存儲密度分為

① 2.固態硬碟按快閃記憶體架構分,可分為哪幾類

主要分為slc,mlc,tlc
在固態硬碟中，NAND快閃記憶體因其具有非易失性存儲的特性，即斷電後仍能保存數據，被大范圍運用。
根據NAND快閃記憶體中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）以及TLC(三層存儲單元)，此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區別。
SLC（單層式存儲），單層電子結構，寫入數據時電壓變化區間小，壽命長，擦寫次數在10萬次以上，造價高，多用於企業級高端產品。
MLC（多層式存儲），使用高低電壓的而不同構建的雙層電子結構，壽命長，造價可接受，多用民用中高端產品，擦寫次數在5000左右。
TLC（三層式存儲），是MLC快閃記憶體延伸，TLC達到3bit/cell。存儲密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造價成本最低， 使命壽命低，擦寫次數在1000~2000左右，多用民用低端產品

② 磁碟存儲器的技術指標有哪些

存儲器的主要技術指標有：
1、存儲器容量：存儲器容量是指存儲器存放信息的總量。以Byte為單位，讀作「位元組」。習慣上使用KB(1KB=1024B)、MB(1MB=1024KB)和GB(1GB=1024MB)。
2、存儲密度：外存儲器軟磁碟按存儲密度不同分為低密度盤(48TPI)和高密度盤(96TPI)。尺寸為5.25英寸的軟盤：低密度盤容量為360KB，高密度盤容量為1.2MB；尺寸為3.5英寸的軟盤：低密度盤容量為720KB，高密度盤容量為1.44MB。
3、存取周期：存取周期是指從存儲器中取出(或存入)一個字到再能取出(或存入)下一個字所需要的時間。以毫微秒(ns)為單位。

③ 存儲密度的計算

數據結構中對於存儲密度給出的定義是：
存儲密度 = （結點數據本身所佔的存儲量）/（結點結構所佔的存儲總量）
上面之所以等於2我理解就是每個結點都至少有一個存儲串值的空間，還有一個指向下一個結點的指針，如果指針佔用2個位元組的話，那麼只有當每個結點中數據本身所佔存儲量也是2個位元組的時候存儲密度是50%。每一個字元佔一個位元組，所以每個結點就存儲2個字元了。
這里要注意的是最後一個結點雖然只存儲了G一個字元，但是在申請結點的空間的時候2個字元的空間是已經申請到的。

④ 快閃記憶體類型是什麼意思是不是還有EMMC

根據快閃記憶體顆粒中單元存儲密度的差異，快閃記憶體又分為SLC、MLC及TLC三種類型，TLC其實只是一個形容詞，我們所說的TLC指的是TLC快閃記憶體，而其中的TLC指的是Triple Level Cell，直接翻譯過來叫做3階單元，比較通俗的意思就是「一個單元可以存儲3個信息」，相對應的MLC晶元為「一個單元可以存儲2個信息」，SLC晶元則為「一個單元可以存儲1個信息」。SLC、MLC、TLC三種快閃記憶體的MOSFET是完全一樣的，區別在於如何對單元進行編程。SLC要麼編程，要麼不編程，狀態只能是0、1。MLC每個單元存儲倆比特，狀態就有四種00、01、10、11，電壓狀態對應也有四種。TLC每個單元三個比特，狀態就有八種了(000、001、010、100、011、101、110、111)。對於普通用戶來講SLC、MLC及TLC的區別就是壽命不同，SLC的讀寫壽命大概在10000次左右，MLC的讀寫壽命大概在3000次左右，TLC的讀寫壽命大概在1000次左右。當然價格也有很大區別的。而eMMC是在封裝中集成了一個控制器+FLASH,中文翻譯嵌入式多媒體卡，而我們說的SLC、MLC及TLC是指快閃記憶體的製程技術，完全說的不是一回事兒。國內做eMMC的品牌也挺多的，比如說TOPDISK,可以網路了解一下。

⑤ 哪種存儲器的存儲密度最大

密度最大的恐怕都不是你說的，應該是磁帶了！呵呵，以前的資料備份都用這玩意，存儲量大，而且也不太佔位置！以後就難說了，聽說用全息光碟要問世了，那才可怕呢，至少是TB級別的！

⑥ 存儲密度，什麼是存儲密度

在數據結構中，存儲密度:結點數據本身所佔的存儲量和整個結點結構所佔的存儲量之比。
存儲密度 = (結點數據本身所佔的存儲量)/(結點結構所佔的存儲總量)
在數據結構中，數據元素是數據的基本單位，一般將數據元素定義為一個結點，在結點中包含的有數據部分和非數據部分，比如鏈表中的指針，存儲密度是衡量數據對存儲空間利用率的指標，即一個數據元素存儲單元中數據所佔空間與這個數據元素存儲空間的百分比。