hpe存儲器介紹

A. 介紹每級存儲器的作用和特點

每級存儲器的作用和特點：

二級緩存(L2 CACHE)是CPU(CPU)里邊的多個緩沖存儲器。它分里邊和外部兩種晶元：里邊的晶元二級緩存運行速度與主頻相同，而外部的二級緩存則僅有主頻的一半。

由於一級緩存容量的限制，為了再次提高CPU的運算速度，在CPU外部放置一高速存儲器，即二級緩存。

二級緩存工作主頻比較靈活，能與CPU同頻，也能不相同。CPU在讀取數據時，先在一級緩存中尋找，再從二級緩存尋找，之後是內存，在後是外存儲器。因此二級緩存對系統(System)的影響是不容忽視的。

存儲器MAINmemory簡稱主存。是計算機的1個重要部件，其作用是存放指令和數據，並能由中央CPU(CPU)(CPU)直接隨機存取。現代計算機是為了提高性能，又能兼顧合理的造價，往往採用多級存儲體系。即由存儲容量尺迅小，存取速度高的高速緩沖存儲器，存儲容量和存取速度適中的主存儲器是必不成少的。

主存儲器是按地址存放信息的，存取速度一般與地址無關。32位(比特)的地址最大能表達4GB的存儲器地址。這樣個對多數應用剛剛足夠，但對於備困枝某些特大運算量的應用和特仿敏大型資料庫已顯得不夠，從面對64位結構提出要要。

B. 路由器的存儲器有哪些分別有什麼作用交換機的配置文件和ios分別放在哪個存儲器

首先介紹Cisco路由器的存儲器
路由器與計算機有相似點是，它也有內存、操作系統、配置和用戶界面，Cisco路由器中，操作系統叫做
互連網操作系統（Internetwork Operating System）或IOS。下面主要介紹路由器的存儲器。
ROM：只讀存儲器包含路由器正在使用的IOS的一份副本；
RAM:IOS將隨機訪問存儲器分成共享和主存。主要用來存儲運行中的路由器配置和與路由協議有關的IOS數據結構；
快閃記憶體（FLASH）：用來存儲IOS軟體映像文件，快閃記憶體是可以擦除內存，它能夠用IOS的新版本覆寫，IOS升級主要是快閃記憶體中的IOS映像文件進行更換。
NVRAM：非易失性隨機訪問存儲器，用來存儲系統的配置文件。
下表是常用類型路由器的內存功能。
表：路由器內存詳細信息一覽表
內存類型
2500、2600、3600
4000、7000
ROM
不能升級的基本IOS
可升級IOS
共享RAM
存儲緩沖區

C. 存儲器的原理是什麼

存儲器講述工作原理及作用

介紹

存儲器(Memory)是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器;在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等;在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器(內存)和輔助存儲器(外存),也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。

2.按存取方式分類

(1)隨機存儲器(RAM)：如果存儲器中任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間與存儲單元的物理位置無關，則這種存儲器稱為隨機存儲器(RAM)。RAM主要用來存放各種輸入/輸出的程序、數據、中間運算結果以及存放與外界交換的信息和做堆棧用。隨機存儲器主要充當高速緩沖存儲器和主存儲器。

(2)串列訪問存儲器(SAS)：如果存儲器只能按某種順序來存取，也就是說，存取時間與存儲單元的物理位置有關，則這種存儲器稱為串列訪問存儲器。串列存儲器又可分為順序存取存儲器(SAM)和直接存取存儲器(DAM)。順序存取存儲器是完全的串列訪問存儲器，如磁帶，信息以順序的方式從存儲介質的始端開始寫入(或讀出);直接存取存儲器是部分串列訪問存儲器，如磁碟存儲器，它介於順序存取和隨機存取之間。

(3)只讀存儲器(ROM)：只讀存儲器是一種對其內容只能讀不能寫入的存儲器，即預先一次寫入的存儲器。通常用來存放固定不變的信息。如經常用作微程序控制存儲器。目前已有可重寫的只讀存儲器。常見的有掩模ROM(MROM)，可擦除可編程ROM(EPROM)，電可擦除可編程ROM(EEPROM).ROM的電路比RAM的簡單、集成度高，成本低，且是一種非易失性存儲器，計算機常把一些管理、監控程序、成熟的用戶程序放在ROM中。

