雙穩存儲態
❶ 靜態存儲器和動態存儲器器件的特性有哪些主要區別各自主要應用在什麼地方
靜態存儲器依靠雙穩態觸發器的兩個穩定狀態保存信息。每個雙穩態電路存儲一位二進制代碼0或1，一塊存儲晶元上包含許多個這樣的雙穩態電路。雙穩態電路是有源器件，需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩定的保存信息，所以稱為靜態存儲器。如果斷電，信息將會丟失，屬於揮發性存儲器，或稱易失性。
動態存儲器是採用超大容量的存儲技術，但是，其存儲組件要求由處理器控制的刷新周期。它與靜態存儲器等其它存儲技術相比，耗電量相對較高。優點： 跟其它類型的存儲器相比，每兆比特的價格為最低。
所有類型的計算機系統、行動電話等移動裝置、數據記錄設備、列印機、控制系統等都屬於動態儲存器。
❷ SRAM什麼結構導致其保存數據快速穩定
半導體存儲器SRAM是靠雙穩態存儲信息,而半導體存儲器DRAM則是靠電容存儲，半導體靜態存儲器SRAM的存儲原理是依靠雙穩態電路存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元,它可存儲一個二進制代碼.由若干個存儲元組成一個存儲單元,然後再由許多存儲單元組成一個存儲器,就用來存放程序和數據了.
❸ 比較動態存儲器dram和靜態存儲器sram的異同點
SRAM中文含義為靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。「靜態」是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。然後，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。「隨機訪問」是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。
SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩定狀態，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用於控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快於DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。
SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。
從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為非同步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。非同步SRAM的訪問獨立於時鍾，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鍾的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均於時鍾信號相關。
DRAM：動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。
SRAM：靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。
SDRAM：同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鍾來同步。主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。一個是靜態的，一個是動態的，靜態的是用的雙穩態觸發器來保存信息，而動態的是用電子，要不時的刷新來保持。 內存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態隨機存儲器SRAM，和動態隨機存儲器DRAM兩種。我們經常說的「 內存」是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。
SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保 持數據完整性。SRAM內部採用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。製造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用於CPU 內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網路伺服器以及路由器上能夠使用SRAM
❹ 什麼是雙穩態電路,有什麼特點啊
雙穩態觸發器是脈沖和數字電路中常用的基本觸發器之一。雙穩態觸發器的特點是具有兩個穩定的狀態，並且在外加觸發信號的作用下，可以由一種穩定狀態轉換為另一種穩定狀態。
在沒有外加觸發信號時，現有狀態將一直保持下去，雙穩態觸發器可以由晶體管、數散悔兆字電路或時基電路等構成。
雙穩態觸發器的工作過程：
雙穩態觸發器的兩個穩定狀態是：要麼VT1導通，VT2截止；要麼VT2導通，VT1截止。1）VT1導通，VT2截止時的情況
