存儲晶元的類型
❶ 晶元分為幾大類
按照功能分類，晶元可以分為4種，分別是：
以電腦的核心CPU（中央處理器）、GPU（圖像處理的晶元）為代表的計算晶元。
以內存晶元ROM（只讀存儲器）、DRAM（動態隨機存儲器）為代表的存儲晶元。
以相機核心CMOS（互補金屬氧化物半導體存儲器）為代表的感知晶元。
以AC/DC電源管理晶元為代表的能源晶元和以5G為代表的通信晶元等。
相關信息：
「晶元」的「芯」指的是它的重要性。在現代社會中，很多晶元扮演著「大腦」的作用，作為設備的核心，晶元的使用讓設備變得「智能」。而「晶元」的「片」則代表它的形態，晶元大部分都是片型，這種高度集成的形態便於將其放入各種設備中。
晶元的應用非常廣泛，因此其分類也十分復雜。提及晶元，大部分人可能會單純將晶元和電腦CPU劃上等號。然而，晶元所涵蓋的范圍遠不及此，電腦CPU只是晶元所發揮的各種功能中的一種。
❷ 內存晶元的種類有哪些
愛學習的小夥伴們，你們知道內存晶元有哪些種類嗎?不知道的話跟著我一起來學習了解內存晶元有哪些種類吧。
內存晶元有哪些種類
存儲器分類
簡稱：Cache
標准：Cache Memory
中文：高速緩存
高速緩存是隨機存取內存(RAM)的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器
(CPU)處理數據時，它會先到高速緩存中尋找，如果數據因先前已經讀取而暫存其中，就不
需從內存中讀取數據。由於CPU的運行速度通常比主存儲器快，CPU若要連續存取內存的話，
必須等待數個機器周期造成浪費。所以提供“高速緩存”的目的是適應CPU的讀取速度。如
Intel的Pentium處理器分別在片上集成了容量不同的指令高速緩存和數據高速緩存，通稱為
L1高速緩存(Memory)。L2高速緩存則通常是一顆獨立的靜態隨機存取內存(SRAM)晶元。
簡稱：DDR
標准：Double Date Rate
中文：雙倍數據傳輸率
DDR系統時脈為100或133MHz，但是數據傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統
使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取
內存(SDRAM)好。
DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM
memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM
technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to
perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput
of SDRAM
簡稱：DIMM
標准：Dual in Line Memory Mole
中文：雙直列內存條
DIMM是一個採用多塊隨機存儲器(RAM)晶元(Chip)焊接在一片PCB板上模塊，它實際上是一
種封裝技術。在PCB板的一邊緣上，每面有64叫指狀銅接觸條，兩面共有168條。DIMM可以分
為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩沖器以及不含緩沖器兩種，目前比較常見的是3.3V含
緩沖器類型，而DIMM還需要一個抹除式只讀存儲器(EPROM)供基本輸出入系統(BIOS)儲存各
種參數，讓晶元組(Chipset)達到最佳狀態。
簡稱：DRAM
標准：Dynamic Random Access Memory
中文：動態隨機存儲器
一般計算機系統使用的隨機存取內存(RAM)可分動態與靜態隨機存取內存(SRAM)兩種，差異
在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存，SRAM的數據
則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。
簡稱：ECC
標准：Error Checking and Correction)
在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位的誤差，也可以作雙位或多位的誤差核對與改
正。
簡稱：EDO DRAM
標准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory
中文：EDO動態隨機存儲器
EDO DRAM也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取內存(DRAM)讀取
效能的存儲器，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一周期
CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個兆位元組(MB)增加到了200MB。
簡稱：EEPROM
標准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：電子抹除式只讀存儲器
非揮發性存儲器。電源撤除後，儲存的信息(Data)依然存在，在特殊管腳上施加電壓，同
時輸出相應命令，就可以擦除內部數據。典型應用於如電視機、空調中，存儲用戶設置的參
數。
這種存儲器支持再線修改數據，每次寫數據之前，必須保證書寫單元被擦除干凈，寫一個數
據的大約時間在2-10ms之間。支持單位元組單元擦除功能。
簡稱：EPROM
標准：Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：紫外擦除只讀存器
非揮發性存儲器。不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統
(BIOS)。允許使用者以紫外線消除其中的程序重復使用。
這種存儲器不支持再線修改數據。
簡稱：Flash
標准：Memory
中文：閃爍存儲器
非揮發性存儲器。是目前在可在線可改寫的非揮發性存儲器中容量最大的存儲器。支持再
線修改數據，寫數據的速度比EEPROM提高1個數量級。
Flash應用於大容量的數據和程序存儲，如電子字典庫、固態硬碟、PDA上的操作系統等。
簡稱：FeRAM
標准：Ferroelectric random access memory
中文：鐵電存儲器
ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile
memory that combines high-performance and low-power operation with the ability
to retain data without power.
FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and
eliminates the need for a battery
簡稱：MRAM
標准：Magnetoresistive Random Access Memory
中文：磁性隨機存儲器
磁性隨機存儲器是正在開發階段的，基於半導體(1T)和磁通道(magnetic tunnel
junction-MTJ)技術的固態存儲介質，屬於非揮發性晶元。主要開發廠商有IBM、Infineon
(英飛凌)、Cypress和Motorola(摩托羅拉)。其擦寫次數高於現有的Flash存儲器，可達
1015，讀寫時間可達70nS，
簡稱：RAM
標准：Random Access Memory
中文：隨機存儲器
隨機存取內存，是內存(Memory)的一種，由計算機CPU控制，是計算機主要的儲存區域，指
令和資料暫時存在這里。RAM是可讀可寫的內存，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤
(Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔
助內存 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如打
印機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的
速度越快。
簡稱：RDRAM
標准：Rambus DRAM
中文：Rambus動態隨機存儲器
這是一種主要用於影像加速的內存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會
間斷，比起動態隨機存取內存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然
RDRA無法完全取代現有內存，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機
存取內存 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達
600MHz，內存也只有8或9位 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬
(Bandwidth) ，將內存增為32或64位。
簡稱：ROM
標准：Read Only Memory
中文：只讀存儲器
只讀存儲器，這種內存 (Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，計算機與使用者只能讀
取保存在這里的指令，和使用儲存在ROM的數據，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一
個非揮發性晶元上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種內存多
用來儲存特定功能的程序或系統程序。 ROM儲存用來激活計算機的指令，開機的時候ROM提
供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確
認其儲存數據的能力。此外其它電子組件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer
circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。
簡稱：SDRAM
標准：Synchronous Dynamic RAM
中文：同步動態隨機存儲器
SDRAM的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模塊
(EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處
理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是
大家所熟知的PC100內存 (Memory ) 。
簡稱：SIMM
標准：Single In-Line Memory Mole
中文：單直列內存模塊
內存(Memory )模塊的概念一直到80386時候才被應用在主機板(Mother Board)上，當時的
接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line)，一次資料存取
(Access)為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。而今一條SIMM為
72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的數據匯流排(Data Bus)為64位元組(bite)，
因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料(Data)處理工作。
簡稱：SRAM
標准：Static Random Access Memory
中文：靜態隨機存儲器
SRAM製造方法與動態隨機存取內存(DRAM )不同，每個位使用6個晶體管(transistor)組
成，不需要不斷對晶體管周期刷新以保持數據丟失，其存取時間較短控制電路簡單，但製造
成本較高，單片難以做到DRAM那樣容量。
簡稱：VCM SDRAM
標准：Virtual Channel Memory SDRAM
中文：虛擬信道存儲器
1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶元組
(Chipset)業者，大力推廣所謂的VCM模塊技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉
將VCM的規格推向工業級標准。VCM內存規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加
強原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM須等待中央處理器(CPU)處理完資料或VGA卡處理完資料
後，才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬信道Virtual
Channel)，每一個信道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少內存(Memory)介面
的負擔，進而增加計算機使用者使用效率。 目前為全球第四大內存模塊廠商的宇瞻科技與
日本NEC技術合作，在台灣推出以PC133 (PC133) VCM內存模塊為設計的筆記型計算機，由於
VCM技術可以減少內存介面的負擔，以及本身低耗電的特性，相當適合筆記型計算機的運
❸ 內存儲器使用的半導體存儲晶元有哪些主要類型
◆存儲晶元（IC）的分類：
