存儲器的寫

『壹』 4. 存儲器的讀寫操作是怎樣的

1.存儲器通過加法處理器對CS:IP進行處理,得到一個物理地址;
2.通過地址匯流排在內存中找到物理地址,在物理地址內存中找到對應的機器碼即匯編指令
3.機器碼通過數據匯流排到達指令緩沖器
4.執行機器碼
至於是讀還是寫就要看匯編指令是怎麼的了

『貳』 存儲器可分為哪三類

存儲器不僅可以分為三類。因為按照不同的劃分方法，存儲器可分為不同種類。常見的分類方法如下。

一、按存儲介質劃分

1. 半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。

2. 磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。

二、按存儲方式劃分

1. 隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。

2. 順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。

三、按讀寫功能劃分

1. 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。

2. 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的存儲器。

二、選用各種存儲器，一般遵循的選擇如下：

1、內部存儲器與外部存儲器

一般而言，內部存儲器的性價比最高但靈活性最低，因此用戶必須確定對存儲的需求將來是否會增長，以及是否有某種途徑可以升級到代碼空間更大的微控制器。基於成本考慮，用戶通常選擇能滿足應用要求的存儲器容量最小的微控制器。

2、引導存儲器

在較大的微控制器系統或基於處理器的系統中，用戶可以利用引導代碼進行初始化。應用本身通常決定了是否需要引導代碼，以及是否需要專門的引導存儲器。

3、配置存儲器

對於現場可編程門陣列(FPGA）或片上系統(SoC)，可以使用存儲器來存儲配置信息。這種存儲器必須是非易失性EPROM、EEPROM或快閃記憶體。大多數情況下，FPGA採用SPI介面，但一些較老的器件仍採用FPGA串列介面。

4、程序存儲器

所有帶處理器的系統都採用程序存儲器，但是用戶必須決定這個存儲器是位於處理器內部還是外部。在做出了這個決策之後，用戶才能進一步確定存儲器的容量和類型。

5、數據存儲器

與程序存儲器類似，數據存儲器可以位於微控制器內部，或者是外部器件，但這兩種情況存在一些差別。有時微控制器內部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)兩種數據存儲器，但有時不包含內部EEPROM，在這種情況下，當需要存儲大量數據時，用戶可以選擇外部的串列EEPROM或串列快閃記憶體器件。

6、易失性和非易失性存儲器

存儲器可分成易失性存儲器或者非易失性存儲器，前者在斷電後將丟失數據，而後者在斷電後仍可保持數據。用戶有時將易失性存儲器與後備電池一起使用，使其表現猶如非易失性器件，但這可能比簡單地使用非易失性存儲器更加昂貴。

7、串列存儲器和並行存儲器

對於較大的應用系統，微控制器通常沒有足夠大的內部存儲器。這時必須使用外部存儲器，因為外部定址匯流排通常是並行的，外部的程序存儲器和數據存儲器也將是並行的。

8、EEPROM與快閃記憶體

存儲器技術的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類型的存儲器（比如EEPROM和快閃記憶體）組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進行讀寫，並像ROM一樣在斷電時保持數據，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優缺點。