3.按信息的可保存性分類

非永久記憶的存儲器：斷電後信息就消失的存儲器，如半導體讀/寫存儲器RAM。

永久性記憶的存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器，如磁性材料做成的存儲器以及半導體ROM。

4.按在計算機系統中的作用分

根據存儲器在計算機系統中所起的作用，可分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器、控制存儲器等。為了解決對存儲器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常採用多級存儲器體系結構，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。

能力影響

從寫命令轉換到讀命令，在某個時間訪問某個地址，以及刷新數據等操作都要求數據匯流排在一定時間內保持休止狀態，這樣就不能充分利用存儲器通道。此外，寬並行匯流排和DRAM內核預取都經常導致不必要的大數據量存取。在指定的時間段內，存儲器控制器能存取的有用數據稱為有效數據速率，這很大程度上取決於系統的特定應用。有效數據速率隨著時間而變化，常低於峰值數據速率。在某些系統中，有效數據速率可下降到峰值速率的10%以下。

通常，這些系統受益於那些能產生更高有效數據速率的存儲器技術的變化。在CPU方面存在類似的現象，最近幾年諸如AMD和 TRANSMETA等公司已經指出，在測量基於CPU的系統的性能時，時鍾頻率不是唯一的要素。存儲器技術已經很成熟，峰值速率和有效數據速率或許並不比以前匹配的更好。盡管峰值速率依然是存儲器技術最重要的參數之一，但其他結構參數也可以極大地影響存儲器系統的性能。

影響有效數據速率的參數

有幾類影響有效數據速率的參數，其一是導致數據匯流排進入若干周期的停止狀態。在這類參數中，匯流排轉換、行周期時間、CAS延時以及RAS到CAS的延時(tRCD)引發系統結構中的大部分延遲問題。

匯流排轉換本身會在數據通道上產生非常長的停止時間。以GDDR3系統為例，該系統對存儲器的開放頁不斷寫入數據。在這期間，存儲器系統的有效數據速率與其峰值速率相當。不過，假設100個時鍾周期中，存儲器控制器從讀轉換到寫。由於這個轉換需要6個時鍾周期，有效的數據速率下降到峰值速率的 94%。在這100個時鍾周期中，如果存儲器控制器將匯流排從寫轉換到讀的話，將會丟失更多的時鍾周期。這種存儲器技術在從寫轉換到讀時需要15個空閑周期，這會將有效數據速率進一步降低到峰值速率的79%。表1顯示出針幾種高性能存儲器技術類似的計算結果。

顯然，所有的存儲器技術並不相同。需要很多匯流排轉換的系統設計師可以選用諸如XDR、RDRAM或者DDR2這些更高效的技術來提升性能。另一方面，如果系統能將處理事務分組成非常長的讀寫序列，那麼匯流排轉換對有效帶寬的影響最小。不過，其他的增加延遲現象，例如庫(bank)沖突會降低有效帶寬，對性能產生負面影響。

DRAM技術要求庫的頁或行在存取之前開放。一旦開放，在一個最小周期時間，即行周期時間(tRC)結束之前，同一個庫中的不同頁不能開放。對存儲器開放庫的不同頁存取被稱為分頁遺漏，這會導致與任何tRC間隔未滿足部分相關的延遲。對於還沒有開放足夠周期以滿足tRC間隙的庫而言，分頁遺漏被稱為庫沖突。而tRC決定了庫沖突延遲時間的長短，在給定的DRAM上可用的庫數量直接影響庫沖突產生的頻率。

大多數存儲器技術有4個或者8個庫，在數十個時鍾周期具有tRC值。在隨機負載情況下，那些具有8個庫的內核比具有4個庫的內核所發生的庫沖突更少。盡管tRC與庫數量之間的相互影響很復雜，但是其累計影響可用多種方法量化。