內存儲器按存儲信息的功能可分為隨機存儲器RAM(RandomAccess Memory)和只讀存儲器ROM(Read Only Memory)。 ROM中的信息只能被讀出，而不能被操作者修改或刪除，故一般用來存放固定的程序，如微機的管理、監控程序，匯編程序，以及存放各種表格等。
還有一種叫做可改寫的只讀存儲器EPROM(ErasaNe Pr。Brsmmable ROM)，和一般的RoM的不同點在於它可以用特殊裝置擯除和重寫它的內容，一般用於軟體的開發過程。
RAM就是我們常說的內存，它主要用來存放各種現場的輸入、輸出數據，中間計算結果，以及與外存交換信息和作堆棧用。它的存儲單元的內容按需要既可以讀出，也可以寫入或改寫。
由於RAM由電子器件組成，只能暫時存放正在運行的數據和程序，一旦關閉電源或掉電，其中的數據就會消失。RAM現在多為Mos型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。
靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠Mos電路中的柵極電容來記憶信息的。由於電容上電荷會泄漏，需要定時給予補充，所以動態RAM要設置刷新電路，但它比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。所以主內存通常採用動態RAM，而高速緩沖存儲器(Cache)則使用靜態RAM。
●存儲IC的特點，具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。
❹ 半導體存儲器的分類
半導體存儲器晶元按照讀寫功能可分為只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）和隨機讀寫存儲器（Random Access Memory，RAM）兩大類。
只讀存儲器電路結構簡單，且存放的數據在斷電後不會丟失，特別適合於存儲永久性的、不變的程序代碼或數據（如常數表、函數、表格和字元等），計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。ROM的最大優點是具有不易失性。
不可重寫只讀存儲器
1、掩模只讀存儲器（MROM）
掩模只讀存儲器，又稱固定ROM。這種ROM在製造時，生產廠家利用掩模（Mask）技術把信息寫入存儲器中，使用時用戶無法更改，適宜大批量生產。
掩模只讀存儲器可分為二極體ROM、雙極型三極體ROM和MOS管ROM三種類型。
2、可編程只讀存儲器（PROM）
可編程只讀存儲器（Programmable ROM，簡稱PROM），是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器，是在MROM的基礎上發展而來的。
隨機讀寫存儲器
1、靜態存儲器（SRAM）
利用雙穩態觸發器來保存信息，只要不斷電信息就不會丟失。靜態存儲器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲體。
2、動態存儲器（DRAM）
利用MOS電容存儲電荷來保存信息，使用時需要不斷給電容充電才能保持信息。動態存儲器電路簡單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復進行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲器的主體部分。
3、增強型DRAM（EDRAM）
EDRAM晶元是在DRAM晶元上集成一個高速小容量的SRAM晶元而構成的，這個小容量的SRAM晶元起到高速緩存的作用，從而使DRAM晶元的性能得到顯著改進。
❺ 存儲器晶元有哪些
問題一：存儲器晶元屬於哪種集成電路？ 存器晶元屬於數字集成電路。
RAM隨機存取存儲器 主要用於存儲計算機運行時的程序和數據，需要執行的程序或者需要處理的數據都必須先裝入RAM內，是指既可以從該設備讀取數據，也可以往裡面寫數據。RAM的特點是：計算機通電狀態下RAM中的數據可以反復使用，只有向其中寫入新數據時才被更新；斷電後RAM中的數據隨之消失。
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要佔用一部分面積。
ROM只讀存儲器，是指只能從該設備中讀取數據而不能往裡面寫數據的存儲器。Rom中的數據是由設計者和製造商事先編好固化在裡面的一些程序，使用者不能隨意更改。ROM主要用於檢查計算機系統的配置情況並提供最基本的輸入輸出（I/O）程序，如存儲BIOS參數的CMOS晶元。Rom的特點是計算機斷電後存儲器中的數據仍然存在。
PROM （Programmable Read-Only Memory）可編程只讀存儲器，也叫One-Time Programmable (OTP)ROM「一次可編程只讀存儲器」，是一種可以用程序操作的只讀內存。最主要特徵是只允許數據寫入一次，如果數據燒入錯誤只能報廢。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可編程ROM）晶元可重復擦除和寫入，解決了PROM晶元只能寫入一次的弊端。EPROM晶元有一個很明顯的特徵，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃窗口，透過該窗口，可以看到其內部的集成電路，紫外線透過該孔照射內部晶元就可以擦除其內的數據，完成晶元擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內資料的寫入要用專用的編程器，並且往晶元中寫內容時必須要加一定的編程電壓（VPP=12―24V，隨不同的晶元型號而定）。EPROM的型號是以27開頭的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM晶元。EPROM晶元在寫入資料後，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。 EPROM晶元在空白狀態時（用紫外光線擦除後），內部的每一個存儲單元的數據都為1（高電平）。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲器）是可用戶更改的只讀存儲器（ROM），其可通過高於普通 EEPROM電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM晶元，EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM中，當計算機在使用的時候是可頻繁地重編程的，EEPROM的壽命是一個很重要的設計考慮參數。EEPROM的一種特殊形式是快閃記憶體，其應用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重編程。 EEPROM,一般用於即插即用（Plug & Play）。 常用在介面卡中，用來存放硬體設置數據。
