內部存儲工作資料

『壹』 計算機內存儲器一般用什麼作為存儲介質

計算機內存中儲存器一般用ROM作為儲存介質，通電時可以存儲信息，斷電時信息消失。

RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入（存入）或讀出（取出）信息。它與ROM的最大區別是數據的易失性，即一旦斷電所存儲的數據將隨之丟失。RAM在計算機和數字系統中用來暫時存儲程序、數據和中間結果。

(1)內部存儲工作資料擴展閱讀：

ROM有多種類型，且每種只讀存儲器都有各自的特性和適用范圍。從其製造工藝和功能上分，ROM有五種類型，即掩膜編程的只讀存儲器MROM（Mask-programmedROM）、可編程的只讀存儲器PROM（Programmable ROM）、可擦除可編程的只讀存儲器EPROM（Erasable Programmable ROM）、可電擦除可編程的只讀存儲器 EEPROM（Elecrically Erasable Programmable ROM）和快擦除讀寫存儲器（Flash Memory）。

『貳』 DRAM內部是怎樣實現地址存儲的

晶元有10條地址線和8條數據線。

由於DRAM晶元的存儲容量為512K×8位，其數據存儲的最小單位為8位，即1位元組。因此，數據線總共需要8位，即8條數據線，通常為D（0）～D（7）。

同時，可以知道內存的512K位，從2＾19＝524，288＝512K，所以我們可以用19個地址的順序來表示DRAM的地址。

然而，DRAM的內部存儲單元大多採用行和行結構，即在時分復用中，地址線傳輸行和行信號，因此地址線的數量應該減少到10個地址線。地址值是冗餘的。

DRAN的內部存儲單元結構如下圖所示：

(2)內部存儲工作資料擴展閱讀：

DRAM（動態隨機存取存儲器），即動態隨機存取存儲器。數據只能保存很短的時間。為了保存數據，DRAM使用電容存儲，因此必須定期刷新數據，如果存儲單元沒有刷新，那麼存儲的信息就會丟失。（關機時會丟失數據）

