靜態隨機存儲器

❶ 靜態隨機存儲器工作方式

按產生時間和工作方式來分，靜態隨機存儲器也分為非同步和同步。在一定的納米製造技術下，SRAM容量比其他類型內存低，這是因為SRAM需要用更多的晶體管存儲一個位（bit），因而造價也貴得多。靜態隨機存儲器多用於二級高速緩存（Level 2 Cache）。
1. Async SRAM 非同步靜態隨機存儲器
自從第一個帶有二級高速緩存（Cache）的386計算機出現以來，這種老型號的屬於「Cache RAM（緩存型隨機存儲器）」類型的內存就開始應用了。非同步靜態隨機存儲器比DRAM快些，並依賴於CPU的時鍾，其存取速度有12ns、15ns和18ns三種，值越小，表示存取數據的速度越快。但在存取數據時，它還沒有快到能夠與CPU保持同步，CPU必須等待以匹配其速度。
2. Sync Burst SRAM同步突發靜態隨機存儲器
在計算機界存在這樣的爭論：Sync Burst SRAM 和FB SRAM 誰更快些？誠然，在匯流排速度為66MHz的系統上，Sync Burst SRAM確實是最快的，但當匯流排速度超過66MHz時（比如Cyrix公司的6x86p200＋型號），Sync burst SRAM就超負荷了，大大低於PB SRAM 傳輸速度。因此用現行的Pentium主板（匯流排速度為66MHz），我們應該採用Sync Burst SRAM，這樣效率最高、速度最快。但目前的問題是：生產支持Sync Burst SRAM的主板供應商很少，所以能支持Sync Burst SRAM的主板的價格都很高。
3. PB SRAM 管道突發靜態隨機存儲器
管道（Pipeline，或流水線）的意思是：通過使用輸入輸出寄存器，一個SRAM可以形成像「管道」那樣的數據流水線傳輸模式。在裝載填充寄存器時，雖然需要一個額外的啟動周期，但寄存器一經裝載，就可產生這樣的作用：在用現行的地址提供數據的同時能提前存取下一地址。在匯流排速度為75MHz和高於75MHz時，這種內存是最快的緩存型隨機存儲器（Cache RAM）。實際上，PB SRAM可以匹配匯流排速度高達133MHz的系統。同時，在較慢的系統中，PB SRAM也並不比Sync Burst SRAM慢多少。
應用PB SRAM，可達到4.5到8ns的「地址－數據」時間。

❷ 靜態隨機存儲器

靜態隨機存儲器被攻擊怎麼辦???

❸ sram存儲器是靜態只讀存儲器 靜態隨機存儲器 動態只讀存儲器還是動態隨機存儲器啊

是靜態隨機存儲器，DRAM是動態隨機存儲器
靜態隨機存儲器
SRAM（Static Random Access Memory），即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
動態隨機存儲器
動態隨機存儲器(dynamic random access memory) 採用動態存儲單元的隨機存儲器，簡稱DRAM或動態RAM。
一般計算機系統使用的隨機存取內存(RAM)可分動態(DRAM)與靜態隨機存取內存(SRAM)兩種，差異在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存，SRAM的數據則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。

❹ 靜態的隨機存儲器和動態的隨機存儲器的根本區別是什麼它們各有何優缺點各適用於什麼場合

樓主給你個專業的回答參考下吧
SRAM靜態的隨機存儲器： 特點是工作速度快，只要電源不撤除，寫入SRAM的信息就不會消失，不需要刷新電路，同時在讀出時不破壞原來存放的信息，一經寫入可多次讀出，但集成度較低，功耗較大。SRAM一般用來作為計算機中的高速緩沖存儲器(Cache)。
DRAM是動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory)： 它是利用場效應管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息，以存儲電荷的多少，即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」。DRAM每個存儲單元所需的場效應管較少，常見的有4管，3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高，功耗也較低，但缺點是保存在DRAM中的信息__場效應管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失，一般信息保存時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息，必須每隔1～2ms對其刷新一次。因此，採用 DRAM的計算機必須配置動態刷新電路，防止信息丟失。DRAM一般用作計算機中的主存儲器。

❺ SRAM ,靜態隨機存儲器，和flash快閃記憶體的區別，

flash就是rom呀，sram就是靜態隨機儲存器呀；sram是程序載入的地方，flash就是放程序的地方；rom只是一種形象的稱呼，意思就是掉電不丟失的儲存器，因為以前有PROM,EPROM,E2PROM;現在都是快閃記憶體flash的天下，因為flash容量大。所以你不要懷疑別人晶元，應該多看看這方面的技術資料。

❻ 動態隨機存儲器和靜態隨機存儲器有什麼區

SRAM也稱動態隨機存儲器，其特點是工作速度快，只要電源不撤除，寫入SRAM的信息就不會消失，不需要刷新電路，同時在讀出時不破壞原來存放的信息，一經寫入可多次讀出，但集成度較低，功耗較大。SRAM一般用來作為計算機中的高速緩沖存儲器(Cache)。

DRAM是動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用場效應管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息，以存儲電荷的多少，即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」。DRAM每個存儲單元所需的場效應管較少，常見的有4管，3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高，功耗也較低，但缺點是保存在DRAM中的信息__場效應管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失，一般信息保存時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息，必須每隔1～2ms對其刷新一次。因此，採用 DRAM的計算機必須配置動態刷新電路，防止信息丟失。DRAM一般用作計算機中的主存儲器。

❼ 存儲器和靜態隨機存儲器有什麼區別

靜態存儲器是各種存儲器中的一個分類。存儲器分為半導體存儲器和非半導體存儲器（例如磁碟、光碟）。而半導體存儲器又分為如下的種類：

可以看出，靜態存儲器是半導體存儲器中的隨機存取存儲器中的一個種類。在當今的計算機中往往用作Cache的實現。

❽ 主存儲器的分類中RAM為何叫做隨機存儲器，動態和靜態的（DRAM和SRAM）又是按什麼原理分的

DRAM，動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。

而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。
SRAM，靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據
不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。
SDRAM，同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鍾來同步。
DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現在，SDRAM的速度也已經很快了，時鍾好像已經有150兆的了。那麼就是讀寫周期小於10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時鍾周期是7.5ns，當CAS latency=2 時，它需要12個周期完成8個突發讀操作，10個周期完成8個突發寫操作。不過，如果以交替方式訪問Bank，SDRAM可以在每個周期完成一個讀寫操作（當然除去刷新操作）。其實現在的主流高速存儲器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。

SRAM是Static Random Access Memory的縮寫，中文含義為靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。「靜態」是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。 然後，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。「隨機訪問」是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。

SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩定狀態，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用於控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快於DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。

SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。

從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為非同步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。非同步SRAM的訪問獨立於時鍾，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鍾的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均於時鍾信號相關。

DRAM：動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。而且是行列地址復用的，許多都有頁模式

。

SRAM：靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用

的。

SDRAM：同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鍾來同步。

主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不

包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量

較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。

一個是靜態的，一個是動態的，靜態的是用的雙穩態觸發器來保存信息，而動態的是用電子，要不時

的刷新來保持。
內存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態隨機存儲器SRAM，和動態隨機存儲器DRAM兩種。我們經常說的「

內存」是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。
SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保

持數據完整性。SRAM內部採用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。製造相

同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用於CPU

內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網路伺服器以及路由器上能夠使用SRAM。