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3dsram存儲

發布時間: 2022-09-26 18:58:36

⑴ SRAM和DRAM依靠什麼原理存儲信息

此二者為動態記憶體是揮發性記憶體,也就是會資料隨著電源關閉而消失,不會保存下來。
可視為一種暫存功能。

此二者都是靠1(高電壓表示)或0(低電壓表示)來表示資料數據

並採用「行、列」方式來定址儲存資料

但因DRAM是利用電容儲存電荷,因電容的特性,其電荷會隨時間而下降,所以需要不停的reflash,來表示0或1,以維持資料的正確性。

總結:
二者相同處:採用「行、列」方式來定址儲存資料,依靠電荷0/1來表達資料數據。

二者異:
>DRAM
-由電容器組成-須定時重覆充電更新
-容量可以很大、密度高-一般都是做為系統的主記憶體
-速度較慢、價錢較便宜

► SRAM
-由正反器組成-不須定時重覆充電更新
-容量無法做大、密度低一般做為快取記憶體或BUFFER
-速度較快、價錢較貴

⑵ 什麼是SRAM

靜態隨機存取存儲器(StaticRandom-AccessMemory,SRAM)是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」,是指這種存儲器只要保持通電,裡面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下,動態隨機存取存儲器(DRAM)裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。

然而,當電力供應停止時,SRAM儲存的數據還是會消失(被稱為volatile memory),這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。

(2)3dsram存儲擴展閱讀

動態隨機存儲器和靜態隨機存儲器區別

SRAM的特點是工作速度快,只要電源不撤除,寫入SRAM的信息就不會消失,不需要刷新電路,同時在讀出時不破壞原來存放的信息,一經寫入可多次讀出,但集成度較低,功耗較大。SRAM一般用來作為計算機中的高速緩沖存儲器(Cache)。

DRAM是動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory),它是利用場效應管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息,以存儲電荷的多少,即電容端電壓的高低來表示「1」和「0」。

⑶ 簡述SRAM,DRAM型存儲器的工作原理

個人電腦的主要結構:
顯示器
主機板
CPU
(微處理器)
主要儲存器
(記憶體)
擴充卡
電源供應器
光碟機
次要儲存器
(硬碟)
鍵盤
滑鼠
盡管計算機技術自20世紀40年代第一台電子通用計算機誕生以來以來有了令人目眩的飛速發展,但是今天計算機仍然基本上採用的是存儲程序結構,即馮·諾伊曼結構。這個結構實現了實用化的通用計算機。
存儲程序結構間將一台計算機描述成四個主要部分:算術邏輯單元(ALU),控制電路,存儲器,以及輸入輸出設備(I/O)。這些部件通過一組一組的排線連接(特別地,當一組線被用於多種不同意圖的數據傳輸時又被稱為匯流排),並且由一個時鍾來驅動(當然某些其他事件也可能驅動控制電路)。
概念上講,一部計算機的存儲器可以被視為一組「細胞」單元。每一個「細胞」都有一個編號,稱為地址;又都可以存儲一個較小的定長信息。這個信息既可以是指令(告訴計算機去做什麼),也可以是數據(指令的處理對象)。原則上,每一個「細胞」都是可以存儲二者之任一的。
算術邏輯單元(ALU)可以被稱作計算機的大腦。它可以做兩類運算:第一類是算術運算,比如對兩個數字進行加減法。算術運算部件的功能在ALU中是十分有限的,事實上,一些ALU根本不支持電路級的乘法和除法運算(由是使用者只能通過編程進行乘除法運算)。第二類是比較運算,即給定兩個數,ALU對其進行比較以確定哪個更大一些。
輸入輸出系統是計算機從外部世界接收信息和向外部世界反饋運算結果的手段。對於一台標準的個人電腦,輸入設備主要有鍵盤和滑鼠,輸出設備則是顯示器,列印機以及其他許多後文將要討論的可連接到計算機上的I/O設備。
控制系統將以上計算機各部分聯系起來。它的功能是從存儲器和輸入輸出設備中讀取指令和數據,對指令進行解碼,並向ALU交付符合指令要求的正確輸入,告知ALU對這些數據做那些運算並將結果數據返回到何處。控制系統中一個重要組件就是一個用來保持跟蹤當前指令所在地址的計數器。通常這個計數器隨著指令的執行而累加,但有時如果指令指示進行跳轉則不依此規則。
20世紀80年代以來ALU和控制單元(二者合成中央處理器,CPU)逐漸被整合到一塊集成電路上,稱作微處理器。這類計算機的工作模式十分直觀:在一個時鍾周期內,計算機先從存儲器中獲取指令和數據,然後執行指令,存儲數據,再獲取下一條指令。這個過程被反復執行,直至得到一個終止指令。
由控制器解釋,運算器執行的指令集是一個精心定義的數目十分有限的簡單指令集合。一般可以分為四類:1)、數據移動(如:將一個數值從存儲單元A拷貝到存儲單元B)2)、數邏運算(如:計算存儲單元A與存儲單元B之和,結果返回存儲單元C)3)、條件驗證(如:如果存儲單元A內數值為100,則下一條指令地址為存儲單元F)4)、指令序列改易(如:下一條指令地址為存儲單元F)
指令如同數據一樣在計算機內部是以二進制來表示的。比如說,10110000就是一條Intel
x86系列微處理器的拷貝指令代碼。某一個計算機所支持的指令集就是該計算機的機器語言。因此,使用流行的機器語言將會使既成軟體在一台新計算機上運行得更加容易。所以對於那些機型商業化軟體開發的人來說,它們通常只會關注一種或幾種不同的機器語言。
更加強大的小型計算機,大型計算機和伺服器可能會與上述計算機有所不同。它們通常將任務分擔給不同的CPU來執行。今天,微處理器和多核個人電腦也在朝這個方向發展。
超級計算機通常有著與基本的存儲程序計算機顯著區別的體系結構。它們通常由者數以千計的CPU,不過這些設計似乎只對特定任務有用。在各種計算機中,還有一些微控制器採用令程序和數據分離的哈佛架構(Harvard
architecture)。

