只讀存儲器有

1. 計算機的主存儲器是指

計算機主存儲器是ROM（只讀內存）和RAM（隨機存取存儲器）。

主存儲器一般採用半導體存儲器，與輔助存儲器相比有容量小、讀寫速度快、價格高等特點。計算機中的主存儲器主要由存儲體、控衡薯制線路、地址寄存器、數據寄存器和地址解碼電路五部分組成。

從70年代起，主存儲器已逐步採用大規模集成電路構成。用得最普遍的也是最經濟的動態隨機存儲器晶元（DRAM）。

(1)只讀存儲器有擴展閱讀：

1995年集成度為64Mb（可存儲400萬個漢字）的DRAM晶元已經開始商業性生產，16MbDRAM晶元已成為市場主流產品。DRAM晶元的存取速度適中，一般為50~70ns。有一些改進型的DRAM，如EDO DRAM（即擴充數據輸出的DRAM），其性能可較普通DRAM提高10%以上。

又如SDRAM（即同步DRAM），其性能又可較EDO DRAM提高10%左右。1998年SDRAM的後繼產品為SDRAMⅡ（或稱DDR，即雙倍數據速率）的品種已上市。在追求速度和可靠性的場合，通常採用價格較貴的靜態隨機存儲器晶元（SRAM），其存取速度可以達到了1~15ns。

無論主存採用DRAM還是SRAM晶元構成，在斷電時存儲的信息都會「丟失」，因此計算機設計者應考慮發生這種情況時，設法維持若干毫秒的供電以保存主存中的重要信息，以便供電恢復時計算機能恢復正常運行。

鑒知枝於上述情況，在某些應用中主存中存儲重要而相對固定的程序和數據的部分採用「非易失性」存儲器晶元（如EPROM，快快閃記憶體儲晶元等）構成；對於完全固定的程序，數據搭攔敏區域甚至採用只讀存儲器（ROM）晶元構成；主存的這些部分就不怕暫時供電中斷，還可以防止病毒侵入。

2. 內部存儲器包括哪些

內部存儲器包括：RAM （隨機存儲器）和 ROM（只讀存儲器）。

內存(Memory)是計算機的重要部件，也稱內存儲器和主存儲器，它用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟孫攜等外部存儲器交換的數據。它是外存與CPU進行溝通的橋梁，計算機中所有程序的判凱芹運行都在內存中進行，內存性能的強弱影響計算機整體發揮的水平。

只要計算機開始運行，操作系統就會把需要運算的數據從內存調到CPU中進行運算，當運算完成，掘畢CPU將結果傳送出來。內存的運行決定計算機整體運行快慢。內存條由內存晶元、電路板、金手指等部分組成。

在計算機的組成結構中有一個很重要的部分是存儲器。它是用來存儲程序和數據的部件。對於計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多。按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內存儲器（簡稱內存，港台稱之為記憶體）。

內存又稱主存。它是CPU能直接定址的存儲空間，由半導體器件製成。特點是存取速率快。內存是電腦中的主要部件，它是相對於外存而言的。

以上內容參考：網路-內部存儲器

3. RAM中信息只讀不寫

信息如下：

首先這句話是錯誤的。RAM是可以讀可以寫的，ROM才是只讀的一般情況下不可以寫的。存儲器是數字系統中用以存儲大量信息的設備或部件，是計算機和數字設備中的重要組成部分。存儲器可分為隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩大類。

簡介：

存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內存)和輔助存儲器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。

主存的工作方式是按存儲單元的地址存放或讀取各類信息，統稱訪問存儲器。主存中匯集存儲單元的載體稱為存儲體，存儲體中每個單元能夠存放一串二進制碼表示的信息，該信息的總位數稱為一個存儲單元的字長。

4. 只讀存儲器的種類

ROM
只讀內存（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的內存。在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式只讀內存」（mask ROM）。此內存的製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動。
可編程只讀存儲器
可編程只讀存儲器（英文：Programmable ROM，簡稱：PROM）一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1，或皆為0。用戶使用時，再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數據。
PROM需要用電和光照的方法來編寫與存放的程序和信息。但僅僅只能編寫一次，第一次寫入的信息就被永久性地保存起來。 例如，雙極性PROM有兩種結構：一種是熔絲燒斷型，一種是PN結擊穿型。它們只能進行一次性改寫，一旦編程完畢，其內容便是永久性的。由於可靠性差，又是一次性編程，目前較少使用。
可編程可擦除只讀存儲器
可編程可擦除只讀存儲器（英文：Erasable Programmable Read Only Memory，簡稱：EPROM）可多次編程。這是一種便於用戶根據需要來寫入，並能把已寫入的內容擦去後再改寫，即是一種多次改寫的ROM。由於能夠改寫，因此能對寫入的信息進行校正，在修改錯誤後再重新寫入。
擦除遠存儲內容的方法可以採用以下方法：電的方法（稱電可改寫ROM）或用紫外線照射的方法（稱光可改寫ROM）。 光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光於紫外線下，則資料可被清空，並且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。
一次編程只讀內存
一次編程只讀內存（One Time Programmable Read Only Memory，OPTROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，編程寫入之後就不再抹除，因此不設置透明窗。
電子可擦除可編程只讀存儲器
電子可擦除可編程只讀存儲器（英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱：EPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
閃速存儲器
閃速存儲器（英文：Flash memory）是英特爾公司90年代中期發明的一種高密度、非易失性的讀/寫半導體存儲器它既有EEPROM的特點，又有RAM的特點，因而是一種全新的存儲結構。