存儲設備市場佔有率
1. 求世界上的著名內存供應商
1.現代
個人認為，原廠現代和三星內存是目前兼容性和穩定性最好的內存條，其比許多廣告吹得生猛的內存條要來得實在得多，此外，現代"Hynix（更專業的稱呼是海力士半導體Hynix Semiconctor Inc.）"的D43等顆粒也是目前很多高頻內存所普遍採用的內存晶元。目前，市場上比劃超值的現代高頻條有現代原廠DDR500內存，採用了TSOP封裝的HY5DU56822CT-D5內存晶元，其性價比很不錯。
2.金士頓
作為世界第一大內存生產廠商的Kingston，其金士頓內存產品在進入中國市場以來，就憑借優秀的產品質量和一流的售後服務，贏得了眾多中國消費者的心。
不過Kingston雖然作為世界第一大內存生產廠商，然而Kingston品牌的內存產品，其使用的內存顆粒確是五花八門，既有Kingston自己顆粒的產品，更多的則是現代（Hynix）、三星（Samsung）、南亞（Nanya）、華邦（Winbond）、英飛凌（Infinoen）、美光（Micron）等等眾多廠商的內存顆粒。
Kingston的高頻內存有採用"Hynix"D43顆粒和Winbond的內存顆粒的金士頓DDR400、DDR433-DDR500內存等，其分屬ValueRam系列（經濟型）和HyperX系列。
HyperX系列
Kingston的ValueRam系列，價格與普通的DDR400一樣，但其可以超頻到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超頻性也不錯，Kingston 500MHz的HyperX超頻內存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB單片包裝與容量512MB與1GB雙片的包裝上市，其電壓為2.6伏特，採用鋁制散熱片加強散熱，使用三星K4H560838E-TCCC晶元，在DDR400下的CAS值為2.5，DDR500下的CAS值為3，所以性能也一般。
3.利屏
利屏是進來新近崛起的一個內存新秀。利屏科技（深圳）有限公司總部設在美國西部風景如畫的世界高科技重鎮舊金山。公司致力於研發、生產和銷售利屏LPT極限高端內存條產品。公司擁有一支技術過硬的產品研發團隊和足跡遍及中、外的專業銷售隊伍。產品深受廣大游戲玩家和超頻愛好者的喜愛。同時被冠以"超頻之神"的美譽。
另外還有Kinghourse，NANYA，Micron等品牌，都是不錯的選擇，這里就不一一贅述了。
"利屏"眼鏡蛇DDR400系列內存也是專門為追求性能的玩家所設計，它採用的也是D43的顆粒，但是時序更高，為了加強散熱更是加上了金屬散熱片，其超頻能力相當強勁，在加0.1V左右的電壓下可以超頻到DDR520。而利屏的DDR466內存，它採用的是編號為K4H560838E-TCCC的三星顆粒，運行在DDR466的時候內存時序為3-4-4-8，但其256MB容量接近500元的報價就顯得太高了。
而利屏的高端極限內存DDR560，提供單片256MB和512MB包裝，同時雙片裝的512MB和1024MB支持雙通道架構，每條內存的表面均有銅質散熱片進行散熱及確保運行的穩定性，其CAS值均為3，只能說剛好能用而已。
4.勤茂
勤茂（TwinMOS）CAS為2的DDR433內存，採用CSP技術封裝—這款，勤茂DDR433內存的CAS Latency控制在2，Burst Length控制在2、4、8，性能指數不錯。此外，內存外麵包裹著金黃色內存罩，能起到散熱和屏蔽的作用，內存顆粒與散熱片之間則填充了導熱的墊片。價格在350元左右，其可超性也不含糊，性價比不錯。
5.Kingmax 勝創
成立於1989年的勝創科技有限公司是一家名列中國台灣省前200強的生產企業（Commonwealth Magazine，May 2000），同時也是內存模組的引領生產廠商。
通過嚴格的質量控制和完善的研發實力，勝創科技獲得了ISO-9001證書，同時和IT行業中最優秀的企業建立了合作夥伴關系。公司以不斷創新的設計工藝和追求完美的信念生產出了高性能的尖端科技產品，不斷向移動計算領域提供價廉物美的最出色的內存模組。
在SDRAM時期，Kingmax就曾成功的建造了PC150帝國，開啟了內存產品的高速時代，也奠定了Kingmax在內存領域領先的地位。而今DDR來了，從266到300，再到現在的500，Kingmax始終保持著領先的位置，繼續引領著內存發展的方向。說到KingMax內存，就不能不說到它獨特的 "TinyBGA" 封裝技術專利——作為全球領先的DRAM生產廠商，勝創科技在1997年宣布了第一款基於TinyBGA封裝技術的內存模組，這項屢獲殊榮的封裝技術能以同樣的體積大小封裝3倍於普通技術所達到的內存容量。同時，勝創科技還研製了為高端伺服器和工作站應用設計的1GB StackBGA模組、為DDR應用設計的FBGA模組以及為Rambus RIMM應用設計的速度高達1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模組。
Kingmax勝創推出的低價版的DDR433內存產品，該產品採用傳統的TSOP封裝內存晶元，工作頻率433MHz。Kingmax推出的這個SuperRam PC3500系列的售價和PC3200處於同一檔次，這為那些熱衷超頻又手頭不寬裕的用戶提供了一個不錯的選擇。此外，Kingmax也推出了CL-3的DDR500內存產品，其性能和其它廠家的同類產品大同小異。