⑷ SRAM依靠什麼來存儲信息

sram:同步隨機存儲器
(一般用於嵌入式處理器的內存)s:synchronous
dram:動態隨機存儲器(很少用了)
d:dynamic
sdram:同步動態隨機存儲器(很早的內存)
ddr
sdram
(雙沿觸發sdram,表示一個時鍾周期觸發兩次)
ddr2
sdram
(現在的主流,比第一代增加內部倍頻,這個很少人知道)
ddr3
sdram
(第三代ddr,進一步增加了內部倍頻,改善了定址方式)
暈,怎麼是0分,才注意到
存儲數據基本原理無外乎都是利用電容保存的電壓信息表示0.1狀態,實際的東西比這個復雜多了。

⑸ sram存儲器的特點是什麼

關於SRAM存儲容量及基本特點。

半導體隨機存儲器晶元內集成有記憶功能的存儲矩陣,解碼驅動電路和讀/寫電路等等。
下面介紹幾個重要的概念:
讀寫電路:包括讀出放大器和寫入電路,用來完成讀/寫操作。
地址線:單向輸入,其位數與晶元的容量有關
片選線:確定哪個晶元被選中(用來選擇晶元)
數據線:雙向輸入,其位數與晶元可讀出或者寫入的位數有關,也與晶元容量有關。

存儲容量

通常我們將存儲容量表示為:字數X位數,比如64KX8位,其含義為,以8位構成一個字,一共有64個字。這個概念要相當熟悉,後面理解題目很有用。

⑹ sram的存儲原理

靜態隨機存取存儲器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」,是指這種存儲器只要保持通電,裡面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下,動態隨機存取存儲器(DRAM)裡面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而,當電力供應停止時,SRAM儲存的數據還是會消失(被稱為volatile memory),這與在斷電後還能儲存資料的ROM或快閃記憶體是不同的。

⑺ 簡述SRAM和DRAM的區別

1、數據存儲不同:

SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。

而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內部的數據即會消失。

2、體積不同:

相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。

同樣面積的矽片可以做出更大容量的DRAM。

3、特點不同:

SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,功耗較DRAM大 ,通常DRAM是有一個非同步介面的,這樣它可以隨時響應控制輸入的變化。

同步動態隨機存取內存(synchronous dynamic random-access memory,簡稱SDRAM)是有一個同步介面的動態隨機存取內存(DRAM)。