參考資料來源：網路——存儲器

『叄』 存儲器中讀寫這兩個字是什麼意思

讀就是讀取磁碟上的數據，寫就是把數據寫入磁碟。

『肆』 存儲器的讀寫

RAM、硬碟、光碟、儲蓄器

『伍』 什麼是存儲器的讀操作什麼是存儲器的寫操作

是把值存在寄存器里吧，然後可以從寄存器里讀，類似於使用變數

『陸』 存儲器分類及各自特點有哪些

存儲器分類依據不同的特性有多種分類方法。
（1）按工作性質/存取方式分類
•隨機存取存儲器 (RAM) -每個單元讀寫時間一樣，且與各單元所在位置無關。如：內存。
•順序存取存儲器 (SAM) -數據按順序從存儲載體的始端讀出或寫入，因而存取時間的長短與信息所在位置有關。例如：磁帶。
•直接存取存儲器 (DAM) -直接定位到讀寫數據塊，在讀寫數據塊時按順序進行。如磁碟。
•相聯存儲器 -按內容檢索到存儲位置進行讀寫。例如：快表。
（2）按存儲介質分類
半導體存儲器：雙極型，靜態MOS型，動態MOS型
磁表面存儲器：磁碟、磁帶
光存儲器：CD，CD-ROM，DVD
（3）按信息的可更改性分類
讀寫存儲器：可讀可寫
只讀存儲器：只能讀不能寫
（4）按斷電後信息的可保存性分類
非易失（不揮發）性存儲器：信息可一直保留， 不需電源維持。
易失（揮發）性存儲器
（5）按功能/容量/速度/所在位置分類
•寄存器 -封裝在CPU內，用於存放當前正在執行的指令和使用的數據 -用觸發器實現，速度快，容量小（幾~幾十個）
•高速緩存-位於CPU內部或附近，用來存放當前要執行的局部程序段和數據 -用SRAM實現，速度可與CPU匹配，容量小（幾MB）
•內存儲器 -位於CPU之外，用來存放已被啟動的程序及所用的數據 -用DRAM實現，速度較快，容量較大（幾GB）
•外存儲器-位於主機之外，用來存放暫不運行的程序、數據或存檔文件 -用磁表面或光存儲器實現，容量大而速度慢

『柒』 存儲器是什麼

存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器。

在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等。

在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。

(7)存儲器的寫擴展閱讀：

1、分類

cf快閃記憶體卡：一種袖珍快閃記憶體卡。像pc卡那樣插入數碼相機，它可用適配器，使之適應標準的pc卡閱讀器或其他的pc卡設備。

sd快閃記憶體卡：存儲的速度快，非常小巧，外觀和MMC一樣，市面上較多數數碼相機使用這種格式的存儲卡。

數字膠卷：一種數碼相機的存儲介質，同日立的sm卡、松下的sd卡、索尼的memorystick屬同類的數字存儲媒體。

2、特性

優異性能支持高並發、帶寬飽和利用。存儲系統將控制流和數據流分離，數據訪問時多個存儲伺服器同時對外提供服務，實現高並發訪問。

無論系統是採用電池供電還是由市電供電，應用需求將決定存儲器的類型以及使用目的。另外，在選擇過程中,存儲器的尺寸和成本也是需要考慮的重要因素。

『捌』 存儲器的讀寫過程是什麼樣的

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5.1 存儲器系統基本知識

作者： 時間： 2008-04-10 來源：

5.1.1存儲器的分類

按照存儲介質不同，可以將存儲器分為半導體存儲器、磁存儲器、激光存儲器。

這里我們只討論構成內存的半導體存儲器。

按照存儲器的存取功能不同，半導體存儲器可分為只讀存儲器（Read Only Memory簡稱ROM）和隨機存儲器（Random Access Memory簡稱RAM）

1.只讀存儲器（ROM）

ROM的特點是把信息寫入存儲器以後，能長期保存，不會因電源斷電而丟失信息。計算機在運行過程中，只能讀出只讀存儲器中的信息，不能再寫入信息。一般地，只讀存儲器用來存放固定的程序和數據，如微機的監控程序、匯編程序、用戶程序、數據表格等。根據編程方式的不同，ROM共分為以下5種：

(1)掩模工藝ROM

這種ROM是晶元製造廠根據ROM要存貯的信息，設計固定的半導體掩模版進行生產的。一旦制出成品之後，其存貯的信息即可讀出使用，但不能改變。這種ROM常用於批量生產，生產成本比較低。微型機中一些固定不變的程序或數據常採用這種ROM存貯。

(2)可一次性編程ROM（PROM）

為了使用戶能夠根據自己的需要來寫ROM，廠家生產了一種PROM。允許用戶對其進行一次編程──寫入數據或程序。一旦編程之後，信息就永久性地固定下來。用戶可以讀出和使用，但再也無法改變其內容。

(3)紫外線擦除可改寫ROM（EPROM）

可改寫ROM晶元的內容也由用戶寫入，但允許反復擦除重新寫入。EPROM是用電信號編程而用紫外線擦除的只讀存儲器晶元。在晶元外殼上方的中央有一個圓形窗口，通過這個窗口照射紫外線就可以擦除原有的信息。由於陽光中有紫外線的成分，所以程序寫好後要用不透明的標簽封窗口，以避免因陽光照射而破壞程序。EPROM的典型晶元是Intel公司的27系列產品，按存儲容量不同有多種型號，例如2716（2KB′8）、2732（4KB′8）、2764（8KB′8）、27128（16KB′8）、27256（32KB′8）等，型號名稱後的數字表示其存儲容量。

