鎂塊存儲

① 鎂塊和鎂屑有什麼區別

其實是一個東西，都是鎂金屬，只是體積大小不一樣
鎂棒，又叫陽極棒、打火石，是戶外生存常用取火裝備，一種以鎂元素為主的金屬棒，通常有鎂條，鎂棒，鎂塊等。無論在什麼條件下都能夠生火。鎂棒也應用於電器防腐技術。
防腐技術
鎂棒是鎂陽極的俗稱，又稱陽極鎂塊，用於防止金屬內膽腐蝕和軟化水質。在採用太鋼式或錳鋼金屬內膽，利用在水中金屬的電化學防腐蝕犧牲陽極保護陰極原理，將鎂棒作陽極，金屬內膽做陰極。這樣陰極與陽極之間通過導電的水介質形成原電池。電池的陽極——鎂棒，受腐蝕而消耗，而陰極——金屬內導體則受到保護。

鎂棒
在熱水器中，鎂棒安裝在金屬內膽的中部。金屬內膽表面的搪瓷塗層完整情況下，搪瓷將金屬內膽屏蔽，鎂棒與金屬內膽之間絕緣電阻可達2MΩ以上，鎂（棒）陽極輸出電流幾乎為零。但當搪瓷內膽局部出現裂紋時，鎂陽極與金屬內膽之間通過水形成較小的電阻，鎂陽極開始輸出電流，流至暴露在外的金屬內膽處產生一種極化膜，修補破損的搪瓷，使金域內膽絕緣防止腐蝕。因鎂陽極在輸出電流時自身有消耗，故稱為犧牲陽極法。
取火方法
步驟一
將鎂棒的底邊頂住地面，用刀刃在棒上刮下一些許鎂屑，要注意的是，在刮鎂屑時，刀刃應與鎂棒呈垂直方向。然後將刮下的鎂屑集成一小堆放近易燃物旁(紙張樹葉小樹枝樹皮等等)

步驟二
將鎂棒的一邊頂住地面呈45度角左右，離剛才所刮下的鎂屑約2.5公分，用刀刃快速地刮擦才能有效的刮擦出火星，刀刃要與刮擦面呈垂直方向。如此便能引起火星，而將鎂屑燃燒，提供給你一個白色的火焰

使用技巧

剛開始不熟練時，會不太好用，如同使用火柴不同人有不同的摩擦方式，使用打火石也沒有絕對標準的打火方式，多次嘗試大家都能找到自己的使用技巧！
在此僅強調兩點：
選好火絨（想直接以火花引燃樹枝顯然不是明智之舉）；
打火時將打火石盡可能靠近火絨，減少火星在落於火絨前在空氣中停留的時間（直接抵在火絨上最好）。

② 英特爾傲騰技術是什麼有什麼用

傲騰技術是一種高速存儲技術，可以提高電腦的讀寫性能。

傲騰技術是由英特爾推出的一種高速存儲技術，由3D XPoint內存介質、英特爾內存和存儲控制器、英特爾互聯 IP 和英特爾軟體共同構成。其中，3D XPoint內存介質是傲騰技術的基石，由英特爾和鎂光科技共同推出的非易失性高速存儲技術，具有NAND類似的容量以及內存（DRAM）類似的性能。

傲騰的作用是充當了CPU與機械硬碟之間高速搬運工的角色，在它們之間建立一個緩沖地帶，臨時存放硬碟里最常用的數據，CPU一旦要用，就第一時間送出。

(2)鎂塊存儲擴展閱讀：

傲騰技術中3D XPoint原理。

從介質結構上看，3D XPoint採用的是立體交叉矩陣結構。介質存儲器由內存單元、選擇器以及讀寫匯流排構成，內存單元和選擇器位於交叉疊起的字線和位線之間。

這種構成方式相比NAND上復雜的電容、晶體管結構來說要簡單的多，使得單個內存單元占據的空間更小。3D XPoint還通過採用立體堆疊技術，在單位面積上垂直增加存儲層數，進一步提升存儲密度。得益於這樣的結構方式，3D XPoint的存儲密度是內存的10倍。

3D XPoint的數據訪問方式也是非常特殊的。傳統的NAND採用的是電容存儲原理，通過以浮置柵極是否帶電來表示1或0。

同時，NAND由block(塊)構成，block的基本單元是page(頁)，NAND的page進行一次編程才能存儲1bit數據，而且擦除操作要在block層級進行操作。這種方式導致了NAND速度相比內存要慢，也是其壽命較短的重要原因。

③ PH25Q80B是什麼晶元

Flash存儲晶元，一般被研發電子工程師用來存儲大數據，以保證程序的順利進行；常用的型號包括25Q80，25Q16，25Q32等等；其電路圖符號與PCB封裝如下圖所示：