6.Corsair（海盜旗）
Corsair（海盜旗）是一家較有特點的內存品牌，其內存條都包裹著一層黑色金屬外殼，這層金屬殼緊貼在內存顆粒上，一方面可以屏蔽其他的電磁干擾。其代表產品如Corsair TwinX PC3200（CMX512-3200XL）內存，其在DDR400下，可以穩定運行在CL2-2-2-5-T1下，將潛伏期和定址時間縮短為原來的一半，這款內存並不比一些DDR500產品差，而且Corsair為這種內存提供終身保修。
而Corsair DDR500內存採用Hynix晶元，這款XMS4000能穩定運行在DDR500，並且可以超頻到DDR530，在DDR500下其CAS值為2.5，性能還算不錯。
7.Apacer（宇瞻）
在內存市場，Apacer一直以來都有著較好的聲譽，其SDRAM時代的WBGA封裝也響徹一時，在DDR內存上也樹立了良好形象。宇瞻科技隸屬宏基集團，實力非常雄厚。初期專注於內存模組行銷，並已經成為全球前四大內存模組供應商之一。據權威人士透露，在國際上，宇瞻的品牌知名度以及產品銷量與目在前國內排名第一的品牌持平甚至超過，之所以在國內目前沒有坐到龍頭位置，是因為宇瞻對於品牌宣傳一直比較低調，精力更多投入到產品研發生產而不是品牌推廣當中。
最近，宇瞻相應推出的"宇瞻金牌內存"系列。宇瞻金牌內存產品線特別為追求高穩定性、高兼容性的內存用戶而設計。宇瞻金牌內存堅持使用100％原廠測試顆粒（決不使用OEM顆粒）是基於現有最新的DDR內存技術標准設計而成，經過ISO 9002認證之工廠完整流程生產製造。採用20微米金手指高品質6層PCB板，每條內存都覆蓋有美觀精質的黃金色金屬銘牌，而且通過了最高端的Advantest測試系統檢測後，採用高速SMT機台打造，經過高低壓、高低溫、長時間的密封式空間嚴苛測試，並經過全球知名系統及主板大廠完全兼容性測試，品質與兼容性都得到最大限度的保證。
宇瞻的DDR500內存（PC4000內存）採用金黃色的散熱片和綠色的PCB板搭配。金屬散熱片的材質相當不錯，在手中有種沉甸甸的感覺，為了防止氧化，其表面被鍍成了金色。內存顆粒方面，這款內存採用了三星的內存顆粒，具體型號為：K4H560838E-TCC5，為32Mx8規格DDR466@CL=3的TSOPII封裝顆粒，標准工作電壓2.6V+-0.1V，標准運行時序CL-tRCD-tRP為3-4-4。在DDR500下其CL值為3，性能將就。
8.金邦
金邦(Geil)科技股份有限公司是世界上專業的內存模塊製造商之一。全球第一家也是唯一家以漢字注冊的內存品牌，並以中文命名的產品"金邦金條"、"千禧條GL2000"迅速進入國內市場，在極短的時間內達到行業銷量遙遙領先。第一支"量身訂做，終身保固"記憶體模組的內存品牌，首推"量身訂做"系列產品，使計算機進入最優化狀態。在聯合電子設備工程委員會JEDEC尚未通過DDR400標準的情況下，率先推出第一支"DDR400"並成功於美國上市。
金邦高性能、高品質和高可靠性的內存產品，引起業界和傳媒的廣泛關注。在過去幾年中，金邦內存多次榮獲國內權威雜志評為讀者首選品牌和編輯選擇獎，穩奪國內存儲器市場佔有率三強。
金邦的Geil Platinum系列的DDR500內存（PC4000），採用TSOPII封裝，使用了純銅內存散熱片，可較妥善的解決內存的散熱問題。採用六層低電磁干擾PCB板設計；單條容量256MB，在內存晶元上做了整體打磨並上打上了Geil的印記，"號稱"使用了4ns的內存晶元，但仍可以看出其是採用Hynix的內存顆粒。額定工作頻率可達500MHz，在內存參數方面這是默認為CL3，可達CL2.5。除此而外，其還有金條PC4200（DDR533）等款產品。
9.威剛（ADATA）
威剛的高頻內存有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款價格適宜的DDR500產品，CAS值為3，其沒有使用散熱片，在晶元上的標簽顯示了Adata ID號。
10.OCZ
OCZ的高頻內存在市場上也越來越常見，如OCZ 3700 Gold，使用三星TCB3晶元，採用改良的散熱片，標上有OCZ ID號及標准速度，其可以達到DDR500的水準，在DDR400/500下其CAS值均為2.5，還算不錯。
尚卻g－skill，infineon等品牌的資料，望大家能補充！
2. 主流硬碟品牌有哪些
主流的硬碟品牌有哪些
在日常生活或是工作學習中，大家一定都接觸硬碟吧，那麼都有哪些類型的硬碟呢？下面是我整理的主流硬碟品牌有哪些硬碟，歡迎閱讀與收藏。
主流硬碟品牌有哪些
目前硬碟品牌主要有Seagate（希捷）、Maxtor（邁拓）、SAMSUNG（三星）和Western Digital（西部數據，簡稱西數）等，下面將對這些品牌硬碟進行簡單介紹。
1、Seagate（希捷）硬碟
希捷公司是當前硬碟界研發的領頭羊，其生產的硬碟物美價廉。希捷公司是最早推出SATA介面標準的硬碟廠家，另外也是第一個推出單碟容量在200GB的硬碟廠家，實力非同一般，希捷硬碟的酷魚系列有很高的市場佔有率，享有良好的聲譽。
2、Maxtor（邁拓）硬碟
Maxtor公司是全球出貨量最大的硬碟廠商之一，擁有廣泛而完整的產品線。Maxtor系列產品主要是7200轉IDE硬碟金鑽系列DiamondMax Plus 9。此系列的硬碟可提供高達80GB的單碟容量，具有2MB或8MB高速緩存，存儲容量包括60GB，80GB，120GB，160GB和200GB。
