100k存儲晶元

㈠ flash晶元有100k以下的嗎

一般電子元件作用和分解大全！
這個下面很齊全
做機器人要先了解電子元器件
這里有一些電子元件的知識給新手：
電子元件（1）<電阻>
電阻在電路中用「R」加數字表示，如：R1表示編號為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為：分流、限流、分壓、偏置等。＃ 1、參數識別：電阻的單位為歐姆（Ω），倍率單位有：千歐（KΩ），兆歐（MΩ）等。換算方法是：1兆歐=1000千歐=1000000歐電阻的參數標注方法有3種，即直標法、色標法和數標法。 a、數標法主要用於貼片等小體積的電路，如： 472 表示 47×100Ω（即4.7K）； 104則表示100K b、色環標注法使用最多，現舉例如下：四色環電阻 五色環電阻（精密電阻） ＃ 2、電阻的色標位置和倍率關系如下表所示：顏色有效數字 倍率 允許偏差（%）銀色 / x0.01 ±10 金色 / x0.1 ±5 黑色 0 +0 / 棕色 1 x10 ±1 紅色 2 x100 ±2 橙色 3 x1000 / 黃色 4 x10000 / 綠色 5 x100000 ±0.5 藍色 6 x1000000 ±0.2 紫色 7 x10000000 ±0.1 灰色 8 x100000000 / 白色 9 x1000000000 /

電子元件（2）<電容>
＃ 1、電容在電路中一般用「C」加數字表示（如C13表示編號為13的電容）。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號的頻率和電容量有關。容抗XC=1/2πf c (f表示交流信號的頻率，C表示電容容量)電話機中常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨石電容、鉭電容和滌綸電容等。＃ 2、識別方法：電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同，分直標法、色標法和數標法3種。電容的基本單位用法拉（F）表示，其它單位還有：毫法（mF）、微法（uF）、納法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109納法=1012皮法容量大的電容其容量值在電容上直接標明，如 10 uF/16V 容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 數字表示法：一般用三位數字表示容量大小，前兩位表示有效數字，第三位數字是倍率。如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF ＃ 3、電容容量誤差表符 號 F G J K L M 允許誤差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片電容為104J表示容量為0. 1 uF、誤差為±5%。

電子元件（3）<晶體二極體>
晶體二極體在電路中常用「D」加數字表示，如： D5表示編號為5的二極體。 ＃ 1、作用：二極體的主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很小；而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。正因為二極體具有上述特性，無繩電話機中常把它用在整流、隔離、穩壓、極性保護、編碼控制、調頻調制和靜噪等電路中。電話機里使用的晶體二極體按作用可分為：整流二極體（如 1N4004）、隔離二極體（如1N4148）、肖特基二極體（如BAT85）、發光二極體、穩壓二極體等。＃ 2、識別方法：二極體的識別很簡單，小功率二極體的N極（負極），在二極體外表大多採用一種色圈標出來，有些二極體也用二極體專用符號來表示P極（正極）或N極（負極），也有採用符號標志為「P」、「N」來確定二極體極性的。發光二極體的正負極可從引腳長短來識別，長腳為正，短腳為負。＃ 3、測試注意事項：用數字式萬用表去測二極體時，紅表筆接二極體的正極，黑表筆接二極體的負極，此時測得的阻值才是二極體的正向導通阻值，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。＃ 4、常用的1N4000系列二極體耐壓比較如下：型號 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐壓（V） 50 100 200 400 600 800 1000 電流（A） 均為1

電子元件（4）<穩壓二極體>
穩壓二極體在電路中常用「ZD」加數字表示，如：ZD5表示編號為5的穩壓管。 ＃ 1、穩壓二極體的穩壓原理：穩壓二極體的特點就是擊穿後，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當把穩壓管接入電路以後，若由於電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。 ＃ 2、故障特點：穩壓二極體的故障主要表現在開路、短路和穩壓值不穩定。在這3種故障中，前一種故障表現出電源電壓升高；後2種故障表現為電源電壓變低到零伏或輸出不穩定。常用穩壓二極體的型號及穩壓值如下表：型 號 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 穩壓值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V