Flash存儲晶元的品牌匯總：

1，國產品牌：上海復旦微，北京兆易創新，上海新茂，北京芯盈速騰，寧波時代全芯，珠海歐比特，深圳輝芒微，上海聚辰，上海芯澤，四川豆萁，上海普冉，上海芯火，珠海博雅，上海高通，深圳航順，深圳華之美，東芯半導體，深圳芯天下，合肥恆爍，上海華虹摯芯，深圳明月微，珠海創飛芯，蘇州諾存微，深圳友台，廣東華冠，福建晉華，武漢鑫鑫等等

2，港台品牌：台灣榆木，台灣旺宏，AMIC聯笙，台灣創瑞，Winbond華邦，ESMT晶豪，台灣群聯，台灣類比，Innodisk宜鼎，台灣茂矽等等；

3，日韓品牌：日本東芝，韓國JSC濟州，三星，SK Hynix海力士等等；

4，歐美品牌：ISSI芯成，Micron鎂光，Cypress賽普拉斯，ON安森美，Microchip微芯，仙童，TI德州儀器，SST冠捷等等；

其中市場主流的Flash存儲晶元品牌包含鎂光，海力士，華邦，芯天下，輝芒等等；采購與研發電子工程師可以根據實際的項目設計需要以及成本的控制選擇最優的性價比品牌，以滿足采購BOM費用以及方案的設計需求；

Flash存儲晶元一般關注的參數：

空間：如8M，16M；
電壓：如2.7V~3.6V；
類型：如Nor Flash；
壽命：如100K次擦寫；
封裝：如SOIC-8；
Flash存儲晶元的市場價格因品牌及其型號不同而有所區別：

台灣華邦 W25Q80DVSSIG SOIC-8 市場參考價 1.72RMB/PCS；
北京兆易創新 GD25Q80CSIG SOP-8 市場參考價 3.76RMB/PCS；
珠海博雅 BY25Q32BSSIG SOP-8 市場參考價 1.58RMB/PCS；

關於Flash存儲晶元，晶元哥簡單就分享到這了，關於具體在采購與研發國產中遇到的問題，可以在評論區留言，晶元哥會力所能及的幫助小夥伴們解決；另外希望晶元哥的分享能帶來一些工作上的益處，在電子元器件與晶元領域從事的人可以關注晶元哥，每天分享如何在采購上降低成本以及如何在研發上

④ 英特爾傲騰原理是什麼為什麼能提升PC性能

你好。文章有點長，請耐心查閱

英特爾傲騰技術（Optance）一經推出就被許多人譽為是「摩爾定律顛覆者」。在硬碟與內存性能差距極大的今天，傲騰技術的出現帶來的不僅是存儲性能以及PC性能的巨大提升，也是對當下大數據化進程的一次大促進。傲騰技術真的有這么神？它又是如何實現大提速的呢？接下來，我們IT網路就來給大家解密傲騰技術。

英特爾傲騰技術原理解析

傲騰技術是由英特爾推出的一種高速存儲技術，由3D XPoint內存介質、英特爾內存和存儲控制器、英特爾互聯 IP 和英特爾軟體共同構成。其中，3D XPoint內存介質是傲騰技術的基石。

3D XPoint是由英特爾和鎂光科技共同推出的非易失性高速存儲技術，具有NAND類似的容量以及內存（DRAM）類似的性能。

從介質結構上看，3D XPoint採用的是立體交叉矩陣結構。介質存儲器由內存單元、選擇器以及讀寫匯流排構成，內存單元和選擇器位於交叉疊起的字線和位線之間。這種構成方式相比NAND上復雜的電容、晶體管結構來說要簡單的多，使得單個內存單元占據的空間更小。3D XPoint還通過採用立體堆疊技術，在單位面積上垂直增加存儲層數，進一步提升存儲密度。得益於這樣的結構方式，3D XPoint的存儲密度是內存的10倍。

3D XPoint的數據訪問方式也是非常特殊的。傳統的NAND採用的是電容存儲原理，通過以浮置柵極是否帶電來表示1或0。同時，NAND由block(塊)構成，block的基本單元是page(頁)，NAND的page進行一次編程才能存儲1bit數據，而且擦除操作要在block層級進行操作。這種方式導致了NAND速度相比內存要慢，也是其壽命較短的重要原因。

而3D XPoint採用了全新的存儲原理，內存單元是一種特殊的電阻材料，它的特殊之處在於，在施加了不同的電壓後，材料形態會發生改變，從而改變電阻阻值，即便是電壓消失，其阻值仍然存在。也就是說，3D XPoint可以通過改變電壓大小實現0和1的區分。所以我們可以看到，3D XPoint中，基礎訪問單位是bit，數據以bit的形式存儲在內存單元中，一個內存單元可存儲1bit數據。在數據訪問效率上，3D XPoint比NAND更高。更值得一提的是，內存單元材料本身不會因為形態的重復改變而老化衰退，因此3D XPoint在壽命上也較NAND更有優勢。

