫，中文為隨機存儲器。這個定義非常廣，凡是可以進行隨機讀寫的存儲器，都可以稱為RAM，和ROM（只讀存儲器）相對。用途：內存、顯存、單片機、高速緩存等等

SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，靜態存儲器，和動態存儲器DRAM相對。由於SRAM工作原理是依靠晶體管組合來鎖住電平，並不需要進行刷新，只要不斷電，數據就不會丟失，因此稱為靜態RAM。相比動態RAM，優點：1.不需要刷新操作，省去刷新電路，布線簡單；2.速度遠高於DRAM。缺點：1.容量遠小於DRAM；2.由於晶體管規模遠大於DRAM，成本遠高於DRAM。用途：寄存器、高速緩存、早期內存

DRAM是Dynamic Random Access Memory的縮寫，動態存儲器。和上面的定義一樣，由電容存儲數據，需要實時刷新，因此叫動態RAM。和SDRAM的區別在於DRAM可以不需要時鍾信號控制發射，但通常我們不嚴格區分它們，把SDRAM和DRAM都叫做DRAM。DDR SDRAM也屬於一種DRAM。用途：內存、顯存

G. FLASH存儲器DDR存儲器RAM存儲器SRAM存儲器DRAM存儲器有什麼區別各有什麼作用

Flash存儲器：

它屬於內存器件的一種，是一種非易失性( Non-Volatile )內存。快閃記憶體的物理特性與常見的內存有根本性的差異:目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬於揮發性內存，只要停止電流供應內存中的數據便無法保持，因此每次電腦開機都需要把數據重新載入內存;快閃記憶體在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。

DDR存儲器：

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。

RAM存儲器：

存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用於存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器(英文:Static RAM，SRAM)和動態隨機存儲器(英文Dynamic RAM，DRAM)。

SRAM存儲器：

是Static Random Access Memory的縮寫，靜態存儲器，和動態存儲器DRAM相對。由於SRAM工作原理是依靠晶體管組合來鎖住電平，並不需要進行刷新，只要不斷電，數據就不會丟失，因此稱為靜態RAM。

DRAM存儲器：

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)

H. flash是什麼存儲器

如果是指的存儲器的話，應該指的那些有存儲能力的元件中的存儲單元，就像是倉庫，flash就是倉庫中一個存儲間的存儲地貨架。

I. flash存儲器可以存儲什麼信號

8 個 I/O 埠.
但是只能以信號輪流傳送的方式完成數據的傳送，速度要比 NOR 快閃記憶體的並行傳輸模式慢多。再加上 NAND 快閃記憶體的邏輯為電子盤模塊結構，內部不存在專門的存儲控制器，一旦出現數據壞塊將無法修，可靠性較 NOR 快閃記憶體要差。
flash快閃記憶體是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行,所以大多數情況下,在進行寫入操作之前必須先執行擦除。