相變光存儲器

㈠ 相變存儲器的工作原理

相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態下存在，這些狀態都稱為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進行工作的。
在非晶態下，GST材料具有短距離的原子能級和較低的自由電子密度，使得其具有較高的電阻率。由於這種狀態通常出現在RESET操作之後，一般稱其為RESET狀態，在RESET操作中DUT的溫度上升到略高於熔點溫度，然後突然對GST淬火將其冷卻。冷卻的速度對於非晶層的形成至關重要。非晶層的電阻通常可超過1兆歐。
在晶態下，GST材料具有長距離的原子能級和較高的自由電子密度，從而具有較低的電阻率。由於這種狀態通常出現在SET操作之後，我們一般稱其為SET狀態，在SET操作中，材料的溫度上升高於再結晶溫度但是低於熔點溫度，然後緩慢冷卻使得晶粒形成整層。晶態的電阻范圍通常從1千歐到10千歐。晶態是一種低能態；因此，當對非晶態下的材料加熱，溫度接近結晶溫度時，它就會自然地轉變為晶態。
典型的GST PCM器件結構頂部電極、晶態GST、α/晶態GST、熱絕緣體、電阻（加熱器）、底部電極組成。一個電阻連接在GST層的下方。加熱/熔化過程隻影響該電阻頂端周圍的一小片區域。擦除/RESET脈沖施加高電阻即邏輯0，在器件上形成一片非晶層區域。擦除/RESET脈沖比寫/SET脈沖要高、窄和陡峭。SET脈沖用於置邏輯1，使非晶層再結晶回到結晶態。

㈡ 什麼是相變存儲器

相變存儲器簡稱PCM，是基於奧弗辛斯基在20世紀60年代末提出的奧弗辛斯基電子效應的存儲器。
奧弗辛斯基電子效應是指材料由非晶體狀態變成晶體，再變回非晶體的過程中，其非晶體和晶體狀態呈現不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態和晶態分別代表「0」和「1」來存儲數據。
相變存儲器比起當今主流產品具有多種優勢，有望同時替代公眾熟知的兩大類存儲技術，如應用於U盤的可斷電存儲的快閃記憶體技術，又如應用於電腦內存的不斷電存儲的DRAM技術。
在存儲密度方面，目前主流存儲器在20多納米的技術節點上出現極限，無法進一步緊湊集成；而相變存儲器可達5納米量級。在存儲速度方面，相變存儲器的存儲單元比快閃記憶體快100倍，使用壽命也達百倍以上。

㈢ 江蘇時代芯存的相變存儲器可以應用於哪些領域

時代芯存的變相存儲器可以廣泛地運用於工業控制、汽車、機械設備、智能家居、5G網路、消費電子等領域，市場潛力是大大的。

㈣ 常見的非易失性存儲器有哪幾種

常見的非易失性存儲器有以下幾種：

一、可編程只讀內存：PROM（Programmable read-only memory）

其內部有行列式的鎔絲，可依用戶（廠商）的需要，利用電流將其燒斷，以寫入所需的數據及程序，鎔絲一經燒斷便無法再恢復，亦即數據無法再更改。

二、電可擦可編程只讀內存：EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory）

電子抹除式可復寫只讀存儲器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。

三、可擦可編程只讀內存：EPROM（Erasable programmable read only memory）

可利用高電壓將數據編程寫入，但抹除時需將線路曝光於紫外線下一段時間，數據始可被清空，再供重復使用。因此，在封裝外殼上會預留一個石英玻璃所制的透明窗以便進行紫外線曝光。

四、電可改寫只讀內存：EAROM（Electrically alterable read only memory）

內部所用的晶元與寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，封裝上不設置透明窗，因此編程寫入之後就不能再抹除改寫。

五、快閃記憶體：Flash memory

是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤。快閃記憶體是一種特殊的、以宏塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶元上的數據。

㈤ 相變存儲器的介紹

相變存儲器，簡稱PCM，相變存儲器就是利用特殊材料在晶態和非晶態之間相互轉化時所表現出來的導電性差異來存儲數據的。相變存儲器通常是利用硫族化合物在晶態和非晶態巨大的導電性差異來存儲數據的一種信息存儲裝置。2015年，《自然·光子學》雜志公布了世界上第一個或可長期存儲數據且完全基於光的相變存儲器。

㈥ 移動硬碟屬於什麼存儲器

移動硬碟屬於移動存儲設備。

常見的可移動存儲設備

1、PD光碟機

PD光碟採用相變光方式，其數據再生原理與CD光碟一樣，是根據反射光量的差以1和0來判別信號。PD光碟與CD光碟形狀一樣，為了保護盤面數據而裝在盒內使用。

PD光碟系統採用了在計算機、工作站環境中被廣泛使用，與軟盤、硬碟同樣數據構造的單元格式，而且還採用了在計算機環境內立即可被使用的512bit/單元的MCAV格式，採用該格式可比採用CLV格式的CD－R/CD－RW更高速地進行讀寫操作，並實現了尋找速度的高速化。