Maxtor的新一代SATA硬碟提供了最高150MB/s的數據傳輸率，特別適合影音、消費類電子、高性能PC工作站以及入門級伺服器的應用。
硬碟
3、SAMSUNG（三星）硬碟
三星硬碟以目前的三星SpinPoint系列為主力產品。三星SpinPoint系列產品是三星針對高端市場推出的產品，轉速都為7200r/min，緩存為2MB，具有三星獨特的ImpacGuard和SSB（Shock Skin Bumper）技術。其中SSB（震動外殼緩沖）是在三星硬碟外殼上具有一圈一次成型的外框，有緩沖震動的作用，減小震動對硬碟內部的影響。ImpacGuard則是加強了硬碟磁頭的抗震能力。
4、Western Digital（西部數據）硬碟
Western Digital（西部數據）硬碟WDXXXXBB系列產品是7200r/min、單碟40GB的產品，緩存容量為2MB；西部數據WDXXXXJB系列產品是7200r/min、單碟40GB的產品，緩存容量為8MB。其產品性價比較高，品質和服務都有比較充分的保障。
固態硬碟十大品牌推薦
1、三星固態硬碟
2、金士頓固態硬碟
3、浦科特固態硬碟
4、影馳固態硬碟
5、閃迪固態硬碟
6、Intel固態硬碟
7、威剛固態硬碟
8、金速固態硬碟
9、OCZ固態硬碟
10、創見固態硬碟
固態硬碟的優點：
1、固態硬碟與普通硬碟的比較：低容量的固態硬碟在工作的時候耗能和發熱量都比較小，但高端或大容量產品耗能會比較大些。
2、相對固定的讀取時間短。
3、低容量的固態硬碟比同容量硬碟體積小、重量輕。但這一優勢隨容量增大而逐漸減弱。
固態硬碟什麼牌子好：
我比較推薦有一下幾個牌子：OCZ、Intel、浦科特、三星、鎂光等固態硬碟牌子，如果是做系統盤那麼可以選擇64G或和128GB就足夠了。
如果選擇大的.價格就會太貴，一般64G用來安裝系統以及安裝一些重要軟體也使可以的了，因此個人比較推薦這個容量呢?三星的固態硬碟的速度最好，當然固態硬碟還有很多的其他品牌質量都不錯，比如鎂光，只是比較看好上面的三家而已。
具我了解，在目前市場上固態硬碟品牌中，OCZ市場佔有率最高，約佔24%的份額，其次為三星品牌占據市場14.5%左右的份額，排名第三的則為 Intel占據市場9.1左右的份額等，這些品牌目前相對在市場上都比較穩定，其中占據最高的OCZ固態硬碟品牌市場佔有率還在不斷上升。
哪個品牌的移動硬碟好
移動硬碟十大品牌之N0.1——三星
三星集團成立於1938年，創辦人為李秉喆，1969年成立三星電子。旗下子公司包含：三星電子、三星SDI、三星SDS、三星工程、三星航空和三星生命等，業務涉及電子、金融、機械、化學等眾多領域。
移動硬碟十大品牌之N0.2——希捷
希捷公司成立於1979年，現為全球最大的硬碟、磁碟和讀寫磁頭製造商，希捷在設計、製造和銷售硬碟領域居全球領先地位，提供用於企業、台式電腦、移動設備和消費電子的產品。
移動硬碟十大品牌之N0.3——西部數據
西部數據公司(Western Digital Corp)作為全球知名的硬碟廠商，成立於1979年，並於1988年開始設計和生產硬碟，總部位於美國加州，為全球五大洲用戶提供存儲器產品。公司的存儲產品以西部數據和WD產品進行銷售。
移動硬碟十大品牌之N0.4——日立
日立創立於2003年，它是基於IBM和日立就存儲科技業務進行戰略性整合而創建的。在產品類別方面，日立環球存儲科技公司提供了一系列業界領先的產品組合，包括1英寸、2.5英寸及3.5英寸硬碟存儲設備及方案，以迎合不同市場的需要。
移動硬碟十大品牌之N0.5——聯想
聯想集團聯想集團成立於1984年，是一家極富創新性的國際化科技公司，由原聯想集團及原IBM個人電腦事業部組成。聯想集團的總部設在美國紐約，同時在中國北京和美國北卡羅萊納州的羅利(Raleigh)設立兩個主要運營中心。
移動硬碟十大品牌之N0.6——紐曼
湖南紐曼數碼科技有限公司(以下簡稱紐曼公司)，是一家集研發、製造、銷售、服務為一體的高新技術企業。經過幾年的發展，憑借強大的研發力量，完善的售後服務，紐曼旗下影音播放器，GPS、移動存儲等產品線連續多年全國銷量遙遙領先。
移動硬碟十大品牌之N0.7——憶捷
憶捷作為一家集研發、生產、銷售、服務為一體的高新企業，是目前國內屈指可數的有自主研發能力的知名IT企業之一。經過多年來的高速發展，憶捷移動存儲、高清播放機及移動電源等產品在國內市場中，一直保持著極高的關注度和市場佔有率，是中國移動硬碟第一品牌、個性化U盤領導者。
移動硬碟十大品牌之N0.8——愛國者
愛國者數碼科技有限公司成立於1993年，形成以愛國者為主體，研發與品牌推廣為核心的集團型IT企業。業務涉及移動存儲、數碼影音播放、數碼相機、計算機配件、信息安全等多個領域。旗下品牌「aigo愛國者」，已經成長為中國數碼第一品牌。
移動硬碟十大品牌之N0.9——東芝
東芝創立於1875年7月，原名東京芝浦電氣株式會社，1939年由株式會社芝浦製作所和東京電氣株式會社合並而成。民用類產品，涉及家用電器、重型電機、通訊、電子、數碼產品等。
移動硬碟十大品牌之N0.10——力傑
公司成立於1996年，於2003年全力進軍消費類電子產品領域，專注於消費類電子產品的研發、生產和服務。2008年底，力傑啟動了針對國內市場的大品牌戰略，相繼推出了多系列、符合國際標準的加密攜帶型硬碟產品。
