高速存儲卡gbs是什麼意思

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⑵ PC中的問題

內存方面的東西，自己看吧

AGP(Accelerated Graphics Port) －圖形加速介面
Intel開發的用於提高圖形處理速度的介面。它可以讓圖形的數據流直接在顯卡主控晶元和內存之間通信，不必經過顯存。

Access Time－存取時間
RAM 完成一次數據存取所用的平均時間（以納秒為單位）。存取時間等於地址設置時間加延遲時間（初始化數據請求的時間和訪問准備時間）。

Address-地址
就是內存每個位元組的編號。目的是按照該編號准確地到該編號的內存去存取數據。

ANSI (American National Standards Institute)
美國國家標准協會 - 一個專門開發非官方標準的非贏利機構，其目的在於提高美國工業企業的生產率和國際競爭力。

ASCII （American Standard Code for Information Interchange）
美國信息互換標准代碼--將文本編碼為二進制數的一種方法。 ASCII 編碼體系採用了8位二進制數的256種組合，來映射鍵盤的所有按鍵。用於數據處理系統，數據通訊系統及相應設備中進行信息交換。ASCII字元集由控制字元和圖形字元組成。

Async SRAM-非同步靜態內存
一種較為陳舊的SRAM，通常用來做電腦上的Level 2 Cache。

BSB (Backside Bus)
後端匯流排- CPU 和 L2 cache 之間的數據通道。

Bandwidth－帶寬
1、 傳輸數據信息的能力。信息交換的形式多種多樣，可以通過但根電線，也可以通過匯流排或信道的並行線。一言以蔽之，就是單位時間內數據的移動量，通常用位/ 秒、位元組/秒或赫茲（周/秒）表示。
2、 內存的數據帶寬：一般指內存一次能處理的數據寬度，也就是一次能處理若干位的數據。30線內存條的數據帶寬是8位，72線為32位，168線可達到64位。

Bank （參照memory bank）－內存庫
在內存行業里，Bank至少有三種意思，所以一定要注意。
1、 在SDRAM內存模組上，"bank 數"表示該內存的物理存儲體的數量。（等同於"行"/Row）
2、 Bank還表示一個SDRAM設備內部的邏輯存儲庫的數量。（現在通常是4個bank）。
3、 它還表示DIMM 或 SIMM連接插槽或插槽組，例如bank 1 或 bank A。這里的BANK是內存插槽的計算單位（也叫內存庫），它是電腦系統與內存之間數據匯流排的基本工作單位。只有插滿一個BANK，電腦才可以正常開機。舉個例子，奔騰系列的主板上，1個168線槽為一個BANK，而2個72線槽才能構成一個BANK，所以72線內存必須成對上。原因是，168線內存的數據寬度是64位，而72線內存是32位的。主板上的BANK編號從BANK0開始，必須插滿BANK0才能開機，BANK1以後的插槽留給日後升級擴充內存用，稱做內存擴充槽。

Bank Schema －存儲體規劃
一種圖解內存配置的方法。存儲體規劃由若干用來表示電腦主板上的內存插槽的行或列組成。行表示獨立的插槽；列代表bank數。

Base Rambus －初級的Rambus內存
第一代的Rambus內存技術，1995年面市。

Baud －波特
1、 表示通訊速率的一種單位，等於每秒傳輸一個碼元。
2、 在非同步傳輸中，表示調制速率的一種單位，相當於每秒一個單位間隔。

BGA (Ball Grid Array)－球狀引腳柵格陣列封裝技術
這是最近幾年開始流行的高密度表面裝配封裝技術。在封裝的底部，引腳都成球狀並排列成一個類似於格子的圖案，由此命名為BGA。目前的主板控制晶元組多採用此類封裝技術，材料多為陶瓷。

