東芝快閃記憶體存儲

⑴ 東芝快閃記憶體顆粒命名規則

命名規則解析：THGAF4G9N4LBAIR（UFS2.1，15nm，MLC）

該命名規則由一系列字元組成，每個字元代表不同的信息。

T: 「Toshiba」 東芝，代表該產品的製造商。

H: 「Multi-chip」 多晶元封裝，表示該產品採用多晶元封裝技術。

G: 符號，代表該產品的快閃記憶體類型為「IC」（集成電路）。

A: 符號，表示供電電壓類型。具體含義需根據後續字元確定。

F: 表示該產品的NAND介面類型為「UFS」（Universal Flash Storage）。

4: 唯一代碼，表示內置控制器的版本為4。

G至I: 表示存儲密度和封裝大小等信息。其中，G代表以G bits表示的容量，9表示2的9次方，即512G bits（64GB）。

N: 符號，表示該產品的架構為MLC（Multi-Level Cell）。

4: 數字，表示封裝內含堆疊晶元數為4。

L: 符號，表示製程為15nm。其中K代表19nm，J代表24nm。

BA: 組合符號，表示封裝類型為無鉛無鹵素BGA（Ball Grid Array）。

I: 符號，表示該產品的模式為工業版本，工作溫度為-25°C至85°C。

R: 符號，表示封裝大小為11.5mmx13mmx1.0mm。

此外，第9個字元與快閃記憶體架構有關。其中：

1）SLC（Single-Level Cell）為S或H；

2）DLC（Dua-Level Cell）為D或E（不常見）；

3）TLC（Triple-Level Cell）為T或U；

4）MLC（Multi-Level Cell）為B、C、J、K、L、N等。

⑵ 東芝XL-Flash如何通過高帶寬和低延遲提升性能

在FMS快閃記憶體峰會上，東芝揭曉了XL-FLASH，一款專為高性能應用設計的新型3D NAND快閃記憶體，旨在提升存儲速度和響應效率。與傳統3D NAND的聚焦不同，XL-FLASH憑借其獨特的設計，瞄準了低延遲和高帶寬的領域。

XL-FLASH在BiCS架構下採用SLC構型，且通過16個Plane的增加，實現了存儲並發存取的大幅提升，這在讀取速度上尤為明顯，能滿足PCIe4.0及更高技術對固態硬碟高速讀取的需求。然而，寫入速度一直是NAND快閃記憶體的瓶頸，XL-FLASH通過16Plane結構，有望緩解這一問題。

對於內存擴充的需要，XL-Flash的低延遲特性使其在海量內存場景中具備高性價比，可能成為部分替代DRAM內存的選項。尤其在數據分層存儲中，隨著QLC和PLC快閃記憶體的出現，不同性能層級的快閃記憶體之間差距會擴大，XL-Flash作為高速數據載體，能夠有效填充這一性能空白。

雖然XL-Flash的實用化還有一定距離，但其在RD500/RC500 M.2 NVMe固態硬碟上的應用，預示著高性能和大容量的融合。東芝更名為Kioxia鎧俠，體現了其存儲技術推動世界進步的承諾。

總之，XL-Flash是東芝對存儲結構和延遲的一次重大創新，旨在填補高性能和大容量存儲的空白，為未來的存儲市場帶來革命性變化。不過，消費者可能還需要一段時間才能在消費級產品中體驗到這一技術的全面魅力。

⑶ 東芝UFS快閃記憶體不完全一覽（含命名規則舉例）

東芝UFS快閃記憶體技術自2013年首次推出，經過一系列迭代，至今已成為移動設備存儲領域的關鍵技術之一。以下為東芝UFS快閃記憶體的不完全概述，包括命名規則舉例。

第一代（2013年1月），採用24nm製程，UFS1.1介面協議，HS-G2 1-Lane（2.9Gbps）。

第二代（2014年4月），升級為19nm製程，介面協議升級為UFS2.0，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps）。提供了32GB和64GB兩種容量。

第三代（2015年12月前），繼續沿用15nm製程與UFS2.0介面協議，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps），提供32GB和64GB兩種容量。

第四代（2016年3月前），同樣使用15nm製程和UFS2.0介面，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps），提供了32GB、64GB和128GB三種容量。

第五代（2016年10月），採用15nm製程，介面協議升級為UFS2.1，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps），提供32GB、64GB和128GB三種容量。

命名規則以THGAF4G9N4LBAIR為例，解析如下：

字元1至字元3：標識東芝（T）的多晶元（H）集成電路（G）。

字元4：表示供電電壓類型（A）。

字元5：快閃記憶體介面類型為UFS（F）。

字元6：內置控制器版本為4（4）。

字元7：容量用G bits表示（G）。

字元8：容量為512G bits，即64GB（9）。

字元9：架構為MLC（N）。

字元10：封裝內含4個堆疊晶元（4）。

字元11：製程為15nm（L）。

字元12至13：無鉛無鹵素BGA封裝（BA）。

字元14：工業版本（I）。

字元15：封裝大小為11.5mmx13mmx1.0mm（R）。

其中，第9個字元指示快閃記憶體架構，例如SLC（S或H）、DLC（D或E）、TLC（T或U）和MLC（B、C、J、K、L、N）。

東芝UFS快閃記憶體技術的迭代，不僅提升了存儲速度，也優化了存儲密度，為移動設備提供了更高效、更靈活的存儲解決方案。