鐵電存儲器廠家

Ⅰ 鐵電存儲器和eeprom的區別是什麼

鐵基漏螞電存貯器（FRAM）快速擦寫和非易失性等特點，令系統工程師可以把現有設計中的SRAM和EEPROM器件整合到一個鐵電存貯器（FRAM）里，或者簡單地作為SRAM擴展。

在多數情況下，系統使用多種存儲器類型，FRAM提供了只使用一個器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，節省了功耗，成本，空間，同時增加了整個系統的可靠性。搜悄

最常見的例子就是在一個有外部串列EEPROM嵌入式系統中，搏埋FRAM能夠代替EEPROM,同時也為處理器提供了額外的SRAM功能。

典型應用：攜帶型設備中的一體化存儲器，使用低端控制器的任何系統。

Ⅱ FM25V01A-GTR是存儲器晶元嗎

你好，根據描述，FM25V01A-GTR是CYPRESS公司生產的低功耗類型的MRAM存儲器，存儲容量為128Kb，封裝形式TSOP II，該器件廣泛應用汽車電子、醫療電子以及智能家居等領域，國內比較大的品牌代理湖北亞冠電子有現貨，價格根據訂貨數量不同大致價格在20-40左右，希望對你有幫助。

Ⅲ 鐵電存儲器最大容量是多少

目前市場上最大的是1M的！

Ⅳ FRAM鐵電存儲器較EEPROM有什麼優勢

FRAM與工業標准EEPROM完全兼容；性能比EEPROM更加突出；讀寫次數超過1萬億次（5V）、無限次（3.3V），寫速度快，沒有寫等待，按位元組操作；操作更省電，寫入功耗僅為EEPROM的1/20

Ⅳ 鐵電存儲器的介紹

鐵電存儲技術早在1921年提出，直到1993年美國Ramtron國際公司成功開發出第一個4K位的鐵電存儲器FRAM產品，目前所有的FRAM產品均由Ramtron公司製造或授權。最近幾年，FRAM又有新的發展，採用了0.35 um工藝，推出了3V產品，開發出「單管單容」存儲單元的FRAM，最大密度可達256K位。

Ⅵ 富士通的鐵電存儲器可以完全兼容替代RAMTRON的型號嗎

基本可以兼容。
型號容量存儲格式電壓**工作電流**讀寫頻率封裝備注
MB85RC16 16k bits 2k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8與FM24CL16完全兼容
MB85RC64 64k bits 8k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8與FM24CL64完全兼容
MB85RC128 128k bits 16k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8****顆128Kb 鐵電存儲器
串列SPI介面
型號容量存儲格式電壓**工作電流**讀寫頻率封裝備注
MB85RS64 64k bits 8k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8與FM25CL64完全兼容
MB85RS128 128k bits 32k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8****顆128Kb 鐵電存儲器
MB85RS256 256k bits 32k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8與FM25L256以及FM25V02完全兼容
並行介面
型號容量存儲格式電壓**工作電流訪問時間封裝備注
MB85R256H 256k bits 32k x 8 2.7 V-3.6 V 10mA 70ns SOP/TSOP28可直接替換FM18L08或FM28V020
MB85R1001A 1M bits 128k x 8 3.0 V-3.6 V 15mA 120ns TSOP48/FBGA48可替換FM20L08和FM28V100
MB85R1002A 1M bits 64k x 16 3.0 V-3.6 V 15mA 120ns TSOP48/FBGA48
歐工：180富士通0256授權6372一級代理商

Ⅶ 問個弱智的問題，單片機的燒錄次數有隻能燒錄一次的說法嗎

單片機的燒錄次數有多少？

單片機能燒錄多少次是根據存儲器類型決定的！

不同存儲器類型燒錄擦寫次數、示例單片機：

• 掩膜存儲器，1次，億義隆單片機；（一般工廠輔助燒錄，普通開發者接觸不到）

• ROM，100-1000次，Atmel 的 51系列:AT89C51；

• FLASH ，10000次，Atmel 的 AVR系列:ATMEGA8，國產宏晶的STC單片機等；

• 鐵電存儲器，10W+，高檔CPU；

• 不同壽命的，決定存儲器價格；
  

掩膜存儲器單片機應用舉例：

• 合泰的觸摸按鍵晶元；

• 小廠的語音晶元；

• LED燈控制器；

• ……

掩膜存儲器單片機開發必須使用廠家定製的開發板，成本比較高。小批量產品開發性價比不高，若是產量達到10K+，可以考慮使用。