;3. 內存儲器的發展歷程
對於用過386機器的人來說，30pin的內存，我想在很多人的腦海里，一定或多或少的還留有一絲印象，這一次我們特意收集的7根30pin的內存條，並拍成圖片，怎麼樣看了以後，是不是有一種久違的感覺呀！
30pin 反面 30pin 正面
下面是一些常見內存參數的介紹：
bit 比特，內存中最小單位，也叫「位」。它只有兩個狀態分別以0和1表示
byte位元組，8個連續的比特叫做一個位元組。
ns（nanosecond）
納秒，是一秒的10億分之一。內存讀寫速度的單位，其前面數字越小表示速度越快。
72pin正面 72pin反面
72pin的內存，可以說是計算機發展史的一個經典，也正因為它的廉價，以及速度上大幅度的提升，為電腦的普及，提供了堅實的基礎。由於用的人比較多，目前在市場上還可以買得到。
SIMM（Single In-line Memory Moles）
單邊接觸內存模組。是5X86及其較早的PC中常採用的內存介面方式。在486以前，多採用30針的SIMM介面，而在Pentuim中更多的是72針的SIMM介面，或者與DIMM介面類型並存。人們通常把72線的SIMM類型內存模組直接稱為72線內存。
ECC（Error Checking and Correcting）
錯誤檢查和糾正。與奇偶校驗類似，它不但能檢測到錯誤的地方，還可以糾正絕大多數錯誤。它也是在原來的數據位上外加位來實現的，這些額外的位是用來重建錯誤數據的。只有經過內存的糾錯後，計算機操作指令才可以繼續執行。當然在糾錯是系統的性能有著明顯的降低。
EDO DRAM（Extended Data Output RAM）
擴展數據輸出內存。是Micron公司的專利技術。有72線和168線之分、5V電壓、帶寬32bit、基本速度40ns以上。傳統的DRAM和FPM DRAM在存取每一bit數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間後，然後才能讀寫有效的數據，而下一個bit的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。EDO DRAM不必等待資料的讀寫操作是否完成，只要規定的有效時間一到就可以准備輸出下一個地址，由此縮短了存取時間，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有較高的性/價比，因為它的存取速度比FPM DRAM快15%，而價格才高出5%。因此，成為中、低檔Pentium級別主板的標准內存。
DIMM（Dual In-line Memory Moles）
雙邊接觸內存模組。也就是說這種類型介面內存的插板兩邊都有數據介面觸片，這種介面模式的內存廣泛應用於現在的計算機中，通常為84針，由於是雙邊的，所以共有84×2=168線接觸，所以人們常把這種內存稱為168線內存。
PC133
SDRAM（Synchronous Burst RAM）
同步突發內存。是168線、3.3V電壓、帶寬64bit、速度可達6ns。是雙存儲體結構，也就是有兩個儲存陣列，一個被CPU讀取數據的時候，另一個已經做好被讀取數據的准備，兩者相互自動切換，使得存取效率成倍提高。並且將RAM與CPU以相同時鍾頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間，所以其傳輸速率比EDO DRAM快了13%。SDRAM採用了多體（Bank）存儲器結構和突發模式，能傳輸一整數據而不是一段數據。
SDRAM ECC 伺服器專用內存
RDRAM（Rambus DRAM）
是美國RAMBUS公司在RAMBUSCHANNEL技術基礎上研製的一種存儲器。用於數據存儲的字長為16位，傳輸率極速指標有望達到600MHz。以管道存儲結構支持交叉存取同時執行四條指令，單從封裝形式上看，與DRAM沒有什麼不同，但在發熱量方面與100MHz的SDRAM大致相當。因為它的圖形加速性能是EDO DRAM的3-10倍，所以目前主要應用於高檔顯卡上做顯示內存。
Direct RDRAM
是RDRAM的擴展，它使用了同樣的RSL，但介面寬度達到16位，頻率達到800MHz，效率更高。單個傳輸率可達到1.6GB/s，兩個的傳輸率可達到3.2GB/s。
點評：
30pin和72pin的內存，早已退出市場，現在市場上主流的內存，是SDRAM，而SDRAM的價格越降越底，對於商家和廠家而言，利潤空間已縮到了極限，賠錢的買賣，有誰願意去做了？再者也沒有必要，畢竟廠家或商家們總是在朝著向「錢」的方向發展。
隨著 INTEL和 AMD兩大公司 CPU生產飛速發展，以及各大板卡廠家的支持，RAMBUS 和 DDRAM 也得到了更快的發展和普及，究竟哪一款會成為主流，哪一款更適合用戶，市場終究會證明這一切的。
機存取存儲器是電腦的記憶部件，也被認為是反映集成電路工藝水平的部件。各種存儲器中以動態存儲器（DRAM）的存儲容量為最大，使用最為普及，幾十年間它的存儲量擴大了幾千倍，存取數據的速度提高40多倍。存儲器的集成度的提高是靠不斷縮小器件尺寸達到的。尺寸的縮小，對集成電路的設計和製造技術提出了極為苛刻的要求，可以說是只有一代新工藝的突破，才有一代集成電路。
