sram存儲器讀寫次數

A. DRAM，SDRAM和SRAM的區別

三者在數據存儲、體積、特點不同：

1、數據存儲不同：

SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。

而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失。

SDRAM有一個同步介面，在響應控制輸入前會等待一個時鍾信號，這樣就能和計算機的系統匯流排同步。時鍾被用來驅動一個有限狀態機，對進入的指令進行管線(Pipeline)操作。這使得SDRAM與沒有同步介面的非同步DRAM(asynchronous DRAM)相比，可以有一個更復雜的操作模式。

2、體積不同：

相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。

同樣面積的矽片可以做出更大容量的DRAM。

SDRAM的體積結構已經很優化了。

3、特點不同：

SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，通常DRAM是有一個非同步介面的，這樣它可以隨時響應控制輸入的變化。

同步動態隨機存取內存（synchronous dynamic random-access memory，簡稱SDRAM）是有一個同步介面的動態隨機存取內存（DRAM）。

由於在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」存儲器。

B. 內存類型中SRAM和DRAM什麼區別

1. SRAM存儲元件所用MOS管多，占矽片面積大，因而功耗大，集成度低；DRAM存儲元件所用MOS管少，占矽片面積小，因而功耗小，集成度很高；

2. SRAM採用一個正負反饋觸發器電路來存儲信息，所以只要直流供電電源一直加在電路上，就能一直保持記憶狀態不變，所以無需刷新。DRAM採用電容存儲電荷來存儲信息，會發生漏電現象，所以要使狀態保持不變，必須定時刷新；因為讀操作會使狀態發生改變，故需讀後再生。
   

3. SRAM不會因為讀操作而使狀態發生改變，故無需讀後再生，特別是它的讀寫速度快，其存儲原理可看作是對帶時鍾的RS觸發器的讀寫過程。DRAM因為特別是它的讀寫速度相對SRAM元件要慢的多，其存儲原理可看作是對電容充、放電的過程。

4. SRAM價格比較昂貴，因而適合做高速小容量的半導體存儲器，如Cache。相比於SRAM、DRAM價格較低，因而適合做慢速大容量的半導體存儲器，如主存。有三種刷新方式：集中、分散和非同步。

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靜態隨機存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。

C. 只讀存儲器和隨機存儲器有什麼區別

只讀存儲器和隨機存儲器區別：作用不同、特點不同

1、作用不同

只讀存儲器的主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模塊的初始化、系統的基本輸入／輸出的驅動程序及引導操作系統。

隨機存儲器是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統運改或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。

2、特點不同

RAM 是隨機存取存儲器，它的特點是易揮發性，即掉電失憶。ROM 通常指固化存儲器（一次寫入，反復讀取），它的特點與RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和電擦除重寫三種類型。

舉個例子來說手虧也就是，如果突然停電或者沒有保存就關閉了文件，那麼ROM可以隨機保存之前沒有儲存的文件但是RAM會使之前沒有保存的文件消失。

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隨機存儲器的分類：

1、靜態隨機存儲器（SRAM）

靜態存儲單元是在靜態觸發器的基礎上附加門畢悄神控管而構成的。因此，它是靠觸發器的自保功能存儲數據的。

2、動態隨機存儲器（DRAM）

動態RAM的存儲矩陣由動態MOS存儲單元組成。動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由於柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對等於0，所以電荷保存的時間有限。為了避免存儲信息的丟失，必須定時地給電容補充漏掉的電荷。

只讀存儲器的種類：

1、ROM

只讀內存（Read－Only Memory）是一種只能讀取資料的內存。在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式只讀內存」（mask ROM）。此內存的製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動。

2、可編程只讀存儲器

可編程只讀存儲器（英文：Programmable ROM，簡稱：PROM）一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1，或皆為0。用戶使用時，再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數據。

D. 某SRAM晶元,其存儲容量為64k*16位,該晶元的地址線和數據線目為多少

1、如果存儲容量為512×8，則有8條數據線；因為2^19=512k，則有19條地址線。512表示可以存儲512×1024=2^19位數據，同時讀寫8位數據。
2、數據線8根，地址線10根1k，11根2k，12根4k，13根8k，14根16k。當然是4pcs，16*4=64。
3、(1)：根據題意，許給1K*4的SARM需給他位擴展二倍，字擴展四倍，先用四片可構成一個4K*4的晶元，然後再用兩片4K*4的晶元即可構成所需晶元，故共需要4*2=8塊存儲模版。
4、根地址線，表示容定址范圍為2的14次方，即16K，數據匯流排是8位的，所以實際容量是16KB。
5、位地址線最大定址范圍是64K，8000H-FFFFH地址范圍是32K，當然就要4片8K×8的存儲器晶元。