與存儲器有關的引腳

⑴ 存儲器AT24C02與單片機如何連接要引腳連接圖

EESDAEESCL接單片機的引腳。EEVCC接電源。不同的24C02的電源范圍略有區別。一般3V-5V都可以。

⑵ 51單片機的EA為1時表示 A 片內定址 B 片外定址 C 片內外共同定址 D 只與數據存儲器有關

單片機EA腳功能：
單片機EA引腳表示存取外部程序代碼之意，低電平動作，當此引腳接低電平後，系統會取用外部的程序代碼（存於外部EPROM中）來執行程序。EA引腳必須接低電平，因為其內部無程序存儲器空間。
單片機EA腳定義：
EA=External
Access，表示存取外部程序代碼之意，低電平動作，也就是說當此引腳接低電平後，系統會取用外部的程序代碼（存於外部EPROM中）來執行程序。

⑶ 存儲器的基本結構原理

存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器(RAM)，兩者的功能有較大的區別，因此在描述上也有所不同
存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。每個單元由若干三進制位構成，以表示存儲單元中存放的數值，這種結構和數組的結構非常相似，故在VHDL語言中，通常由數組描述存儲器

結構
存儲器結構在MCS - 51系列單片機中，程序存儲器和數據存儲器互相獨立，物理結構也不相同。程序存儲器為只讀存儲器，數據存儲器為隨機存取存儲器。從物理地址空間看，共有4個存儲地址空間，即片內程序存儲器、片外程序存儲器、片內數據存儲器和片外數據存儲器，I/O介面與外部數據存儲器統一編址

存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內存)和輔助存儲器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。
主存的工作方式是按存儲單元的地址存放或讀取各類信息，統稱訪問存儲器。主存中匯集存儲單元的載體稱為存儲體，存儲體中每個單元能夠存放一串二進制碼表示的信息，該信息的總位數稱為一個存儲單元的字長。存儲單元的地址與存儲在其中的信息是一一對應的，單元地址只有一個，固定不變，而存儲在其中的信息是可以更換的。
指示每個單元的二進制編碼稱為地址碼。尋找某個單元時，先要給出它的地址碼。暫存這個地址碼的寄存器叫存儲器地址寄存器(MAR)。為可存放從主存的存儲單元內取出的信息或准備存入某存儲單元的信息，還要設置一個存儲器數據寄存器(MDR)

⑷ 如果8086cpu要讀存儲器,那麼它的哪些引腳會被置為有效

1 8086匯流排讀寫時候用到的引腳
包括：要傳送地址信息的地址線A0~A19、要傳送數據信息的數據匯流排D0~D15
還有地址鎖存允許信號ALE 、控制數據傳送方向的讀、寫控制信號 即RD、WR
還有一個決定是訪問I/O介面的 還是訪問存儲器的選擇信號M/IO
2 他們的配合使用
其中要把低16位的地址匯流排和16位的數據匯流排傳送的地址信息和數據信息分開 把低16位的地址信息依靠地址鎖存允許信號ALE 鎖存在地址鎖存器中；
高位地址線作為存儲器和I/O介面晶元的片選信號 可以直接採用線選法或解碼器法
當訪問存儲器時，應使引腳M/IO高電平 選中訪問存儲器
當訪問I/O介面時，應使引腳M/IO低電平 選中訪問I/O介面
RD、WR要分別接到相應的存儲器或I/O介面晶元上的讀寫控制引腳 好依靠指令來控制數據的傳送方向。
可以到教材上 參考存儲器和I/O介面的擴展電路來進行分析！

⑸ 簡述為何存儲器晶元設有片選信號引腳

因為存儲器常常需要多片共同使用以便使容量到增大滿足需要的程度，這就需要有片選信號來區別控制選通許多片存儲器中的某一片，否則就不能夠准確地定址對其中某一片的某個單元進行讀寫操作。