Binary －二進制
把數字或信息表示為若干bit的一種編碼規則。二進制（也叫base 2）中，所有數字都是由1和0這兩個數字的組合來表示。

BIOS (Basic Input-Output System) －基本輸入/輸出系統
啟動時自動載入的例行程序，用來為計算機的各種操作做准備。

Bit－位、比特
計算機所能處理信息的最小單位。因為是二進制，所以一個bit的值不是1就是0。

BLP－底部引出塑封技術
新一代內存晶元封裝技術，其晶元面積與封裝面積之比大於1：1.1，符合CSP封裝規范。此類內存晶元不但高度和面積小，而且電氣特性也得到了提高。

Buffer－緩沖區
一個用於存儲速度不同步的設備或優先順序不同的設備之間傳輸數據的區域。通過緩沖區，可以使進程之間的相互等待變少，從而使從速度慢的設備讀入數據時，速度快的設備的操作進程不發生間斷。

Buffered Memory－帶緩沖的內存
帶有緩存的內存條。緩存能夠二次推動信號穿過內存晶元，而且使內存條上能夠放置更多的內存晶元。帶緩存的內存條和不帶緩存的內存條不能混用。電腦的內存控制器結構，決定了該電腦上帶緩存的內存還是上不帶緩存的內存。

BEDO (Burst EDO RAM) －突發模式EDO隨機存儲器
BEDO內存能在一個脈沖下處理四個內存地址。形象地說，它一次可以傳輸一批數據。匯流排的速度范圍從50MHz 到 66MHz (與此相比，EDO內存速度是33MHz，FPM內存的速度是25MHz)。

Burst Mode－突發模式
當處理器向一個獨立的地址發出數據請求時，引發的數據區塊（連續的一系列地址）高速傳輸現象

Bus－匯流排
計算機的數據通道，由各種各樣的並行電線組成。CPU、內存、各種輸入輸出設備都是通過匯流排連接的。

Bus Cycle－匯流排周期
主存和CPU之間的一次數據交流。

Byte－位元組
信息量的單位，每八位構成一個位元組。位元組是一個用於衡量電腦處理信息量的常用的基本單位；幾乎電腦性能和技術規格的各個方面都用位元組數或其若干倍數來衡量（例如KB，MB）。

Cacheability－高速緩存能力
主板晶元組的高速緩存能力，是指主存能夠被L2 Cache所高速緩存的最大值。比方說，TX晶元組的主板由於L2 Cache對主存的映射（Mapping）的上限是64MB，所以當CPU讀取64MB之後的內存時無法使用高速緩存，系統性能就無法提高了。

Cache Memory－高速緩存存儲器
也叫cache RAM，在CPU旁邊或附帶在CPU上的一小塊高速內存(一般少於 1M聯系著CPU和系統內存。Cache memory 為處理器提供最常用的數據和指令。Level 1 cache也叫主高速緩存 (primary cache)， 是離CPU最近的高速緩存，容量只有8KB~6KB，但速度相當快。Level 2 cache 也叫次高速緩存(secondary cache)，是離CPU第二近的高速緩存，通常焊接在主板上，容量一般為64KB~1MB，速度稍慢。

CAS (Column Address Strobe)－列地址選通脈沖
在內存的定址中，鎖定數據地址需要提供行地址和列地址，行地址的選通由RAS控制，列地址的選通由CAS決定。

CL（CAS Latency ）－列地址選通脈沖時間延遲
CL反應時間是衡定內存的另一個標志。CL是CAS Latency的縮寫，指的是內存存取數據所需的延遲時間，簡單的說，就是內存接到CPU的指令後的反應速度。一般的參數值是2和3兩種。數字越小，代表反應所需的時間越短。在早期的PC133內存標准中，這個數值規定為3，而在Intel重新制訂的新規范中，強制要求CL的反應時間必須為2，這樣在一定程度上，對於內存廠商的晶元及PCB的組裝工藝要求相對較高，同時也保證了更優秀的品質。因此在選購品牌內存時，這是一個不可不察的因素。

