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三星存儲晶元項目

發布時間: 2023-06-12 15:13:24

❶ 首批三星A-Die存儲晶元出貨 帶來更低成本的DDR4內存

內存市場又迎來新的「攪局者」,首批三星A-Die內存晶元確認開始出貨。三星B-Die內存晶元被認為是硬體愛好者和超頻玩家的聖杯。你可以想像,當有消息稱三星正在退出其B-Die產品以主推該公司最近的A-Die存儲晶元時,硬體社區的失望。 三星曾經在20納米製造工藝上生產知名的B-Die存儲晶元,而A-Die存儲器則正在轉向更新後的10nm製程。

不幸的是,A-Die的內存產品目前仍然非常稀缺。沒有足夠的樣本來確定A-Die是否比其前身更好或更差。

三星A-Die DDR4模塊的部件號為M378A4G43AB2-CVF,是一組容量為32GB的雙排結構。A-Die的承諾之一是為每個模塊提供更高的密度。三星模塊的額定運行頻率為2933 MHz,CL 21-21-21時序和1.2V工作電壓。

MemoryCow是一家英國內存和存儲零售商,它們率先以128.33英鎊的價格上架了三星M378A4G43AB2-CVF模塊(不含稅價)。因此,我們可以預期該模塊的成本約為157.77美元,這將是市場上最便宜的DDR4-2933 32GB模塊。

❷ 三星宣布量產容量最大LPDDR5內存晶元:6400MHz、首次採用EUV工藝

今日(8月30日),三星電子宣布,其位於韓國平澤市的第二代產線,已經開始大規模量 產業內首批16Gb(2GB)容量的LPDD5內存晶元,並導入EUV極紫外光刻工藝

晶元基於三星第三代10nm級(1z)工藝打造,16Gb也達成了業內最高容量和最佳性能。

據悉, 該LPDDR5內存晶元的帶寬速度為6400Mbp s(等價6400MHz),比現款12Gb LPDDR5-5500快了16%。在16GB的總容量下,允許一秒內傳輸10部5GB高清電影(51.2GB)。

三星還表示,得益於先進的1z nm EUV工藝, 單晶元比上代薄了30%。從封裝上講,10片就能湊成16GB容量 ,上一代1ynm則需要12片(單晶元12Gb)。如此以來節省的空間可以為5G手機創造更大的可能,比如更強的AP處理器、更大的電池、更充沛的天線布局等。

按照三星的預估,第一批搭載自家1z nm 16GB LPDDR5封裝內存的旗艦機將在2021年批量上市,恐怕明年初的Galaxy S21/30上就能見到了。

❸ 三星與西部數據聯手實現下一代存儲技術標准化

三星與西部數據聯手實現下一代存儲技術標准化

三星與西部數據聯手實現下一代存儲技術標准化,三星方面表示,雙方首先將致力於為分區存儲解決方案打造一個充滿活力的生態系統。三星與西部數據聯手實現下一代存儲技術標准化。

三星與西部數據聯手實現下一代存儲技術標准化1

3月30日,三星電子和西部數據宣布達成技術方面的合作,共同推動下一代存儲技術的標准化。

據三星電子和西部數據官網顯示,雙方簽署了一項獨特的合作諒解備忘錄(MOU),以標准化和推動下一代數據放置、處理和結構(D2PF)存儲技術的廣泛採用。兩家公司將專注於為分區存儲解決方案創建一個充滿活力的生態系統。

這標志著三星和西部數據首次以技術領導者的身份走到一起,以建立廣泛的一致性並激發對重要存儲技術的認識。該合作夥伴關系專注於企業和雲應用程序,預計將促進圍繞 D2PF 技術(如 Zoned Storage)的技術標准化和軟體開發的一系列合作。

引領分區存儲技術標准化

據官網消息顯示,兩家公司已經啟動了一項圍繞分區存儲設備的計劃,包括 ZNS(分區命名空間)SSD 和 SMR(疊瓦式磁記錄)HDD。通過 SNIA(存儲網路行業協會)和 Linux 基金會等組織,三星和西部數據將為下一代分區存儲技術定義高級模型和框架。