存儲器讀事務處理

考慮三種簡單的存儲器讀事務處理情況。第一種情況，存儲器控制器發出每個事務處理，該事務處理與前一個事務處理產生一個庫沖突。控制器必須在打開一個頁和打開後續頁之間等待一個tRC時間，這樣增加了與頁循環相關的最大延遲時間。在這種情況下的有效數據速率很大程度上決定於I/O，並主要受限於DRAM內核電路。最大的庫沖突頻率將有效帶寬削減到當前最高端存儲器技術峰值的20%到30%。

在第二種情況下，每個事務處理都以隨機產生的地址為目標。此時，產生庫沖突的機會取決於很多因素，包括tRC和存儲器內核中庫數量之間的相互作用。tRC值越小，開放頁循環地越快，導致庫沖突的損失越小。此外，存儲器技術具有的庫越多，隨機地址存取庫沖突的機率就越小。

第三種情況，每個事務處理就是一次頁命中，在開放頁中定址不同的列地址。控制器不必訪問關閉頁，允許完全利用匯流排，這樣就得到一種理想的情況，即有效數據速率等於峰值速率。

第一種和第三種情況都涉及到簡單的計算，隨機情況受其他的特性影響，這些特性沒有包括在DRAM或者存儲器介面中。存儲器控制器仲裁和排隊會極大地改善庫沖突頻率，因為更有可能出現不產生沖突的事務處理，而不是那些導致庫沖突的事務處理。

然而，增加存儲器隊列深度未必增加不同存儲器技術之間的相對有效數據速率。例如，即使增加存儲器控制隊列深度，XDR的有效數據速率也比 GDDR3高20%。存在這種增量主要是因為XDR具有更高的庫數量以及更低的tRC值。一般而言，更短的tRC間隔、更多的庫數量以及更大的控制器隊列能產生更高的有效帶寬。

實際上，很多效率限制現象是與行存取粒度相關的問題。tRC約束本質上要求存儲器控制器從新開放的行中存取一定量的數據，以確保數據管線保持充滿。事實上，為保持數據匯流排無中斷地運行，在開放一個行之後，只須讀取很少量的數據，即使不需要額外的數據。

另外一種減少存儲器系統有效帶寬的主要特性被歸類到列存取粒度范疇，它規定了每次讀寫操作必須傳輸的數據量。與之相反，行存取粒度規定每個行激活(一般指每個RAS的CAS操作)需要多少單獨的讀寫操作。列存取粒度對有效數據速率具有不易於量化的巨大影響。因為它規定一個讀或寫操作中需要傳輸的最小數據量，列存取粒度給那些一次只需要很少數據量的系統帶來了問題。例如，一個需要來自兩列各8位元組的16位元組存取粒度系統，必須讀取總共32位元組以存取兩個位置。因為只需要32個位元組中的16個位元組，系統的有效數據速率降低到峰值速率的50%。匯流排帶寬和脈沖時間長度這兩個結構參數規定了存儲器系統的存取粒度。

匯流排帶寬是指連接存儲器控制器和存儲器件之間的數據線數量。它設定最小的存取粒度，因為對於一個指定的存儲器事務處理，每條數據線必須至少傳遞一個數據位。而脈沖時間長度則規定對於指定的事務處理，每條數據線必須傳遞的位數量。每個事務處理中的每條數據線只傳一個數據位的存儲技術，其脈沖時間長度為1。總的列存取粒度很簡單：列存取粒度=匯流排寬度×脈沖時間長度。

很多系統架構僅僅通過增加DRAM器件和存儲匯流排帶寬就能增加存儲系統的可用帶寬。畢竟，如果4個400MHz數據速率的連接可實現 1.6GHz的總峰值帶寬，那麼8個連接將得到3.2GHz。增加一個DRAM器件，電路板上的連線以及ASIC的管腳就會增多，總峰值帶寬相應地倍增。

首要的是，架構師希望完全利用峰值帶寬，這已經達到他們通過物理設計存儲器匯流排所能達到的最大值。具有256位甚或512位存儲匯流排的圖形控制器已並不鮮見，這種控制器需要1,000個，甚至更多的管腳。封裝設計師、ASIC底層規劃工程師以及電路板設計工程師不能找到採用便宜的、商業上可行的方法來對這么多信號進行布線的矽片區域。僅僅增加匯流排寬度來獲得更高的峰值數據速率，會導致因為列存取粒度限制而降低有效帶寬。

