只讀存儲器的性能特點
A. 簡述只讀存儲器和隨機存儲器的區別
1、作用不同
只讀存儲器的主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模塊的初始化、系統的基本輸入/輸出的驅動程序及引導操作系統。隨機存儲器是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫,而且速度很快。
2、二者的特點不同
ROM存儲器只能讀,它只允許在生產出來之後有一次寫的機會,數據一旦寫入則不可更改。它另外一個特點是存儲器掉電後裡面的數據不丟失。RAM可以隨時讀和寫,並且在斷電以後保存在上面的數據會自動消失。
(1)只讀存儲器的性能特點擴展閱讀
只讀存儲器(ROM)的類型
1、PROM(可編程只讀存儲器),可由用戶編程。一旦編程,其中的數據和指令將無法更改。
2、EPROM(可擦可編程只讀存儲器),可以重新編程。要從中擦除數據,請將其暴露在紫外線下。要對其重新編程,請擦除所有先前的數據。
3、EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器),可以通過施加電場來擦除數據,而無需使用紫外線。我們只能擦除晶元的一部分。
B. 計算機內存主要有哪兩種他們的主要特點是什麼
計算機內存主要有兩種:
1、隨機存取存儲器RAM(Random
Access
Memory),它即可讀也可寫。
2、只讀存儲器ROM(Read
Only
Memory),顧名思義,它只能被讀取而不能被寫入。
1.隨機存儲器(Random
Access
Memory)
RAM有以下特點:可以讀出,也可以寫入。讀出時並不損壞原來存儲的內容,只有寫入時才修改原來所存儲的內容。斷電後,存儲內容立即消失,即具有易失性。
RAM可分為動態(
Dynamic
RAM)和靜態(Static
RAM)兩大類。DRAM的特點是集成度高,主要用於大容量內存儲器;SRAM的特點是存取速度快,主要用於高速緩沖存儲器。
2.只讀存儲器(Read
Only
Memory)
ROM是只讀存儲器。顧名思義,它的特點是只能讀出原有的內容,不能由用戶再寫入新內容。原來存儲的內容是採用掩膜技術由廠家一次性寫入的,並永久保存下來。它一般
用來存放專用的固定的程序和數據。不會因斷電而丟失。
C. 半導體存儲器有幾類,分別有什麼特點
1、隨機存儲器
對於任意一個地址,以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器(寫入速度和讀出速度可以不同)。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式,即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式(如8k×8位)。
特點:這種存儲器的特點是單元器件數量少,集成度高,應用最為廣泛(見金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器)。
2、只讀存儲器
用來存儲長期固定的數據或信息,如各種函數表、字元和固定程序等。其單元只有一個二極體或三極體。一般規定,當器件接通時為「1」,斷開時為「0」,反之亦可。若在設計只讀存儲器掩模版時,就將數據編寫在掩模版圖形中,光刻時便轉移到硅晶元上。
特點:其優點是適合於大量生產。但是,整機在調試階段,往往需要修改只讀存儲器的內容,比較費時、費事,很不靈活(見半導體只讀存儲器)。
3、串列存儲器
它的單元排列成一維結構,猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長,因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列,數據按每列順序讀取,如移位寄存器和電荷耦合存儲器等。
特點:砷化鎵半導體存儲器如1024位靜態隨機存儲器的讀取時間已達2毫秒,預計在超高速領域將有所發展。
(3)只讀存儲器的性能特點擴展閱讀:
半導體存儲器優點
1、存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路製作在同一個硅晶元上,輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的介面大為簡化。
2、數據的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數量級,可大大提高計算機運算速度。
3、利用大容量半導體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。
D. 只能讀出不能寫入的存儲器是
計算機內存中只能讀出,不能寫入的存儲器稱為只讀存儲器。
只讀存儲器,英語是Read-Only Memory,簡稱ROM)。ROM所存數據,一般是裝入整機前事先寫好的,整機工作過程中只能讀出,而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。
ROM所存數據穩定 ,斷電後所存數據也不會改變;其結構較簡單,讀出較方便,因而常用於存儲各種固定程序和數據。
特點:只讀存儲器的特點是只能讀出不能隨意寫入信息,在主板上的ROM裡面固化了一個基本輸入/輸出系統,稱為BIOS(基本輸入輸出系統)。其主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模塊的初始化、系統的基本輸入/輸出的驅動程序及引導操作系統。
(4)只讀存儲器的性能特點擴展閱讀:
計算機的存儲器可分為ROM、可編程只讀存儲器、可編程可擦除只讀存儲器、一次編程只讀內存、電子可擦除可編程只讀存儲器、閃速存儲器。
1、ROM
只讀內存(Read-Only Memory)是一種只能讀取資料的內存。在製造過程中,將資料以一特製光罩(mask)燒錄於線路中,其資料內容在寫入後就不能更改,所以有時又稱為「光罩式只讀內存」(mask ROM)。
2、可編程只讀存儲器
可編程只讀存儲器(英文:Programmable ROM,簡稱:PROM)一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1,或皆為0。
3、可編程可擦除只讀存儲器
可編程可擦除只讀存儲器(英文:Erasable Programmable Read Only Memory,簡稱:EPROM)可多次編程。這是一種便於用戶根據需要來寫入,並能把已寫入的內容擦去後再改寫,即是一種多次改寫的ROM。
4、一次編程只讀內存
一次編程只讀內存(One Time Programmable Read Only Memory,OTPROM)的寫入原理同EPROM。
5、電子可擦除可編程只讀存儲器
電子可擦除可編程只讀存儲器(英文:Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,簡稱:EEPROM)的運作原理類似EPROM,但是抹除的方式是使用高電場來完成。
6、閃速存儲器
閃速存儲器(英文:Flash memory)是英特爾公司90年代中期發明的一種高密度、非易失性的讀/寫半導體存儲器它既有EEPROM的特點,又有RAM的特點,是一種全新的存儲結構。