存儲器存取周期

㈠ 存儲周期是指

存儲周期：連續啟動兩次操作所需間隔的最小時間

體現主存的速度 （納秒ns）

存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。內存的存取周期一般為60ns-120ns。單位以納秒（ns）度量，換算關系1ns=10-3ms=10-6s，常見的有60ns、70ns、80ns、120ns等幾種，相應在內存條上標為-6、-7、-8、-120等字樣。這個數值越小，存取速度越快，但價格也便隨之上升。在選配內存時，應盡量挑選與CPU系統匯流排時鍾周期相匹配的內存條

存儲周期，通常用訪問周期T（又稱存取周期、存取時間等）表示。

存儲系統的存儲周期與命中率H的關系非常大。

命中率：可以簡單地定義為在M1存儲器中訪問到的概率，它一般用模擬實驗的方法得到。選擇一組有代表性的程序，在程序執行過程中分別統計對M1存儲器的訪問次數N1和對M2存儲器的訪問次數N2，然後代入下面的（3－1）關系式計算。

·······（3－1）

整個存儲系統的訪問周期可以用M1和M2兩個存儲器的訪問周期T1，T2和命中率H來表示：

T＝H·T1＋(1－H)·T2 （3－2）

當命中率H→1時，T→T1，即存儲系統的訪問周期T接近於速度比較快的M1存儲器的訪問周期T1。

㈡ 主存的存取周期通常大於存取時間，為什麼

因為存儲器取完數據會刷新恢復數據，存取周期比存取時間多了一個恢復時間，所以存取周期大於存取時間（DRAM的三種刷新方式）

㈢ 存儲器的存取周期是指()，通常存取周期大於存儲器的讀出時間。

【答案】：C
讀周期是圓笑戚指對晶元進行兩次連續讀操作的最小間隔時間，寫周期是指對晶元進橘陵行連續兩次寫操升和作的最小間隔時間。存取周期是指對晶元進行連續兩次讀寫操作的最小間隔時間。

㈣ 存儲器周期（Memory Cycle）

主存儲器（ Main memory ）是一種讀/寫存儲器（ read/write memory ），它允許以所謂的（ in what is known as ）存儲周期來檢索(讀取)（ retrieved (read) ）和存儲(寫入)（ stored (written) ）數據。

存儲器周期（ The memory cycle ）包括通過讀/寫操作或通過單獨的讀和寫操作（ by separate read and write operations. ）從存儲器中讀出數據和/或將數據寫到存儲器中（ reading the data out of memory and/or writing the data into memory ）。

存儲器周期基於用於從存儲器讀取數據和/或將數據寫入存儲器（ reading and/or writing data from and into memory ）的固定（恆定）時間段（ fixed (constant) time periods ）。

一旦（ As soon as ）啟動（嘩渣褲 initiated ）讀和/或寫操作，幾乎同時發生地址轉換（ address translation occurs ），然後開始（ begin ）一個或多個讀和/或寫周期。

在讀或寫周期開始之前必須發生的最重要的過程之一是內存地址轉換（亂簡 memory address translation ）。

將內存視為從 地址 0 開始到請求者（ CPU or IO(C) ）可用的最大內存地址的一系列內存位置。

接收或發送郵件使用類似的概念（ uses a similar concept ）。在接收或發送郵件之前，信封（ envelope ）上必須有地址。

內存使用相同的原理（ uses the same principle ）。
存儲器邏輯（ Memory logic ）標識要從存儲器中讀取或寫入存儲器字（ a memory word ）的存儲器地址。存儲器地址可以是整個存儲器地址范圍（ 0 到最大值 ）中的任何一個。

為了識別期望的存儲器地址，存儲器邏輯使用被指定為地址寄存器（ the address register ）的寄存器和/或翻譯器或解碼器（ translators or decoders ）。

存儲器邏輯從 CPU 或 I/O 接收邏輯地址（ logical address ），並將其臨時存儲在地址寄存器（ the address register ）中，然後將其轉換為可以讀取或寫入的物理地址（ physical address ）。

地址寄存器和/或轉換器（ The address register and/or translator ）識別（ identifies ）從中讀取或寫入位的確切位置（ the exact location ）。

地址寄存器或轉換器的內容標識存儲器地址（ the memory address ）。

存儲器邏輯旨在（ is designed to ）根據其使用的存儲器類型（ type of memory ）進行選擇。

它可以被設計為識別單個存儲器 pcb （ a single memory pcb ）的存儲器地址，或者可以被設計為識別位於四個或更多存儲器模塊之一（ one of four or more memory moles ）中的地址。

如存儲器的體系結構中所述（ As stated in the architecture of memory ），包含在存儲器地址中的字（ the word ）可以是一個或多個位（ one or more bits ），大多數計算機具有的字至少具有8位，某些字的長度最多為128位。

從內存讀取和/或寫入的變體（ variations ）可以包括字的上半部分或下半部分（ include the upper or lower half of the word ），或給定計算機設計范圍內（ within the design of a given computer ）的任何其他變體。根據指令類型梁沖（ instruction types ）和程序的不同而不同。