假設某個特定存儲技術的脈沖時間長度等於1，對於一個存儲器處理，512位寬系統的存取粒度為512位(或者64位元組)。如果控制器只需要一小段數據，那麼剩下的數據就被浪費掉，這就降低了系統的有效數據速率。例如，只需要存儲系統32位元組數據的控制器將浪費剩餘的32位元組，進而導致有效的數據速率等於50%的峰值速率。這些計算都假定脈沖時間長度為1。隨著存儲器介面數據速率增加的趨勢，大多數新技術的最低脈沖時間長度都大於1。

選擇技巧

存儲器的類型將決定整個嵌入式系統的操作和性能，因此存儲器的選擇是一個非常重要的決策。無論系統是採用電池供電還是由市電供電，應用需求將決定存儲器的類型(易失性或非易失性)以及使用目的(存儲代碼、數據或者兩者兼有)。另外，在選擇過程中，存儲器的尺寸和成本也是需要考慮的重要因素。對於較小的系統，微控制器自帶的存儲器就有可能滿足系統要求，而較大的系統可能要求增加外部存儲器。為嵌入式系統選擇存儲器類型時，需要考慮一些設計參數，包括微控制器的選擇、電壓范圍、電池壽命、讀寫速度、存儲器尺寸、存儲器的特性、擦除/寫入的耐久性以及系統總成本。

選擇存儲器時應遵循的基本原則

1、內部存儲器與外部存儲器

一般情況下，當確定了存儲程序代碼和數據所需要的存儲空間之後，設計工程師將決定是採用內部存儲器還是外部存儲器。通常情況下，內部存儲器的性價比最高但靈活性最低，因此設計工程師必須確定對存儲的需求將來是否會增長，以及是否有某種途徑可以升級到代碼空間更大的微控制器。基於成本考慮，人們通常選擇能滿足應用要求的存儲器容量最小的微控制器，因此在預測代碼規模的時候要必須特別小心，因為代碼規模增大可能要求更換微控制器。目前市場上存在各種規模的外部存儲器器件，我們很容易通過增加存儲器來適應代碼規模的增加。有時這意味著以封裝尺寸相同但容量更大的存儲器替代現有的存儲器，或者在匯流排上增加存儲器。即使微控制器帶有內部存儲器，也可以通過增加外部串列EEPROM或快閃記憶體來滿足系統對非易失性存儲器的需求。

2、引導存儲器

在較大的微控制器系統或基於處理器的系統中，設計工程師可以利用引導代碼進行初始化。應用本身通常決定了是否需要引導代碼，以及是否需要專門的引導存儲器。例如，如果沒有外部的定址匯流排或串列引導介面，通常使用內部存儲器，而不需要專門的引導器件。但在一些沒有內部程序存儲器的系統中，初始化是操作代碼的一部分，因此所有代碼都將駐留在同一個外部程序存儲器中。某些微控制器既有內部存儲器也有外部定址匯流排，在這種情況下，引導代碼將駐留在內部存儲器中，而操作代碼在外部存儲器中。這很可能是最安全的方法，因為改變操作代碼時不會出現意外地修改引導代碼。在所有情況下，引導存儲器都必須是非易失性存儲器。

可以使用任何類型的存儲器來滿足嵌入式系統的要求，但終端應用和總成本要求通常是影響我們做出決策的主要因素。有時，把幾個類型的存儲器結合起來使用能更好地滿足應用系統的要求。例如，一些PDA設計同時使用易失性存儲器和非易失性存儲器作為程序存儲器和數據存儲器。把永久的程序保存在非易失性ROM中，而把由用戶下載的程序和數據存儲在有電池支持的易失性DRAM中。不管選擇哪種存儲器類型，在確定將被用於最終應用系統的存儲器之前，設計工程師必須仔細折中考慮各種設計因素。