為了實現開放和可擴展的數據中心架構,他們成立了 Zoned Storage TWG(技術工作組),並於 2021 年 12 月獲得 SNIA 的批准。該小組已經在定義和指定 Zoned Storage 設備的常見用例,如以及主機/設備架構和編程模型。

此外,預計此次合作將作為擴展基於區域(例如 ZNS、SMR)的設備介面以及具有增強數據放置和處理技術的下一代大容量存儲設備的起點。在稍後階段,這些計劃將擴展到包括其他新興的 D2PF 技術,例如計算存儲和存儲結構,包括 NVMe over Fabrics (NVMe-oF)。

西部數據快閃記憶體業務部執行副總裁兼總經理Rob Soderbery表示:「為了使技術生態系統取得成功,必須將整體框架和通用解決方案模型結合在一起,以免它們受到碎片化的影響,這會延遲採用並為軟體堆棧開發人員增加不必要的復雜性。

多年來,Western Digital通過為Linux內核和開源軟體社區做出貢獻,為Zoned Storage生態系統奠定了基礎。我們很高興將這些貢獻貢獻給與三星的聯合計劃,以促進用戶和應用程序開發人員更廣泛地採用分區存儲。」

三星電子執行副總裁、內存銷售和營銷主管Jinman Han則提到:「我們的合作將包括硬體和軟體生態系統,以確保盡可能多的客戶能夠從這項非常重要的技術中獲益。」

存儲大廠合作漸成趨勢

除了三星電子宣布和西部數據達成技術方面的合作以外,其他存儲廠商近年來的合作也逐漸頻繁,包括合作建廠、產品研發,甚至持續有並購意向的消息傳出。

3月23日,有消息稱日本快閃記憶體大廠鎧俠將與西部數據聯合在日本北部的工廠建立一座全新的快閃記憶體製造廠。該項目的投資可能達到1萬億日元(約合82.5億美元)。

而在鎧俠從東芝剝離之前,西部數據與東芝存儲共同在日本投資了一家快閃記憶體製造廠,且合作延續至今。在產品研發方面,2021年2月西部數據與鎧俠還共同推出了聯合研發的第六代162層快閃記憶體技術,打造密度更高更先進的3D快閃記憶體技術。

除了合作以外,廠商之間也不乏並購意圖。從去年開始,多家企業就被傳出有意收購鎧俠,其中包括西部數據和美光。不過至今沒有明確的並購消息,而鎧俠依舊尋求在日本上市 。

上游廠商持續加大合作甚至並購的原因,也是因為晶元市場近來在面對原材料價格上漲、物流中斷、俄烏事件、供應危機等復雜市場環境中,銷售成績依舊亮眼。

據韓媒報道,綜合券商預期,三星電子今年一季度銷售額和營業利潤有望分別達到75.2129萬億韓元(約合人民幣3910.89億韓元)、13.0089萬億韓元,同比增15.02%、38.64%。

三星電子銷售額有望連續三個季度保持在70萬億韓元以上,三星電子銷售額去年三季度首破這一水平線,達到73.98萬億韓元。受存儲晶元價格下滑影響,今年一季度銷售額環比將小幅縮減,但仍有望在70萬億韓元以上。

與此同時,SK海力士一季度銷售額和營業利潤或分別達到11.583萬億韓元、3.1399萬億韓元,同比增36.36%、137.08%。其中銷售額將刷新往年同期紀錄,首次突破10萬億韓元。

三星與西部數據聯手實現下一代存儲技術標准化2

今日,三星和西部數據宣布,雙方已簽署一份合作諒解備忘錄(MOU),以實現下一代數據放置、處理和結構(D2PF)存儲技術的標准化,並推動其廣泛採用。

三星方面表示,雙方首先將致力於為分區存儲解決方案打造一個充滿活力的生態系統。

了解到,雙方已啟動了一項關於分區存儲設備的計劃,包括ZNS(分區命名空間)SSD(固態硬碟)和SMR(疊瓦式磁記錄)HDD(硬碟)。

據介紹,通過SNIA(存儲網路行業協會)和Linux基金會等組織,三星和西部數據將為下一代分區存儲技術定義高級模型和框架。雙方成立了分區存儲TWG(技術工作組),並於2021年12月獲得了全球網路存儲工業協會(SNIA)的批准。目前,技術小組正定義和指定分區存儲設備的通用用例,以及主機/設備架構和編程模型。