由於在現實中晶體管會有漏電電流的現象,導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據,而導致數據毀損。因此對於DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性,因此被稱為「動態」存儲器。

⑻ 高速跟蹤緩存是什麼

、高速緩存的概念和原理

1、高速緩存出現的原因
高速緩存(Cache)的出現主要是為了解決CPU運算速度與內存讀寫速度不匹配的矛盾,因為CPU運算速度要比內存讀寫速度快很多,這樣會使CPU花費很長時間等待數據到來或把數據寫入內存。為了減少這種情況的發生,人們就想到了使用Cache,它採用一種讀寫速度要比系統內存快很多的特殊靜態內存。系統工作時,將運行時要經常存取的一些數據從系統內存讀取到Cache中,而CPU會首先到Cache中去讀取或寫入數據,如果Cache中沒有所需數據(或Cache已滿,無法再寫入),則再對系統內存進行讀寫,另外Cache在空閑時也會與內存交換數據。其實質就是是在慢速DRAM和快速CPU之間插入一速度較快、容量較小的SRAM,起到緩沖作用,使CPU既可以以較快速度存取SRAM中的數據,提高系統整體性能,又不使系統成本上升過高。

2、高速緩存的工作原理
Cache的工作原理是基於計算機程序訪問的局部性。對大量典型程序運行情況的分析結果表明,在一個較短的時間間隔內,由程序產生的地址往往集中在存儲器邏輯地址空間的很小范圍內。對這些地址的訪問具有時間上集中分布的傾向。數據分布以及工作單元的選擇都可以使存儲器地址相對集中。這種對局部范圍的存儲器地址頻繁訪問,而對此范圍以外的地址則訪問甚少的現象,就稱為程序訪問的局部性。根據程序的局部性原理,就為Cache的存在提供了理論依據,系統正是依據此原理,不斷地將與當前指令集相關聯的一個不太大的後繼指令集從內存讀到Cache,然後再與CPU高速傳送,從而達到速度匹配。

3、高速緩存的分級結構

CPU高速緩存是分級構造的,一般由L1和L2兩極構成,通常L1 Cache的速度最快,與CPU核心的距離也最近,但容量較小,而L2 Cache 速度稍慢,但容量較大。Cache採用分級結構的主要理由在於:對於一個典型的一級緩存系統的80%的內存申請都發生在CPU內部,只有20%的內存申請是與外部內存打交道。而這20%的外部內存申請中的80%又與二級緩存打交道。因此,採用分級結構將更加有利於效能的提升和成本的合理分配。

這種分層的高速緩存布局有助於彌合處理器與系統內存速度之間不斷加大的差距,處理器速度每年大約提高50%,而DRAM存取速度每年僅提高5%,由於性能不匹配程度的加劇,CPU將增加第三級,甚至第四級高速緩存。

4、高速緩存的構成
目前Cache基本上都是採用SRAM存儲器,SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜志存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路,每隔一段時間,固定要對DRAM刷新充電一次,否則內部的數據即會消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,這也是目前不能將Cache容量做得太大的重要原因。它的特點歸納如下:優點,節能、速度快,不必配合內存刷新電路,可提高整體的工作效率。 缺點,集成度低,相同的容量體積較大,而且價格較高,少量用於關鍵性系統以提高效率。

二、CPU 高速緩存的發展歷史
高速緩存最初應用在CPU領域,目前在CPU領域的應用也最為廣泛和深入。下面就簡單談談高速緩存隨CPU的發展而不斷變化的歷史過程。

1、80486開始出現了內部Cache
PC在誕生的初期並不存在Cache的概念,由於CPU主頻很低,DRAM的存取時間甚至快於CPU存取時間,因此無需Cache。 80386時代開始出現了外部Cache。在80486時代CPU內部才正式出現了Cache。實際上80486就是由更高主頻的80386 加80387數字協處理器以及8kB 內部Cache構成。80486晶元內由8kB的Cache來存放指令和數據。同時,80486也可以使用處理器外部的第二級Cache,用以改善系統性能並降低80486要求的匯流排帶寬。