D. hpe伺服器是什麼品牌

hpe伺服器是慧與品牌。
hpe伺服器是慧與旗下的產品，慧與是世界著名的老牌伺服器廠商，擁有企業級IT市場最全面的產品組合，包括全球銷量第一面向重要業務應用的工業標准伺服器（ProLiant）。
慧與旗下的產品：全球第一款基於開放平台的關鍵業務伺服器（Superdome X）和高端容錯伺服器（Nonstop X），業界第一款軟體定義伺服器（Moonshot），專為高性能計算設計的伺服器（Apollo），還擁有包括全球首款企業級高端全快閃記憶體（3PAR）在內的全面的存儲產品。

E. 什麼是寄存器的容量衡量存儲器容量的單位是什麼

介紹一些最新的RAM技術詞彙
CDRAM-Cached DRAM——高速緩存存儲器
CVRAM-Cached VRAM——高速緩存視頻存儲器
DRAM-Dynamic RAM——動態存儲器
EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動態存儲器
EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充數據模式存儲器
EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充數據模式靜態存儲器
EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充數據模式視頻存儲器
FPM-Fast Page Mode——快速頁模式
FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體存儲器
SDRAM-Synchronous DRAM——同步動態存儲器
SRAM-Static RAM——靜態存儲器
SVRAM-Synchronous VRAM——同步視頻存儲器
3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視頻處理器專用存儲器
VRAM-Video RAM——視頻存儲器
WRAM-Windows RAM——視頻存儲器(圖形處理能力優於VRAM)
MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動態存儲器
SGRAM-Signal RAM——單口存儲器

2.存儲器有哪些主要技術指標

存儲器是具有「記憶」功能的設備，它用具有兩種穩定狀態的物理器件來表示二進制數碼「0」和「1」，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發器、MOS電路或電容器等。位(bit)是二進制數的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數稱為一個位元組(Byte)，可以由一個位元組或若干個位元組組成一個字(Word)在PC機中一般認為1個或2個位元組組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個存儲體(MemoryBank)。碧舉為了區分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它裡面存放的內容完全是兩回事。

根據存儲器在計算機中處於不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內部，直悔圓碧接與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內存儲器。在執行期間，程序的數據放在主存儲器內。各個存儲單元的內容可通過指令隨機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，裡面存放一次性寫入的程序或數據，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。RAM中存取的數據掉電後就會丟失，而掉電後ROM中的數據可保持不變。因為結構、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而採用了大容量的輔助存儲器或稱外存儲器，如磁碟、光碟等。存儲器的特性由它的技術參數來描述。

存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。一般主存儲器(內存)容量在幾十K到幾十M位元組左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M位元組。

存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。

存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。

性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容。性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。對於外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不腔段一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統很重要的指標。

SDARM能成為下一代內存的主流嗎

快頁模式(FPM)DRAM的黃金時代已經過去。隨著高效內存集成電路的出現和為優化Pentium晶元運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯晶元組的支持，人們越來越傾向於採用擴展數據輸出(EDO)DRAM。EDO DRAM採用一種特殊的內存讀出電路控制邏輯，在讀寫一個地址單元時，同時啟動下一個連續地址單元的讀寫周期。從而節省了重選地址的時間，使存儲匯流排的速率提高到40MHz。也就是說，與快頁內存相比，內存性能提高了將近15%～30%，而其製造成本與快頁內存相近。但是EDO內存也只能輝煌一時，其稱霸市場的時間將極為短暫。不久以後市場上主流CPU的主頻將高達200MHz以上。為優化處理器運行效能，匯流排時鍾頻率至少要達到66MHz以上。多媒體應用程序以及Windows 95和Windows NT操作系統對內存的要求也越來越高，為緩解瓶頸，只有採用新的內存結構，以支持高速匯流排時鍾頻率，而不至於插入指令等待周期。這樣，為適應下一代主流CPU的需要，在理論上速度可與CPU頻率同步，與CPU共享一個時鍾周期的同步DRAM(SYNCHRONOUS DRAMS)即SDRAM(注意和用作CACHE的SRAM區別，SRAM的全寫是Static RAM即靜態RAM，速度雖快，但成本高，不適合做主存)應運而生，與其它內存結構相比，性能價格比最高，勢必將成為內存發展的主流。