CDRAM （Cache DRAM）－快取動態隨機存儲器
同EDRAM（Enhanced DRAM）

Checksum－檢驗和，校驗和
在數據處理和數據通信領域中，用於校驗目的的一組數據項的和。這些數據項可以是數字或在計算檢驗和過程中看作數字的其它字元串。
參考Parity（校驗）

Chipset－晶元組
把主存、AGP插槽、PCI插槽、ISA插槽連接到CPU的外部控制邏輯電路，通常是兩個或兩個以上的微晶元，故稱做晶元組。晶元組通常由幾個控制器構成，這些控制器能夠控制信息流在處理器和其他構件之間的流動方式。

Chip-Scale Package (CSP)－晶元級封裝
薄晶元封裝，其電路連接通常是採用BGA（球狀引腳格狀陣列）。這種封裝形式一般用於RDRAM（匯流排式動態內存）和 flash memory（快閃記憶體）。

Compact Flash－緊湊式快閃記憶體
一種結構輕小的存儲器，用於可拆卸的存儲卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作電壓低，掉電後數據不丟失。應用范圍包括：數碼相機、行動電話、列印機、掌上電腦、尋呼機，以及錄音設備。

Concurrent Rambus－並發式匯流排式內存
Rambus內存的第二代技術產品。Concurrent Rambus內存一般用於圖形工作站、數碼電視、視頻游戲機。

Continuity RIMM (C-RIMM)－連續性匯流排式內存模組
一種不帶內存晶元的直接匯流排式內存模組（Direct Rambus）。C-RIMM 為信號提供了一個連續的通道。在直接匯流排式內存系統中，開放的連接器必須安裝C-RIMM。

CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semicomctor）－互補金屬氧化物半導體
用於晶體管的一種半導體技術，結合了N型與P型晶體管的優勢，現在主要用於電腦晶元，如存儲器、 處理器等。

CPU (Central Processing Unit)－中央處理單元
計算機晶元的一種，其主要職能是解釋命令和運行程序。CPU也叫處理器（processor）或微處理器（microprocessor）。

Credit Card Memory －信用卡內存
主要用於膝上型電腦和筆記本電腦的一種內存。其外型尺寸猶如一個信用卡，因此而得名。

CSRAM
同Pentium II Xeron匹配的一種高速緩存，容量為512KB。

DDR(Double Data Rate SDRAM)－ 雙數據輸出同步動態存儲器。
DDR SDRAM 從理論上來講，可以把RAM的速度提升一倍，它在時鍾的上升沿和下降沿都可以讀出數據。

Desktop－台式機，桌上型電腦

Die－模子，晶元顆粒

DIME （Direct Memory Execution）
直接內存執行功能

DIMM（Dual-In line Memory Mole）－雙邊接觸內存模組
形象的說：內存條正反兩面金手指是不導通的，如常見的有100線、168線、200線內存（long Dimm）和72線、144線（SO-Dimm）。DIMM一般有64位帶寬，並且正反面相同位置的引腳不同；而SIMM一般只有32位帶寬，需要兩條兩條同時使用，一般通過72線金手指與主板相連。

Direct Rambus－直接匯流排式隨機存儲器
Rambus 技術的第三代產品，它為高性能的PC機提供了一種全新的DRAM 結構。現在的SDRAM在64-bit的寬頻匯流排上速度只有100MHz；與此相對照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其數據傳輸速度可高達800MHz 。

DIP (Dual In-line Package)－雙列直插式封裝，雙入線封裝
DRAM 的一種元件封裝形式。DIP封裝的晶元可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷電路板的小孔上。在內存顆粒直接插在主板上的時代，DIP 封裝形式曾經十分流行。 DIP還有一種派生方式SDIP（Shrink DIP,緊縮雙入線封裝），它比DIP的針腳密度要高6六倍。