(4)電擦除可改寫ROM（EEPROM或E2PROM）

這是一種用電信號編程也用電信號擦除的ROM晶元，它可以通過讀寫操作進行逐個存儲單元讀出和寫入，且讀寫操作與RAM存儲器幾乎沒有什麼差別，所不同的只是寫入速度慢一些。但斷電後卻能保存信息。典型E2PROM晶元有28C16、28C17、2817A等。

(5)快擦寫ROM（flash ROM）

E2PROM雖然具有既可讀又可寫的特點，但寫入的速度較慢，使用起來不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基礎上發展起來的一種只讀存儲器，讀寫速度都很快，存取時間可達70ns，存儲容量可達16MB~128MB。這種晶元可改寫次數可從1萬次到100萬次。典型flash ROM晶元有28F256、28F516、AT89等。

2.隨機存儲器RAM（也叫讀寫存儲器）

讀寫存儲器RAM按其製造工藝又可以分為雙極型RAM和金屬氧化物RAM。

(1) 雙極型RAM
雙極型RAM的主要特點是存取時間短，通常為幾到幾十納秒（ns）。與下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且價格也較高。因此，雙極型RAM主要用於要求存取時間短的微型計算機中。

(2) 金屬氧化物（MOS）RAM
用MOS器件構成的RAM又分為靜態讀寫存儲器（SRAM）和動態讀寫存儲器（DRAM）。

j靜態RAM（SRAM）

靜態RAM的基本存儲單元是MOS雙穩態觸發器。一個觸發器可以存儲一個二進制信息。靜態RAM的主要特點是，其存取時間為幾十到幾百納秒（ns），集成度比較高。目前經常使用的靜態存儲器每片的容量為幾KB到幾十KB。SRAM的功耗比雙極型RAM低，價格也比較便宜。

k動態RAM（DRAM）

動態RAM的存取速度與SRAM的存取速度差不多。其最大的特點是集成度特別高。其功耗比SRAM低，價格也比SRAM便宜。DRAM在使用中需特別注意的是，它是靠晶元內部的電容來存貯信息的。由於存貯在電容上的信息總是要泄漏的，所以，每隔2ms到4ms，DRAM要求對其存貯的信息刷新一次。

l集成RAM（i RAM）

集成RAM――Integrated RAM，縮寫為i RAM，這是一種帶刷新邏輯電路的DRAM。由於它自帶刷新邏輯，因而簡化與微處理器的連接電路，使用它和使用SRAM一樣方便。

m非易失性RAM（NVRAM）

非易失性RAM――Non-Volatile RAM，縮寫為NVRAM，其存儲體由SRAM和EEPROM兩部分組合而成。正常讀寫時，SRAM工作；當要保存信息時（如電源掉電），控制電路將SRAM的內容復制到EEPROM中保存。存入EEPROM中的信息又能夠恢復到SRAM中。

NVRAM既能隨機存取，又具有非易失性，適合用於需要掉電保護的場合。

5.1.2存儲器的主要性能指標
1.存貯容量
不同的存儲器晶元，其容量不一樣。通常用某一晶元有多少個存貯單元，每個存貯單元存貯若干位來表示。例如，靜態RAM6264的容量為8KB′8bit，即它有8K個單元（1K＝1024），每個單元存貯8位（一個位元組）數據。

2.存取時間
存取時間即存取晶元中某一個單元的數據所需要的時間。在計算機工作時，CPU在讀寫RAM時，它所提供的讀寫時間必須比RAM晶元所需要的存取時間長。如果不能滿足這一點，微型機則無法正常工作。

3.可靠性
微型計算機要正確地運行，必然要求存儲器系統具有很高的可靠性。內存的任何錯誤就足以使計算機無法工作。而存儲器的可靠性直接與構成它的晶元有關。目前所用的半導體存儲器晶元的平均故障間隔時間（MTBF）大概是（5′106∽1′108）小時左右。

4.功耗
使用功耗低的存儲器晶元構成存儲器系統，不僅可以減少對電源容量的要求，而且還可以提高存貯系統的可靠性。

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『玖』 存儲器的分類

計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器和輔助存儲器，也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。