SDRAM基於雙存儲體結構，內含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據的同時，另一個已准備好讀寫數據。通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提高。去年推出的SDRAM最高速度可達100MHz，與中檔Pentium同步，存儲時間高達5～8ns，可將Pentium系統性能提高140%，與Pentium 100、133、166等每一檔次只能提高性能百分之幾十的CPU相比，換用SDRAM似乎是更明智的升級策略。在去年初許多DRAM生產廠家已開始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM內存條，但其成本較高。現在每一個內存生產廠家都在擴建SDRAM生產線。預計到今年底和1998年初，隨著64M SDRAM內存條的大量上市，SDRAM將占據主導地位。其價格也將大幅下降。

但是SDRAM的發展仍有許多困難要加以克服，其中之一便是主板核心邏輯晶元組的限制。VX晶元組已開始支持168線SDRAM，但一般VX主板只有一條168線內存槽，最多可上32M SDRAM，而簡潔高效的HX主板則不支持SDRAM。預計下一代Pentium主板晶元組TX將更好的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板晶元組TX將更好的支持SDRAM。

SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡專用內存方面也有廣泛應用。對顯示卡來說，數據帶寬越寬，同時處理的數據就越多，顯示的信息就越多，顯示質量也就越高。以前用一種可同時進行讀寫的雙埠視頻內存(VRAM)來提高帶寬，但這種內存成本高，應用受很大限制。因此在一般顯示卡上，廉價的DRAM和高效的EDO DRAM應用很廣。但隨著64位顯示卡的上市，帶寬已擴大到EDO DRAM所能達到的帶寬的極限，要達到更高的1600×1200的解析度，而又盡量降低成本，就只能採用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。SDRAM也將應用於共享內存結構(UMA)——一種集成主存和顯示內存的結構。這種結構在很大程度上降低了系統成本，因為許多高性能顯示卡價格高昂，就是因為其專用顯示內存成本極高，而UMA技術將利用主存作顯示內存，不再需要增加專門顯示內存，因而降低了成本。

什麼是Flash Memory存儲器

介紹關於閃速存儲器有關知識近年來，發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫，功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。由於Flash Memory的獨特優點，如在一些較新的主板上採用Flash ROM BIOS，會使得BIOS升級非常方便。Flash Memory可用作固態大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬碟的手段。由於Flash Memory集成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。目前研製的Flash Memory都符合PCMCIA標准，可以十分方便地用於各種攜帶型計算機中以取代磁碟。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為Flash存儲器卡，此卡中只有Flash Memory晶元組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為Flash驅動卡，此卡中除Flash晶元外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標准兼容，可在DOS下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態盤。Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性高，重量輕，但容量不大的攜帶型系統中。在586微機中已把BIOS系統駐留在Flash存儲器中。(文章來源：硬體時空)

F. 存儲器分為哪兩大類

存儲器分乎羨歷為內存儲器（簡稱主存或內存）和外存儲器（簡稱輔存或外存）。

內存儲器在程序執行期間被計算機頻繁地使用，並且在一個指令周期期間是可直接訪問的。外存儲器要求計算機從一個外貯藏裝置例如磁帶或磁碟中讀取信息。這與學生在課堂上做筆記相類似。如果學生沒有看筆記就知道內容，信息就被存儲在「內存儲器」中。如果學生必須查閱筆記，那麼信息就在「外存儲器」中。

主存儲器介紹：

主歲搜存儲器是指中央處理器（CPU)可以直接訪問的、存放當前正在使用的（即執行中）程序和數據的存儲器，簡稱主存。它的物理實質就是一組或多組具備數據輸入輸出和數據存儲功能的集成電路，內存只用於暫時存放程序和數據，一旦關閉電源或發生斷電，其中的程序和數據就會丟失。

