有機電存儲材料
1. 硬碟和存儲卡有什麼區別
用途上沒有區別，都是用於存儲數據的。
區別是在作用上和介質上。
作用：存儲卡可以用於數碼相機，手機，MP4等。硬碟一般只用於USB、SATA等介面。
介質：用於存儲材料不同，另外，在外觀上也有明顯的不同
2. 鋼結構工程材料存儲一般規定有哪些
1、從事材料管理人員應經培訓和資格認可。2、鋼材入庫前必須入庫交驗手續。質檢人員要核對材料牌號、規格、「質量檢驗證明書」、爐批號等是否與相關技術文件、標准相符。表面質量是否合格、未經交驗的材料或交驗不合格材料不得入庫。合格的鋼材應按品種、牌號、規格分類堆放。3、鋼材要妥善堆放儲存，堆放或形、或方、或垛，最底層墊上道木或石塊。防止水銹蝕。4、焊接材料應按牌號或批號分別放在具有室溫或乾燥的儲藏室內，焊條或焊劑在使用前應按出廠說明書上的規定進行烘熔烘乾。焊絲應該清除鐵銹、油物、以及其他污物。嚴禁使用葯皮脫落焊芯生銹的焊條或受潮結塊、已熔燒的焊劑。5、凡已銹蝕、碰傷、混批和復驗不合格的高強螺栓必須停止使用。6、材料憑證的發放領料時應對材料的品種、規格、牌號是否單證一致，必要時質檢人員需在現場簽證認可。7、車間剩餘材料應加以回收管理，鋼材、焊條、螺栓連接品種、規格、材質回收入庫。
3. 信息材料的電子信息材料
是指在微電子、光電子技術和新型元器件基礎產品領域中所用的材料，主要包括單晶硅為代表的半導體微電子材料；激光晶體為代表的光電子材料；介質陶瓷和熱敏陶瓷為代表的電子陶瓷材料；釹鐵硼（NdFeB）永磁材料為代表的磁性材料；光纖通信材料；磁存儲和光碟存儲為主的數據存儲材料；壓電晶體與薄膜材料；貯氫材料和鋰離子嵌入材料為代表的綠色電池材料等。這些基礎材料及其產品支撐著通信、計算機、信息家電與網路技術等現代信息產業的發展。
電子信息材料的總體發展趨勢是向著大尺寸、高均勻性、高完整性、以及薄膜化、多功能化和集成化方向發展。當前的研究熱點和技術前沿包括柔性晶體管、光子晶體、SiC、GaN、ZnSe等寬頻半導體材料為代表的第三代半導體材料、有機顯示材料以及各種納米電子材料等。
4. 存儲器的類型
根據存儲材料的性能及使用方法的不同，存儲器有幾種不同的分類方法。1、按存儲介質分類：半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
下面我們就來了解一下存儲器的相關知識。
存儲器大體分為兩大類，一類是掉電後存儲信息就會丟失，另一類是掉電後存儲信息依然保留，前者專業術語稱之為「易失性存儲器」，後者稱之為「非易失性存儲器」。
1 RAM
易失性存儲器的代表就是RAM（隨機存儲器），RAM又分SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。
SRAM
SRAM保存數據是靠晶體管鎖存的，SRAM的工藝復雜，生產成本高，但SRAM速度較快，所以一般被用作Cashe，作為CPU和內存之間通信的橋梁，例如處理器中的一級緩存L1 Cashe, 二級緩存L2 Cashe，由於工藝特點，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以緩存一般也都比較小。
DRAM
DRAM（動態隨機存儲器）保存數據靠電容充電來維持，DRAM的應用比SRAM更普遍，電腦裡面用的內存條就是DRAM，隨著技術的發展DRAM又發展為SDRAM（同步動態隨機存儲器）DDR SDRAM（雙倍速率同步動態隨機存儲器），SDRAM只在時鍾的上升沿表示一個數據，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一個數據。
DDR又發展為DDR2,DDR3,DDR4，在此基礎上為了適應移動設備低功耗的要求，又發展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，對應DDR技術的發展分別又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。
目前手機中運行內存應用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置為3G或4G容量，如果達到6G或以上，就屬於高端產品。
2 ROM
ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只讀存儲器，這種存儲器只能讀取它裡面的數據無法向裡面寫數據。所以這種存儲器就是廠家造好了寫入數據，後面不能再次修改，常見的應用就是電腦里的BIOS。
後來，隨著技術的發展，ROM也可以寫數據，但是名字保留了下來。
ROM中比較常見的是EPROM和EEPROM。
EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射IC上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到紫外線照射。
EPROM (Easerable Programable ROM)
EPROM存儲器就可以多次擦除然後多次寫入了。但是要在特定環境紫外線下擦除，所以這種存儲器也不方便寫入。
EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，電可擦除ROM，現在使用的比較多，因為只要有電就可擦除數據，再重新寫入數據，在使用的時候可頻繁地反復編程。
FLASH
FLASH ROM也是一種可以反復寫入和讀取的存儲器，也叫快閃記憶體，FLASH是EEPROM的變種，與EEPROM不同的是，EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，而FLASH的大部分晶元需要塊擦除。和EEPROM相比，FLASH的存儲容量更大。
FLASH目前應用非常廣泛，U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都屬於FLASH，SSD固態硬碟也屬於FLASH。
NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分為Nor Flash和Nand Flash。
Intel於1988年首先開發出Nor Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面；隨後，1989年，東芝公司發表了Nand Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕松升級。
Nor Flash與Nand Flash不同，Nor Flash更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而Nand Flash更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一樣，而且Nand Flash與Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。
如果快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時Nor Flash更適合一些。而Nand Flash則是大量數據存儲的理想解決方案。
因此，Nor Flash型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，Nand Flash型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如U盤、存儲卡都是用Nand Flash型快閃記憶體。
在Nor Flash上運行代碼不需要任何的軟體支持，在Nand Flash上進行同樣操作時，通常需要驅動程序。
目前手機中的機身內存容量都比較大，主流配置已經有32G~128G存儲空間，用的通常就是Nand Flash，另外手機的外置擴展存儲卡也是Nand Flash。
5. 電子元器件的存儲條件及有效期的標准及標准來源是什麼
電子元器件必須儲存在清潔、通風、無腐蝕性氣體的倉庫內；除另有規定外，倉庫的溫 度和相對濕度必須滿足如下要求： a.溫度： -5~30℃； b.相對濕度：20%~75%； 倉庫儲存環境條件的優劣直接影響有限儲存期的長短。
對靜電敏感器件 （如 MOS 場效應晶體管、 砷化鎵場效應晶體管、 CMOS 電路等） ， 應存放在具有靜電屏蔽作用的容器內。
對磁場敏感但本身無磁屏蔽的電子元器件，應存放在具有磁屏蔽作用的容器內。
油封的機電原件應保持油封的完整。
具體如下表：