2、Peutium時代Cache技術發展迅速
Peutium不僅分離L1 Cache和L2 Cache ,而且由於Pentium處理器採用了超標量結構雙路執行的流水線,有2條並行整數流水線,處理器也需要對命令和數據進進雙倍的訪問。為使這些訪問不互相干涉,Intel把在486上共用的內部Cache,分成2個彼此獨立的8kB代碼Cache和8kB數據Cache,這兩個Cache可以同時被訪問。這種雙路高速緩存結構減少了爭用Cache所造成的沖突,提高了處理器效能。Pentium的Cache還採用了回寫寫入方式,這同486的貫穿寫入方式相比,可以增加Cache的命中率。此外,還採用了一種稱為MESI高速緩存一致性協議,為確保多處理器環境下的數據一致性提供了保證。在Pentium MMX中更是增大了L1的容量,並改進了相關的演算法

3、Pentium Pro出現內嵌式L2 Cache

為使Pentium Pro的性能超過Pentium,必需使用創新的設計方法,Pentium Pro使用了內嵌式L2 Cache,大小為512kB。此時的L2已經用線路直接連到CPU上,好處就是減少了對L1 Cache的需求。L2 Cache與CPU同步運行。當L1 Cache不命中時,立刻訪問L2 Cache,不產生附加延遲。為進一步減少因要訪問的信息不在高速緩沖中時所帶來的性能損失,Pentium Pro的L1和L2都設計成非鎖定型。即當哪個Cache中沒有CPU所需的信息時,它不妨礙後面訪問Cache的處理過程。但限於當時的CPU製造工藝,Pentium Pro的內嵌式L2 Cache 良品率太低,生產成本過高, Pentium Pro成為一款壽命短暫的過渡產品。

4、PentiumⅡ的雙重獨立匯流排
PentiumⅡ是Pentium Pro的改進型,具有MMX指令,使用動態執行技術,採用雙獨立匯流排結構。PentiumⅡ同樣有2級Cache,L1為32kB(指令和數據Cache各16kB)是Pentium Pro的一倍。L2為512kB。
Pentium Ⅱ與Pentium Pro在L2 Cache 的不同主要在於L2 Cache已不在內嵌晶元上,而是與CPU通過專用64位高速緩存匯流排相聯,與其它元器件共同被組裝在同一基板上,即「單邊接觸盒」上。雙獨立匯流排結構就是:L2高速緩存匯流排和處理器至主內存的系統匯流排, PentiumⅡ處理器可以同時使用這兩條匯流排,與單一匯流排結構的處理器相比,該處理器可以進出兩倍多的數據。

5、PentiumⅢ L2 Cache進一步改進
PentiumⅢ也是基於Pentium Pro結構為核心,在原有MMX多媒體指令的基礎上,又增了70多條多媒體指令。它使用動態執行技術,採用雙獨立匯流排結構。 PentiumⅢ具有32kB非鎖定L1 Cache和512kB非鎖定L2 Cache。L2可擴充到1~2MB,具有更合理的內存管理,可以有效地對大於L2緩存的數據塊進行處理,使CPU、Cache和主存存取更趨合理,提高了系統整體性能。在執行大數據流量程序時,高效率的高速緩存管理使PⅢ避免了對L2 Cache的不必要的存取。由於消除了緩沖失敗,多媒體和其它對時間敏感的操作性能更高了。對於可緩存的內容,PⅢ通過預先讀取期望的數據到高速緩存里來提高速度,這一特色提高了高速緩存的命中率,減少了存取時間。

三、其他配件中的高速緩存
Cache從本質上說是一種高速設備和低速設備的速度匹配技術,不僅用在提高CPU對內存的讀寫速度上,而且在電腦的其它配件中也得到了廣泛應用。在較慢速的其它外圍設備和內存的數據交換中,甚至在網路通訊中,都需要使用Cache技術。推而廣之,凡是在傳輸速度有較大差異的設備之間,都可以利用Cache的速度匹配技術。

1、主板高速緩存
由於在Pentium II推出之前,CPU只有內部集成的L1 Cache(一級高速緩存),L2Cache(二級高速緩存)都被放置在主板上。Pentium時代的主板上大都用速度較快,容量較大的同步PB SRAM (Pipeline Burst SRAM 管線突發式靜態內存),一般為256KB或512KB。當時在主板上還存在Tag SRAM的概念。