Direct RDRAM－直接匯流排式動態隨機存儲器
該設備的控制線和數據線分開，帶有16位介面、帶寬高達800 MHz，效率大於90% 。一條Direct RDRAM 使用兩個8-bit 通道、工作電壓2.5V ，數據傳輸率可達到1.6 GBps 。 它採用一個分離的8位匯流排（用於地址和控制信號），並拓寬了8到16位或9到18位數據通道，時鍾達到400 MHz ，從而在每個針（pin）800Mbps的情況下（共計1.6 GBS）使可用數據帶寬最大化。

DMA （Direct Memory Access）－直接內存存取
通常情況下，硬碟光碟機等設備和內存之間的數據傳輸是由CPU來控制的。但在DMA模式下，CPU只須向DMA控制器下達指令，讓DMA控制器來處理數的傳送，數據傳送完畢再把信息反饋給CPU。這樣，CPU的負擔減輕了，數據傳輸的效率也有所提高。

DRAM (Dynamic Random-Access Memory)－動態隨機存儲器
最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM 必須隔一段時間刷新（refresh）一次。如果存儲單元沒有被刷新，數據就會丟失。

Dual Independent Bus (DI－雙重獨立匯流排
英特爾開發的一種匯流排結構，因為它通過兩個分開的匯流排（前端匯流排和後端匯流排）訪問處理器，所以DIB能提供更大的帶寬。奔騰II電腦就有DIB匯流排。

ECC（Error Correcting Code）－錯誤更正碼，糾錯碼
ECC是用來檢驗存儲在DRAM中的整體數據的一種電子方式。ECC在設計上比parity更精巧，它不僅能檢測出多位數據錯誤，同時還可以指定出錯的數位並改正。通常ECC每個位元組使用3個Bit來糾錯，而parity只使用一個Bit。
ECC另有一種解釋是Error Checking & Correction ,既錯誤檢查與更正。
帶ECC的內存比普通SDRAM內存多1、2個晶元，價格很昂貴，一般用在工作站或伺服器上。

EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)－擴展數據輸出動態存儲器
有的也叫Hyper Page Mode DRAM。 EDO的讀取方式取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，從而提高了工作效率（約比傳統的DRAM快15~30%）。
EDO內存一般為72線（SIMM），也有168線（DIMM），後者多用於蘋果公司的Macintosh電腦上。

EDRAM (Enhanced DRAM)－增強型動態隨機存儲器
動態隨機存儲器的一種，內部集成2 或 8 Kbit靜態隨機存儲器（SRAM，Static Random Access Memmory），用於緩存讀取過的信息。如果下次讀取的數據在SRAM內，則直接輸出以加快讀取速度，否則再到DRAM內尋找。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)
電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用（Plug & Play）介面卡中，用來存放硬體設置數據；防止軟體非法拷貝的"硬體鎖"上面也能找到它。

EISA (Extended ISA)－擴展工業標准結構
將附加卡（例如視頻卡、內置式MODEM等）連接到PC機主板的一種匯流排標准。EISA有一個32位的數據通道，使用能夠接受ISA卡的連接器。不過，EISA卡只能與EISA系統匹配。EISA匯流排的操作頻率比ISA高得多，並且能夠提供比ISA快得多的數據吞吐率。

EMI （Electron-Magnetic Interference）－電磁干擾
任何產生電磁場的電子設備都會或多或少地產生雜訊場，干擾其附近的電子設備，這種現象就叫做電磁干擾。

EMS（Expanded Memory Specification）－擴充內存規范
這是由AST、Intel、微軟公司共同開發的一種能讓DOS突破640KB定址范圍的規范，可以讓DOS對640KB甚至1M之間的地址進行頁面式的訪問。需要有專用的驅動管理程序支持，如EMM386.EXE

EOS (ECC on SIMM)
IBM公司的一種數據完整性檢測技術，它的一個明顯特徵就是在SIMM（單邊接觸內存模組）上帶有檢測數據完整性的ECC（自動檢錯碼）晶元。

