並行存儲結構

A. 什麼是並行存儲結構

你到底是問軟體還是硬體？軟體屬於編程范疇，我不懂。硬體上所謂的磁碟陣列就是屬於並行存儲結構，即利用多通道同時存儲（讀取）的方式來加快磁碟讀取（存儲）的速度，一般伺服器上都用。

B. 路由器有哪幾個主要介面

普通家用路由器的介面主要有三種，電源介面、WAN介面和LAN介面。

路由器是連接兩個或多個網路的硬體設備，在網路間起網關的作用，是讀取每一個數據包中的地址然後決定如何傳送的專用智能性的網路設備。或姿

它能夠理解不同的協議，例如某個區域網使用的乙太網協議，網際網路使用的TCP/IP協議。這樣，路由器可以分析各種不同類型網路傳來的數據包的目的地址，把非TCP/IP網路的地址轉換成衫首絕TCP/IP地址，或者反之。

(2)並行存儲結構擴展閱讀：

路由器的核心是背板，高效率的背板有助於提高路由器的芹指性能。由於傳統的共享匯流排式背板無法滿足路由器的需要，所以採用結構可以用不同技術實現的交換式背板。

Banyan結構、Crossbar結構以及並行共享存儲結構是交換式背板常用結構。

Banyan結構採用自路由技術和多級緩沖結構；Crossba結構是單級、單通路、非阻塞的結構，採用的是全互聯網交換結構；並行共享儲存結構是研究的一個熱點。

C. 什麼是存儲器的四級存儲結構

CPU一級、二級、三級緩存+外部RAM存儲器總共是四級存儲。

CPU緩存到硬碟，一級比一級快，如果沒CPU緩存、內存，直接讓CPU讀取硬碟的話，CPU會一直等硬碟慢慢地把數據傳過來給它處理，這樣慢死了。所以先把硬碟上准備處理的數據傳到內存等待，最急著處理的就由內存傳到CPU緩存里，CPU可以以最高的速度讀取要處理的數據。

(3)並行存儲結構擴展閱讀

目前，快閃記憶體陣列已經逐漸普及，新埠的固態硬碟、NVMe網路架構，使存儲系統的性能有了大幅提升。未來，隨著新技術帶來的存儲效率大幅提升，將有越來越多的企業選擇快閃記憶體陣列來滿足數據實時性應用需求。

高效、易於擴展的分布式平台引領存儲架構新趨勢。分布式存儲系統採用可擴展的架構，不僅能提高存儲的效率和數據的安全性，還可以進行性能和容量的橫向擴展，解決大規模、高並發場景下的存儲訪問問題。

D. 簡述SRAM,DRAM型存儲器的工作原理

個人電腦的主要結構:
顯示器
主機板
CPU
(微處理器)
主要儲存器
(記憶體)
擴充卡
電源供應器
光碟機
次要儲存器
(硬碟)
鍵盤
滑鼠
盡管計算機技術自20世紀40年代第一台電子通用計算機誕生以來以來有了令人目眩的飛速發展，但是今天計算機仍然基本上採用的是存儲程序結構，即馮·諾伊曼結構。這個結構實現了實用化的通用計算機。
存儲程序結構間將一台計算機描述成四個主要部分：算術邏輯單元（ALU），控制電路，存儲器，以及輸入輸出設備（I/O）。這些部件通過一組一組的排線連接（特別地，當一組線被用於多種不同意圖的數據傳輸時又被稱為匯流排），並且由一個時鍾來驅動（當然某些其他事件也可能驅動控制電路）。
概念上講，一部計算機的存儲器可以被視為一組「細胞」單元。每一個「細胞」都有一個編號，稱為地址；又都可以存儲一個較小的定長信息。這個信息既可以是指令（告訴計算機去做什麼），也可以是數據（指令的處理對象）。原則上，每一個「細胞」都是可以存儲二者之任一的。
算術邏輯單元（ALU）可以被稱作計算機的大腦。它可以做兩類運算：第一類是算術運算，比如對兩個數字進行加減法。算術運算部件的功能在ALU中是十分有限的，事實上，一些ALU根本不支持電路級的乘法和除法運算（由是使用者只能通過編程進行乘除法運算）。第二類是比較運算，即給定兩個數，ALU對其進行比較以確定哪個更大一些。
輸入輸出系統是計算機從外部世界接收信息和向外部世界反饋運算結果的手段。對於一台標準的個人電腦，輸入設備主要有鍵盤和滑鼠，輸出設備則是顯示器，列印機以及其他許多後文將要討論的可連接到計算機上的I/O設備。
控制系統將以上計算機各部分聯系起來。它的功能是從存儲器和輸入輸出設備中讀取指令和數據，對指令進行解碼，並向ALU交付符合指令要求的正確輸入，告知ALU對這些數據做那些運算並將結果數據返回到何處。控制系統中一個重要組件就是一個用來保持跟蹤當前指令所在地址的計數器。通常這個計數器隨著指令的執行而累加，但有時如果指令指示進行跳轉則不依此規則。
20世紀80年代以來ALU和控制單元（二者合成中央處理器，CPU）逐漸被整合到一塊集成電路上，稱作微處理器。這類計算機的工作模式十分直觀：在一個時鍾周期內，計算機先從存儲器中獲取指令和數據，然後執行指令，存儲數據，再獲取下一條指令。這個過程被反復執行，直至得到一個終止指令。
由控制器解釋，運算器執行的指令集是一個精心定義的數目十分有限的簡單指令集合。一般可以分為四類：1）、數據移動（如：將一個數值從存儲單元A拷貝到存儲單元B）2）、數邏運算（如：計算存儲單元A與存儲單元B之和，結果返回存儲單元C）3）、條件驗證（如：如果存儲單元A內數值為100，則下一條指令地址為存儲單元F）4）、指令序列改易（如：下一條指令地址為存儲單元F）
指令如同數據一樣在計算機內部是以二進制來表示的。比如說，10110000就是一條Intel
x86系列微處理器的拷貝指令代碼。某一個計算機所支持的指令集就是該計算機的機器語言。因此，使用流行的機器語言將會使既成軟體在一台新計算機上運行得更加容易。所以對於那些機型商業化軟體開發的人來說，它們通常只會關注一種或幾種不同的機器語言。
更加強大的小型計算機，大型計算機和伺服器可能會與上述計算機有所不同。它們通常將任務分擔給不同的CPU來執行。今天，微處理器和多核個人電腦也在朝這個方向發展。
超級計算機通常有著與基本的存儲程序計算機顯著區別的體系結構。它們通常由者數以千計的CPU，不過這些設計似乎只對特定任務有用。在各種計算機中，還有一些微控制器採用令程序和數據分離的哈佛架構（Harvard
architecture）。

