存儲周期最短的是

① 下列存儲器中，存取周期最短的是（） A：硬碟存儲器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM

SRAM，即靜態隨機存取存儲器，主要用於二級高速緩存（Level2 Cache），它利用晶體管來存儲數據。相較於DRAM，SRAM速度更快，但同樣面積下的存儲容量較小。SRAM的工作原理基於雙穩態電路，不需要像DRAM那樣不斷刷新，因此其工作速度更快。然而，SRAM由於存儲單元的器件較多，集成度不高，且功耗較大。

SRAM主要由五大部分構成：存儲單元陣列、行/列地址解碼器、靈敏放大器、控制電路以及緩沖/驅動電路。存儲單元陣列是存儲數據的核心部分；行/列地址解碼器負責將地址信號轉換為相應的行和列地址；靈敏放大器用於檢測存儲單元中的微弱電平變化；控制電路用於控制整個存儲器的操作；緩沖/驅動電路則用於信號的放大和傳輸。

存取周期是衡量存儲器性能的重要指標之一，直接影響電子計算機的技術性能。存取周期越短，運算速度越快，但對存儲元件及工藝的要求也越高。例如，磁芯存儲器的存取周期通常在零點幾到幾個微秒之間；而半導體存儲器的存取周期則在幾十到幾百毫微秒之間。

由此可見，半導體存儲器的性能相較於磁芯存儲器要優越得多。其中，SRAM作為半導體存儲器的一種，其存取周期最短，因此存取速度最快。因此，在選項中，SRAM是存取周期最短的存儲器。

SRAM的工作原理及其性能優勢使其在高速緩存系統中得到廣泛應用，尤其是在需要快速訪問數據的場合。盡管其功耗較高且集成度較低，但在高性能計算和嵌入式系統等領域中仍具有不可替代的地位。

② 下列存儲器中,存取周期最短的是（） A：硬碟存儲器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM

D：SRAM
A,和B,不用說吧,一定不可能的.硬碟存儲,和CDROM存儲,都是慢極了的,那就只有.C 和D了,那看下,DRAM,和SRAM的不同吧..
SRAM的速度非常快,在快速讀取和刷新時可以保持數據完整性,即保持數據不丟失.SRAM在PC平台上就只能用於CPU內部的一級緩存以及內置的二級緩存.而我們所說的「系統內存」使用的應該是DRAM.
DRAM的應用比SRAM要廣泛,結構較SRAM要簡單許多,無論是集成度、生產成本以及體積,DRAM都比SRAM具有優勢 .

③ 下列存儲器中，存取周期最短的是（） A：硬碟存儲器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM

SRAM。

SRAM主要用於二級高速緩存掘敬（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。

SRAM是靜態存儲方式，以雙穩態電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由於存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。

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SRAM可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址解碼器(decode），靈敏放大器(Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅動電路（FFIO）判山慎。

存取周期為存儲器的性能指標之一，直接影響電子計算機的技術性能。存儲周期愈短，運算速度愈快，但對存儲元件及工藝的要求也愈高。

例如磁芯存儲器的存取周期為零點幾到幾個微秒。半導體存儲器的存取周期通常在幾十到幾百毫微秒之間。那麼半導體存儲器的性能比磁芯存儲器的性能要好。