三星指出,本次合作有望成為擴展基於分區(如ZNS、SMR)的設備介面,和具有增強數據放置和處理技術的.下一代大容量存儲設備的起點。在此後階段,合作計劃將擴展至其他新興的D2PF技術,如計算存儲和存儲結構(包括NVMe-oF)。

三星與西部數據聯手實現下一代存儲技術標准化3

三星和西部數據(Nasdaq: WDC)於今日宣布,雙方已簽署一份獨特的合作諒解備忘錄(MOU),以實現下一代數據放置、處理和結構(D2PF)存儲技術的標准化,並推動其廣泛採用。首先,雙方將致力於為分區存儲解決方案打造一個充滿活力的生態系統。這樣的舉措能讓行業催生出更多的應用,為客戶創造更大的價值。

這標志著作為技術推動者的三星和西部數據,開展廣泛合作,共同促進大眾對重要存儲技術的認識。以企業和雲計算應用為重點,雙方將圍繞技術標准化和D2PF技術(如分區存儲)的軟體開發展開一系列合作。通過合作,終端用戶可以相信,這些新興的存儲技術,會得到多個設備供應商以及垂直整合的硬體和軟體企業的支持。

西部數據執行副總裁兼快閃記憶體業務總經理Rob Soderbery表示:「存儲是用戶和企業消費及使用數據的重要基礎。為滿足當下需求並放眼未來,我們必須創新、協作並在為生活帶來新標准和架構方面與行業保持同步。

為了讓技術生態系統獲得成功,必須將整體框架和通用解決方案模型相結合,以避免受到碎片化的影響,因為碎片化會延遲採用,為軟體堆棧開發人員增加不必要的復雜性。」

圖片名稱:西部數據Ultrastar DC ZN540 ZNS NVMe(TM) ZNS SSD

Soderbery補充道:「多年來,通過對Linux內核和開源軟體社區的貢獻,西部數據一直在為分區存儲生態系統打基礎。我們很高興能將這些貢獻帶到與三星的此次合作中,推動用戶和應用開發者廣泛採用分區存儲。」

三星電子執行副總裁兼內存銷售與營銷主管Jinman Han表示:「本次合作是我們為超越客戶現在和未來的需求所做不懈努力的證明,同時也在我們預測它將積極發展成為分區存儲標准化的更大基礎方面具有特殊的意義。雙方的合作將涵蓋硬體和軟體生態系統,以確保盡可能多的客戶能從這項重要技術中獲益。」

圖片名稱:三星半導體ZNS SSD

此外,本次合作有望成為擴展基於分區(如ZNS、SMR)的設備介面,和具有增強數據放置和處理技術的下一代大容量存儲設備的起點。在此後階段,合作計劃將擴展至其他新興的D2PF技術,如計算存儲和存儲結構(包括NVMe-oF)。

❹ 美國行動失效韓國三星首次在華發布5nm晶元,欲打入中企供應鏈


據新浪 財經 最新報道, 11月12日當天,韓國電子巨頭三星正式面向中國市場發布了其 旗艦級晶元Exynos1080 。據悉,這款晶元製程 工藝 5nm 級別,也是三星首次選擇在中國發布晶元產品。 日前三星已經與我國智能手機生產商vivo達成了合作意向,vivo旗下X60型號手機(未發布)將成為首發搭載該款晶元的新品。

報道指出,這款 晶元 還是三星專門針對中國市場設計的。按照三星的計劃,該司已經打算憑借Exynos系列晶元(AP),進一步打入中國企業的智能手機零部件供應鏈。 11月3日當天,三星系統LSI 業務部正式宣布,2021年該司的Exynos系列晶元將供貨我國智能手機生產商小米、OPPO和vivo。

