存儲密度1

『壹』 存儲密度

在數據結構中，存儲密度：結點數據本身所佔的存儲量和整個結點結構所佔的存儲量之比。
存儲密度 = （結點數據本身所佔的存儲量）/（結點結構所佔的存儲總量）

『貳』 快閃記憶體有哪幾種

由於快閃記憶體顆粒中存儲密度存在差異，所以快閃記憶體又分為SLC、MLC、TLC和QLC。簡單的說，NAND快閃記憶體的基本原理，QLC容量大，但性能也變差了。

SLC：每個Cell單元存儲1bit信息，也就是只有0、1兩種電壓變化，結構簡單，電壓控制也快速，反映出來的特點就是壽命長，性能強，P/E壽命在1萬到10萬次之間，但缺點就是容量低而成本高，畢竟一個Cell單元只能存儲1bit信息。

MLC：每個cell單元存儲2bit信息，需要更復雜的電壓控制，有00,01,10,11四種變化，這也意味著寫入性能、可靠性能降低了。其P/E壽命根據不同製程在3000-5000次不等。

TLC：每個cell單元存儲3bit信息，電壓從000到001有8種變化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架構更復雜，P/E編程時間長，寫入速度慢，P/E壽命也降至1000-3000次，部分情況會更低。壽命短只是相對而言的，通常來講，經過重度測試的TLC顆粒正常使用5年以上是沒有問題的。

QLC或者可以叫4bit MLC，電壓有16種變化，但是容量能增加33%，就是寫入性能、P/E壽命與TLC相比會進一步降低。具體的性能測試上，美光有做過實驗。讀取速度方面，SATA介面中的二者都可以達到540MB/S，QLC表現差在寫入速度上。

因為其P/E編程時間就比MLC、TLC更長，速度更慢，連續寫入速度從520MB/s降至360MB/s，隨機性能更是從9500 IOPS降至5000 IOPS，損失將近一半。

分類

按種類分

U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe快閃記憶體卡。

按品牌分

矽統（SIS）、金士頓、索尼、LSI、閃迪、Kingmax、鷹泰、創見、愛國者、紐曼、威剛、聯想、台電、微星、SSK、三星、海力士。

以上內容參考：網路-快閃記憶體

『叄』 單鏈表的存儲密度是多少

單鏈表的存儲密度小於1。
原因：「存儲密度=單鏈表數據項所佔空間/結點所佔空間」，而「結點所佔空間＝數據項所佔空間＋存放後繼結點地址的鏈域」；所以，存儲密度小於1。
數據結構中單鏈表的存儲密度：鏈表的每個節點除了數據域用來存儲元素外，還要額外的設置指針域，用來存儲用來存儲指示元素之間的邏輯關系的指針。
存儲密度是指數據元素本身所佔的存儲量和整個結點結構所佔的存儲量之比。
假設單鏈表數據元素本身的存儲量為N，指針域所佔的存儲量為M，則存儲密度為：N/（N+M）。而結點所佔空間＝數據項所佔空間＋存放後繼結點地址的鏈域。