存儲器帶寬與存儲速度

『壹』 內存的主要性能和指標有哪些

內存的主要性能和指標包括存儲速度、存儲容量、CAS延遲時間、內存帶寬等。下面逐一介紹這些指標：
1. 存儲速度
內存的存儲速度以存取一次數據所需的時間來衡量，單位為納秒（ns）。納秒值越小，存取時間越短，速度越快。例如，DDR內存的存取時間通常為6ns，而顯卡顯存的速度可以更快，如5ns、4ns、3.6ns、3.3ns、2.8ns等。
2. 存儲容量
目前常見的內存存儲容量有128MB、256MB、512MB，也有單條1GB的內存，但價格較高，較少被普通用戶採用。建議在配置計算機時，選擇單條256MB以上的內存，而不是兩根128MB的組合。
內存存儲容量的換算公式為：1GB = 1024MB = 1024 * 1024KB。
3. CL（CAS延遲時間）
CL是CAS Latency的縮寫，是指內存縱向地址脈沖的反應時間，是衡量不同規范內存的重要指標之一。例如，PC1600和PC2100內存的標准CL應為2，意味著讀取數據的延遲時間是兩個時鍾周期。這意味著內存必須在CL=2的情況下穩定工作。
4. SPD晶元
SPD是Serial Presence Detect的縮寫，是一種8針256位元組的EEROM（可電擦寫可編程只讀存儲器）晶元。它通常位於內存條正面的右側，存儲了內存的速度、容量、電壓、行、列地址、帶寬等參數信息。計算機啟動時，BIOS會自動讀取SPD晶元中的信息。
5. 奇偶校驗
奇偶校驗是一種錯誤檢測機制，每個位元組外增加一位用於檢測錯誤。CPU在讀取數據時，會重新計算存儲的數據並進行奇偶校驗，以確保數據的一致性。如果發現不一致，CPU會進行處理。
6. 內存帶寬
內存帶寬是指內存控制器（通常位於北橋晶元中）與CPU之間的數據傳輸速率。內存的存儲容量決定「倉庫」的大小，而內存帶寬決定「橋梁」的寬度，兩者都至關重要。
內存帶寬的計算方式為：B表示帶寬、F表示存儲器時鍾頻率、D表示存儲器數據匯流排位數，則帶寬B = F * D / 8。例如，100MHz的SDRAM內存帶寬為100MHz * 64bit / 8 = 800MB/秒，133MHz的SDRAM內存帶寬為133MHz * 64bit / 8 = 1064MB/秒。

『貳』 內存的主要性能和指標有哪些

內存的性能指標包括存儲速度、存儲容量、CAS延遲時間、內存帶寬等，下面對 他們進行一一介紹

1、存儲速度

內存的存儲速度用存取一次數據的時間來表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取時間越短，速散謹含度就越快。目前，DDR內存的存取時間一般為6ns，而更快的存儲器多用在顯卡的顯存上，如：5ns、 4ns、 3.6ns、晌拆 3.3ns、 2.8ns、 等。

2、存儲容量

目前常見的內存存儲容量單條為128MB、256MB、512MB，當然也有單條1GB的，內存，不過其價格較高，普通用戶少有使用。就目前的行情來看，配機時盡時使用單條256MB以上的內存，不要選用兩根128MB的方案。 提示：內存存儲容量的換算公式為，1GB=1024MB=1024*1024KB

3、CL

CL是CAS Lstency的縮寫，即CAS延遲時間，是指內存縱向地址脈沖的反應時間，是在一定頻率下衡量不同規范內存的重要標志之一。對於PC1600和PC2100的內存來說，其規定的CL應該為2，即他讀取數據的延遲時間是兩個時鍾周期。也就是說他必須在CL=2R 情況下穩寰工作的其工作頻率中。

4、SPD晶元

SPD是一個8針256位元組的EERROM(可電擦寫可編程只讀存儲器) 晶元.位置一般處在內存條正面的右側, 裡面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數信息。當開機時，計算機的BIOS將自動讀取SPD中記錄的信息。

5、奇偶校驗

奇偶校驗就是內存每一個位元組外又額外增加了一位作為錯誤檢測之用。當CPU返回讀顧儲存的數據時，他會再次相加前8位中存儲的數據，計算結果是否與校驗相一致。當CPU發現沖笑二者不同時就會自動處理。