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)－可擦可編程只讀存儲器
一種可以重復利用的可編程晶元。其內容始終不丟失，除非您用紫外線擦除它。一般給EPROM 編程或擦除內容時，需要用專用的設備。

ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增強型同步動態內存
Enhanced Memory Systems, Inc 公司開發的一種SDRAM，帶有一個小型的靜態存儲器。在嵌入式系統中， ESDRAM代替了昂貴的SRAM （靜態隨機存儲器），其速度與SRAM相當，但成本和耗電量卻比後者低得多。

Even Parity－偶校驗
一種來檢測數據完整性的方法。與奇校驗相反，8個數據位與校驗位加起來有偶數個1。具體參考Odd Parity奇校驗。

FCRAM (Fast-Cycle RAM)－快速周期隨機存儲器
東芝（Toshiba）和富士通（Fujitsu）公司正在開發的一種內存技術。開發FCRAM 的目的不是用來做PC機的主存，而是用在某些特殊的設備：例如一些高端伺服器、列印機，還有一些遠程通訊的交換系統。

Fast-Page Mode－快速翻頁模式
一種比較老的DRAM。與比它還早的頁面模式內存技術相比，它的優勢是在訪問同一行的數據時速度比較快。

Firmware－固件，韌件
簡單地說，就是含有程序的存儲器，負責管理所附裝置的底層數據和資源。

Flash Memory－閃爍存儲器，快閃記憶體
閃爍存儲器在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息，但是數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位。區塊大小一般由256K到20MB。FLASH這個詞最初由東芝因為該晶元的瞬間清除能力而提出。源於EPROM，快閃記憶體晶元價格不高，存儲容量大。快閃記憶體正在成為EPROM的替代品，因為它們很容易被升級。快閃記憶體被用於PCMCIA卡，PCMCIA快閃記憶體檔，其它形式硬碟，嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果快閃記憶體或其它相關的衍生技術能夠在一定的時間內清除一個位元組，那將導致永久性的（不易失）RAM的到來。

Form Factor－形態特徵
用來描述硬體的一些技術規格，例如尺寸、配置等。比方說，內存的形態特徵有：SIMM（單邊）, DIMM（雙邊）, RIMM（匯流排式）, 30線, 72線, and 168線。

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)－快速翻頁動態存儲器
一種改良型的DRAM，一般為30線或72線內存。
若CPU所需的地址在同一行內，在送出行地址後，就可以連續送出列地址，而不必再輸出行地址。一般來講，程序或數據在內存中排列的地址是連續的，那麼輸出行地址後連續輸出列地址，就可以得到所需數據。這和以前DRAM存取方式相比要先進一些（必須送出行地址、列地址才可讀寫數據）。

FSB (Frontside Bus)-前端匯流排
在CPU和內存之間的數據通道。

Gigabyte /GB－吉(咖)位元組
約為10億位元組，准確的數值為1,0243 (1,073,741,824) 位元組。

Gigabit /Gb－吉(咖)比特，吉位
約為10億位，准確的數值為1,0243 (1,073,741,824) bit。

Heat Spreader－散熱片
覆蓋在電子設備上的用於散熱的外殼，多為鋁製品。

Heat Sink－散熱片
CPU上常用的散熱部件，一般為鋅合金製造。

HY （Hyundai）－韓國現代電子公司

Hyper Page Mode DRAM
同EDO DRAM

IC (Integrated Circuit)－集成電路
半導體晶元上的電路（有時也被稱為晶元或微晶元）由成千上萬個微小電阻、電容、晶體管組成。半導體晶元通常封裝在塑料或者陶瓷的外殼中，導線引腳露在外面。
特殊的IC 根據其作用可以分為線性晶元和數字晶元。