Tag SRAM,即標記的靜態隨機存取存儲器,它是在高速緩存系統中配合高速緩存的附加SRAM,它也是高速緩存,只是用在高速緩存電路中記錄地址數據,當CPU要讀取主存某一個地址中的數據時,會先到高速緩存電路中去尋找,對高速緩存系統的Tag SRAM所記錄的地址數據進行搜尋和對比,當高速緩存內也存有此地址的數據時,高速緩存匯流排的仲裁控制電路即將數據讀取傳回CPU,若對比Tag SRAM記錄的地址數據而找不到此數據的地址時,CPU就會到主存讀取數據。因此Tag SRAM與高速緩存的命中率有很大關系。由於現在CPU內部都集成了L2 Cache,故PII以後,主板上都不再集成Cache了。

2、CPU高速緩存的應用
關於CPU高速緩存的發展歷史等相關情況,前面已經談及。這里主要介紹一下目前主流CPU使用高速緩存的情況。

象最新的Northwood P4處理器,不僅採用了0.13 微米工藝生產,其體系結構也有所改變,提高了運算效率(指令周期)。 並且將L2 CACHE的容量由老P4的256K 增加為512K。在性能上有10%左右的提升。

Tualatin 賽揚的二級緩存採用了全速256KB(8路), Pentium III同樣大小的二級緩存,這對於提高CPU的性能有很大的幫助。Tualatin核心賽揚的性能非常不錯,在很大程度上就是得益於256KB的全速緩存。這也充分反映出高速緩存對電腦配件性能的影響。

AMD 的Morgan實際上和Palomino核心的毒龍規格相同,只是CPU內部L2 Cache有所不同。最引人注意的一點是改進了Cache演算法。在Morgan中包含了一個硬體化的數據預讀取規則。這個功能就是在CPU對數據進行了處理之後,預讀取設備可以猜測哪些數據是CPU所需要的。如果這些數據並沒有在Cache中,那麼這個預讀取設備就會自動到主內存中去重新獲取這個數據;而如果這個數據已經存在於Cache之中的話,那麼CPU就會更加快速地得到這個數據。

Athlon XP無疑是AMD今年最成功的產品,它採用了類似於Pentium 4的硬體預讀技術--執行跟蹤高速緩存,預先將處理器可能需要的數據從主內存讀到緩存中,這一過程能明顯提高系統匯流排和內存帶寬的利用率,進而提升系統性能。

主要用於伺服器的Merced 對Cache的要求更高了。為此,lntel在晶元內開發新的Cache,並增加L1 Cache的容量,來平衡CPU和DRAM間的速度。為此,在Merced的片上最接近執行單元旁再設另一處Cache,稱為L0緩存,是指令/數據分離型。由於L0Cache在物理位置上比L1離執行單元更近,布線距離的縮短,使它與執行單元間的數據交換速度比L1還快,可以進一步提高工作主頻。 同時,還要在晶元內部配置超過1MB的大容量L1 Cache。晶元內部Cache比外部Cache更易於提升與執行單元間的數據傳送速度。

3、硬碟高速緩存

在PC的磁碟系統中,高速緩存也得到了廣泛應用。為提高內存對硬碟的讀寫速度,就要建立磁碟高速緩存,不過硬碟高速緩存不必使用昂貴的SRAM,使用普通的DRAM即可,因為DRAM內存的存取速度對CPU來說較慢,但對磁碟的存取速度卻是很快的。這是因為磁碟存儲系統包含有磁頭的機械運動,而機械運動無法跟傳送電信號的電子速度相比。以前硬碟內部集成的高速緩存只有512K左右,而現在硬碟普遍將高速緩存的容量提升到2M以上,個別產品甚至達到了8M。由於硬碟Cache無需使用高速的SRAM,除了內部集成的SDRAM,我們還可以在系統主內存中劃出一個區域,作為專用的磁碟緩沖區,採用一定的數據結構,即可實現磁碟存取的二級Cache技術。硬碟高速緩存的工作過程及原理與CPU高速緩存類似,也是把即將訪問的數據整塊地拷貝到高速緩存區中,然後內存再到高速緩存中去逐個讀取數據。由於數據在RAM空間內部傳送要比在RAM與磁碟間傳送快得多,從而系統由此提高了存取速度。