因為VT1導通，Uc1=0V，VT2因無基極偏流而截至，此時Uc2=+VCC，通過R5向VT1提供基極偏流，使VT1保持導通，如下圖所示，電路處於穩定狀態。
(4)雙穩存儲態擴展閱讀
雙穩態觸發器的觸發方式有單端觸發和計數觸發兩種。
1）單端觸發：
單端前游觸發就是把兩路觸發脈沖分別加到兩個晶體管的基極，該單端觸發電路採用的是將負沖租脈沖加至導通管基極使其截止的方法，C1與R7，C2與R8分別組成兩路觸發脈沖的微分電路，二極體VD1，VD2隔離正脈沖，只允許負脈沖加到晶體管基極。
2）計數觸發：
計數觸發電路，與單端觸發電路不同的是，計數觸發電路只有一個觸發輸入端，並且微分電阻R7，R8不接地而是改接至本側晶體管集電極。
當觸發端加上觸發脈沖時，經微分後產生的負脈沖使導通管截止，而對截止管不起作用。因此，每一個觸發脈沖都使雙穩態觸發器翻轉一次，電阻R7，R8起引導作用，使每次負脈沖只加到導通管基極，保證電路可靠翻轉。
❺ 為什麼sram的儲存元又雙穩電路構成
雙穩態電路開關速度高，CMOS+電容的方式開關速度低多了。對於要求高速工作在開關狀態下的電路，一定是多晶體管少電容的。儲存電路虧散既要能明確地穩定彎辯保持在0或1狀態，又要滿足高速存取，另外，雙穩態電路還不需要刷新！！銷鬧氏
❻ 什麼是雙穩態電路,有什麼特點啊
單穩態電路只有一個穩定狀態，觸發翻櫻殲顫轉後經過一段時間會回到原來的穩定狀態，一般作固定脈沖寬度整形。
雙穩態電路有兩個穩定狀態，一個輸出端和兩個輸入端（「＋」、「－」端各一個），當輸入端的脊敗「＋」端有觸發信號時，輸出端不管原來是什麼狀態，都會立即變為高電平，且一直穩定地輸出高電平。如果當輸入端的「－」端有觸發信號時，輸出端不管原來是什麼狀態，都會立即變為低電平，且一直穩定地輸出改好低電平。觸發翻轉後會一直保持，有記憶效用，一般作存儲器或計數器。
❼ 靜態存儲器與動態存儲器的定義是什麼
靜態存儲器是指依靠雙穩態觸發器的兩個穩定狀態保存信息的存儲器。雙穩態電路是有源器件，需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩定的保存信息，所以稱為靜態存儲器。如果斷電，信息將會丟失，屬於揮發性存儲器，或稱易失性。
動態存儲器是指在指定功能或應用軟體之間共享的存儲器。如果一個或兩個應用軟體佔用了所有存儲器空間，此時將無法為其他應用軟體分配存儲器空間。需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存。
(7)雙穩存儲態擴展閱讀：
動態存儲器的工作原理
動態RAM是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。在3管動態RAM電路中，讀選擇線和寫選派埋擇線是分開的，讀數據線和寫數據線也是分開的。
寫操作時，寫選擇線為"1"，Q1導通，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，並通過柵極電容在一定時間內保持信息。
讀操作時，先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時,Q3處於可導通的狀態。若原來存有"1"，則Q2導通，讀數據線的分布電容CD通過Q3、悶羨笑Q2放電。此時讀得的信息為"0"，正好和原存信息相反。
可見，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的螞含信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反向再送往數據匯流排。
❽ ST編程雙穩態功能一般用來幹嘛
在勢能方面，
一個雙穩態系統有旅並兩個局部勢能極小值，它們之間有一個局部極大值。一個雙穩態的機械設備的例子是燈的開關，開關要麼「開」要麼「關」，但不會在二者之間停留。
在保守力場中，雙穩態基於勢能有三個平衡點的事實，其中兩個極小，一個極大。通過數學討論可知，極大值一定在兩個極小值之間。一個處於基態的粒子位於兩個平衡點中的一個，因為這對應著能量最小值。最大值可以被看作它們之間的一道屏障。
如果一個系統獲得足夠的活化能來穿過屏障（在化學例子中對比活化能與阿倫尼烏斯公式），那麼它就可以從一個能量最小態過渡到另一個能量最小態。達信鎮激到界限後，系統會在鬆弛時間後進入另一個能量最小態。
生物中的雙穩態
雙穩態在數字電子設備中被廣泛用於存儲二進制數據。
一個雙穩態設備以一種狀態代表「0」，另一種狀態代表「1」的形式儲存1比特的二進制數滑襪據。
它同樣被應用於張弛振盪器、多諧振盪器及施密特觸發器。視覺雙穩態是一些特定的視覺設備的分布，根據輸入，這些設備中有兩個穩定的共振的傳送狀態。
雙穩態也可以出現在生物化學系統中，它從持續的化學濃度和化學反應中產生數字式、開關式的輸出。
在這些系統中雙穩態通常與滯後現象有關。
❾ 什麼叫做靜態存儲器它依靠什麼存儲信息
靜態存儲器是在計算機的運行過程中不需要刷新的半導體存儲器，一旦通電，就長期保存信息。它是依靠觸發器的兩個穩定狀態來存儲信息的。
http://www.sgrtvu.net.cn/jx_data/lg_data/czs/hbyy/xt1.htm
這里有基本答案````
把XT1改成XTX就可以看到相關的答案