⑹ 存儲器的原理\

動態讀寫存貯器（DRAM），以其速度快、集成度高、功耗小、價格低在微型計算機中得到極其廣泛地使用。但動態存儲器同靜態存儲器有不同的工作原理。它是靠內部寄生電容充放電來記憶信息，電容充有電荷為邏輯1，不充電為邏輯0。欲深入了解動態RAM的基本原理請點擊。 動態存儲器有多種系列，如61系列、37系列、41系列、21系列等。圖示為2164晶元的引腳圖。將滑鼠指向相應引腳可看到其對引腳功能。它是一個64K 1bit的DRAM晶元，將8片並接起來，可以構成64KB的動態存儲器。
每片只有一條輸入數據線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統地址匯流排和晶元地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址匯流排信號能分時地加到8個地址的引腳上，藉助晶元內部的行鎖存器、列鎖存器和解碼電路選定晶元內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。
當要從DRAM晶元中讀出數據時，CPU 首先將行地址加在A0-A7上，而後送出RAS 鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在晶元內部。接著將列地址加到晶元的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在晶元內部。然後保持WE=1，則在CAS有效期間數據輸出並保持。
當需要把數據寫入晶元時，行列地址先後將RAS和CAS鎖存在晶元內部，然後，WE有效，加上要寫入的數據，則將該數據寫入選中的存貯單元。
由於電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態存儲電路的各存儲單元執行重讀操作，以保持電荷穩定，這個過程稱為動態存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。首先應用可編程定時器8253的計數器1，每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制 器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。
只讀存貯器（ROM）有多種類型。由於EPROM和EEPROM存貯容量大，可多次擦除後重新對它進行編程而寫入新的內容，使用十分方便。尤其是廠家為用戶提供了單獨地擦除器、編程器或插在各種微型機上的編程卡，大大方便了用戶。因此，這種類型的只讀存貯器得到了極其廣泛的應用。7. RAM的工作時序
為保證存儲器准確無誤地工作，加到存儲器上的地址、數據和控制信號必須遵守幾個時間邊界條件。
圖7.1—3示出了RAM讀出過程的定時關系。讀出操作過程如下：
欲讀出單元的地址加到存儲器的地址輸入端；
加入有效的選片信號CS；
在 線上加高電平，經過一段延時後，所選擇單元的內容出現在I/O端；
讓選片信號CS無效，I/O端呈高阻態，本次讀出過程結束。
由於地址緩沖器、解碼器及輸入/輸出電路存在延時，在地址信號加到存儲器上之後，必須等待一段時間tAA，數據才能穩定地傳輸到數據輸出端，這段時間稱為地址存取時間。如果在RAM的地址輸入端已經有穩定地址的條件下，加入選片信號，從選片信號有效到數據穩定輸出，這段時間間隔記為tACS。顯然在進行存儲器讀操作時，只有在地址和選片信號加入，且分別等待tAA和tACS以後，被讀單元的內容才能穩定地出現在數據輸出端，這兩個條件必須同時滿足。圖中tRC為讀周期，他表示該晶元連續進行兩次讀操作必須的時間間隔。
寫操作的定時波形如圖7.1—4所示。寫操作過程如下：
將欲寫入單元的地址加到存儲器的地址輸入端；
在選片信號CS端加上有效電平，使RAM選通；
將待寫入的數據加到數據輸入端；
在 線上加入低電平，進入寫工作狀態；
使選片信號無效，數據輸入線回到高阻狀態。
由於地址改變時，新地址的穩定需要經過一段時間，如果在這段時間內加入寫控制信號（即 變低），就可能將數據錯誤地寫入其他單元。為防止這種情況出現，在寫控制信號有效前，地址必須穩定一段時間tAS，這段時間稱為地址建立時間。同時在寫信號失效後，地址信號至少還要維持一段寫恢復時間tWR。為了保證速度最慢的存儲器晶元的寫入，寫信號有效的時間不得小於寫脈沖寬度tWP。此外，對於寫入的數據，應在寫信號tDW時間內保持穩定，且在寫信號失效後繼續保持tDH時間。在時序圖中還給出了寫周期tWC，它反應了連續進行兩次寫操作所需要的最小時間間隔。對大多數靜態半導體存儲器來說，讀周期和寫周期是相等的，一般為十幾到幾十ns。
ddr一個時鍾周期內穿2次數據
ddr2一個時鍾周期傳4次
所以相同頻率下ddr2的帶寬是ddr的2倍

⑺ 單片機與存儲器

VCC,GND這個兩個引腳是所有集成電路都要有的，它不能引起各類晶元的混淆，我用過的存儲器晶元型號不多，感覺到它和單片機的直觀區別應該是常見的51單片機一般都有晶振引腳XTAL1/XTAL2，而存儲器沒有。但如有用到不熟悉的晶元還是應該找到數據手冊或參數才能應用。

⑻ 單片機的引腳和寄存器的關系

對引腳的操作就是對寄存器的操作，因此如果寫寄存器相應的引腳也會立即重寫。

⑼ 單片機中的PSEN引腳和EA引腳有什麼區別好像都是關於訪問片外程序存儲器的，具體有什麼區別嗎

PSEN引腳是設定單片機程序具體是從片內ROM還是片外ROM開始執行。而EA是選擇片內ROM還是片外ROM，一般是和硬體系統聯繫到一起，如果你用51單片機接了片外存儲器，那麼EA=0。若沒連，EA=1。如果你使用AVR單片機接了片外存儲器，那麼EA=1時是訪問外部存儲器，沒接片外存儲器EA就直接是0.

⑽ 單片機存儲器

如果上面的信息全部被擦除了的話,一般就很難知道這個晶元的用途了.
你如果已經確認這個晶元是儲存器的話，建議檢查它與MCU的相關連接那部分電路。
28個引腳DIP封裝的，一般使用比較多的就是 6264 （這個是外部RAM的擴展晶元），我之前也用過這個，而且它與MCU的連接一般較為固定，其低8位的是地址和數據復用的，所以一般在MCU與這個儲存器之間會連接有 373 鎖存器。

對於被擦除信息的晶元檢測方法，只能是嘗試使用了，但這樣的嘗試使用可能在你第1次的驗證使用中，破壞掉晶元，，，，不過你要是能估計出它是MCU外部的儲存器的話，可以把它取小來，自己用已知型號MCU和373連接這個晶元（外部可連接狀態檢測LED），如果在通過軟體去對驗證這個晶元（簡單的方法可以是向外部RAM寫一個數據，再讀這個地址的數據，如果相同的話，LED滅，繼續對下個地址進行讀寫比較，如果不同，LED亮，，，如此循環，可把你認為的6264晶元的外部全地址、數據進行檢測），，，如果最後，LED不恆定亮的話，那就極有可能就是 6264 了
在整個晶元驗證中，你需要對你所使用的MCU的外部RAM讀寫非常了解的情況下（最好，以前做過外部RAM的讀寫程序的），這個是前提。

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有問題的話，有時間可以互相交流。