下面給大家介紹一下西數WD1000BB-SE 8MB緩存硬碟,由於內存的讀寫速度大大高於硬碟的讀寫速度,因此大容量的緩存可以有效提高存儲器的數據傳輸速度。但目前市面所售的大部分硬碟都只帶512K--2MB的緩存。西數前段時間推出的7200轉,100G硬碟特別版WD1000BB-SE,其單碟容量為33G,介面類型為ATA100,平均尋道時間8.9毫秒,這方面參數與其他硬碟相比並無特別,不過WD1000BB-SE將硬碟的緩存容量從2MB直接提升到了8MB。引起了業界的普遍關注。經過多方面評測,由於緩存容量的加大,這款IDE介面硬碟的實際性能已經接近或超越了不少10000轉SCSI介面硬碟,成為IDE硬碟中的速度王者。這也充分反映出高速緩存對電腦配件性能的影響。

4、刻錄機的緩存
緩存容量的大小是衡量光碟刻錄機性能的重要技術指標之一,刻錄時數據必須先寫入緩存,刻錄軟體再從緩存區調用要刻錄的數據,在刻錄的同時後續的數據再寫入緩存中,以保持要寫入數據良好的組織和連續傳輸。如果後續數據沒有及時寫入緩沖區,傳輸的中斷則將導致刻錄失敗。因而緩沖的容量越大,刻錄的成功率就越高。市場上的光碟刻錄機的緩存容量一般在1MB~4MB之間,目前最大的有8M緩存的產品。尤其對於IDE介面的刻錄機,緩存容量很重要。增加高速緩存既有利於刻錄機的穩定工作,同時也有利於降低CPU的佔用率。 總之緩存大小對刻錄機是非常的重要的,緩存越大刻錄時就越穩定。目前市場上有多款刻錄機都帶有8M緩存,配合其他防刻死技術,有效防止了出現「緩存欠載」導致刻錄失敗的問題。

在普通光碟機中也內置有高速緩存,當然其作用沒有刻錄機中的重要,主要是為了提高讀盤效率,降低CPU佔用率,因此容量也比較小,一般只有512K。

5、其他設備的高速緩存
在PC其他配件中也都存在高速緩存的應用。比如在顯示系統中,由於3D應用的迅猛發展,現在顯卡上的顯示內存普遍達到了32M以上,甚至多達128M,因此也廣泛使用著高速緩存技術,如前台緩存、後台緩存、深度緩存和紋理緩存等。

現在還有所謂CDRAM(Cache DRAM) 帶高速緩存的內存,就是在內存晶元上集成了特殊構造的SRAM。發展好的話過幾年有可能成為主流內存。除此之外,甚至在音效卡、RAID卡、SCSI卡中也帶有高速緩存,

四、高速緩存的調整及應用

1、BIOS中與高速緩存有關的選項

1)Video ROM的Shadow
「影子」內存(ShadowRAM,或稱ROMShadow)是為了提高系統效率而採用的一種專門Cache技術,它把系統主板上的系統ROMBIOS和適配器卡上的視頻ROMBIOS等拷貝到系統RAM內存中去運行,其地址仍使用它們在上位內存中佔用的原地址。更確切地說,是從擴展內存中拿出一部分物理存儲空間,而賦以ROM的原地址,由這部分擴展RAM代替原ROM。由於ROM採用靜態CMOS電路,其存取速度為200ns左右,而系統存儲器RAM採用動態CMOS電路,其存取速度進幾十ns,速度快好幾倍,將存放在ROM中的BIOS代碼(基本輸入輸出例行程序,它們在系統運行期間非常頻繁的被調用)拷貝到系統RAM中去,就可提高系統運行和顯示的速度和效率。

2)CPU Internal Cache
CPU內部快速緩存是否打開,一般設置為Enable。Enternal Cache:是否使用主板緩存,一般設置為Enable。CPU L2 Cache Ecc Checking:CPU的L2 緩存Ecc 檢測,可設置為Disable。