曾幾何時,三星智能手機銷量曾在我國市場占據了數一數二的份額。但是自從2016年的爆炸門事件後,三星在華的地位便急轉直下(僅剩下約1%的份額),到現在三星也很難在我國智能手機市場「翻身」。

不過,這家韓國巨頭卻遲遲不肯放棄,並試圖重新「立足」中國。 其中,晶元、圖像處理器等零部件就是三星的重要武器。當前,三星的晶元製程已經發展至5nm,代工水平全球第二,僅僅落後於台積電一家。

為了進一步搶佔中國市場,三星還在去年12月宣布對我國西安追加80億美元(摺合約529億元人民幣)的投資,以促進NAND快閃記憶體晶元的生產。 日前,還有供應鏈消息人士曝出消息,三星打算在我國西安增設一座8英寸晶圓工廠。後來三星也對此事進行辟謠,稱該司在西安主要投建的是高端存儲晶元項目,相關消息不屬實,目前公司並無相關建廠計劃。

考慮到三星品牌的智能手機在中國的市場份額未能好轉,而美國的干預又使得三星沒法在晶元業務與華為維持原有的合作, 因此, 對於三星來說,通過向其他中企供應Exynos系列晶元(AP),也算是為自己 中國市場 實現「逆風翻盤」找到重要轉機

此前,曾有分析師做出預測,因美國升級的禁令,包括三星、索尼等在內的零部件供應商每年有264億美元(摺合約1747億元人民幣)的業務將受到影響。眼下看來,在三星不捨得放棄中國市場的情況下,美國想要順利實現自己的計劃,恐怕也有一定難度。

文 |廖力思 題 |曾藝 圖 |饒建寧 盧文祥 審 |陸爍宜

❺ 全球首款3nm晶元!三星放大招了

2020年漂亮國從晶元製造層面出發,對華為進行全面打壓,使華為陷入晶元危機之中,核心業務智能手機遭遇重大挑戰。 這時人們才發現雖然「中國製造」已經在世界舞台上大放異彩,中國也被稱之為是「世界工廠」,但是在高端領域製造方面,與漂亮國等發達國家相比,仍然具有很大的差距。 不過幸運的是,當下無論是國家,還是企業都開始集中一切力量進行全面攻克。如果這次能夠徹底沉下心來搞科研,那麼中國芯工程將極具希望。自我國宣布全面攻克半導體製造技術以來,就捷報頻傳。

雖然中國芯好消息不斷,但與先進工藝相比,仍然具有很大的差距。目前5nm工藝製程晶元已經成功量產,並成功應用到了各大智能手機中。 但是我國半導體行業中有著最強實力的中芯國際目前連7nm工藝尚未攻破,未來在晶元上的發展仍然任重而道遠。 但就在剛剛過去不久的IEEE ISSCC國際固態電路大會上,三星成功引燃了全世界范圍內的晶元之爭。 在大會上,三星首發應用3nm工藝製造的SRAM存儲晶元,將半導體工藝再度推上一個進程,台積電與其的紛爭徹底點燃。 全球首款3nm晶元!三星放大招了,而這也給我國半導體研發工作帶來了更大的壓力。

3nm晶元!三星放大招了, 據悉,來自三星的3nm工藝SRAM存儲晶元,其容量為256GB,面積僅為56平方毫米,性能提升30%,功耗降低50%,預計在2022年正式量產。台積電雖然沒有首發3nm工藝晶元,不過就目前透露的消息來看,明年也將實現3nm晶元的量產。 半導體領域再上一個台階。

就目前半導體領域知名公司而言,以高通、聯發科、台積電、三星、英特爾以及華為等公司為例。 但是需要說明的是,高通、聯發科和華為這些企業,其工藝主要體現在晶元設計上,但是在晶元製造上卻有著極大的缺陷。 任正非曾經就明確表明,華為海思在晶元設計上,絕對處於世界領先位置。但是在製造方面,此前幾乎沒有涉及,從而陷入危機。

