存儲擴散讀

『壹』 計算機如何對存儲器進行讀寫操作

計算機先把存儲器地址寫到地址匯流排上，在把數據放到數據匯流排上，這樣就可以把數據寫到正確的存儲單元。

計算機先把存儲器地址寫到地址匯流排上，存儲器在把數據放到數據匯流排上，這樣計算機就可以從數據匯流排上讀取數據了。

『貳』 微機原理總的存儲器字擴展問題

存儲晶元的擴展包括位擴展、字擴展和字位同時擴展等三種情況。

1、位擴展
位擴展是指存儲晶元的字（單元）數滿足要求而位數不夠，需對每個存儲單元的位數進行擴展。

例： 用 1K × 4 的 2114 晶元構成 lK × 8 的存儲器系統。

分析： 每個晶元的容量為 1K ，滿足存儲器系統的容量要求。但由於每個晶元只能提供 4 位數據，故需用 2 片這樣的晶元，它們分別提供 4 位數據至系統的數據匯流排，以滿足存儲器系統的字長要求。

設計要點 ：
(1) 將每個晶元的 10 位（1k=2^10）地址線按引腳名稱一一並聯，按次序逐根接至系統地址匯流排的低 10 位。
(2) 數據線則按晶元編號連接，1 號晶元的 4 位數據線依次接至系統數據匯流排的 D0 -D3 ， 2 號晶元的 4 位數據線依次接至系統數據匯流排的 D4 -D7 。
(3) 兩個晶元的 端並在一起後接至系統控制匯流排的存儲器寫信號（如 CPU 為 8086/8088，也可由 和 ／M 或 IO / 組合來承擔）
(4) 引腳分別並聯後接至地址解碼器的輸出，而地址解碼器的輸入則由系統地址匯流排的高位來承擔。

當存儲器工作時，系統根據高位地址的解碼同時選中兩個晶元，而地址碼的低位也同時到達每一個晶元，從而選中它們的同一個單元。在讀/寫信號的作用下，兩個晶元的數據同時讀出，送上系統數據匯流排，產生一個位元組的輸出，或者同時將來自數據匯流排上的位元組數據寫入存儲器。

2 、字擴充

字擴展用於存儲晶元的位數滿足要求而字數不夠的情況，是對存儲單元數量的擴展。

例 ： 用 2K × 8 的 2716 A存儲器晶元組成 8K × 8 的存儲器系統

分析：
由於每個晶元的字長為 8 位，故滿足存儲器系統的字長要求。但由於每個晶元只能提供 2K 個存儲單元，故需用 4 片這樣的晶元，以滿足存儲器系統的容量要求。
設計要點 ： 同位擴充方式相似。
(1) 先將每個晶元的 11(2* 2^10) 位地址線按引腳名稱一一並聯，然後按次序逐根接至系統地址匯流排的低 11 位。
(2) 將每個晶元的 8 位數據線依次接至系統數據匯流排的 D0 -D7 。
(3) 兩個晶元的 端並在一起後接至系統控制匯流排的存儲器讀信號（這樣連接的原因同位擴充方式），
(4) 它們的 引腳分別接至地址解碼器的不同輸出，地址解碼器的輸入則由系統地址匯流排的高位來承擔。
當存儲器工作時，根據高位地址的不同，系統通過解碼器分別選中不同的晶元，低位地址碼則同時到達每一個晶元，選中它們的相應單元。在讀信號的作用下，選中晶元的數據被讀出，送上系統數據匯流排，產生一個位元組的輸出。

3 、同時進行位擴充與字擴充
存儲器晶元的字長和容量均不符合存儲器系統的要求，需要用多片這樣的晶元同時進行位擴充和字擴充，以滿足系統的要求。
例 ： 用 1K × 4 的 2114 晶元組成 2K × 8 的存儲器系統

分析： 由於晶元的字長為 4 位，因此首先需用採用位擴充的方法，用兩片晶元組成 1K × 8 的存儲器。再採用字擴充的方法來擴充容量，使用兩組經過上述位擴充的晶元組來完成。
設計要點 ： 每個晶元的 10 根地址信號引腳宜接接至系統地址匯流排的低 10 位，每組兩個晶元的 4 位數據線分別接至系統數據匯流排的高 / 低四位。地址碼的 A 10 、 A 11 經解碼後的輸出，分別作為兩組晶元的片選信號，每個晶元的 控制端直接接到 CPU 的讀 / 寫控制端上，以實現對存儲器的讀 / 寫控制。
當存儲器工作時，根據高位地址的不同，系統通過解碼器分別選中不同的晶元組，低位地址碼則同時到達每一個晶元組，選中它們的相應單元。在讀 / 寫信號的作用下，選中晶元組的數據被讀出，送上系統數據匯流排，產生一個位元組的輸出，或者將來自數據匯流排上的位元組數據寫入晶元組。