電子元件（5）<電感>
電感在電路中常用「L」加數字表示，如：L6表示編號為6的電感。電感線圈是將絕緣的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數製成。直流可通過線圈，直流電阻就是導線本身的電阻，壓降很小；當交流信號通過線圈時，線圈兩端將會產生自感電動勢，自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振盪電路。電感一般有直標法和色標法，色標法與電阻類似。如：棕、黑、金、金錶示 1uH（誤差5%）的電感。 電感的基本單位為：亨（H） 換算單位有：1H=103mH=106uH

電子元件（6）<變容二極體 >
變容二極體是根據普通二極體內部 「PN結」 的結電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設計出來的一種特殊二極體。變容二極體在無繩電話機中主要用在手機或座機的高頻調制電路上，實現低頻信號調制到高頻信號上，並發射出去。在工作狀態，變容二極體調制電壓一般加到負極上，使變容二極體的內部結電容容量隨調制電壓的變化而變化。變容二極體發生故障，主要表現為漏電或性能變差：（1）發生漏電現象時，高頻調制電路將不工作或調制性能變差。（2）變容性能變差時，高頻調制電路的工作不穩定，使調制後的高頻信號發送到對方被對方接收後產生失真。出現上述情況之一時，就應該更換同型號的變容二極

電子元件（7）<晶體三極體>
晶體三極體在電路中常用「Q」加數字表示，如：Q17表示編號為17的三極體。＃1、特點：晶體三極體（簡稱三極體）是內部含有2個PN結，並且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型，這兩種類型的三極體從工作特性上可互相彌補，所謂OTL電路中的對管就是由PNP型和NPN型配對使用。電話機中常用的PNP型三極體有：A92、9015等型號；NPN型三極體有：A42、9014、9018、9013、9012等型號。＃2、晶體三極體主要用於放大電路中起放大作用，在常見電路中有三種接法。為了便於比較，將晶體管三種接法電路所具有的特點列於下表，供大家參考。名稱共發射極電路 共集電極電路（射極輸出器） 共基極電路輸入阻抗 中（幾百歐～幾千歐） 大（幾十千歐以上） 小（幾歐～幾十歐）輸出阻抗中（幾千歐～幾十千歐） 小（幾歐～幾十歐） 大（幾十千歐～幾百千歐）電壓放大倍數 大 小（小於1並接近於1） 大電流放大倍數 大（幾十）大（幾十） 小（小於1並接近於1）功率放大倍數 大（約30～40分貝） 小（約10分貝） 中（約15～20分貝）頻率特性 高頻差 好好續表應用 多級放大器中間級，低頻放大 輸入級、輸出級或作阻抗匹配用 高頻或寬頻帶電路及恆流源電路

電子元件（8）<場效應晶體管放大器>
＃1、場效應晶體管具有較高輸入阻抗和低雜訊等優點，因而也被廣泛應用於各種電子設備中。尤其用場效管做整個電子設備的輸入級，可以獲得一般晶體管很難達到的性能。＃2、場效應管分成結型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。＃3、場效應管與晶體管的比較（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊矽片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛

電子元件（9）<單片機>*1
單片機硬體系統設計原則(轉貼) zt(icbase.com) 一個單片機應用系統的硬體電路設計包含兩部分內容：一是系統擴展，即單片機內部的功能單元，如ROM、RAM、I/O、定時器/計數器、中斷系統等不能滿足應用系統的要求時，必須在片外進行擴展，選擇適當的晶元，設計相應的電路。二是系統的配置，即按照系統功能要求配置外圍設備，如鍵盤、顯示器、列印機、 A/D、D/A轉換器等，要設計合適的介面電路。 系統的擴展和配置應遵循以下原則： ＃ 1、盡可能選擇典型電路，並符合單片機常規用法。為硬體系統的標准化、模塊化打下良好的基礎。 ＃ 2、系統擴展與外圍設備的配置水平應充分滿足應用系統的功能要求，並留有適當餘地，以便進行二次開發。 ＃ 3、硬體結構應結合應用軟體方案一並考慮。硬體結構與軟體方案會產生相互影響，考慮原則是：軟體能實現的功能盡可能由軟體實殃，以簡化硬體結構。但必須注意，由軟體實現的硬體功能，一般響應時間比硬體實現長，且佔用CPU時間。＃ 4、系統中的相關器件要盡可能做到性能匹配。如選用CMOS晶元單片機構成低功耗系統時，系統中所有晶元都應盡可能選擇低功耗產品。＃ 5、可靠性及抗干擾設計是硬體設計必不可少的一部分，它包括晶元、器件選擇、去耦濾波、印刷電路板布線、通道隔離等。 ＃ 6、單片機外圍電路較多時，必須考慮其驅動能力。驅動能力不足時，系統工作不可靠，可通過增設線驅動器增強驅動能力或減少晶元功耗來降低匯流排負載。 ＃ 7、盡量朝「單片」方向設計硬體系統。系統器件越多，器件之間相互干擾也越強，功耗也增大，也不可避免地降低了系統的穩定性。隨著單片機片內集成的功能越來越強，真正的片上系統SoC已經可以實現，如ST公司新近推出的μPSD32××系列產品在一塊晶元上集成了80C32核、大容量FLASH存儲器、 SRAM、A/D、I/O、兩個串口、看門狗、上電復位電路等等。 單片機系統硬體抗干擾常用方法實踐影響單片機系統可靠安全運行的主要因素主要來自系統內部和外部的各種電氣干擾，並受系統結構設計、元器件選擇、安裝、製造工藝影響。這些都構成單片機系統的干擾因素，常會導致單片機系統運行失常，輕則影響產品質量和產量，重則會導致事故，造成重大經濟損失。
形成干擾的基本要素有三個： （1）干擾源。指產生干擾的元件、設備或信號，用數學語言描述如下：/dt， di/dt大的地方就是干擾源。如：雷電、繼電器、可控硅、電機、高頻時鍾等都可 能成為干擾源。（2）傳播路徑。指干擾從干擾源傳播到敏感器件的通路或媒介。典型的干擾傳 播路徑是通過導線的傳導和空間的輻射。（3）敏感器件。指容易被干擾的對象。如：A/D、D/A變換器，單片機，數字IC， 弱信號放大器等。 干擾的分類 1干擾的分類干擾的分類有好多種，通常可以按照雜訊產生的原因、傳導方式、波形特性等等進行不同的分類。按產生的原因分：可分為放電雜訊音、高頻振盪雜訊、浪涌雜訊。 按傳導方式分：可分為共模雜訊和串模雜訊。 按波形分：可分為持續正弦波、脈沖電壓、脈沖序列等等。 2 干擾的耦合方式干擾源產生的干擾信號是通過一定的耦合通道才對測控系統產生作用的。因此，我有必要看看干擾源和被干擾對象之間的傳遞方式。干擾的耦合方式，無非是通過導線、空間、公共線等等，細分下來，主要有以下幾種： （1）直接耦合：這是最直接的方式，也是系統中存在最普遍的一種方式。比如干擾信號通過電源線侵入系統。對於這種形式，最有效的方法就是加入去耦電路。從而很好的抑制。（2）公共阻抗耦合：這也是常見的耦合方式，這種形式常常發生在兩個電路電流有共同通路的情況。為了防止這種耦合，通常在電路設計上就要考慮。使干擾源和被干擾對象間沒有公共阻抗。 （3）電容耦合： 又稱電場耦合或靜電耦合 。是由於分布電容的存在而產生的耦合。 （4）電磁感應耦合：又稱磁場耦合。是由於分布電磁感應而產生的耦合。 （5）漏電耦合： 這種耦合是純電阻性的，在絕緣不好時就會發生。 常用硬體抗干擾技術針對形成干擾的三要素，採取的抗干擾主要有以下手段。 1 抑制干擾源抑制干擾源就是盡可能的減小干擾源的/dt，di/dt。這是抗干擾設計中最優先考慮和最重要的原則，常常會起到事半功倍的效果。減小干擾源的/dt主要是通過在干擾源兩端並聯電容來實現。減小干擾源的di/dt則是在干擾源迴路串聯電感或電阻以及增加續流二極體來實現。
形成干擾的基本要素有三個： （1）干擾源。指產生干擾的元件、設備或信號，用數學語言描述如下：/dt， di/dt大的地方就是干擾源。如：雷電、繼電器、可控硅、電機、高頻時鍾等都可 能成為干擾源。（2）傳播路徑。指干擾從干擾源傳播到敏感器件的通路或媒介。典型的干擾傳 播路徑是通過導線的傳導和空間的輻射。（3）敏感器件。指容易被干擾的對象。如：A/D、D/A變換器，單片機，數字IC， 弱信號放大器等。 干擾的分類 1干擾的分類干擾的分類有好多種，通常可以按照雜訊產生的原因、傳導方式、波形特性等等進行不同的分類。按產生的原因分：可分為放電雜訊音、高頻振盪雜訊、浪涌雜訊。 按傳導方式分：可分為共模雜訊和串模雜訊。 按波形分：可分為持續正弦波、脈沖電壓、脈沖序列等等。 2 干擾的耦合方式干擾源產生的干擾信號是通過一定的耦合通道才對測控系統產生作用的。因此，我有必要看看干擾源和被干擾對象之間的傳遞方式。干擾的耦合方式，無非是通過導線、空間、公共線等等，細分下來，主要有以下幾種： （1）直接耦合：這是最直接的方式，也是系統中存在最普遍的一種方式。比如干擾信號通過電源線侵入系統。對於這種形式，最有效的方法就是加入去耦電路。從而很好的抑制。（2）公共阻抗耦合：這也是常見的耦合方式，這種形式常常發生在兩個電路電流有共同通路的情況。為了防止這種耦合，通常在電路設計上就要考慮。使干擾源和被干擾對象間沒有公共阻抗。 （3）電容耦合： 又稱電場耦合或靜電耦合 。是由於分布電容的存在而產生的耦合。 （4）電磁感應耦合：又稱磁場耦合。是由於分布電磁感應而產生的耦合。 （5）漏電耦合： 這種耦合是純電阻性的，在絕緣不好時就會發生。 常用硬體抗干擾技術針對形成干擾的三要素，採取的抗干擾主要有以下手段。 1 抑制干擾源抑制干擾源就是盡可能的減小干擾源的/dt，di/dt。這是抗干擾設計中最優先考慮和最重要的原則，常常會起到事半功倍的效果。減小干擾源的/dt主要是通過在干擾源兩端並聯電容來實現。減小干擾源的di/dt則是在干擾源迴路串聯電感或電阻以及增加續流二極體來實現。