E. 低位交叉存儲器為什麼能並行

低位交叉存儲器能並行是因為採用流水線的方式並行存取。交叉存儲器，又稱低位交叉編址，是一種模塊式的存儲器，能並行執行多個獨立的讀、寫操作。存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。

按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器（ROM）和隨機存取存儲器（RAM），兩者的功能有較大的區別，因此在描述上也有所不同。存儲器是許多存儲單元的集合，按單元號順序排列。

每個單元由若干二進制位構成，以表示存儲單元中存放的數值，這種結構和數組的結構非常相似，故在VHDL語言中，通常由數組描述存儲器。

工作原理

存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內存)和輔助存儲器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。

主存的工作方式是按存儲單元的地址存放或讀取各類信息，統稱訪問存儲器。主存中匯集存儲單元的載體稱為存儲體，存儲體中每個單元能夠存放一串二進制碼表示的信息，該信息的總位數稱為一個存儲單元的字長。

存儲單元的地址與存儲在其中的信息是一一對應的，單元地址只有一個，固定不變，而存儲在其中的信息是可以更換的。

以上內容參考：網路- 存儲器

F. 雙埠存儲器和多模塊交叉存儲器屬於( )存儲器結構。前者採用( )技術，後者採用( )技術。

雙埠汪纖存儲器和多模塊交叉存儲器屬於哪首並行存儲器
前者採用空間並行技術，後李陵數者採用時間並行技術。

G. 存儲系統

計算機對存儲配中器的要求是容量大，速度快，成本低。為了解決這三方面的矛盾，計算機採用多級存儲體系結構，即cache，主存和外存。cpu能直接發你給我內存（cache， 主存），但不能直接訪問外存。存儲器的技術指標有存儲容量，存取時間，存儲周期，存儲器帶寬。

廣泛使用的SRAM和DRAM都是半導體隨機讀寫存儲器，前者速度比後者快，按集成度不如後者高。二者的有點是體積小，可靠性高，價格低廉，缺點是斷電後不能保存信息。只讀存儲器和閃速存儲器正好彌補了SRAM和DRAM的缺點，即使斷電後也能保存原先使用的數據，特別是閃速存儲器能提供高性能，低功耗，高可靠性以及瞬時啟動能力，因而有可能使現有的存儲器體系結構發生重大變化。

雙埠存儲器和多模塊交叉存儲器屬於並行存儲器結構。前者採用空間並行技術，後者採用時間並行技術。

相聯存儲器不是按地址而是按內容訪問的存儲器，在cache中用來存放地址表，在虛擬存儲器中用來存放段表，頁表和快表。在這兩種應用中，都需要快速查找。

cache是一種告訴緩存存儲器，是為了解決CPU和內存之間速度不匹配而採用的一項重要的硬體肢衫技術，並且發展為多節cache體系，指令cache和數據cache分設體系。要求cache的命中率接近於1.主存於cache的地址映射有全相連，直接，組相連三種方式。其中組相連方式是前兩者的折中方案，適度的兼顧了兩者的優點又盡量避免其缺點，從靈活性，命中率，硬體投資來說較為理想，因而得到普遍採用。

