靜態存儲器擴展實驗

1. 靜態存儲器SRAM2114的容量為1K×4位/片，則其有（ ）根地址線和（ ）根數據線，用它組成32KB的存儲器共需

靜態存儲器SRAM2114的容量為1K×4位/片，則其有（10）根地址線和（虧尺跡4）根數據線，
用它組成32KB的銷並存儲器共需 64 片。
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2片，可以組成1K×8位，困鬧即1KB的存儲器。

2. 請問什麼是fsmc

FSMC(Flexible Static Memory Controller，可變靜態存儲控制器)是STM32系列採用的一種新型的存儲器擴展技術。在外部存儲器擴展方面具有獨特的優勢，可根據系統的應用需要，方便地進行不同類型大容量靜態存儲器的擴展。

STM32是ST(意法半導體)公司推出的基於ARM內核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3內核是為低功耗和價格敏感的應用而專門設計的，具有突出的能效比和處理速度。

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FSMC技術優勢：

①支持多種靜態存儲器類型。STM32通過FSMC可以與SRAM、ROM、PSRAM、NOR Flash和NANDFlash存儲器的引腳直接相連。

②支持豐富的存儲操作方法。FSMC不僅支持多種數據寬度的非同步讀/寫操作，而且支持對NOR/PSRAM/NAND存儲器的同步突發訪問方式。

③支持同時擴展多種存儲器。FSMC的映射地址空間中，不同的BANK是獨立的，可用於擴展不同類型的存儲器。當系統中擴展和使用多個外部存儲器時，FSMC會通過匯流排懸空延遲時間參數的設置，防止各存儲器對匯流排的訪問沖突。

④支持更為廣泛的存儲器型號。通過對FSMC的時間參數設置，擴大了系統中可用存儲器的速度范圍，為用戶提供了靈活的存儲晶元選擇空間。

⑤支持代碼從FSMC擴展的外部存儲器中直接運行，而不需要首先調入內部SRAM。

3. 靜態存儲器與動態存儲器的定義是什麼

靜態存儲器是指依靠雙穩態觸發器的兩個穩定狀態保存信息的存儲器。雙穩態電路是有源器件，需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩定的保存信息，所以稱為靜態存儲器。如果斷電，信息將會丟失，屬於揮發性存儲器，或稱易失性。

動態存儲器是指在指定功能或應用軟體之間共享的存儲器。如果一個或兩個應用軟體佔用了所有存儲器空間，此時將無法為其他應用軟體分配存儲器空間。需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存。

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動態存儲器的工作原理

動態RAM是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。在3管動態RAM電路中，讀選擇線和寫選派埋擇線是分開的，讀數據線和寫數據線也是分開的。

寫操作時，寫選擇線為"1"，Q1導通，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，並通過柵極電容在一定時間內保持信息。

讀操作時，先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時,Q3處於可導通的狀態。若原來存有"1"，則Q2導通，讀數據線的分布電容CD通過Q3、悶羨笑Q2放電。此時讀得的信息為"0"，正好和原存信息相反。

可見，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的螞含信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反向再送往數據匯流排。

4. 靜態隨機存儲器實驗中為什麼我proteus模擬時不能進行讀寫操作。用的是6116 245和273。電路圖接錯了么

你這是用開關，手動實現讀寫操作嗎?
這是實驗要求的嗎?你這所謂的實驗，就是畫模擬圖呀?不是用實物做呀?
模擬做實驗，那些發光二極體，每一個都必須串聯一個限流電阻，不要怕麻煩。因為不串電阻，就影響數據線，地址線只有低電平而沒有高電平。

5. 現有SRAM晶元若干 晶元容量為512乘以4 欲組成一2K×8的靜態存儲器 試問需要多殺晶元 進行什麼樣的擴展

每兩片並聯成512*8bit ， 然後再以此並聯4組， 即4*2片