『叄』 存儲器中讀寫這兩個字是什麼意思

讀就是讀取磁碟上的數據，寫就是把數據寫入磁碟。

『肆』 存儲器有哪些主要技術指標

主存儲器的主要有以下技術指標：
1、存儲容量：在一個存儲器中可以容納的存儲單元總數、存儲空間的大小、字數、位元組數。
2、存取時間：啟動到完成一次存儲器操作所經歷的時間、主存的速度。
3、存儲周期：連續啟動兩次操作所需間隔的最小時間、主存的速度。
4、存儲器帶寬：單位時間里存儲器所存取的信息量，、數據傳輸速率技術指標。
主存儲器的性能指標主要是存儲容量、存取時間、存儲周期和存儲器帶寬。
字存儲單元即存放一個機器字的存儲單元，相應的地址稱為字地址。一個機器字可以包含數個位元組，所以一個存儲單元也可包含數個能夠單獨編址的位元組地址。
下面列出主存儲器的主要幾項技術指標：
主存儲器的主要幾項技術指標指標 含義 表現 單位 存儲容量 在一個存儲器中可以容納的存儲單元總數 存儲空間的大小 字數，位元組數 存取時間 啟動到完成一次存儲器操作所經歷的時間 主存的速度 ns 存儲周期 連續啟動兩次操作所需間隔的最小時間 主存的速度 ns 存儲器帶寬 單位時間里存儲器所存取的信息量， 數據傳輸速率技術指標 位/秒，位元組/秒 主存儲器的性能指標主要是存儲容量、存取時間和存儲周期。
存放一個機器字的存儲單元，通常稱為字存儲單元，相應的單元地址叫字地址。而存放一個位元組的單元，稱為位元組存儲單元，相應的地址稱為位元組地址。如果計算機中可編址的最小單位是字存儲單元，則該計算機稱為按字編址的計算機。如果計算機中可編址的最小單位是位元組，則該計算機稱為按位元組編址的計算機。一個機器字可以包含數個位元組，所以一個存儲單元也可以包含數個能夠單獨編址的位元組地址。例如，PDP-11系列計算機，一個16位二進制的字存儲單元可存放兩個位元組，可以按字地址定址，也可以按位元組地址定址。當用位元組地址定址時，16位的存儲單元占兩個位元組地址。
在一個存儲器中容納的存儲單元總數通常稱為該存儲器的存儲容量。存儲容量用字數或位元組數(B)來表示，如64K字，512KB，10MB。外存中為了表示更大的存儲容量，採用MB，GB，TB等單位。其中1KB=2B，1MB=2B，1GB=2B，1TB=2B。B表示位元組，一個位元組定義為8個二進制位，所以計算機中一個字的字長通常為8的倍數。存儲容量這一概念反映了存儲空間的大小。
存儲時間有稱存儲器訪問時間，是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間。具體講，從一次讀操作命令發出到該操作完成，將數據讀入數據緩沖寄存器為止所經歷的時間，即為存儲器存取時間。
存儲周期是指連續啟動兩次獨立的存儲器操作(如連續兩次讀操作)所需間隔的最小時間。通常，存儲周期略大於存儲時間，其時間單位為ns