電子元件（10）<晶體管的選用經驗>
晶體管的品種繁多，不同的電子設備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應根據應用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。＃ 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如圖像中放、伴音中放、緩沖放大等）電路中使用的高頻晶體管，可以選用特徵頻率范圍在30~300MHZ的高頻晶體管，例如3DG6、 3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、 BC337、BC338、BC548、BC558等型號的小功率晶體管，可根據電路的要求選擇晶體管的材料與極性，還要考慮被選晶體管的耗散功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數等參數及外地人形尺寸等是否符合應用電路的要求。＃ 2．末級視放輸出管的選用彩色電視機中使用的末級視放輸出管，應選用特徵頻率高於80MHZ的高頻晶體管。 21in（in=0.0254m）以下的中小屏幕彩色電視機中使用的末級視放輸出管,其耗散功率應大於或等於750mW,最大集電極電流應大於或等於 50mA,最高反向電壓應大於200V,一般可選用3DG182J、2SC2229、2SC3942等型號的晶體管。 25英寸以上的大屏幕彩色電視機中使用的末級視放輸出管，其耗散功率應大於或等於1.5W，最大集電極電流應大於或等於50mA，最高反向電壓應大於 300V，一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號的晶體管。 ＃ 3．行推動管的選用彩色電視機中使用的行推動管，應選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應大於或等於10W，最大集電極電流應大於150mA，最高反向電壓應大於或等於 250V。一般可選用3DK204、2SC1569、2SC2482、2SC2655、2SC2688等型號的三極體。＃ 4．行輸出管的選用彩色電視機中使用的行輸出管屬於高反壓大功率晶體管，其最高反向電壓應大於或等於1200V，耗散功率應大於或等於50W，最大集電極電流應大於或等於 3.5A（大屏幕彩色電視機行輸出管的耗散功率應大於或等於60W，最大集電極電流應大於5A）。 21英寸以下小屏幕彩色電視機的行輸出管可選用2SD869、2SD870、2SD871、2SD899A、2SD950、