主存儲器從派岩70年代起，已逐步採用大規模集成電路構成。用得最普遍的也是最經濟的動態隨機存儲器晶元（DRAM）。

G. 單片機中EEPROM,FLASH ROM存儲器與ROM存儲器有什麼區別

嘿嘿 俺來幫你介紹一下各種存儲器的區別吧
1 單片機中存儲器的種類 比較多 常用的有：
ROM 叫掩模程序存儲器 實在生產晶元時 一同將程序固定在晶元中 出廠後不可再改變了
使用起來比較麻煩 現在單片機已經很少使用了
PROM 一次性的 用戶只能燒寫一次 被燒斷的絲 將永久損壞 不可再恢復
EPROM 是紫外線可擦除的 晶元上 帶有一個窗口 可以多次使用 用紫外線照射窗口20分鍾
可以修復被燒的絲 修復後又成為一個空白晶元 可以再次燒寫用戶程序
EEPROM 為電擦除的 不用插拔 可以在線擦除 能夠多次反復使用 可燒寫次數一般達
到1萬 次以上 但擦寫速度要比RAM讀寫存儲器要慢好幾個數量級。
FLASH ROM 實際上就是 RAM存儲器 在晶元中植入一個微型電源 可以像ROM一樣
保證信息不丟失 但由於是RAM 讀寫的速度快 故叫 快閃記憶體

呵呵 滿意 就給加分吧

H. 存儲器的工作原理

這里只介紹動態存儲器(DRAM)的工作原理。
動態存儲器每片只有一條輸入數據線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統地址匯流排和晶元地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址匯流排信號能分時地加到8個地址的引腳上，藉助晶元內部的行鎖存器、列鎖存器和解碼電路選定晶元內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。
當要從DRAM晶元中讀出數據時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而後送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在晶元內部。接著將列地址加到晶元的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在晶元內部。然後保持WE=1，則在CAS有效期間數據輸出並保持。
當需要把數據寫入晶元時，行列地址先後將RAS和CAS鎖存在晶元內部，然後，WE有效，加上要寫入的數據，則將該數據寫入選中的存貯單元。
由於電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態存儲電路的各存儲單元執行重讀操作，以保持電荷穩定，這個過程稱為動態存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。首先應用可編程定時器8253的計數器1，每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。

I. 簡述計算機存儲系統的三級存儲體系概念

計算機存儲器包括主存(main memory)，輔存(mass storage)和寄存器(register)。主存就是平時所說的內存，計算機運行時操作系統和其它進程的代碼存儲在其中。輔存主要指硬碟，也包括其它輔助存儲設備，如軟盤，U盤，光碟等，可以存放大量數據。寄存器位於CPU內，在指令執行時起臨時存放作用。

寄存器和主存、主存和輔存之間存在不停的數據傳輸和交流，其速度和容量就影響了計算機的性能。如果寄存器和主存之間每條指令和每個數據都進行一次傳輸，那麼計算機的運行速度就受到限制。因此出現了高速緩沖存儲器(cache memory)，用於成批處理寄存器內的數據，以同主存進行交流。而且頻繁使用的數據，CPU可以直接從高速緩存中讀取，減少CPU的等待時間，提高系統效率。內存的容量有限，有時不能一次載入硬碟中所需的數據，這里會出現虛擬存儲(virtual memory)的概念。虛擬存儲是指當要接收的數據超過內存容量時，系統會在硬碟內分配足夠的空間存儲這些數據，再把這些數據分成很多頁(page)，再根據需要實時地把一定的頁載入內存，這樣用戶感覺內存的容量就比真實的容量偏大。

另外，緩沖區(buffer)是用於存儲速度不同步的設備或優先順序不同的設備之間傳輸數據的區域，使進程之間的相互等待變少，從而使從速度慢的設備讀入數據時，速度快的設備的操作進程不發生間斷。

這里再順便說下離線(spooling)的概念。離線是指當多個進程要求同時使用非共享資源如列印機時，系統會根據需求把所有的數據同時讀取到硬碟，再在列印機上逐個列印，這樣給用戶的感覺就是一台列印機同時列印多個進程包含的文件。

以下引用主要區別高速緩存(cache)和緩沖區(buffer)：

Cache：高速緩存，是位於CPU與主內存間的一種容量較小但速度很高的存儲器。由於CPU的速度遠高於主內存，CPU直接從內存中存取數據要等待一定時間周期， Cache中保存著CPU剛用過或循環使用的一部分數據，當CPU再次使用該部分數據時可從Cache中直接調用,這樣就減少了CPU的等待時間,提高了系統的效率。Cache又分為一級Cache(L1 Cache)和二級Cache(L2 Cache)，L1 Cache集成在CPU內部，L2 Cache早期一般是焊在主板上,現在也都集成在CPU內部，常見的容量有256KB或512KB L2 Cache。