虛擬存儲器指的是主存-外存層次，它給用戶提供了一個比實際主存空間大得多的虛擬地址空間。因此虛擬存儲器只是一個容量非常大的存儲器分邏輯模型，不是任何實際的物理存儲器，按照主存-外存層次的信息傳送單位不同，虛擬存儲器有頁式，段式，段頁式三類。

多個用戶共享主存時，系統應提供存儲保護。通常採用的方法存儲區域保護和訪培飢山問方式保護，並用硬體來實現。有些機器中提供特權指令來實現某種保護。

H. 單體多字結構和多體並行結構,多體並行結構里的高位交叉並行結構和低位交叉並行結構是什麼意思

1.單體多字系統
適用於程序和數據在存儲體內是連續存放的情況。在一個存取周期內，從同一地址取出多條指令，然後再逐條將指令送至CPU執行，這樣增大了存儲器的帶寬，提高了單體存儲器的速度。這里的單體應該就是一個模塊，但是每次可以讀取多個字，可以和多體進行比較。
（圖在唐朔飛態虧老師的計算機組成原理書的103頁）
2.多體並行系統
有多個模塊，每個模塊有相同的容量以帆遲神及存取速度，各模塊各自都有獨立的地址寄存器（MAR），數據寄存器（MDR），地址解碼，驅動電路和讀旦凳寫電路，他們能夠並行工作，同時也能交叉工作（什麼是交叉工作？），但是並行讀出的數據在匯流排上需要分時傳送。

I. 什麼是多模塊存儲器的低位交叉編址方式低位交叉編址如何提高存儲性能

3.4.2多模塊交叉存儲器
1.存儲器的模塊化組織
一個由若干個模塊組成的主存儲器是線性編址的。
這些地址在各模塊有兩種安排方式：一種是順序方式，一種是交叉方式。
順序方式：某個模塊進行存取時，其他模塊不工作，某一模塊出現故障時，其他模塊可以照常工作，
通過增添模塊來擴充存儲器容量比較方便。但各模塊串列工作，存儲器的帶寬受到了限制。
交叉方式：地址碼的低位欄位經過解碼選擇不同的模塊,而高位欄位指向相應模塊內的存儲字。連續
地址分布在相鄰的不同模塊內，同一個模塊內的地址都是不連續的。對連續字的成塊傳送可實現多模塊
流水式並行存取，大大提高存儲器的帶寬。
2.多模塊交叉存儲器的基本結構
四模塊交叉存儲器結構框圖演示
每個模塊各自以等同的方式與CPU傳送信息。CPU同時訪問四個模塊，由存儲器控制部件控制它們分時
使用數據匯流排進行信息傳遞。這是一種並行存儲器結構。
下面做定量分析：我們認為模塊字長等於數據匯流排寬度，模塊存取一個字的存儲周期為T，匯流排傳送周期為τ，存儲器的交叉模塊數為m，為了實現流水線方式存取，應當滿足
T=mτ （m=T/τ稱為交叉存取度）
交叉存儲器要求其模塊數必須大於或等於m，以保證啟動某模塊後經mτ時間再次啟動該模塊時，它的上次存取操作已經完成。這樣，連續讀取m 個字所需的時間為
t1=T+(m-1)τ
而順序方式存儲器連續讀取m個字所需時間為t2=mT.交叉存儲器的帶寬確實大大提高了。
m=4的流水線方式存取示意圖如下
圖3.31流水線方式存取示意圖
【例4】 設存儲器容量為32字，字長64位，模塊數m=4，分別用順序方式和交叉方式進行組織。存儲周期
T=200ns，數據匯流排寬度為64位，匯流排傳送周期τ=50ns。問順序存儲器和交叉存儲器的帶寬各是多少?
【解】
順序存儲器和交叉存儲器連續讀出m=4個字的信息總量都是：
q=64位×4=256位
順序存儲器和交叉存儲器連續讀出4個字所需的時間分別是：
t2=mT=4×200ns=800ns=8×10-7s;
t1=T+(m-1)=200ns+30ns=350ns=35×10-7s
順序存儲器和交叉存儲器的帶寬分別是：
W2=q/t2=256÷(8×10-7)=32×107［位/s］;
W1=q/t1=256÷(35×10-7)=73×107［位/s］
3.二模塊交叉存儲器舉例
二模塊交叉存儲器方框圖演示
DRAM存儲器讀/寫周期時，在行選通信號RAS有效下輸入行地址，在列選通信號CAS有效下輸入列地址。
如果是讀周期，此位組內容被讀出；如果是寫周期，將匯流排上數據寫入此位組。刷新周期是在RAS有效下
輸入刷新地址，此地址指示的一行所有存儲元全部被再生。A20—A3的18位地址用於模塊中256K個存儲字
的選擇。A2用模塊選擇 ，連續的存儲字交錯分布在兩個模塊上，偶地址在模塊0，奇地址在模塊1。
DRAM存儲器需要逐行定時刷新，而且,DRAM晶元的讀出是一種破壞性讀出，因此在讀取之後要立即按讀
出信息予以充電再生。 這樣，若CPU先後兩次讀取的存儲字使用同一RAS選通信號的話，CPU在接收到第一
個存儲字之後必須插入等待狀態，直至前一存儲字再生完畢才開始第二個存儲字的讀取。
無等待狀態成塊存取示意圖演示
由於採用m=2的交叉存取度的成塊傳送，兩個連續地址字的讀取之間不必插入等待狀態（零等待存取）。