6、內存帶寬

從內存的功能上來看，我們可以將內存看作是內存控制器（一般位於北橋晶元中）與CPU之間的橋梁或倉庫。顯然，內存的存儲容量決定「倉庫」的大小，而內存的帶決定「橋梁的寬窄」，兩者缺一不可。 提示：內存帶寬的確定方式為：B表示帶寬、F表於存儲器時鍾頻率、D表示存儲器數據匯流排位數，則帶寬B=F*D/8
如常見100MHz的SDRAM內存的帶寬=100MHz*64bit/8=800MB/秒

常見133MHz的SDRAM內存的帶寬133MHz*64bit/8=1064MB/秒

『叄』 存儲器怎麼選擇

1、必須考慮存儲器的容量和速度，每種存儲器都有不同的折中。如果應用是由速度或吉比特每秒的帶寬驅動的，那麼HBM可能是一種方法，因為它比DDR存儲器的帶寬要高得多。

2、如果應用以容量問題為主，例如存儲器介面可容納多少GB的存儲空間，那麼DDR可能是更好的選擇。

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從存儲器的角度看，你在考慮是否想要更多的面積，這相當於更高的成本。有一些二階折中方案對於大容量存儲器很重要，比如位單元面積與外圍面積的比例。一旦你選擇了一個比值，位單元區域就基本上固定了。

但是它的周邊區域可以變得更大或更小，這通常會使它更快或功耗更低。當你這樣做的時候，是否會給SoC增加成本，取決於你有多少個給定的對象。通常，當你觀察SoC時，有幾個非常大的對象支配該區域，因此周邊區域或性能的小改動會對這些對象產生巨大的影響。有很多對象並不重要，即使它們的大小翻倍，也沒有人會注意到。

其次，還有另一類型通常是體系結構中的較小但很重要對象，這些對象具有某種最終性能要求、或超低電壓、或晶元的某些重要方面。在這些情況下，面積和成本通常不那麼重要，更重要的是它需要符合速度標准、或泄漏功耗標准、或任何其他主導標准。」

『肆』 存儲器帶寬的計算

周期=200ns,所以主頻=5MHz，帶寬=5Mhz * 4B=20MB/S

每個周期200納秒（1納秒=百萬分之一秒），所以每秒鍾有5,000,000個周期，每個周期可以訪問4個位元組，那麼每秒鍾可以訪問「5,000,000 x 4」個位元組，帶寬就是20,000,000位元組/秒，即20MB/S

『伍』 內存的性能指標

內存的性能指標有以下方面。

1、存儲速度：內存的存儲速度用存取一次數據的時間來表示，單位為納秒，記為ns，1秒=10億納秒，即1納秒=10ˉ9秒。Ns值越小，表明存取時間越短，速度就越快。

2、容量：內存的容量越大越不容易卡頓，但它要受到主板支持最大容量的限制。單條內存的容量有1GB、2GB、4GB等幾種。主板上通常都至少提供兩個內存插槽，若安有多條內存，則電腦內存的總容量是所有內存容量之和。

3、CL CL是CAS Lstency的縮寫，即CAS延遲時間，是指內存縱向地址脈沖的反應時間，是在一定頻率下衡量不同規范內存的重要標志之一。

4、SPD晶元 SPD是一個8針256位元組的EERROM(可電擦寫可編程只讀存儲器) 晶元.位置一般處在內存條正面的右側, 裡面記錄了諸如內存的速度、容量、電壓與行、列地址、帶寬等參數信息。當開機時，計算機的BIOS將自動讀取SPD中記錄的信息。

5、工作電壓：由於低電壓內存要低於標准電壓1.5V保證穩定工作，因此生產低電壓內存要求更高的品質，出廠時內存電壓越高就代表內存品質越不好，這也是低電壓內存的優點之一。因此，內存條高低電壓的區別就在於低壓內存條比高壓內存條耗電量低，更加環保。

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內存的構造和原理。

內存的內部結構是PC晶元中最簡單的，是由許多重復的「單元」——cell組成，每一個cell由一個電容和一個晶體管（一般是N溝道MOSFET）構成，電容可儲存1bit數據量，充放電後電荷的多少（電勢高低）分別對應二進制數據0和1。

由於電容會有漏電現象，因此過一段時間之後電荷會丟失，導致電勢不足而丟失數據，因此必須經常進行充電保持電勢，這個充電的動作叫做刷新，因此動態存儲器具有刷新特性，這個刷新的操作一直要持續到數據改變或者斷電。

而MOSFET則是控制電容充放電的開關。DRAM由於結構簡單，可以做到面積很小，存儲容量很大。