動態讀寫存儲器DRAM（Dynamic Random Access MeMory）是利用MOS存儲單元分布電容上的電荷來存儲數據位，由於電容電荷會泄漏，為了保持信息不丟失，DRAM需要不斷周期性地對其刷新。由於這種結構的存儲單元所需要的MOS管較少，因此DRAM的集成度高、功耗也小，同時每位的價格最低。DRAM一般都用於大容量系統中。DRAM的發展方向有兩個，一是高集成度、大容量、低成本，二是高速度、專用化。
從1970年Intel公司推出第一塊1K DRAM晶元後，其存儲容量基本上是按每三年翻兩番的速度發展。1995年12月韓國三星公司率先宣布利用0.16μm工藝研製成功集成度達10億以上的1000M位的高速（3lns）同步DRAM。這個領域的競爭非常激烈，為了解決巨額投資和共擔市場風險問題，世界范圍內的各大半導體廠商紛紛聯合，已形成若干合作開發的集團格局。
1996年市場上主推的是4M位和16M位DRAM晶元，1997年以16M位為主，1998年64M位大量上市。64M DRAM的市場佔有率達52%；16M DRAM的市場佔有率為45%。1999年64M DRAM市場佔有率已提高到78%，16M DRAM佔1%。128M DRAM已經普及，明年將出現256M DRAM。
高性能RISC微處理器的時鍾已達到100MHz～700MHz，這種情況下，處理器對存儲器的帶寬要求越來越高。為了適應高速CPU構成高性能系統的需要，DRAM技術在不斷發展。在市場需求的驅動下，出現了一系列新型結構的高速DRAM。例如EDRAM、CDRAM、SDRAM、RDRAM、SLDRAM、DDR DRAM、DRDRAM等。為了提高動態讀寫存儲器訪問速度而採用不同技術實現的DRAM有：
（1） 快速頁面方式FPM DRAM
快速頁面方式FPM（Fast Page Mode）DRAM已經成為一種標准形式。一般DRAM存儲單元的讀寫是先選擇行地址，再選擇列地址，事實上，在大多數情況下，下一個所需要的數據在當前所讀取數據的下一個單元，即其地址是在同一行的下一列，FPM DRAM可以通過保持同一個行地址來選擇不同的列地址實現存儲器的連續訪問。減少了建立行地址的延時時間從而提高連續數據訪問的速度。但是當時鍾頻率高於33MHz時，由於沒有足夠的充電保持時間，將會使讀出的數據不可靠。
（2） 擴展數據輸出動態讀寫存儲器EDO DRAM
在FPM技術的基礎上發展起來的擴展數據輸出動態讀寫存儲器EDODRAM（Extended Data Out DRAM），是在RAM的輸出端加一組鎖存器構成二級內存輸出緩沖單元，用以存儲數據並一直保持到數據被可靠地讀取時為止，這樣就擴展了數據輸出的有效時間。EDODRAM可以在50MHz時鍾下穩定地工作。
由於只要在原DRAM的基礎上集成成本提高並不多的EDO邏輯電路，就可以比較有效地提高動態讀寫存儲器的性能，所以在此之前，EDO DRAM曾成為動態讀寫存儲器設計的主流技術和基本形式。
（3） 突發方式EDO DRAM
在EDO DRAM存儲器的基礎上，又發展了一種可以提供更高有效帶寬的動態讀寫存儲器突發方式EDO DRAM（Burst EDO DRAM）。這種存儲器可以對可能所需的4個數據地址進行預測並自動地預先形成，它把可以穩定工作的頻率提高到66MHz。
（4） 同步動態讀寫存儲器SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM）是通過同步時鍾對控制介面的操作和安排片內隔行突發方式地址發生器來提高存儲器的性能。它僅需要一個首地址就可以對一個存儲塊進行訪問。所有的輸入采樣如輸出有效都在同一個系統時鍾的上升沿。所使用的與CPU同步的時鍾頻率可以高達66MHz～100MHz。它比一般DRAM增加一個可編程方式寄存器。採用SDRAM可大大改善內存條的速度和性能，系統設計者可根據處理器要求，靈活地採用交錯或順序脈沖。
Infineon Technologies(原Siemens半導體)今年已批量供應256Mit SDRAM。其SDRAM用0.2μm技術生產，在100MHz的時鍾頻率下輸出時間為10ns。
（5） 帶有高速緩存的動態讀寫存儲器CDRAM
CDRAM（Cached DRAM）是日本三菱電氣公司開發的專有技術，1992年推出樣品，是通過在DRAM晶元，集成一定數量的高速SRAM作為高速緩沖存儲器Cache和同步控制介面，來提高存儲器的性能。這種晶元用單一+3.3V電源，低壓TTL輸入輸出電平。目前三菱公司可以提供的CDRAM為4Mb和16Mb，其片內Cache為16KB，與128位內部匯流排配合工作，可以實現100MHz的數據訪問。流水線式存取時間為7ns。
（6） 增強型動態讀寫存儲器EDRAM（Enhanced DRAM）
由Ramtron跨國公司推出的帶有高速緩沖存儲器的DRAM產品稱作增強型動態讀寫存儲器EDRAM（Enhanced DRAM），它採用非同步操作方式，單一+5V工作電源，CMOS或TTL輸入輸出電平。由於採用一種改進的DRAM 0.76μm CMOS工藝和可以減小寄生電容和提高晶體管增益的結構技術，其性能大大提高，行訪問時間為35ns，讀/寫訪問時間可以提高到65ns，頁面寫入周期時間為15ns。EDRAM還在片內DRAM存儲矩陣的列解碼器上集成了2K位15ns的靜態RAM高速緩沖存儲器Cache，和後寫寄存器以及另外的控制線，並允許SRAM Cache和DRAM獨立操作。每次可以對一行數據進行高速緩沖。它可以象標準的DRAM對任一個存儲單元用頁面或靜態列訪問模式進行操作，訪問時間只有15ns。當Cache未命中時，EDRAM就把新的一行載入到Cache中，並把選擇的存儲單元數據輸出，這需要花35ns。這種存儲器的突發數據率可以達到267Mbytes/s。
