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大容量鐵電存儲器

發布時間: 2024-11-06 21:02:12

A. 什麼是鐵電存儲

鐵電存儲器是一種具有鐵電性的非易失性存儲器。


接下來詳細介紹鐵電存儲器的相關內容:


鐵電存儲器是利用鐵電效應原理工作的存儲器。其存儲單元中的物質具有自發極化的特性,即使在無電場的情況下也能保持穩定的極化狀態,從而形成數據的存儲。這種存儲器的特點是數據非易失性,即使電源斷開,存儲的數據也不會丟失。鐵電存儲器具有讀寫速度快、功耗低、可靠性高等優點。它的操作原理和快閃記憶體類似,但其內部結構和單元設計有所不同。鐵電存儲器在嵌入式系統、電子設備等領域得到了廣泛的應用。此外,鐵電存儲器還具有抗輻射干擾的能力,使其在航空航天等惡劣環境下也能表現出良好的性能。由於其高速緩存的特性,鐵電存儲器在存儲大量數據時表現出良好的性能優勢。隨著科技的不斷發展,鐵電存儲器在集成度、存儲容量等方面也在不斷提高,以滿足日益增長的數據存儲需求。


B. 鐵電存儲器最大容量是多少

目前市場上最大的是1M的!

C. 鐵電存儲器有什麼型號,有什麼容量的,有沒有現成的驅動,什麼封裝

鐵電晶元的型號多數以FM24xxxx,FM25xxxx,FM3xxxx為主,容量:串口最小的4K,最大的512K,並口最小的8K,最大的2M。只是單純的存儲,無驅動部分,串口多為SOP-8封裝,並口多為貼片,管腳數不一。有任何問題可發郵件到我的Q郵箱 [email protected]

D. 什麼是鐵電存儲器

鐵電存儲器(FRAM)產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優勢結合在一起。FRAM產品包括各種介面和多種密度,像工業標準的串列和並行介面,工業標準的封裝類型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

非易失性記憶體掉電後數據不丟失。可是所有的非易失性記憶體均源自ROM技術。你能想像到,只讀記憶體的數據是不可能修改的。所有以它為基礎發展起來的非易失性記憶體都很難寫入,而且寫入速度慢,它們包括EPROM(現在基本已經淘汰),EEPROM和Flash,它們存在寫入數據時需要的時間長,擦寫次數低,寫數據功耗大等缺點。

FRAM 提供一種與RAM一致的性能,但又有與ROM 一樣的非易失性。 FRAM 克服以上二種記憶體的缺陷並合並它們的優點,它是全新創造的產品,一個非易失性隨機存取儲存器。

FRAM技術

Ramtron的FRAM技術核心是鐵電。這就使得FRAM產品既可以進行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。

當一個電場被加到鐵電晶體時,中心原子順著電場的方向在晶體里移動,當原子移動時,它通過一個能量壁壘,從而引起電荷擊穿。 內部電路感應到電荷擊穿並設置記憶體。移去電場後中心原子保持不動,記憶體的狀態也得以保存。FRAM 記憶體不需要定時刷新,掉電後數據立即保存,它速度很快,且不容易寫壞。

FRAM存儲器技術和標準的CMOS製造工藝相兼容。鐵電薄膜被放於CMOS base layers之上,並置於兩電極之間,使用金屬互連並鈍化後完成鐵電製造過程。

Ramtron 的FRAM 記憶體技術從開始到現在已經相當成熟。 最初FRAM 記憶體採用二晶體管/ 二電容器的( 2T/2C) 結構,導致元件體積相對較大。 最近發展的鐵電材料和製造工藝不再需要在鐵電存儲器每一單元內配置標准電容器。 Ramtron 新的單晶體管/ 單電容器結構記憶體可以像DRAM一樣進行操作,它使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現有的2T/2C結構相比,它有效地把內存單元所需要面積減少一半。新的設計極大的改進了die leverage並且降低了FRAM存儲器產品的生產成本。

Ramtron公司現採用0.35微米製造工藝,相對於現有的0.5微米的製造工藝而言,這極大地降低晶元功耗,提高了成本效率。

這些令人振奮的發展使FRAM在人們日常生活的各個領域找到了應用的途徑。從辦公復印機、高檔伺服器到汽車安全氣囊和娛樂設備, FRAM 使一系列產品的性能得到改進並在全世界范圍內得到廣泛的應用。