主要的內存IC廠商代號：

代 號
廠商英文名
廠商中文名
代 號
廠商英文名
廠商中文名

KM
SamSung
三星
TC
Toshiba
東芝

LH
Sharp
夏普
MN
Panasonic
松下

HM
Hitachi
日立
HY
Hyundai
現代

M5M
Mitsubishi
三菱
GM
LG_Semicon
金星

MCM
Motorola
摩托羅拉
MSM
OKI
沖電子

MT
Micron
邁克龍
MB
Fujitsu
富士通

TMS
TI
德州儀器
AAA
NMB
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Interleaving －交叉存取技術
加快內存速度的一種技術。舉例來說，將存儲體的奇數地址和偶數地址部分分開，這樣當前位元組被刷新時，可以不影響下一個位元組的訪問。

IT (Information Technology)－信息技術
IT行業，指與計算機、網路和通信相關的技術。

JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council）
電子元件工業聯合會。JEDEC是由生產廠商們制定的國際性協議，主要為計算機內存制定。工業標準的內存通常指的是符合JEDEC標準的一組內存。

Kilobit －千位
約為一千位，准確數值是 210 (1,024) 位。

Kilobyte－千位元組
約為一千位元組，准確數值是 210 (1,024) 位元組。

KingHorse－香港駿一電子公司
香港駿一電子集團有限公司始創於一九九四年一月，公司草創初期主要從事電腦機箱、電源、顯示器、鍵盤、主機板等電腦配件在大陸的銷售業務。經過幾年的整合，香港駿一以Kinghorse為品牌，專業從事台式計算機、筆記本、伺服器、工作站以及計算機外圍設備特種內存產品的研發、生產、銷售，在香港及大陸均設有OEM廠家，並致力於中國信息產業的發展而努力。

Kingmax－勝創公司
成立於1989年的勝創科技有限公司是一家名列中國台灣省前200強的生產企業（Commonwealth Magazine，May 2000），同時也是內存模組的引領生產廠商。除台灣省內的機構之外，勝創科技在全球四大洲擁有9個辦事處，公司在美國、中國、澳大利亞和荷蘭擁有超過390名員工。

Kingston－金仕頓科技公司
金仕頓科技公司是一家設計和生產用於PC機、伺服器、工作站、筆記本、路由器、列印機、和其他一些電子設備內存、處理器的公司。該公司於1987年由杜紀川和孫大衛先生創立，現在已經發展成產品超過2000種、年銷售額超過16億美圓的公司。

Latch－鎖存（數據）
鎖存器：電子學中的一種電路,可維持所承擔的位置或狀態,直到由外部手段將其復位到它前一種狀態。SRAM就是用鎖存器製作的。

L1 (Level 1 Cache) －一級高速緩存
也叫 primary cache，L1 Cache是在處理器上或離處理器最近的一小塊高速存儲器。 L1 Cache 為處理器提供最常用的數據和指令。

L2(Level 2 Cache)－二級高速緩存
也叫 secondary cache，L2 Cache 是離處理器較近（通常在主板上）的一小塊高速存儲器。L2 Cache為處理器提供最常用的數據和指令。在主板上的Level 2 cache 可以刷新、升級。

LGS （Goldstar）－金星
主要內存生產廠家

Logic Board－主板
同 Motherboard。

Mask ROM
生產固件時，先製造一顆含有原始數據的ROM作為模板，然後大批生產內容完全相同的ROM。這種方法大批量生產的ROM就叫做Mask ROM

MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK動態內存
MDRAM是MoSys公司開發的一種VRAM（視頻內存），它把內存劃分為32KB的一個個BANK（存儲庫），這些BANK可以單獨訪問，每個儲存庫之間以高於外部的數據速度相互連接。其最大特色是具有"高性能、低價位"特性，最大傳輸率高達666MB/S，一般用於高速顯卡。