Buffer：緩沖區，一個用於存儲速度不同步的設備或優先順序不同的設備之間傳輸數據的區域。通過緩沖區，可以使進程之間的相互等待變少，從而使從速度慢的設備讀入數據時，速度快的設備的操作進程不發生間斷。

Buffer和cache都是佔用內存：

Buffer: 作為buffer cache的內存，是塊設備的讀寫緩沖區

Cache: 作為page cache的內存, 文件系統的cache
如果cache的值很大，說明cache住的文件數很多。如果頻繁訪問到的文件都能被cache住，那麼磁碟的讀IO bi會非常小。

J. 什麼是存儲器

存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存），也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。
存儲器的分類特點及其應用
在嵌入式系統中最常用的存儲器類型分為三類：
1．隨機存取的RAM;
2．只讀的ROM;
3．介於兩者之間的混合存儲器
1.隨機存儲器（Random Access Memory，RAM）
RAM能夠隨時在任一地址讀出或寫入內容。 RAM的優點是讀/寫方便、使用靈活；
RAM的缺點是不能長期保存信息，一旦停電，所存信息就會丟失。 RAM用於二進制信息的臨時存儲或緩沖存儲
2.只讀存儲器（Read-Only Memory，ROM）
ROM中存儲的數據可以被任意讀取，斷電後，ROM中的數據仍保持不變，但不可以寫入數據。
ROM在嵌入式系統中非常有用，常常用來存放系統軟體（如ROM BIOS）、應用程序等不隨時間改變的代碼或數據。
ROM存儲器按發展順序可分為：掩膜ROM、可編程ROM（PROM）和可擦寫可編程ROM（EPROM）攔耐。
3. 混合存儲器
混合存儲器既可以隨意讀寫，又可以蘆族在斷電後保持設備中的數據不變。混合存儲設備可分為三種：
EEPROM NVRAM FLASH
（1）EEPROM
EEPROM是電可擦寫可編程存儲設備，與EPROM不同的是EEPROM是用電來實現數據的清除，而不是通過紫外線照射實現的。
EEPROM允許用戶以位元組為單位多次用電擦除和改寫內容，而且可以直接在機內進行，不需要專用設備，方便靈活，常用作對數據、參數等經常修改又有掉電保護要求的數據存儲器。
（2） NVRAM
NVRAM通常就是帶有後備電池的SRAM。當電源接通的時候，NVRAM就像任何其他SRAM一樣，但是當電源切斷的時候，NVRAM從電池中獲取足夠的電力以保持其中現存的內容。
NVRAM在嵌入式系統中使用十分普遍，它最大的缺點是價格昂貴，因此，它的應用被限制於存儲僅僅幾百位元組的系統關鍵信息。
（3）Flash
Flash（閃速存儲器，簡稱快閃記憶體）是不需要Vpp電壓信號的EEPROM，一個扇區的位元組可以在瞬間（與單時鍾周期比較是一個非常短的時間）擦除。
Flash比EEPROM優越的方面是，可以同時擦除許多位元組，節省了每次寫數據前擦除的時間，但一旦一個扇區被擦除，必須逐個位元組地寫進去，其寫入時間很長。
存儲器工作原理
這里只介紹動態存儲器（DRAM）的工作原理。

工作原理
動態存儲器每片只有一條輸入數據線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統地址匯流排和晶元地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址匯流排信號能分時地加到8個地址的引腳上，藉助晶元內部的行鎖存器、列鎖存器和解碼電路選定晶元內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。
當要從DRAM晶元中讀出數據時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而後送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在晶元內部。接著將列地址加到晶元的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的陪衡弊下降沿將列地址鎖存在晶元內部。然後保持WE=1，則在CAS有效期間數據輸出並保持。
當需要把數據寫入晶元時，行列地址先後將RAS和CAS鎖存在晶元內部，然後，WE有效，加上要寫入的數據，則將該數據寫入選中的存貯單元。

存儲器晶元
由於電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態存儲電路的各存儲單元執行重讀操作，以保持電荷穩定，這個過程稱為動態存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。首先應用可編程定時器8253的計數器1，每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。