同樣，如果將一台計算機標識為 8 位計算機 （ an 8-bit computer ），並且讀或寫操作需要 16 位字 （ a 16-bit word is required for a read or write operation ），則必須使用兩個連續的內存地址（ two consecutive memory addresses ）來完成該操作（ to complete the operation ）。

還有許多其他變體。您計算機的指令集（ the instruction repertoire set of your computer ）和技術手冊（ the technical manual ）將提供有關計算機內存操作和限制的詳細信息（ details of your computer』s memory operations and limitations ）。

這是內存地址轉換（ memory address translation ）的兩個示例（ two examples ）。

對於第一個示例，請參考圖 6-6。
它顯示一個 4 位的存儲器地址（ it shows a 4-bit memory address ）。
內存地址寄存器或轉換器（ The memory address register or translator ）包含16 ₈ ，如下所示：

㈤ 在計算機中什麼是內存存取時間和存儲周期

存取時間，指的是CPU讀或寫內存內數據的過程時間。

以讀取為例，從CPU發出指令給內存時，便會要求內存取用特定地址的數據，內存響應CPU後便會將CPU所需要的數據送給CPU，一直到CPU收到數據為止，便成為一個讀取的流程。

存儲周期：連續啟動兩次讀或寫操作所需間隔的最小時間

內存的存取周期一般為60ns-120ns。單位以納秒（ns）度量，換算關系1ns=10-6ms=10-9s，常見的有60ns、70ns、80ns、120ns等幾種，相應在內存條上標為-6、-7、-8、-120等字樣。這個數值越小，存取速度越快。

(5)存儲器存取周期擴展閱讀

存儲器的兩個基本操作為「讀出」與「寫入」，是指將存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為「取數時間TA」。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為「存儲周期TMC」。半導體存儲器的存取周期一般為6ns～10ns。

其中存儲單元(memory location)簡稱「單元」。為存儲器中存儲一機器字或一位元組的空間位置。一個存儲器劃分為若干存儲單元，並按一定順序編號，稱為「地址」。如一存儲單元存放一有獨立意義的代碼。即存放作為一個整體來處理或運算的一組數字，則稱為「字」。

字的長度，即字所包含的位數，稱為「字長」。如以位元組來劃分存儲單元，則一機器字常須存放在幾個存儲單元中。存儲單元中的內容一經寫入，雖經反復使用，仍保持不變。如須寫入新內容，則原內容被「沖掉」，而變成新寫入的內容。

㈥ 存取器的存取周期是什麼

存儲器存取時間（memory access time）又稱存儲器訪問時間，是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間。 主存儲器得主要性能指標為主存容量﹑存儲器存取時間和存儲周期時間。存儲器的速度一般用存儲器存取時間和存儲周期來表示。
具體來說，存取時間就是：從存儲器接收到讀（或寫）的命令，到從存儲器讀出（或寫入）信息所需要的時間，稱為存儲器存取時間。
存取時間的取決於存儲介質的物理特性和訪問機構的類型。

㈦ 計算機的存取周期是什麼

存取周期：存貯器連續二次獨立的「讀」或「寫」操作所需的最短時間，單位來納秒（ns,1ns=10-9s）。存儲器完成一次「讀」或「寫」操作所需的時間稱為存儲器的訪問時間（或讀寫時間）。

㈧ 什麼是存儲器的存取時間什麼是存取周期兩者之間有什麼區別

存取時間是每次向內存寫入（讀出）數據到完成所需要的所有時間，如寫入時間是指從存儲器接收到數據到寫入被選中位置所需要的時間 讀出同理
存取周期是值 存儲器進行連續兩次獨立的讀（寫）操作所需要的最小時間間隔，
通常存取周期大於存取時間

㈨ 存取時間與存取周期的區別存儲器帶寬的含義是什麼

存儲器帶寬的含義是指單位時間里存儲器所存取的信息量。

一、主體不同

1、存取時間：是CPU讀或寫內存內數據的過孫雹程時間。

2、存取周期：連續啟動帆凱空兩次獨立的「讀」或「寫」操作（如連續的兩次「讀」操作）所需的最短時間。

二、原理不同

1、存取時間：從CPU發出指令給內存時，態瞎便會要求內存取用特定地址的數據，內存響應CPU後便會將CPU所需要的數據送給CPU，一直到CPU收到數據為止，便成為一個讀取的流程。

2、存取周期：將存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔。

三、代表含義不同

1、存取時間：用存取時間的倒數來表示速度。

2、存取周期：為存儲器的性能指標之一，直接影響電子計算機的技術性能。

㈩ 下列存儲器中，存取周期最短的是（） A：硬碟存儲器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM

SRAM。

SRAM主要用於二級高速緩存掘敬（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。

SRAM是靜態存儲方式，以雙穩態電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由於存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。

(10)存儲器存取周期擴展閱讀

SRAM可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址解碼器(decode），靈敏放大器(Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅動電路（FFIO）判山慎。

存取周期為存儲器的性能指標之一，直接影響電子計算機的技術性能。存儲周期愈短，運算速度愈快，但對存儲元件及工藝的要求也愈高。

例如磁芯存儲器的存取周期為零點幾到幾個微秒。半導體存儲器的存取周期通常在幾十到幾百毫微秒之間。那麼半導體存儲器的性能比磁芯存儲器的性能要好。