得益於上面提到的立體交叉矩陣結構，3D XPoint在包括速度、壽命以及容量等方面的表現都相當不俗。具體來說，根據官方提供的數據，3D XPoint速度和壽命均為NAND快閃記憶體的1000倍；在延遲方面，3D XPoint是NAND快閃記憶體的千分之一，為內存（DRAM）的10倍；在存儲密度上，3D XPoint則是內存的10倍。而從價格方面上看，3D XPoint價格介於內存和NAND之間，僅為內存的一半。

我們知道，無論是機械硬碟還是固態硬碟，在速度上與內存相比有著非常大的差距，這也成為目前影響用戶體驗（尤其是企業用戶）的一大瓶頸。而3D XPoint以及英特爾傲騰技術的出現相當於在硬碟與內存之間創立了一個新的層級，極大地彌補這二者間的性能差距。在不考慮成本的前提下，3D XPoint是目前存儲器的一個優秀的代替品，速度更快、壽命更長，容量也較大，對企業數據存儲來說是一個非常不錯的選擇。而對消費級市場而言，3D XPoint則更適合作為內存與硬碟之間的加速劑，提升PC整體性能。

英特爾傲騰技術產品系列

從目前的產品線可以看到，英特爾從企業級以及消費級兩個市場雙線並行，推出滿足不同場景用戶的傲騰技術存儲解決方案。

而在消費級市場上，英特爾則推出了傲騰內存（Optance Memory），以提升硬碟速度，做到存儲高速度和高容量的結合。傲騰內存與普通的M.2 SSD一樣，採用M.2 SSD介面，連接在主板M.2插槽上使用，20納米製造工藝，支持PCIe3.0*2通道。在性能方面，16GB版本持續讀取最高為900MB/s，持續寫入最高為145MB/s；4K 隨機讀取為19萬 IOPS，4K隨機寫入是3.5萬 IOPS。32GB版本持續讀取速度為1200MB/s，持續寫入最高為280MB/s；4K 隨機讀取為30萬 IOPS，4K隨機寫入是7萬 IOPS。

英特爾傲騰技術的應用

企業應用方面，英特爾已經與阿里、華為、新華三等眾多知名廠商展開合作，旨在通過使用英特爾傲騰技術提升企業在高性能計算、通信、分析等方面的性能。

在今年 5月份的英特爾傲騰技術分享會上，阿里雲資料庫業務總經理曹偉在介紹POLARDB時提到，阿里雲在雲存儲節點上就使用了英特爾傲騰SSD，創新的3D XPoint介質比NAND提供了更低的I/O延遲和更高的I/O QoS穩定性，資料庫整體QoS方面，在95%延遲的指標上提升了76%的性能。

會上英特爾也表示，面向企業用戶的傲騰固態盤DC P4800X有效緩存和存儲並擴展了內存，IOPS突破瓶頸，性能平均提升5~8倍，耐用性提高2.8倍，服務質量達到之前的60倍，而延遲則降低40倍。

而面向一般用戶的傲騰內存在實際表現上也相當客觀。在搭配大容量機械硬碟使用時，傲騰內存能夠明顯提升裝載在機械硬碟內的系統、應用、文件等的啟動、運行和載入速度，效果與當前流行的SSD系統盤+HDD數據倉組合相當。

如若在與第八代酷睿處理器配合使用下，傲騰內存可以將游戲和媒體載入速度分別提升4.7倍和1.7倍，進一步釋放CPU利用率，實現更快的3D渲染、圖像分析、游戲載入等加速操作。

基於以上的出色表現以及價格方面綜合考慮，傲騰內存的確不失為一種更為經濟可行的存儲加速方案。傲騰內存和機械硬碟的組合，很好地解決了此前許多普通用戶對「高速度與大容量不可兼得」的矛盾。

總的來看，英特爾傲騰技術是對存儲產業的又一次創新。通過創新產品結構，創造出性能更強、容量更大、耐用性更高的3D XPoint介質，並整合英特爾獨有的軟體技術形成一套更為高效經濟的高速存儲解決方案，實現PC性能的大提升。無論是對企業級用戶還是終端消費者，傲騰技術都是他們在數據存儲上的強力支撐。