（7） RDRAM（Rambus DRAM）
Rambus DRAM是Rambus公司利用本身研製的一種獨特的介面技術代替頁面方式結構的一種新型動態讀寫存儲器。這種介面在處理機與DRAM之間使用了一種特殊的9位低壓負載發送線，用250MHz同步時鍾工作，位元組寬度地址與數據復用的串列匯流排介面。這種介面又稱作Rambus通道，這種通道嵌入到DRAM中就構成Rambus DRAM，它還可以嵌入到用戶定製的邏輯晶元或微處理機中。它通過使用250MHz時鍾的兩個邊沿可以使突發數據傳輸率達到500MHz。在採用Rambus通道的系統中每個晶元內部都有它自己的控制器，用來處理地址解碼和面頁高速緩存管理。由此一片存儲器子系統的容量可達512K位元組，並含有一個匯流排控制器。不同容量的存儲器有相同的引腳並連接在同一組匯流排上。Rambus公司開發了這種新型結構的DRAM，但是它本身並不生產，而是通過發放許可證的方式轉讓它的技術，已經得到生產許可的半導體公司有NEC、Fujitsu、Toshiba、Hitachi和LG等。
被業界看好的下一代新型DRAM有三種：雙數據傳輸率同步動態讀寫存儲器（DDR SDRAM）、同步鏈動態讀寫存儲器（SLDRAM）和Rambus介面DRAM（RDRAM）。
（1） DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）
在同步動態讀寫存儲器SDRAM的基礎上，採用延時鎖定環（Delay-locked Loop）技術提供數據選通信號對數據進行精確定位，在時鍾脈沖的上升沿和下降沿都可傳輸數據（而不是第一代SDRAM僅在時鍾脈沖的下降沿傳輸數據），這樣就在不提高時鍾頻率的情況下，使數據傳輸率提高一倍，故稱作雙數據傳輸率（DDR）DRAM，它實際上是第二代SDRAM。由於DDR DRAM需要新的高速時鍾同步電路和符合JEDEC標準的存儲器模塊，所以主板和晶元組的成本較高，一般只能用於高檔伺服器和工作站上，其價格在中低檔PC機上可能難以接受。
（2） SLDRAM（Synchnonous Link DRAM）
這是由IBM、HP、Apple、NEC、Fujitsu、Hyundai、Micron、TI、Toshiba、Sansung和Siemens等業界大公司聯合制定的一個開放性標准，委託Mosaid Technologies公司設計，所以SLDRAM是一種原本最有希望成為高速DRAM開放性工業標準的動態讀寫存儲器。它是一種在原DDR DRAM基礎上發展的一種高速動態讀寫存儲器。它具有與DRDRAM相同的高數據傳輸率，但是它比其工作頻率要低；另外生產這種存儲器不需要支付專利使用費，使得製造成本較低，所以這種存儲器應該具有市場競爭優勢。但是由於SLDRAM聯盟是一個鬆散的聯合體，眾多成員之間難以協調一致，在研究經費投入上不能達成一致意見，加上Intel公司不支持這種標准，所以這種動態存儲器反而難以形成氣候，敵不過Intel公司鼎立支持的Rambus公司的DRDRAM。SLDRAM可用於通信和消費類電子產品，高檔PC和伺服器。
（3） DRDRAM（Direct Rambus DRAM）
從1996年開始，Rambus公司就在Intel公司的支持下制定新一代RDRAM標准，這就是DRDRAM（Direct RDRAM）。這是一種基於協議的DRAM，與傳統DRAM不同的是其引腳定義會隨命令而變，同一組引腳線可以被定義成地址，也可以被定義成控制線。其引腳數僅為正常DRAM的三分之一。當需要擴展晶元容量時，只需要改變命令，不需要增加硬體引腳。這種晶元可以支持400MHz外頻，再利用上升沿和下降沿兩次傳輸數據，可以使數據傳輸率達到800MHz。同時通過把數據輸出通道從8位擴展成16位，這樣在100MHz時就可以使最大數據輸出率達1.6Gb/s。東芝公司在購買了Rambus公司的高速傳輸介面技術專利後，於1998年9月首先推出72Mb的RDRAM，其中64Mb是數據存儲器，另外8Mb用於糾錯校驗，由此大大提高了數據讀寫可靠性。
Intel公司辦排眾議，堅定地推舉DRDRAM作為下一代高速內存的標准，目前在Intel公司對Micro、Toshiba和Samsung等公司組建DRDRAM的生產線和測試線投入資金。其他眾多廠商也在努力與其抗爭，最近AMD宣布至少今年推出的K7微處理器都不打算採用Rambus DRAM；據說IBM正在考慮放棄對Rambus的支持。當前市場上同樣是64Mb的DRAM，RDRAM就要比其他標準的貴45美元。
由此可見存儲器的發展動向是：大容量化，高速化， 多品種、多功能化，低電壓、低功耗化。
存儲器的工藝發展中有以下趨勢：CHMOS工藝代替NMOS工藝以降低功耗；縮小器件尺寸，外圍電路仍採用ECL結構以提高存取速度同時提高集成度；存儲電容從平面HI-C改為深溝式，保證尺寸減少後的電荷存儲量，以提高可靠性；電路設計中簡化外圍電路結構，注意降低雜訊，運用冗餘技術以提高質量和成品率；工藝中採用了多種新技術；使DRAM的存儲容量穩步上升，為今後繼續開發大容量的新電路奠定基礎。
從電子計算機中的處理器和存儲器可以看出ULSI前進的步伐和幾十年間的巨大變化。
4. 請教：基於塊存儲和基於文件系統的存儲
