sram存儲單元數目

㈠ 主存中每個存儲單元幾個位元組

一個位元組為8位，即1Byte=
8b。
如果是SAM之類的，其上有標識。如
SRAM
晶元6264
的容量為8K×8
bit，其每個存儲單元含8b，共有8x1024個存儲單元。
Pentium(586)等微處理器構成的計算機，它們的字長是32
位。即4個位元組。
現在的64位處理器，字長為64位，即每個存儲單元含64b=8Byte，8個位元組。

㈡ 需要多少個容量為16K*8位SRAM晶元才能構成64*8位存儲單元

4片啊！2^16=64K，所以要16根地址線，最高位是2^16=0xffffH!

㈢ 在容量為8K×8的存儲晶元中，共有多少個存儲單元

位元組8位即1Byte= 8b

SAM類其標識 SRAM 晶元6264 容量8K×8 bit其每存儲單元含8b共8x1024存儲單元

Pentium(586)等微處理器構計算機字32 位即4位元組
現64位處理器字64位即每存儲單元含64b=8Byte8位元組

㈣ 為什麼SRAM 晶元HM6116的存儲單元是一位

在計算機中最小的信息單位是bit，也就是一個二進制位，8個bit組成一個Byte，也就是位元組。一個存儲單元可以存儲一個位元組，也就是8個二進制位。
6116有11根地址線，2的11次冪=2048，所以每個存儲單元容量就是2K。

㈤ 主存中每個存儲單元幾個位元組

一個位元組為8位，即1Byte= 8b。

如果是SAM之類的，其上有標識。如 SRAM 晶元6264 的容量為8K×8 bit，其每個存儲單元含8b，共有8x1024個存儲單元。

Pentium(586)等微處理器構成的計算機，它們的字長是32 位。即4個位元組。
現在的64位處理器，字長為64位，即每個存儲單元含64b=8Byte，8個位元組。

㈥ 計算機的「dram」和「sram」分別是什麼意思，有什麼區別

按照存儲信息的不同，隨機存儲器分為靜態隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和動態隨機存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。

靜態存儲單元（SRAM）
●存儲原理：由觸發器存儲數據
●單元結構：六管NMOS或OS構成
●優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache
●缺點：元件數多、集成度低、運行功耗大
●常用的SRAM集成晶元：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)

動態存儲單元（DRAM）
●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；現在：單管基本單元）
●刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作
●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小於柵極電容自然保持信息的時間（小於2ms）。
●優點： 集成度遠高於SRAM、功耗低，價格也低
●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較DRAM慢，所以在計算機中，SRAM常用於作主存儲器。
盡管如此，由於DRAM[1]存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產品。

㈦ 某SRAM晶元的存儲容量為64k*16位，該晶元的地址線和數據線數目為多少

SRAM晶元的存儲容量為64k*16位，該晶元的地址線是16根，數據線是16根。

存儲容量的計算公式是：2^n，其中n就表示地址線的數目。2^16=65536，在計算機中就稱其存儲容量最大可擴展為64K。存儲器晶元容量=單元數×數據線位數，因此64k*16位晶元的數據線是16根。

SRAM的中文意思就是靜態隨機存取存儲器，是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。

相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。

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SRAM主要用途：

SRAM主要用於二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。

SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）。

SRAM也有許多種，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，非同步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突發SRAM），還有INTEL沒有公布細節的CSRAM等。

SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址解碼器(decode），靈敏放大器(Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅動電路（FFIO）。

SRAM是靜態存儲方式，以雙穩態電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由於存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。

㈧ 若256K位的SRAM的晶元具有8條數據線，則它具有的地址線條數為多少

256K位的SRAM的晶元具有8條數據線
說明有256×1024個存儲單元
有8條數據線說明可同時連接8的地址單元

說明還需要256×1024/8個地址來表示每8個地址

就是32×1024個不同的值

多少位地址可以表示這么多數？也就是2的多少次方大於等於這個數？

所以答案是15