創造存儲器

⑴ 美國科學家研製出迄今最小的存儲設備，這設備有多小

美國科學家研製出迄今最小的存儲設備，這設備橫截面積僅1平方納米，容量約為25兆比特每平方厘米，與目前的商用快閃記憶體設備相比，每層的存儲密度提高了100倍。 雖然說存儲設備變得很小，但是它的存儲能力已經大大改變了，不能小看一個小小的設備，它的作用可是沒有限量。

相關研究人員表示，最新研究有助於科學家研製出更快、更小、更智能、更節能的晶元，應用於從消費電子到類腦計算機等多個領域。

這項研究獲得的結果為下一代應用超高密度存儲、神經形態計算系統、射頻通信系統等鋪平了道路。 盡管最新研究使用二硫化鉬作為主要納米材料，該發現可能適用於數百種相關的原子厚度的纖薄材料。對於科技領域，又是人類在歷史進程中的一大創造，希望將來能夠有更多的發現與創造來豐富我們的日常生活！

⑵ 內存條品牌排行榜前十名

內存條品牌排行榜前十名有Kingston金士頓、威剛ADATA、Corsair美商海盜船、宇瞻Apacer、芝奇GSKILL、十銓TEAM、Hynix海力士、Crucial英睿達、HyperX黑客、金泰克tigo。

1、Kingston金士頓

1987 年，金士頓憑借單一產品進入市場。 針對表面封裝存儲晶元嚴重短缺的問題，金士頓創始人杜紀川和孫大衛設計出內存模組，同時重新樹立了未來幾年的行業標准。

金士頓科技結合了內存行業最廣泛、最嚴格的測試流程之一、獨特的免費技術支持中心以及源源不斷的技術創新，自創立以來不斷樹立行業質量和可靠性標准。

以上內容參考：網路-英睿達

以上內容參考：網路-金泰克

⑶ 使用量子力學技術的新型超低功耗存儲器或將取代DRAM和Flash

看到了當前的數字技術能源危機，蘭開斯特大學的研究人員開發出了一種可以解決這一問題的新型計算機並申請了專利。

這種新型的存儲器有望取代動態隨機存取存儲器（DRAM）和快閃記憶體（Flash）驅動器。強大且超低能耗計算時代即將來臨，你准備好了嗎？

研究人員對這一進展有充分的理由感到興奮。物聯網在家庭和辦公室的出現在很大程度上方便了我們的智能生活，但以數據為中心也將消耗大量的能源。無論是互聯智能設備、音箱還是其它的家用設備將需要能量來處理所有「數據」以提供最佳功能。

事實上，能源消耗是一個非常令人關切的問題，而高效率的照明和電器節省的能源實際上可以通過更多地使用計算機和小工具。根據一個研究預測，到2025年，數據洪流預計將消耗全球電力的五分之一。

新開發的電子存儲設備能夠以超低的能耗為服務所有人日常生活。這種低功耗意味著，存儲設備不需要啟動，甚至在按鍵切換時也可以立即進入節能模式。

正如蘭開斯特大學物理學教授Manus Hayne 所說，「通用存儲器穩定的存儲數據，輕易改存儲的數據被廣泛認為是不可行，甚至是不可能的，新的設備證明了其矛盾性。」

「理想的是結合兩者的優點而沒有缺點，這就是我們已經證明的。我們的設備有一個固有的數據存儲時間，預計超過宇宙的年齡，但它可以用比DRAM少100倍的能量存儲或刪除數據。」 Manus Hayne表示。

為了解決和創造這種新的存儲設備，研究人員使用量子力學來解決穩定的長期數據存儲和低能量寫入和擦除之間選擇的困境。

剛剛獲得專利的新設備和研究已經有幾家公司表示對此感興趣，新的存儲設備預計將取代1000億美元的動態隨機存取存儲器（DRAM）市場。

上述這種技術到底如何實現？雷鋒網找到了蘭開斯特大學的研究人員發表的《Room-temperature Operation of Low-voltage, Non-volatile, Compound-semiconctor Memory Cells》的論文，可以再進一步了解這個技術。

文章中指出，雖然不同形式的傳統（基於電荷）存儲器非常適合應用於計算機和其他電子設備，靜態隨機存取存儲器（SRAM），動態隨機存取存儲器（DRAM）和快閃記憶體（Flash）具有互補的特性，它們分別非常適合在高速緩存、動態存儲器和數據存儲中的發揮作用。然而，他們又都有自身的缺點。這就意味著市場需要新的存儲器，特別是，同時實現穩定性和快速、低壓（低能量）的矛盾要求已證明是具有挑戰性的。

研究團隊報告了一種基於III-V半導體異質結構的無氧化浮柵存儲器單元，其具有無結通道和存儲數據的非破壞性讀取。非易失性數據保留至少100000s ，通過使用InAs/AlSb的2.1eV導帶偏移和三勢壘共振隧穿結構，可以實現與≤2.6V的開關相結合。低電壓操作和小電容的組合意味著每單位面積的固有開關能量分別比動態隨機存取存儲器和快閃記憶體小100和1000倍。因此，該設備可以被認為是具有相當大潛力的新興存儲器。

具體結構方面，這是一種新型低壓，化合物半導體，基於電荷的非易失性存儲器件的概念進行設計、建模、製造適合室溫運行。利用AlSb / InAs驚人的導帶陣列進行電荷保持，以及形成諧振隧道勢壘，使研究團隊能夠證明低壓（低能耗）操作與非易變儲存。該器件是由InAs / AlSb / GaSb異質結構構成的FG存儲器結構，其中InAs用作FG和無結通道。研究團隊通過模擬驗證了器件的工作原理，並給出了器件的關鍵存儲特性，如編程/擦除狀態的保留特性，並給出了在單個元件上的實驗結果。

雷鋒網編譯，via interestingengineering、nature