Flash Memory，也稱快閃記憶體（F......>>
問題二：晶元儲存器有哪些 半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。 磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。 按存儲方式分 隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。 順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。 按存儲器的讀寫功能分 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。 按信息的可保存性分 非永久記憶的存儲器：斷電後信息即消失的存儲器。 永久記憶性存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。 按存儲器用途分 根據存儲器在計算機系統中所起的作用，可分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器、控制存儲器等。 為了解決對存儲器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常採用多級存儲器體系結構，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。 初中的信息題，應該是按照存儲器的讀寫功能分類。 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。
問題三：單片機外部存儲器晶元一般有哪些 hm6116,hm6264,hm62512,分別為2k,8k,64k,的並行ram,非常好用且便宜。
問題四：存儲器晶元由哪些電路組成？其作用是什麼 用2k*4的RAM晶元組成32KB的外擴存儲器，共需晶元32片。晶元指內含集成電路的矽片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分。存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。
問題五：晶元和存儲器有什麼區別？ 晶元其實就是存儲器的一種，屬於只讀存儲器，只是晶元是事先寫入程序或代碼，用以實現某種指令。存儲器一般是指硬碟和U盤，光碟、磁帶等存儲數據的介質，可以存入也取出或刪除數據
問題六：內存晶元廠商有哪些？ 金士頓 威剛 海盜船 三星 金邦科技 芝奇 金泰克 創見 南亞易勝 現代 ThinkPad OCZ 黑金剛 記憶數碼三星，爾必達，力晶，鎂光，東芝，還有些其他的廠家
問題七：請問62512數據存儲器晶元有些什麼型號啊？ 62512就是數據存儲器晶元的型號，你可以到21ic上去搜索SN62512的資料。
62512是指64K的RAM。
問題八：集成電路存儲器是什麼？ 存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。
問題九：電腦pc中有哪些存儲器,內存儲器使用的半導體存儲晶元有哪些主要類型,各有什麼 電腦存儲設備分為內存儲器和外存儲器：
內存儲器分為RAM和ROM，其中RAM又叫隨機存儲器，隨電腦關閉裡面的內容回消失，也就是我們裝電腦時常說的「內存」
ROM又叫只讀存儲器，裡面存儲基本出廠數據，不可以改動，電腦關閉時內容不會消失。
外存儲器分為很多
例如硬碟、光碟、軟盤、U盤， 這些都屬於外部存儲設備，即外存儲器
問題十：存儲器的分類 一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)
RAM的特點是：電腦開機時，操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉，並且再也無法恢復。
根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：
01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）
這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。
03.VRAM（Video RAM，視頻內存）
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期， FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。
06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO......>>
❻ 晶元是分為儲存、充電等類型嗎
晶元就是一種集成電路，它由大量的晶體管構成，晶元的也分為多種類型，晶元可以分為以下幾類：
1.計算機晶元：如GPU、CPU、MCU、AI等用做計算分析的晶元；
2.存儲晶元：如DRAM、SDRAM，ROM和NAND等用作數據存儲的晶元；
3.通信晶元：如藍牙、WiFi、USB介面、乙太網介面、HDMI等用於數據傳輸的晶元；
4.感知晶元：如MEMS、麥克風、攝像頭等用來感知外部世界的晶元。
5.能源供給：如電源晶元、DC—AC等用於能源供給的晶元。
❼ 什麼叫存儲晶元
◆存儲晶元（IC）的分類：
內存儲器按存儲信息的功能可分為隨機存儲器RAM(RandomAccess Memory)和只讀存儲器ROM(Read Only Memory)。 ROM中的信息只能被讀出，而不能被操作者修改或刪除，故一般用來存放固定的程序，如微機的管理、監控程序，匯編程序，以及存放各種表格等。
還有一種叫做可改寫的只讀存儲器EPROM(ErasaNe Pr。Brsmmable ROM)，和一般的RoM的不同點在於它可以用特殊裝置擯除和重寫它的內容，一般用於軟體的開發過程。
RAM就是我們常說的內存，它主要用來存放各種現場的輸入、輸出數據，中間計算結果，以及與外存交換信息和作堆棧用。它的存儲單元的內容按需要既可以讀出，也可以寫入或改寫。
由於RAM由電子器件組成，只能暫時存放正在運行的數據和程序，一旦關閉電源或掉電，其中的數據就會消失。RAM現在多為Mos型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。
靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠Mos電路中的柵極電容來記憶信息的。由於電容上電荷會泄漏，需要定時給予補充，所以動態RAM要設置刷新電路，但它比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。所以主內存通常採用動態RAM，而高速緩沖存儲器(Cache)則使用靜態RAM。
●存儲IC的特點，具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。