『伍』 存儲卡上是用什麼原理來讀寫數據的

動態讀寫存貯器（DRAM），以其速度快、集成度高、功耗小、價格低在微型計算機中得到極其廣泛地使用。但動態存儲器同靜態存儲器有不同的工作原理。它是靠內部寄生電容充放電來記憶信息，電容充有電荷為邏輯1，不充電為邏輯0。欲深入了解動態RAM的基本原理請點擊。 動態存儲器有多種系列，如61系列、37系列、41系列、21系列等。圖示為2164晶元的引腳圖。將滑鼠指向相應引腳可看到其對引腳功能。它是一個64K 1bit的DRAM晶元，將8片並接起來，可以構成64KB的動態存儲器。
每片只有一條輸入數據線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統地址匯流排和晶元地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址匯流排信號能分時地加到8個地址的引腳上，藉助晶元內部的行鎖存器、列鎖存器和解碼電路選定晶元內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。
當要從DRAM晶元中讀出數據時，CPU 首先將行地址加在A0-A7上，而後送出RAS 鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在晶元內部。接著將列地址加到晶元的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在晶元內部。然後保持WE=1，則在CAS有效期間數據輸出並保持。
當需要把數據寫入晶元時，行列地址先後將RAS和CAS鎖存在晶元內部，然後，WE有效，加上要寫入的數據，則將該數據寫入選中的存貯單元。
由於電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態存儲廳辯鎮電路的各存儲單元執行重讀操作，以保持電荷穩定灶褲，這個過程稱為動態存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。首先應用可編程定時器8253的計數器1，每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制 器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。
只讀存貯器（ROM）有多種類型。由於EPROM和EEPROM存貯容量大，可多次擦除後重新對它進行編程而寫入新的內容，使用十分方便。尤其是廠家為用戶提供了單獨地擦除器、編程器或插在各種微型機上的編程卡，大大方便了用戶。因此，這種類型的只讀存貯器得到了極其廣泛的應用。7. RAM的工作時序
為保證存儲器准確無誤地工作，加到存儲器上的地址、數據和控制信號必須遵守幾個時間邊界條件。
圖7.1—3示出了RAM讀出過程的定時關系。讀出操作過程如下：
欲讀出單元的地址加到存儲器的地址輸入端；
加入有效的選片信號CS；
在 線上加高電平，經過一段延時後，所選擇單元的內容出現在I/O端；
讓選片信號CS無效，I/O端呈高阻態，本次讀出過程結束。
由於地址緩沖器、解碼器及輸入/輸出電路存在延時，在地址信號加到存儲器上之後，必須等待一段時間tAA，數據才能穩定地傳輸到數據輸出端，這段時間稱為地址存取時間。如果在RAM的地址輸入端已經有穩定地址的條件下，加入選片信號，從選片信號有效到數據穩定輸出，這段時間間隔記為tACS。顯然在進行存儲器讀操作時，只有在地址和選片信號加入，且分別等待tAA和tACS以後，被讀單元的內容才能穩定地出現在數扮粗據輸出端，這兩個條件必須同時滿足。圖中tRC為讀周期，他表示該晶元連續進行兩次讀操作必須的時間間隔。
寫操作的定時波形如圖7.1—4所示。寫操作過程如下：
將欲寫入單元的地址加到存儲器的地址輸入端；
在選片信號CS端加上有效電平，使RAM選通；
將待寫入的數據加到數據輸入端；
在 線上加入低電平，進入寫工作狀態；
使選片信號無效，數據輸入線回到高阻狀態。
由於地址改變時，新地址的穩定需要經過一段時間，如果在這段時間內加入寫控制信號（即 變低），就可能將數據錯誤地寫入其他單元。為防止這種情況出現，在寫控制信號有效前，地址必須穩定一段時間tAS，這段時間稱為地址建立時間。同時在寫信號失效後，地址信號至少還要維持一段寫恢復時間tWR。為了保證速度最慢的存儲器晶元的寫入，寫信號有效的時間不得小於寫脈沖寬度tWP。此外，對於寫入的數據，應在寫信號tDW時間內保持穩定，且在寫信號失效後繼續保持tDH時間。在時序圖中還給出了寫周期tWC，它反應了連續進行兩次寫操作所需要的最小時間間隔。對大多數靜態半導體存儲器來說，讀周期和寫周期是相等的，一般為十幾到幾十ns。
ddr一個時鍾周期內穿2次數據
ddr2一個時鍾周期傳4次
所以相同頻率下ddr2的帶寬是ddr的2倍

『陸』 存儲介質都可讀嗎

存儲介質可讀
計算機存儲介質是計算機存儲器中用於存儲某種不連續物理量的媒體。計算機存儲介質主要有半導渣螞或體、磁物老芯、磁鼓、磁帶、激光碟等。

半導體存儲器用於計算機的半導體存儲元件主要有Mos和雙極型兩種。

磁芯存儲器由於成本低，可靠性高，且有20多年的實際使用經驗。

磁鼓存儲器一種磁記錄的如伍外存儲器。

磁碟存儲器一種磁記錄的外存儲器。

『柒』 推薦feed流

feed流是推薦系統的一種常見形式，突出的產品有微博、抖音、朋友圈等

feed： 每一個狀態和消息，通常由老豎用戶更新

流： 特點是持續更新

feed流中最廣泛的形式是Timeline流，分為個人頁Timeline和關注頁Timeline。還可以以用戶喜好程度排序，選出用戶最想看的topN，適用於新聞、商品推薦等場景。

feed流的特點：

1. 多賬號內容流：系統中有一殲派定量的賬號，賬號之間存在關注、取關、拉黑等關系

2. 非穩定賬號關系：用戶間的關系會隨時發生變化

3. 讀寫不平衡：讀多寫少

4. 消息必達性：必須保證相關用戶能看到消息

feed流系統設計：

兩個側重點： 存儲、推送

存儲對於用戶量級比較大的系統來說是難點。

而推送方案里主要有兩種方案， 推模式（寫擴散） 和 拉模式（讀擴散）

兩種模式的對比：

不同模式的適用場景：

拉模式 ：許多feed流系統初版會基於拉模式，因為用戶數較少且日活低，拉取成本較低

推模式：

1. 用戶關系數比較均勻，且有上限，如朋友圈

2. 偏向推薦類feed，同一個feed對不同用戶價值不同，計算feed和用戶間的分數，只推薦給分數較高的用戶

推拉結合模式：大部分 用戶關系數比較均勻，少數用戶千萬級別，無上限。例如微博。能夠解決單純採用推模式時大V用戶高並發寫問題。

以微博為例，使用兩種侍改大推拉模式：

① 在線推，離線拉：大V發布動態後，有限推送給同時在線的粉絲，離線粉絲上線後再拉取該動態。

② 定時推，離線拉：大V發布動態後，以常駐進程的形式推送到粉絲關注✌️。

feed流智能排序（Ranking）:

智能排序基於趨勢trending、熱門hot、用戶生產UGC 、編輯推薦PGC、相似Similarity等等因素綜合考慮，隨著技術的進步智能演算法將會更加懂得用戶的喜好。