Ceph布式存儲系統支持象文件快介面設計目標：
? 所組件橫向擴展
? 沒單點故障
? 普通廠商硬體使用
? 所機制都能自我管理
? 源
布式存儲應用場景相於其存儲介面現流行三種：
象存儲： 通意義鍵值存儲其介面簡單GET,PUTDEL其擴展七牛、拍SwiftS3等
2.塊存儲： 種介面通QEMUDriver或者KernelMole式存種介面需要實現LinuxBlock Device介面或者QEMU提供Block Driver介面SheepdogAWSEBS青雲雲硬碟阿雲盤古系統CephRDB（RDBCeph面向塊存儲介面）
3、文件存儲： 通意義支持POSIX介面跟傳統文件系統Ext4類型區別於布式存儲提供並行化能力CephCephFS（CephFSCeph面向文件存儲介面）候GFSHDFS種非POSIX介面類文件存儲介面歸入類
提存儲種類提另外題：存儲能做統化必須要同軟體棧管理同存儲設備：SSDSATA等
Ceph提同觀點RADOS提供基礎存儲設備管理、數據控制流訪問管理提供靠持久數據存儲平台基於其我實現同介面戶實現面向同需求接比象存儲我單獨庫實現滿足同存儲需要比我塊存儲通RDP實現
統存儲並意味著所存儲都同介面同實現同軟體棧其實使用同設備管理命周期數據訪問效控制提供相合理非適合運維利於本利於軟體靠性控制機制保證我存儲靠
舉例部存儲廠商甚至網路廠商都自核軟體棧文件系內核基於其演化各種同產品線廠商要追求各產品線極致應該每產品完全獨立追求極致事實核底層技術棧需要高質量代碼、完備測試期使用Ceph布式系統並發IO、布式恢復、數據端端校驗等等關鍵實現唯實現熟系統系統些實現需要經定量級間考驗才Ceph所謂統存儲其介面堆疊式發
【Ceph其源布式存儲、其商用存儲區別處哪】
眾所周知傳統廠商立、富士通等存儲廠採用Ceph作存儲硬體載體Ceph能提供企業級存儲服務定優勢才能讓傳統存儲廠商棄採用源存儲案
1、化系統我認數據控制系統面做較遷移運維面提供較實現卻元數據瓶頸訪問數據需要經元數據伺服器查詢再尋找相應數據伺服器規模擴展遇性能瓶頸問題
2、全布式系統雖提供較數據訪問能力能高效處理客戶端LO請求卻沒提供非數據控制實現比故障處理能力足數據恢復困難跳化元數據存儲系統沒辦做強致性數據恢復
彈性數據布策略物理拓撲輸入實現高用性高持久性Ceph高性能重構體現利用CRush算數進行約束避免數據布所集群節點利用Ceph設計並提供由CRush算支持高自由化存儲集群設計實現高靠性高持久性高性能
5. 請問，我在一家國有醫院裡面工作。我們醫院最近想要購買存儲設備，不知道哪個品牌的存儲設備比較好。拜託
你好，就算你不太了解存儲領域，那你一定也聽說過IBM、DELL和HP這些品牌，這些品牌就是市場上佔有率較高的幾家企業。對於醫療系統來說，醫院內部一般並不會有太多專業的IT設備維護人員，這就需要你們選擇一款穩定性高，並且容災方面很好的存儲設備。在品牌方面我個人比較推薦HP，因為HP的產品不僅性能十分強大，並且產品的性價比很高。就算是醫療系統，在采購IT設備時也會考慮很多性價比較高的設備。在產品方面，你可以根據你們醫院的規模和需要存儲的信息量，去詢問一下HP的銷售人員。相信他們會給你一個滿意的答復。
6. 國產手機內存卡品牌有哪些
內存卡的十大品牌有如下這些：
金士頓Kingston(全球存儲產品領導品牌,全球規模最大的內存模組製造商之一,美國500強企業,遠東金士頓科技股份有限公司)
閃迪SanDisk(全球最大的閃速數據存儲卡產品供應商之一,全球最堅固的USB快閃記憶體檔之一,行業領導品牌,SanDisk 公司)
索尼SONY(始創於1946年日本,全球高端顯像領導品牌,世界知名品牌,信息技術行業領先者,索尼(中國)有限公司)
威剛ADATA(2001年台灣,第二大內存市場佔有率,亞洲最大的記憶體模組廠商之一,十大存儲卡品牌,威剛科技有限公司)
勝創Kingmax(創於1989年台灣,專業內存製造商,存儲卡的技術領先者,全球存儲行業的著名品牌,勝創(KINGMAX)集團)
創見Transcend(始於1988年台灣,全球著名記憶卡製造商,高科技跨國公司,十大存儲卡品牌,台灣創見資訊股份有限公司)
宇瞻Apacer(1997年台灣,十大存儲卡品牌,台灣最具影響力的數碼存儲品牌之一,跨國大型企業,宇瞻科技股份有限公司)
雷克沙Lexar(美國品牌,全球移動存儲媒介領域的領導廠商,十大存儲卡品牌,最全面存儲產品線的提供商之一)
必恩威PNY(成立於1985年美國,外設內存/快閃記憶體領導廠商,美國IC及數碼產品最大品牌之一,必恩威科技股份有限公司)
三星SAMSUNG(於1938年韓國,世界財富500強企業,全球消費電子領域龍頭企業,全球電子產業的領導者,三星集團)
7. PNY是什麼
