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英特爾存儲盤的類型

發布時間: 2025-03-19 11:35:36

1. 固態硬碟的快閃記憶體類型:SLC MLC TLC 各指的是什麼哪種比較好

除了主控晶元和緩存晶元以外,PCB板上其餘的大部分位置都是NAND
Flash快閃記憶體晶元了。NAND
Flash快閃記憶體晶元又分為SLC(單層單元)和MLC(多層單元)NAND快閃記憶體:
1.SLC全稱是單層式儲存
(Single
Level
Cell),因為結構簡單,在寫入數據時電壓變化的區間小,所以壽命較長,傳統的SLC
NAND快閃記憶體可以經受10萬次的讀寫。而且因為一組電壓即可驅動,所以
英特爾固態硬碟(15張)
其速度表現更好,目前很多高端固態硬碟都是都採用該類型的Flash快閃記憶體晶元。
2.MLC全稱是多層式儲存(Multi
Leveled
Cell),它採用較高的電壓驅動,通過不同級別的電壓在一個塊中記錄兩組位信息,這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍。作為目前在固態硬碟中應用最為廣泛的MLC
NAND快閃記憶體,其最大的特點就是以更高的存儲密度換取更低的存儲成本,從而可以獲得進入更多終端領域的契機。不過,MLC的缺點也很明顯,其寫入壽命較短,讀寫方面的能力也比SLC低,官方給出的可擦寫次數僅為1萬次。
3.TLC即Triple-cell-per-bit,由於採用三層存儲單元,因此可以以較低的成本實現更大的容量。具體來講,SLC只有兩個電平狀態,MLC則為4個,TLC則多達8個,同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%,因此價格也便宜了33%。當然良品率等因素也會對價格產生影響。
由於TLC擁有多達8個電平狀態,因此在電位控制上更加復雜,特別是寫入速度會大受影響,延遲增加。加之如此多的電平狀態,電子一旦溢出變會非常容易導致出錯,難以控制,這就是為什麼需要更強ECC糾錯能力的原因,否則TLC快閃記憶體的壽命將會不堪一擊。

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