准非易失存儲

1. 中國科學家開創新存儲技術如何

科研人員稱，基於二維半導體的准非易失性存儲器可在大尺度合成技術基礎上實現高密度集成，將在極低功耗高速存儲、數據有效期自由度利用等多領域發揮重要作用。

這項科學突破由復旦大學科研團隊獨立完成，復旦大學專用集成電路與系統國家重點實驗室為唯一單位。該項工作得到國家自然科學基金優秀青年項目和重點研究項目的支持。

2. 復旦大學研發什麼新型存儲技術

近日，復旦大學某團隊研發出具有顛覆性的二維半導體准非易失存儲原型器件，開創了第三類存儲技術，解決了國際半導體電荷存儲技術中「寫入速度」與「非易失性」難以兼得的難題。

目前半導體電荷存儲技術主要有兩類，第一類是易失性存儲，例如計算機的內存，可在幾納秒左右寫入數據，但掉電後數據會立即消失；第二類是非易失性存儲，例如U盤，需要幾微秒到幾十微秒才能把數據保存下來，但在寫入數據後無需額外能量可保存10年。

這項研究創新性地選擇了二硫化鉬、二硒化鎢、二硫化鉿、氮化硼等多重二維材料堆疊構成了半浮柵結構晶體管，製成階梯能谷結構的范德瓦爾斯異質結。其中一部分如同一道可隨手開關的門，電子易進難出；另一部分則像一面密不透風的牆，電子難以進出。對「寫入速度」與「非易失性」的調控，就在於這兩部分的比例。這一重要突破，從技術定義、結構模型到性能分析的全過程，均由復旦大學科研團隊獨立完成。

3. 非易失性存儲器有哪些

非易失性存儲器主要包括以下幾種：

1. EEPROM

EEPROM 是一種能在現場編程或者更改的存儲器，即可以在不改裝的情況下更改數據，同時具有記憶能力。當不需要修改數據或者需要擦除和重寫時，它可以保留原有數據。因此，這種存儲器被廣泛應用於汽車電子、消費電子產品等。EEPROM 主要通過電場來改變數據狀態，可以實現快速擦除和寫入數據。它通常不需要外部電源就能保存數據，即使在斷電情況下也能保存數據很長時間。這使得它在需要長期存儲數據且無法經常供電的情況下具有極大的優勢。

2. NAND快閃記憶體

NAND快閃記憶體是一種基於浮柵技術的非易失性存儲器，它允許在非常小的單元內存儲信息。由於其體積小、重量輕、耐用性強等特點，NAND快閃記憶體廣泛應用於手機、平板電腦等攜帶型設備中。NAND快閃記憶體具有高存儲密度、低功耗等優點，使其成為現代電子設備中不可或缺的存儲組件。同時，NAND快閃記憶體的讀寫速度也很快，能夠滿足現代電子設備對存儲速度的需求。

3. NOR快閃記憶體

NOR快閃記憶體是一種只讀存儲器，它可以被編程或擦除來存儲用戶自定義的數據信息。相比於EEPROM和NAND快閃記憶體，NOR快閃記憶體的讀寫速度較慢，但它的存儲容量更大，成本更低。NOR快閃記憶體被廣泛用於嵌入式系統中，例如汽車電子和工業控制等領域。它的數據保留時間非常長，即使在長時間斷電的情況下也不會丟失數據。這使得它在需要長期存儲和傳輸信息的領域中占據重要的位置。 以上三種非易失性存儲器都有著不同的應用環境和特性優勢。

總結：非易失性存儲器主要包括EEPROM、NAND快閃記憶體和NOR快閃記憶體等幾種類型。它們在存儲容量、操作速度等方面各有不同，可以應對不同領域的需求。在實際應用中，可以根據具體需求選擇合適的存儲器類型。