J. 存儲器的結構

1cpu的內部
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存儲器結構


存儲器結構

第一層：通用寄存器堆
第二層：指令與數據緩沖棧
第三層：高速緩沖存儲器
第四層：主儲存器（DRAM）
第五層：聯機外部儲存器（硬磁碟機）
第六層：離線外部儲存器（磁帶、光碟存儲器等）
這就是存儲器的層次結構~~~ 主要體現在訪問速度~~~

2工作特點
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存儲器結構

存儲器結構① 設置多個存儲器並且使他們並行工作。本質：增添瓶頸部件數目，使它們並行工作，從而減緩固定瓶頸。
② 採用多級存儲系統，特別是Cache技術，這是一種減輕存儲器帶寬對系統性能影響的最佳結構方案。本質：把瓶頸部件分為多個流水線部件，加大操作時間的重疊、提高速度，從而減緩固定瓶頸。

③ 在微處理機內部設置各種緩沖存儲器，以減輕對存儲器存取的壓力。增加CPU中寄存器的數量，也可大大緩解對存儲器的壓力。本質：緩沖技術，用於減緩暫時性瓶頸。
一、RAM(Random Access Memory，隨機存取存儲器)
RAM的特點是：電腦開機時，操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中，並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供，一旦系統斷電，存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉，並且再也無法恢復。

3具體結構分類
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根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：

01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）
這是最普通的RAM，一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲


存儲器結構

存儲器結構單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新一次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。

03.VRAM（Video RAM，視頻內存）

它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計，其中一個數據口是並行式的數據輸出入口，另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72PIN或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同一行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取一連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，FPM DRAM被大量使用。

05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的一種存儲器，一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。


存儲器結構

存儲器結構06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當一個數據地址被送出後，剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取，因此一次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDODRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器）
MoSys公司提出的一種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，一般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。

08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）
韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。

09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器）
Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式，速度一般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。

10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器）
這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，一般都採用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。

11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）
SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。

12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器）
一般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。

13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器）
CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。

14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器）
作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，採用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定迴路）提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。

15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器）
這是一種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，


存儲器結構

存儲器結構投入實用的難度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器）
這是三菱電氣公司首先研製的專利技術，它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率，隨著CPU時鍾頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。

17.DDRII(Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。

18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流內存標准之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。

二、ROM(READ Only Memory，只讀存儲器)

ROM是線路最簡單半導體電路，通過掩模工藝，一次性製造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數據將永久保存，並且不能夠進行修改。一般應用於PC系統的程序碼、主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統Basic Input/Output System)等。它的讀取速度比RAM慢很多。

4組成元件分類
編輯
ROM內存又分為以下五種：


存儲器結構

存儲器結構1.MASK ROM（掩模型只讀存儲器）
製造商為了大量生產ROM內存，需要先製作一顆有原始數據的ROM或EPROM作為樣本，然後再大量復制，這一樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。它的成本比較低。
2.PROM（Programmable ROM，可編程只讀存儲器）
這是一種可以用刻錄機將資料寫入的ROM內存，但只能寫入一次，所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1)， 以實現對其「編程」的目的。

3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可編程只讀存儲器）
這是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射它的IC卡上


存儲器結構

存儲器結構的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到陽光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，電可擦可編程只讀存儲器）
功能與使用方式與EPROM一樣，不同之處是清除數據的方式，它是以約20V的電壓來進行清除的。另外它還可以用電信號進行數據寫入。這類ROM內存多應用於即插即用（PnP）介面中。

5.Flash Memory（快閃記憶體）
這是一種可以直接在主機板上修改內容而不需要將IC拔下的內存，當電源關掉後儲存在裡面的資料並不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然後才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。