靜態存儲器線
① 靜態存儲器SRAM2114的容量為1K×4位/片，則其有（ ）根地址線和（ ）根數據線，用它組成32KB的存儲器共需
靜態存儲器SRAM2114的容量為1K×4位/片，則其有（10）根地址線和（虧尺跡4）根數據線，
用它組成32KB的銷並存儲器共需 64 片。
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2片，可以組成1K×8位，困鬧即1KB的存儲器。
② 靜態存儲器6116的三個控制線分別是什麼
靜態儲存器6116的三個控制線，它分別代表的就是它控制線的一個靜態和控制線的一個長度和共線的一個電容量，這條線的話是絕絕對不可的。
③ 某靜態存儲器的存儲容量是2048×8位它的地址線有多少條
這種標示方法，通常表示該存儲器可以存儲8位數據2048個，那麼地址線的數量必須保證可定址2048個，2048=2^11，也就是以2進制遞進定址，需要11條地址線。
④ 靜態存儲器與動態存儲器的定義是什麼
靜態存儲器是指依靠雙穩態觸發器的兩個穩定狀態保存信息的存儲器。雙穩態電路是有源器件，需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩定的保存信息，所以稱為靜態存儲器。如果斷電，信息將會丟失，屬於揮發性存儲器，或稱易失性。
動態存儲器是指在指定功能或應用軟體之間共享的存儲器。如果一個或兩個應用軟體佔用了所有存儲器空間，此時將無法為其他應用軟體分配存儲器空間。需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存。
(4)靜態存儲器線擴展閱讀：
動態存儲器的工作原理
動態RAM是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。在3管動態RAM電路中，讀選擇線和寫選派埋擇線是分開的，讀數據線和寫數據線也是分開的。
寫操作時，寫選擇線為"1"，Q1導通，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，並通過柵極電容在一定時間內保持信息。
讀操作時，先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時,Q3處於可導通的狀態。若原來存有"1"，則Q2導通，讀數據線的分布電容CD通過Q3、悶羨笑Q2放電。此時讀得的信息為"0"，正好和原存信息相反。
可見，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的螞含信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反向再送往數據匯流排。
⑤ 在8086系統中,用6264晶元組成一個16k的存儲器,可用來產生片選信號的地址線
簡單說。6264是一種8K×8的靜態存儲器，本身的地址線就有13根；
A12A11...A0，其定址范圍為 2^13=8192（=8k）；
而8086晶元有20根地址線，如果用低位地址線 A12A11...A0共13根作為6264的定址數據線，
那麼餘下的地址線 A19A18...A13 共7根地址線則可用於產生6264的片選信號；
（注意：不是你說的A19A18...A14 6根地址線）
那麼在採用自然序列定址時，則
A19A18...A14=0，A13=0 時作為第一片6264的片選信號，可定址范圍 0--8191；
A19A18...A14=0，A13=1 時作為第二片6264的片選信號，可定址范圍 8192--16383；
將得到唯一的6264片選信號；
⑥ 何為靜態存儲器，動態存儲器，它們的區別是什麼
靜態存儲器與動態存儲器主要性能比較如下表: 靜態和動態存儲器晶元特性比較 SRAM DRAM 存儲信息 觸發器 電容 破壞性讀出 非 是 需要刷新 不要 需要 送行列地址 同時送 分兩次送 運行速度 快 慢 集成度 低 高 發熱量 大 小
⑦ 如何根據內存容量計算需要多少條地址線
內存容量為2ⁿ位元組，則地址匯流排為n位。
地址匯流排的位數決定了CPU可直接定址的內存空間大小，比如8位微機的地址匯流排為16位，則其最大可定址空間為2¹⁶=64KB，16位微型機的地址匯流排為20位，其可定址空間為2²⁰=1MB。一般來說，若地址匯流排為n位，則可定址空間為2ⁿ位元組。
地址匯流排的寬度，隨可定址的內存元件大小而變，決定有多少的內存可以被存取。
(7)靜態存儲器線擴展閱讀
地址線用來傳輸地址信息用的。舉個簡單的例子：cpu在內存或硬碟裡面尋找一個數據時，先通過地址線找到地址，然後再通過數據線將數據取出來。如果有32根，就可以訪問2的32次方的位元組，也就是4GB。
在地址位多處理器協議中（ADDR/IDLEMODE位為1），最後一個數據位後有一個附加位，為地址位。數據塊的第一個幀的地址位設置為1，其他幀的地址位設置為0。地址位多處理器模式的數據傳輸與數據塊之間的空閑周期無關。一根地址線只能表示1和0。
⑧ 什麼是靜態存儲器什麼是動態存儲器
靜態存儲器(SRAM）：讀寫速度快,成本高,需要電源才能工作,斷電信息將丟失,多用於容量較小的高速緩沖存儲器.
動態存儲器（DRAM）：讀寫速度較慢,集成度高,成本低,要求配置動態刷新電路,多用於容量較大的主存儲器.