與華為不同的是,英特爾和三星不僅掌握了晶元設計工藝,更掌握了相應的先進晶元製造工藝,是全球IDM雙傑。 而台積電的定位則是只聚焦於晶元加工方面,也就是只管製造,而不管設計,但這也是最重要的一環。 所以在晶元工藝上,真正的爭論主要集中在英特爾、三星和台積電三家身上。 但就目前而言,英特爾在技術上已經明顯落後,晶元製造先進工藝的爭奪主要在三星和台積電兩家。

在台積電尚未興起之前,世界半導體發展主要在於英特爾和三星兩家。 直至2010年之後,三星進軍智能手機行業,與蘋果產生直接沖突,蘋果晶元訂單轉交給只從事晶元製造的台積電,從而使得全球半導體行業發生改變。 台積電自此以後,開始接到越來越多的訂單,僅沉浸在製造上的它技術也突飛猛進,成為目前晶元製造技術最成熟的企業。。 只不過就2020年整體營收來看,英特爾為700多億美元,增速3.7%;三星為560億美元,增速7.7%;台積電為474億美元,增速50%。

從營收來看,目前的台積電還是三家最少的存在,但從增速來看,卻是最快的。那麼也就說明,超越他們是遲早的事情 。更不要說英特爾當下還停留在7nm工藝水平,而三星和台積電已經相繼成功量產5nm晶元,並且在3nm上展開爭奪。

只不過就當下的5nm工藝晶元來看,三星的效果不如台積電所生產的5nm晶元。其發熱、功耗等各種問題均比台積電更為嚴重。 台積電也順利坐上了最強晶元製造廠商的寶座。不過從本次三星首發3nm晶元來看,它似乎先發奪人。

為了成功超越台積電晶元製造技術,三星於2019年啟動了「半導體2030計劃」。該計劃中表明,未來10年內三星會投資133萬億韓元(大約7900億人民幣)用來發展半導體技術,其中以先進製程為規劃重點,令自己成為全球最大的半導體公司,防止台積電趕超自己。那麼就當下來看,三星有機會在明年實現技術上的稱霸,從而完成目標嗎?

我們前面提過,雖然本次三星首發了3nm工藝晶元,但台積電在技術上也已經獲得了重大突破,同樣在2022年可以實現量產。 而台積電之所以沒有發布相關工藝晶元,可能是因為相關設計公司尚未提供方案,也有可能是台積電聚焦的是技術要求更高的中央處理器,這也是它所擅長的地方。所以三星是否能夠在技術上超越台積電,當下還不好說。

但是根據當下透露出的消息來看,三星在3nm工藝晶元上採用了全新的晶體管技術,利用GAA技術來解決此前在5nm工藝遇到的發熱、功耗過大等一系列問題。而台積電在3nm上則是繼續應用傳統的FinFET工藝。 兩者相較而言的話,GAAFET技術在排列上更為緊密,可容納的晶體管數量更多,因此相應的晶元面積會進一步縮小,加上其對跨通道電流更為精準的控制,進而有望實現技術上的領先。當然了,新技術也缺乏相應的經驗,成熟度不夠可能導致良品率下降。

同時從規模上來看的話,三星應該可以繼續保持自己的領先地位。台積電的產能畢竟有限,而且屬於代工,與三星的IDM有著本質區別。並且就目前的消息來看,僅蘋果一家的訂單,就占據了台積電四分之一的5nm產能。而3nm作為更高級的工藝,雖然會實現量產,但產能也會隨之下降,蘋果將會占據更多。那麼也就意味著三星有更多的機會超越。

當然了,歸根到底主要還是在於技術如何。要知道,當下的5nm工藝雖然台積電的表現要優於三星,但總體評價不是很好存在極大的弊端。升級後的3nm究竟能否達到人們預期的水平,令所有人期待。 同時,也告誡我國,必須進一步加快半導體技術的研發攻克,決不能因為獲得了一些成就便洋洋自得,距離真正的突破還有相當長的一段距離,還有許多困難等待著我們的攻克。

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