2006年春暖乍寒之時，國際存儲行業巨人「PNY」宣布正式進入中國市場，這一消息無疑在國內存儲行業引起不小的震動。對於PNY公司，業內人士並不完全陌生，在大洋彼岸的美國，PNY在IC及數碼產品市場上穩據第一品牌的位置，市場佔有率高達46％。如今，這艘「PNY」號航母已經起航了，而她的目的地就是中國。 1985年，PNY創建於美國，「PNY」的名字取自於英文單詞的巴黎和紐約（PARIS and NEW YORK），自從1988年成為成為一家全球化的公司，20年來PNY一直致力於存儲產品的研發和製造，目前除了在美國外，在英國、法國、德國、愛爾蘭和中國台灣擁有多家製造工廠和研發機構，其產品在美國和歐洲已經獲得很高的市場佔有率，同時，PNY品牌也在存儲行業內贏得了廣泛的聲譽。 近年來中國經濟持續快速增長和IT產業的蓬勃發展為存儲市場的繁榮提供了有利的時機，就象汽車的飛馳離不開供油系統一樣，IT產品每一次提升和飛躍發展也離不開存儲設備的支持和加力，正是在技術和市場的大力驅動下，中國存儲行業的快速發展引人注目。在此背景之下，眾多國際知名存儲廠商紛紛搶灘中國市場，事實上，象金士頓、Kingmax這樣具有實力先期進入中國國內市場的美、台廠商已經品嘗到了甜頭，與此同時，更多的國內外品牌異軍突起，競爭局面波瀾壯闊。 PNY中國區負責人表示，此次PNY大舉挺進國內市場，是有備而來的，並且在整個市場戰略安排上在有序展開。據了解，目前PNY已經完成整個渠道平台的搭建，從出貨情況看，市場反應良好，在賣場廣告和媒體曝光上也可以感覺到PNY正在逐漸發力。 從最初的核心產品——計算內存做起，經過幾次較大的產品線擴充，目前PNY形成了包括計算機內存、快閃記憶體卡、優盤、PC顯卡、伺服器顯卡、數碼娛樂產品等相互密切關聯的產品線組合。進入2000年來，PNY對業務進行了進一步的優化整合，加快了新品的研發速度，完善市場運做機構，並建立起高效率的物流系統。在存儲領域的長期傾力打造，使PNY的技術先鋒形象日漸彰現，PNY已經成為CISCO、IBM、SONY、Toshiba等計算機行業著名廠商的重要合作夥伴。
8. 浪潮集團有限公司的資質榮譽
中國電子信息百強IT企業綜合實力前兩位；中國自主品牌軟體廠商第一名；浪潮伺服器連續十七年占據國產伺服器品牌市場份額第一位（1996-2013）；浪潮存儲設備連續10年市場佔有率全國第一（2004-2013）；浪潮ERP 2008年集團管理市場佔有率第一；集團財務管理軟體市場份額國內前三甲；浪潮煙草行業軟體市場佔有率位列連續六年國內第一名（2003-2008）；浪潮稅控機產品市場佔有率連續六年位列中國稅控機市場第一名（2003-2008）；浪潮64位伺服器獲國家科技進步二等獎；浪潮高性能伺服器技術獲信息產業部頒布的重大技術發明獎；中國第一台基於10顆Intel處理器的小型機，獲得國家科技進步二等獎；浪潮稅控機榮獲山東省科技進步一等獎。
9. sd是什麼 是什麼
sd是一個多義詞，所指的意思分別是：
1、sd指的是Systems development的簡稱：
Systems development系統開發，具體方法包括傳統的系統生命周期法，面向對象的開發方法，面向功能的開發方法等。
2、sd指的是公司名稱Super Dollfie的簡稱：
sd僅指日本volks公司製造生產的球型關節可動的，包含了從1歲到20歲左右的青少年及兒童的所有形態的新型人偶。
3、sd指的是豬密螺旋體痢疾的縮寫：
豬密螺旋體痢疾又稱作血痢，歷史上曾稱作弧菌性痢疾，為豬的一種傳染性粘膜出血性結腸炎。
4、sd指的是游戲《熱血無賴》的英文簡稱：
SD是游戲《熱血無賴》的英文簡稱，是2012年出版發行的PC電子游戲。
5、sd指的是手機存儲卡的縮寫簡稱：
SD卡中文翻譯為安全數字存儲卡。是一種基於半導體快閃記憶器的新一代記憶設備，按照封裝的不同分為SD卡、miniSD卡等。
10. 移動硬碟什麼牌子的好啊
目前用的最多的是日立和三星的 一、就理論質量而言，三星的較之日立要略差一些，但也差不了多少，另一面三星的市場佔有率遠超日立，佔到了市場的55%。相對而言售後好一些，三星二類經銷商也可以提供三年（銀）和五年（金）的免費保換服務。而日立只能由一級代理提供三年免費保換，下游銷售商只向消費者承諾一年保換，三年保修。不過三星的代理體系比較亂，而且更迭頻繁，對於消費者而言可能不是個好消息。 二、就價格而言，日立目前價格較之三星略高，同規格約高5-10元。但二者市場細分有很大差異。三星2.5目前有120G、160G、250G、320G、500G幾個規格，均為5400RPM，8M-CACH，SATS接埠，IDE產品已基本退出市場。 而日立2.5目前有120GSATA、160GIDE、200GSATA、250GSATA、320GSATA，以上均為5400RPM，8M-CACH；另外日立還提供7200RPM的160GSATA、250GSATA和320GSATA三種規格。日立500GSATA硬碟也在產，但屬於厚盤系列，不能裝入標準的硬碟盒做為移動硬碟使用。 三、對於兩個品牌而言，80G和120G均已停產，所以即使市面上仍有售，兩者價格也不會比160G低多少，甚至還會高，值得一提的是，目前80G、120G與160G產品所使用的單碟片是一樣的，這就意味著三者生產成本沒有本質差別。 四、需要澄清的是：日立與三星目前在國內均沒有原裝的移動硬碟投入市場，像日立原裝，日立NESO、三星金鑽、金蘋果、雷霆王、金伯爵等等，均為仿、假冒產品，產品包裝上所列示的仿偽電話，都是花銀子做來的，電話都不是三星或日立的，細心的用戶可能會發現甚至有的三星的仿偽電話竟與日立一樣，呵呵，像三星日立一類大廠，不會委託三方機構提供此類服務，所以，最後的結果是，您買的原裝移動硬碟，其質量還不如組裝的。不信？來我店面，我當場給您組裝一個所謂的原裝移動硬碟。 五、不得不提到三星金將軍和金寶，正品的金將軍是由北京金捷諾提供的三星移動硬碟，這個產品權且可以稱之為行貨三星移動硬碟，但稱之原裝也有言過其詞之嫌，因為，產品的質保不是由三星提供的，也不能同三星金寶硬碟一樣享受五年全國聯保服務。另外，三星只提供金寶硬碟即金盤，目前市場上已沒有金寶移動硬碟這個產品，你自己看著辦吧。