⑤ 存儲器晶元有哪些

問題一：存儲器晶元屬於哪種集成電路？ 存器晶元屬於數字集成電路。
RAM隨機存取存儲器 主要用於存儲計算機運行時的程序和數據，需要執行的程序或者需要處理的數據都必須先裝入RAM內，是指既可以從該設備讀取數據，也可以往裡面寫數據。RAM的特點是：計算機通電狀態下RAM中的數據可以反復使用，只有向其中寫入新數據時才被更新；斷電後RAM中的數據隨之消失。
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要佔用一部分面積。
ROM只讀存儲器，是指只能從該設備中讀取數據而不能往裡面寫數據的存儲器。Rom中的數據是由設計者和製造商事先編好固化在裡面的一些程序，使用者不能隨意更改。ROM主要用於檢查計算機系統的配置情況並提供最基本的輸入輸出（I/O）程序，如存儲BIOS參數的CMOS晶元。Rom的特點是計算機斷電後存儲器中的數據仍然存在。
PROM （Programmable Read-Only Memory）可編程只讀存儲器，也叫One-Time Programmable (OTP)ROM「一次可編程只讀存儲器」，是一種可以用程序操作的只讀內存。最主要特徵是只允許數據寫入一次，如果數據燒入錯誤只能報廢。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可編程ROM）晶元可重復擦除和寫入，解決了PROM晶元只能寫入一次的弊端。EPROM晶元有一個很明顯的特徵，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃窗口，透過該窗口，可以看到其內部的集成電路，紫外線透過該孔照射內部晶元就可以擦除其內的數據，完成晶元擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內資料的寫入要用專用的編程器，並且往晶元中寫內容時必須要加一定的編程電壓（VPP=12―24V，隨不同的晶元型號而定）。EPROM的型號是以27開頭的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM晶元。EPROM晶元在寫入資料後，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。 EPROM晶元在空白狀態時（用紫外光線擦除後），內部的每一個存儲單元的數據都為1（高電平）。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲器）是可用戶更改的只讀存儲器（ROM），其可通過高於普通 EEPROM電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM晶元，EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM中，當計算機在使用的時候是可頻繁地重編程的，EEPROM的壽命是一個很重要的設計考慮參數。EEPROM的一種特殊形式是快閃記憶體，其應用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重編程。 EEPROM,一般用於即插即用（Plug & Play）。 常用在介面卡中，用來存放硬體設置數據。
Flash Memory，也稱快閃記憶體（F......>>

問題二：晶元儲存器有哪些 半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。 磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。 按存儲方式分 隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。 順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。 按存儲器的讀寫功能分 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。 按信息的可保存性分 非永久記憶的存儲器：斷電後信息即消失的存儲器。 永久記憶性存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。 按存儲器用途分 根據存儲器在計算機系統中所起的作用，可分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器、控制存儲器等。 為了解決對存儲器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常採用多級存儲器體系結構，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。 初中的信息題，應該是按照存儲器的讀寫功能分類。 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。

問題三：單片機外部存儲器晶元一般有哪些 hm6116,hm6264,hm62512,分別為2k,8k,64k,的並行ram,非常好用且便宜。

問題四：存儲器晶元由哪些電路組成？其作用是什麼 用2k*4的RAM晶元組成32KB的外擴存儲器，共需晶元32片。晶元指內含集成電路的矽片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分。存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。

問題五：晶元和存儲器有什麼區別？ 晶元其實就是存儲器的一種，屬於只讀存儲器，只是晶元是事先寫入程序或代碼，用以實現某種指令。存儲器一般是指硬碟和U盤，光碟、磁帶等存儲數據的介質，可以存入也取出或刪除數據

問題六：內存晶元廠商有哪些？ 金士頓 威剛 海盜船 三星 金邦科技 芝奇 金泰克 創見 南亞易勝 現代 ThinkPad OCZ 黑金剛 記憶數碼三星，爾必達，力晶，鎂光，東芝，還有些其他的廠家

問題七：請問62512數據存儲器晶元有些什麼型號啊？ 62512就是數據存儲器晶元的型號，你可以到21ic上去搜索SN62512的資料。
62512是指64K的RAM。

問題八：集成電路存儲器是什麼？ 存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。

問題九：電腦pc中有哪些存儲器,內存儲器使用的半導體存儲晶元有哪些主要類型,各有什麼 電腦存儲設備分為內存儲器和外存儲器：
內存儲器分為RAM和ROM，其中RAM又叫隨機存儲器，隨電腦關閉裡面的內容回消失，也就是我們裝電腦時常說的「內存」
ROM又叫只讀存儲器，裡面存儲基本出廠數據，不可以改動，電腦關閉時內容不會消失。
外存儲器分為很多
例如硬碟、光碟、軟盤、U盤， 這些都屬於外部存儲設備，即外存儲器

問題十：存儲器的分類 一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)
RAM的特點是：電腦開機時，操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉，並且再也無法恢復。
根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：
01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）
這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。
03.VRAM（Video RAM，視頻內存）
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期， FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。
06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO......>>