鐵電應用

數據採集與記錄

存儲器(FRAM)可以讓設計者更快、更頻繁地將數據寫入非易失性存儲器,而且價格比EEPROM低。數據採集通常包括採集和存儲兩部分,系統所採集的數據((除臨時或中間結果數據外)需要在掉電後能夠保存,這些功能是數據採集系統或子系統所具有的基本功能。在大多數情況下,一些歷史記錄是很重要的。

典型應用:儀表 (電表、氣表、水表、流量表)、RF/ID、儀器,、和汽車黑匣子、安全氣袋、GPS定位系統、電力電網監控系統。

參數設置與存儲

FRAM通過實時存儲數據幫助系統設計者解決了突然斷電數據丟失的問題。參數存儲用於跟蹤系統在過去時間內的改變,它的目的包括在上電狀態時恢復系統狀態或者確認一個系統錯誤。總的來說,數據採集是系統或子系統的功能,不論何種系統類型,設置參數存儲都是一種底層的系統功能。

典型應用: 影印機,列印機, 工業控制, 機頂盒 (Set-Top-Box), 網路設備(網路數據機)和大型家用電器。

非易失性緩沖

鐵電存貯器(FRAM)可以在數據傳遞儲存在其它存儲器之前快速存儲數據。在此情況下,信息從一個子系統非實時地傳送到另一個子系統去.。由於資料的重要性, 緩沖區內的數據在掉電時不能丟失.,在某些情況下,目標系統是一個較大容量的存儲裝置。FRAM以其擦寫速度快、擦寫次數多使數據在傳送之前得到存儲。

典型應用:工業系統、銀行自動提款機 (ATM), 稅控機, 商業結算系統 (POS), 傳真機,未來將應用於硬碟非易失性高速緩沖存儲器。

SRAM的取代和擴展

鐵電存貯器(FRAM) 快速擦寫和非易失性等特點,令系統工程師可以把現有設計中的SRAM和EEPROM器件整合到一個鐵電存貯器(FRAM)里,或者簡單地作為SRAM擴展。

在多數情況下,系統使用多種存儲器類型,FRAM提供了只使用一個器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力,節省了功耗, 成本, 空間,同時增加了整個系統的可靠性。最常見的例子就是在一個有外部串列EEPROM嵌入式系統中,FRAM能夠代替EEPROM,同時也為處理器提供了額外的SRAM功能。

典型應用:攜帶型設備中的一體化存儲器,使用低端控制器的任何系統。

深圳華胄科技有限公司----RAMTRON鐵電存儲器代理商
網址:www.huazhoucn.com

E. 鐵電存儲器FRAM的鐵電應用

存儲器(FRAM)可以讓設計者更快、更頻繁地將數據寫入非易失性存儲器,而且價格比EEPROM低。數據採集通常包括採集和存儲兩部分,系統所採集的數據((除臨時或中間結果數據外)需要在掉電後能夠保存,這些功能是數據採集系統或子系統所具有的基本功能。在大多數情況下,一些歷史記錄是很重要的。
典型應用:儀表 (電表、氣表、水表、流量表)、RF/ID、儀器,、和汽車黑匣子、安全氣袋、GPS定位系統、電力電網監控系統。 FRAM通過實時存儲數據幫助系統設計者解決了突然斷電數據丟失的問題。參數存儲用於跟蹤系統在過去時間內的改變,它的目的包括在上電狀態時恢復系統狀態或者確認一個系統錯誤。總的來說,數據採集是系統或子系統的功能,不論何種系統類型,設置參數存儲都是一種底層的系統功能。
典型應用: 影印機,列印機, 工業控制, 機頂盒 (Set-Top-Box), 網路設備(網路數據機)和大型家用電器。 鐵電存貯器(FRAM)可以在數據傳遞儲存在其它存儲器之前快速存儲數據。在此情況下,信息從一個子系統非實時地傳送到另一個子系統去.。由於資料的重要性, 緩沖區內的數據在掉電時不能丟失.,在某些情況下,目標系統是一個較大容量的存儲裝置。FRAM以其擦寫速度快、擦寫次數多使數據在傳送之前得到存儲。
典型應用:工業系統、銀行自動提款機 (ATM), 稅控機, 商業結算系統 (POS), 傳真機,未來將應用於硬碟非易失性高速緩沖存儲器。

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