DRAM的存儲結構採用二維矩陣結構，將DRAM的地址數據讀入兩部分：行地址數據和列地址數據。

DRAM的結構和列地址行分時工作大大提高了DRAM地址行的利用率和DRAM的集成度，大大減少了DRAM引腳的數量。

『叄』 各種存儲器的工作原理是什麼

1．按用途分類 ⑴內部存儲器 內部存儲器又叫內存，是主存儲器。用來存儲當前正在使用的或經常使用的程序和數據。CPU可以對他直接訪問，存取速度較快。 ⑵外部存儲器 外部存儲器又叫外存，是輔助寄存器。外存的特點是容量大，所存的信息既可以修改也可以保存。存取速度較慢，要用專用的設備來管理。 計算機工作時，一般由內存ROM中的引導程序啟動程序，再從外存中讀取系統程序和應用程序，送到內存的RAM中，程序運行的中間結果放在RAM中,（內存不夠是也可以放在外存中）程序的最終結果存入外部存儲器。
2.按存儲器的性質分類 ⑴RAM隨機存取存儲器（Random Access Memory） CPU根據RAM的地址將數據隨機的寫入或讀出。電源切斷後，所存數據全部丟失。按照集成電路內部結構不同，RAM又分為兩類： ①SRAM靜態RAM（Static RAM） 靜態RAM速度非常快，只要電源存在內容就不會消失。但他的基本存儲電路是由6個MOS管組成1位。集成度較低，功耗也較大。一般高速緩沖存儲器（Cache memory）用它組成。 ②DRAM動態RAM（Dynamic RAM） DRAM內容在 或 秒之後自動消失，因此必須周期性的在內容消失之前進行刷新（Refresh）。由於他的基本存儲電路由一個晶體管及一個電容組成，因此他的集成成本較低，另外耗電也少，但是需要刷新電路。⑵ROM只讀存儲器（Read Only Memory） ROM存儲器將程序及數據固化在晶元中，數據只能讀出不能寫入。電源關掉，數據也不會丟失。ROM按集成電路的內部結構可以分為：①PROM可編程ROM（Programable ROM ）將設計的程序固化進去，ROM內容不可更改。②EPROM可擦除、可編程（Erasable PROM）可編程固化程序，且在程序固化後可通過紫外線光照擦除，以便重新固化新數據。③EEPROM電可擦除可編程（Electrically Erasable PROM） 可編程固化程序，並可利用電壓來擦除晶元內容，以便重新固化新數據。 3、按存儲介質分
(1)半導體存儲器。 存儲元件由半導體器件組成的叫半導體存儲器。其優點是體積小、功耗低、存取時間短。其缺點是當電源消失時，所存信息也隨即丟失，是一種易失性存儲器。
半導體存儲器又可按其材料的不同， 分為雙極型（TTL）半導體存儲器和MOS半導體存儲器兩種。 前者具有高速的特點，而後者具有高集成度的特點，並且製造簡單、成本低廉， 功耗小、故MOS半導體存儲器被廣泛應用。 (2)磁表面存儲器。 磁表面存儲器是在金屬或塑料基體的表面上塗一層磁性材料作為記錄介質，工作時磁層隨載磁體高速運轉，用磁頭在磁層上進行讀寫操作，故稱為磁表面存儲器。
按載磁體形狀的不同，可分為磁碟、磁帶和磁鼓。現代計算機已很少採用磁鼓。由於用具有矩形磁滯回線特性的材料作磁表面物質，它們按其剩磁狀態的不同而區分「0」或「1」，而且剩磁狀態不會輕易丟失，故這類存儲器具有非易失性的特點。
(3)光碟存儲器。 光碟存儲器是應用激光在記錄介質(磁光材料)上進行讀寫的存儲器，具有非易失性的特點。光碟記錄密度高、耐用性好、可靠性高和可互換性強等。 4、按存取方式分類
按存取方式可把存儲器分為隨機存儲器、只讀存儲器、順序存儲器和直接存取存儲器四類。
(1)隨機存儲器RAM RAM是一種可讀寫存儲器， 其特點是存儲器的任何一個存儲單元的內容都可以隨機存取，而且存取時間與存儲單元的物理位置無關。計算機系統中的主存都採用這種隨機存儲器。由於存儲信息原理的不同， RAM又分為靜態RAM (以觸發器原理寄存信息)和動態RAM(以電容充放電原理寄存信息)。
(2)只讀存儲器 只讀存儲器是能對其存儲的內容讀出，而不能對其重新寫入的存儲器。這種存儲器一旦存入了原始信息後，在程序執行過程中，只能將內部信息讀出，而不能隨意重新寫入新的信息去改變原始信息。因此，通常用它存放固定不變的程序、常數以及漢字字型檔，甚至用於操作系統的固化。它與隨機存儲器可共同作為主存的一部分，統一構成主存的地址域。
只讀存儲器分為掩膜型只讀存儲器MROM（Masked ROM）、可編程只讀存儲器PROM(Programmable ROM)、可擦除可編程只讀存儲器EPROM(Erasable Programmable ROM)、用電可擦除可編程的只讀存儲器EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)。以及近年來出現了的快擦型存儲器Flash Memory，它具有EEPROM的特點，而速度比EEPROM快得多。
(3)串列訪問存儲器 如果對存儲單元進行讀寫操作時，需按其物理位置的先後順序尋找地址，則這種存儲器叫做串列訪問存儲器。顯然這種存儲器由於信息所在位置不同，使得讀寫時間均不相同。如磁帶存儲器，不論信息處在哪個位置，讀寫時必須從其介質的始端開始按順序尋找，故這類串列訪問的存儲器又叫順序存取存儲器。還有一種屬於部分串列訪問的存儲器，如磁碟。在對磁碟讀寫時，首先直接指出該存儲器中的某個小區域(磁軌)，然後再順序尋訪，直至找到位置。故其前段是直接訪問，後段是串列訪問，也稱其為半順序存取存儲器。

『肆』 手機內存卡：外部存儲和內部存儲有什麼區別

一、主體不同

1、外部存儲：指的是手機的內存及CPU緩存以外的儲存器。

2、內部存儲：指的是手機的運行內存。

二、特點不同

1、外部存儲：斷電後數據會繼續保持在外部存儲器中。

2、內部存儲：斷電後數據機會消失。

三、影響不同

1、外部存儲：不會影響手機速度，會影響存儲數據的多少。

2、內部存儲：程序都是在RAM內存中進行讀寫的，更大的 RAM 內存可以給手機帶來更充足的緩沖空間，手機速度越快。