㈡ PH25Q80B是什麼晶元

Flash存儲晶元，一般被研發電子工程師用來存儲大數據，以保證程序的順利進行；常用的型號包括25Q80，25Q16，25Q32等等；其電路圖符號與PCB封裝如下圖所示：

Flash存儲晶元的品牌匯總：

1，國產品牌：上海復旦微，北京兆易創新，上海新茂，北京芯盈速騰，寧波時代全芯，珠海歐比特，深圳輝芒微，上海聚辰，上海芯澤，四川豆萁，上海普冉，上海芯火，珠海博雅，上海高通，深圳航順，深圳華之美，東芯半導體，深圳芯天下，合肥恆爍，上海華虹摯芯，深圳明月微，珠海創飛芯，蘇州諾存微，深圳友台，廣東華冠，福建晉華，武漢鑫鑫等等

2，港台品牌：台灣榆木，台灣旺宏，AMIC聯笙，台灣創瑞，Winbond華邦，ESMT晶豪，台灣群聯，台灣類比，Innodisk宜鼎，台灣茂矽等等；

3，日韓品牌：日本東芝，韓國JSC濟州，三星，SK Hynix海力士等等；

4，歐美品牌：ISSI芯成，Micron鎂光，Cypress賽普拉斯，ON安森美，Microchip微芯，仙童，TI德州儀器，SST冠捷等等；

其中市場主流的Flash存儲晶元品牌包含鎂光，海力士，華邦，芯天下，輝芒等等；采購與研發電子工程師可以根據實際的項目設計需要以及成本的控制選擇最優的性價比品牌，以滿足采購BOM費用以及方案的設計需求；

Flash存儲晶元一般關注的參數：

空間：如8M，16M；
電壓：如2.7V~3.6V；
類型：如Nor Flash；
壽命：如100K次擦寫；
封裝：如SOIC-8；
Flash存儲晶元的市場價格因品牌及其型號不同而有所區別：

台灣華邦 W25Q80DVSSIG SOIC-8 市場參考價 1.72RMB/PCS；
北京兆易創新 GD25Q80CSIG SOP-8 市場參考價 3.76RMB/PCS；
珠海博雅 BY25Q32BSSIG SOP-8 市場參考價 1.58RMB/PCS；

關於Flash存儲晶元，晶元哥簡單就分享到這了，關於具體在采購與研發國產中遇到的問題，可以在評論區留言，晶元哥會力所能及的幫助小夥伴們解決；另外希望晶元哥的分享能帶來一些工作上的益處，在電子元器件與晶元領域從事的人可以關注晶元哥，每天分享如何在采購上降低成本以及如何在研發上