從字面上看,「CPU Internal Cache」和「External Cache」分別指CPU內部和外部的高速緩存,但更准確的說法應該是一級緩存和二級緩存。Socket/Super 7架構的CPU內部只有一級緩存,二級緩存放在了主板上,「Internal」和「External」的說法就源於此,而對PⅡ、PⅢ和K6-Ⅲ等CPU來說,二級緩存也被集成到CPU內部,內外部的說法就不太確切了,因此一些Slot 1主板對此進行了修改,改稱為「CPU Level 1 Cache」和「CPU Level 2 Cache」。除非打開後系統會出現死機等情況,否則這兩個選項都應設為Enabled,以加快CPU讀取內存的速度。

3)二級緩存的潛伏期

在BIOS中,我們還可以調節二級緩存的潛伏期,其中Level 2 Cache Latency(二級緩存潛伏期)有16個值可選(1~15),從理論上來說,數值越小延遲時間越短,性能也越高。如果把數值設得過小,二級緩存有可能停止工作,不僅系統性能會急速下跌,還會發生死機現象。L2 Cache對內存帶寬有重大影響,即使CPU頻率再高,其它設備跟不上亦是無用,增加緩存潛伏期可以讓機器更穩定,避免上述情況。

4)System BIOS Cacheable

「System BIOS Cacheable」、「Video BIOS Cacheable」和「Video RAM Cacheable」分別指定是否可以使用二級高速緩存來緩存系統BIOS、顯卡BIOS和顯示內存,緩存之後,BIOS調用的執行速度以及訪問顯示內存的速度都會加快,因此最好都設成Enabled。不過,當顯示內存可以被緩存時,少數顯卡可能會出現兼容性問題,此時可考慮將第三項設為Disabled。

2、調整高速緩存優化系統
如果你的應用程序需頻繁訪問硬碟,可在擴充或擴展內存中建立「直接寫盤(write-through)」型磁碟高速緩存。用戶可在autoexec.bat文件中加入命令行:c:\dos\smartdrv.exe,則此驅動程序會自動裝入內存高端,其磁碟緩沖區預設值為256KB,你可以改變這個值的大小。一般設置為物理內存的1/8左右比較合適。SMARTDRV.EXE一個外部設備驅動程序。用此程序可啟動或設置磁碟高速緩沖存儲器。與Cache不同,Cache是充分發揮了CPU的速度,而SMARTDRV是加快了磁碟的讀寫速度。在實際應用中,SMARTDRV.EXT高速緩存驅動程序將記住每次應用程序使用磁碟的磁碟扇區數據,不用再訪問磁碟驅動器,而是訪問內存中已包含這些數據的區域。

總的來說,PC中的Cache主要是為了解決高速設備和低速設備間速度匹配的問題,是提高系統性能,降低系統成本而採用的一項技術。隨著電腦技術的飛速發展, Cache已成為PC中大多數配件不可缺少的組成部分,是衡量系統性能優劣的一項重要指標。從系統的性價比考慮,Cache的配備將在很長一段時間內仍然是PC中重要的技術之一。

⑼ sram存儲器是靜態只讀存儲器 靜態隨機存儲器 動態只讀存儲器還是動態隨機存儲器啊

是靜態隨機存儲器,DRAM是動態隨機存儲器
靜態隨機存儲器
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
動態隨機存儲器
動態隨機存儲器(dynamic random access memory) 採用動態存儲單元的隨機存儲器,簡稱DRAM或動態RAM。
一般計算機系統使用的隨機存取內存(RAM)可分動態(DRAM)與靜態隨機存取內存(SRAM)兩種,差異在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新,才能維系數據保存,SRAM的數據則不需要刷新過程,在上電期間,數據不會丟失。

⑽ SRAM是緩存還是內存

SRAM是一種讀寫速度很優秀的存儲器(比DRAM速度快很多的存儲器),因為讀寫速度優秀,所以價格就貴,所以一般容量做的比較小,容量做大的話成本就會很高(因為計算機要親民啊,做的那麼貴誰買得起呢),所以一般不拿來當內存使用(就是平常說的內存條),一般用作TLB(快表)或者用來減少存取時間的高速緩存,而DRAM一般用來做內存,一般容量比較大,為什麼容量大呢,因為他比SRAM存儲器慢所以價格便宜,容量做大一點就沒關系啦

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