Megabit －兆位
約為一百萬位，准確數值是1,0242 (1,048,576)位。

Megabyte－兆位元組
約為一百萬位元組，准確數值是1,0242 (1,048,576)位元組。

Memory －存儲器，記憶體，內存
一般指電腦的RAM（random access memory）隨機存儲器，其主要用途是讀取程序和臨時保存數據；最為常見的內存晶元是DRAM。這一術語有時也用來指所有的用來存儲數據的電子設備。

Memory Bank－存儲體，〔記憶庫〕
由一些地址相鄰的存儲單元組成的一種存儲塊，其大小由所在的計算機決定。比方說，32位的CPU必須使用一次能提供32位信息的memory bank。一個bank可能由一個或多個內存模組構成。

Memory Bus－內存匯流排
從CPU到內存擴展槽的數據匯流排。

Memory Controller Hub (MCH)－內存控制中心
Intel 8xx（例如820或840）晶元組中用於控制AGP、CPU、內存（RDRAM）等組件工作的晶元。

Memory Translator Hub (MTH)－內存轉譯中心
一種內存介面，通過它可以使Intel 820晶元組的主板的Direct Rambus 信道支持SDRAM內存。

Micro BGA (μBGA)－縮微型球狀引腳柵格陣列封裝
Tessera, Inc. 公司開發的的一種BGA 晶元封裝技術，主要用於高頻工作的RDRAM。這種技術能把晶元尺寸做得更小，提高了散熱性，使內存條的數據密度增大了。

MIT （Mitsubishi）－日本三菱公司

Motherboard－主板
也叫logic board、main board或 computer board，是計算機系統的主體部分。電腦的CPU、內存、輸入輸出介面和擴展槽等大部分硬體都安裝在主板上面。

Ms (millisecond) －毫秒
千分之一秒。

Multi-Way Interleaved
多重交錯式內存存取結構，巫毒卡2代所採取的一種技術。

Nanosecond (ns)－納秒,〔末秒,毫微秒〕
十億分之一（10-9）秒。 內存的數據存取時間以納秒為單位。

Nibble －半位元組, 四位位元組

Non-Composite
蘋果電腦的內存術語，表示一種採用了新技術的內存條。該內存條上的晶元顆粒很少，但數據密度卻非常高。Non-composite 內存條比 composite 內存條工作更可靠，但價格也相對很高。

Odd Parity－奇校驗
校核數據完整性的一種方法，一個位元組的8個數據位與校驗位（parity bit ）加起來之和有奇數個1。校驗線路在收到數後，通過發生器在校驗位填上0或1，以保證和是奇數個1。因此，校驗位是0時，數據位中應該有奇數個1；而校驗位是1時，數據位應該有偶數個1。如果讀取數據時發現與此規則不符，CPU會下令重新傳輸數據。

Page mode－頁面模式
現在該技術已經被淘汰。在頁面模式下，每次訪問DRAM的同一行的每一列時，都會十分迅速。（參考FPM）

Parity：（Even / Odd）－奇偶校驗
也叫Parity Check，在每個位元組（Byte）上加一個數據位（Data Bit）對數據進行檢查的一種冗餘校驗法。它是根據二進制位元組中的"0"或"1"的數目是奇數還是偶數來進行校驗的。在二進制位元組中增加了一個附加位，用來表示該位元組中的"0"或"1"的數目是奇數還是偶數。經過傳輸或存儲後，再計算一次校驗和（Checksum），如果與附加位一致，證明傳輸或存儲中沒有錯誤。
奇偶校驗位主要用來檢查其它8位（1 Byte）上的錯誤，但是它不象ECC（Error Correcting Code錯誤更正碼），parity只能檢查出錯誤而不能更正錯誤。奇偶校驗的致命弱點是檢查出錯誤後無法斷定錯在哪一位，容易死機，所以現在很少用了。取而代之的是ECC。

PB-SRAM （Pipelined Burst SRAM）－管道突發式靜態內存
屬於Level 2 Cache，多用於486後期及Pentium以上的主板。

PC100
JEDEC 和Intel制定的一種SDRA