英特爾存儲盤的類型
1. 固態硬碟的快閃記憶體類型：SLC MLC TLC 各指的是什麼哪種比較好
除了主控晶元和緩存晶元以外，PCB板上其餘的大部分位置都是NAND
Flash快閃記憶體晶元了。NAND
Flash快閃記憶體晶元又分為SLC（單層單元）和MLC（多層單元）NAND快閃記憶體：
1.SLC全稱是單層式儲存
(Single
Level
Cell），因為結構簡單，在寫入數據時電壓變化的區間小，所以壽命較長，傳統的SLC
NAND快閃記憶體可以經受10萬次的讀寫。而且因為一組電壓即可驅動，所以
英特爾固態硬碟(15張)
其速度表現更好，目前很多高端固態硬碟都是都採用該類型的Flash快閃記憶體晶元。
2.MLC全稱是多層式儲存（Multi
Leveled
Cell），它採用較高的電壓驅動，通過不同級別的電壓在一個塊中記錄兩組位信息，這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍。作為目前在固態硬碟中應用最為廣泛的MLC
NAND快閃記憶體，其最大的特點就是以更高的存儲密度換取更低的存儲成本，從而可以獲得進入更多終端領域的契機。不過，MLC的缺點也很明顯，其寫入壽命較短，讀寫方面的能力也比SLC低，官方給出的可擦寫次數僅為1萬次。
3.TLC即Triple-cell-per-bit，由於採用三層存儲單元，因此可以以較低的成本實現更大的容量。具體來講，SLC只有兩個電平狀態，MLC則為4個，TLC則多達8個，同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%，因此價格也便宜了33%。當然良品率等因素也會對價格產生影響。
由於TLC擁有多達8個電平狀態，因此在電位控制上更加復雜，特別是寫入速度會大受影響，延遲增加。加之如此多的電平狀態，電子一旦溢出變會非常容易導致出錯，難以控制，這就是為什麼需要更強ECC糾錯能力的原因，否則TLC快閃記憶體的壽命將會不堪一擊。