1. (3) 對存儲器按位元組進行編址，若某存儲器晶元共有10根地址線，則該存儲器晶元的存儲容量為 A）1KB B）2KB
A）1KB
10根地址線，地址范圍就是2的10次方= 1024 = 1K。
2. 若外擴展存儲器晶元的容量為4KB,起始地址為3000H,則終止地址應為（）
若數據匯流排寬度為8BIT，終止地址：3FFFH
3. 晶元是如何燒寫到存儲器的
老兄問的很含糊，是問控製程序如何燒寫到存儲器中？那是ROM或現在用的FLASH也相當於是ROM。
4. 存儲器晶元為什麼要設置片選信號，它與系統匯流排有那些連接方式這些連接方式各有什麼優缺點
1:
a: 因為一個1G晶元，比用8個128M晶元昂貴的多；
b: 假設總定址空間為1G， 8個128M定址可以靈活使用sram，sdram，flash等晶元(類似於給你8個插槽讓你擴展外設)以滿足不同的存儲需求，而你做成一個1G的內存插槽。。。其他東西插在那裡呢？難道你只需要1G的內存而不需要硬碟嗎？
2：
分為並行跟串列，比如接個SDRAM那就是行+列定址，就是並行接入匯流排，但也不是完全32位並行，NANDFLASH則是類似於串列接入匯流排，這跟存儲器設計有關～有興趣可以去查查相關資料，我也只是了解。
3：
優缺點，並行訪問速度要快，接入簡單（32位直接扔過去，一次性收發），但成本高，而且不適合遠距離傳輸。串列的話，就是要順序寫入當然慢，而且需要傳輸規則才能通信（你得告訴人家你的數據怎麼排列的吧），但是成本低
我就知道這么多～歡迎補充！
5. 晶元存儲數據的原理
一種是
sram
裡面的單位是若干個開關組成一個觸發器,
形成可以穩定存儲
0,
1
信號,
同時可以通過時序和輸入信號改變存儲的值
另一種是dram,
主要是根據電容上的電量,
電量大時,
電壓高表示1,
反之表示0
晶元就是有大量的這些單元組成的,
所以能存儲數據
所謂程序其實就是數據.
電路從存儲晶元讀數據進來,
根據電路的時序還有電路的邏輯運算,
可以修改其他存儲單元的數據
6. 晶元存儲器是怎麼存儲信息的，為什麼斷電後信息不會丟失晶體管是怎麼存儲二進制的，詳細說明一下原理
我也只知道個大概，不專業不要拍磚，存儲的是數字信息，就是0和1 的信息，因為有記憶功能所以斷電不會丟失信息，就相當於可多次刻錄的光碟一樣，信息寫進去就相當於刻錄上了，斷電給電都在裡面
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書名：客戶端存儲技術
作者：[美] Raymond Camden
譯者：馬德奎
豆瓣評分：5.5
出版社：人民郵電出版社
出版年份：2017-3
頁數：104
內容簡介：
客戶端數據存儲賦予瀏覽器快速訪問數據的能力，從而節省網路流量並減輕伺服器的壓力，同時使離線應用程序得以真正實現。本書從實用角度出發，以豐富的示例代碼介紹Cookie、Web存儲、IndexedDB等多種客戶端存儲技術，以及用於簡化客戶端存儲的JavaScript庫，如Lockr、Dexie和localForage等。
作者簡介：
作者簡介：
Raymond Camden
是IBM的一名Developer Advocate，關注MobileFirst平台、混合移動開發、Node.js、HTML5和Web標准。他也是一名作家，並在許多會議和用戶組中做過各種主題的演講。歡迎訪問他的博客：http://www.raymondcamden.com。
譯者簡介：
馬德奎
資料庫開發工程師，主要從事與機械製造行業MES、物料拉動相關的資料庫設計及計算邏輯開發。
8. 晶元存儲數據的原理是什麼
1、 sram 裡面的單位是若干個開關組成一個觸發器, 形成可以穩定存儲 0, 1 信號, 同時可以通過時序和輸入信號改變存儲的值。
2、dram, 主要是根據電容上的電量, 電量大時, 電壓高表示1, 反之表示0
晶元就是有大量的這些單元組成的, 所以能存儲數據。
所謂程序其實就是數據. 電路從存儲晶元讀數據進來, 根據電路的時序還有電路的邏輯運算, 可以修改其他存儲單元的數據
9. Flash存儲晶元能夠快速在線快速寫入和讀出嗎
最好單向傳輸數據，也就是說避免錯誤，要麼寫入要麼讀出 ，好比加大優盤類存儲器使用壽命最好不能直接在優盤里運行程序一樣
10. 微機系統的存儲器容量與存儲器晶元的存儲容量有什麼區別
微機系統的存儲器容量，
是
N
個存儲器晶元的存儲容量，的總和。