2、MO（MagnetoOptical）

從MO系統的性能來看，可達到了完全在MO上運行，而不用載入到HDD上的水平。這就大大拓寬了MO的應用領域。這也使得MO具有了更強的技術生命力和市場競爭力。

目前的介質技術已使得MO光碟的速度、可靠性、位存儲價格、可重寫次數、存檔時間等方面，達到了令人比較滿意的水平。這些特點使得MO在與純光記錄設備CDRW/DVD-RAM的競爭中，處於不可替代的地位。

3、活動硬碟

一般活動硬碟同樣採用Winchester硬碟技術，所以具有固定硬碟的基本技術特徵，速度快，平均尋道時間在12毫秒左右，數據傳輸率可達10M/s，容量從230MB到4．7GB。活動硬碟的碟片和軟盤一樣，是可以從驅動器中取出和更換的，存儲介質是碟片中的磁合金碟片。

根據容量不同，活動硬碟的碟片結構分為單片單面、單片雙面和雙片雙面三種，相應驅動器就有單磁頭、雙磁頭和四磁頭之分。活動硬碟介面方式現有內置SCSI、內置EIDE、外置SCSI和外置並口等四種方式。用戶可以根據自己的需求和計算機的配置情況選擇不同的介面方式。

4、U盤

u盤，全稱「USB介面快閃記憶體檔」，英文名「USB flash disk」。U盤的稱呼最早來源於朗科公司生產的一種新型存儲設備，名曰「優盤」，也叫「U盤」，使用USB介面進行連接。USB介面就連到電腦的主機後，U盤的資料就可放到電腦上了。

電腦上的數據也可以放到U盤上，很方便。而之後生產的類似技術的設備由於朗科已進行專利注冊，而不能再稱之為「優盤」，而改稱諧音的「U盤」或形象的稱之為「快閃記憶體」「閃盤」等。後來U盤這個稱呼因其簡單易記而廣為人知，而直到現在這兩者也已經通用，並對它們不再作區分。

(6)相變光存儲器擴展閱讀：

移動存儲設備的特點：

移動存儲設備具有高度集成、快速存取、方便靈活、性價優良、容易保存等性能。從存儲介質上來區分。

移動存儲設備大致分為磁介質存儲(如ZIP、LS-120、USB移動硬碟等)、光介質存儲(如CD-RW、dvd、MO)和快閃記憶體介質存儲(如USB快閃記憶體檔、各種快閃記憶體卡)三種。磁介質存儲由於價格高、標准眾多，因而較難普及。

光介質存儲是較為成熟的移動存儲解決方案，尤其適合於PC與PC之間的數據交換。基於半導體技術的快閃記憶體(Flash Memory)是較為理想的一種移動存儲技術。

它可以滿足計算機應用過程中對低功耗、高可靠性、高存儲密度、高讀寫速度的要求。在價格、可靠性、容量等方面都能滿足普通用戶的要求，同時又是數字消費產品普遍採用的存儲介質。

㈦ 相變存儲OUM是什麼

相變存儲器(OUM)
奧弗辛斯基(Stanford
Ovshinsky)在1968年發表了第一篇關於非晶體相變的論文，創立了非晶體半導體學。一年以後，他首次描述了基於相變理論的存儲器：材料由非晶體狀態變成晶體，再變回非晶體的過程中，其非晶體和晶體狀態呈現不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態和晶態分別代表「0」和「1」來存儲數據。後來，人們將這一學說稱為奧弗辛斯基電子效應。相變存儲器是基於奧弗辛斯基效應的元件，因此被命名為奧弗辛斯基電效應統一存儲器(OUM)，如圖2所示。從理論上來說，OUM的優點在於產品體積較小、成本低、可直接寫入(即在寫入資料時不需要將原有資料抹除)和製造簡單，只需在現有的CMOS工藝上增加2~4次掩膜工序就能製造出來。

OUM是世界頭號半導體晶元廠商Intel公司推崇的下一代非易失性、大容量存儲技術。Intel和該項技術的發明廠商Ovonyx
公司一起，正在進行技術完善和可製造性方面的研發工作。Intel公司在2001年7月就發布了0.18mm工藝的4Mb
OUM測試晶元，該技術通過在一種硫化物上生成高低兩種不同的阻抗來存儲數據。2003年VLSI會議上，Samsung公司也報道研製成功以Ge2Sb2Te5(GST)為存儲介質，採用0.25mm工藝制備的小容量OUM，工作電壓在1.1V，進行了1.8x109
讀寫循環，在1.58x109循環後沒有出現疲勞現象。
不過OUM的讀寫速度和次數不如FeRAM和MRAM，同時如何穩定維持其驅動溫度也是一個技術難題。2003年7月，Intel負責非易失性存儲器等技術開發的S.K.Lai還指出OUM的另一個問題：OUM的存儲單元雖小，但需要的外圍電路面積較大，因此晶元面積反而是OUM的一個頭疼問題。同時從目前來看，OUM的生產成本比Intel預想的要高得多，也成為阻礙其發展的瓶頸之一。

㈧ 光碟技術的發展史

早在1968年，美國的ECD（Energy Conversion Device）公司就開始研究晶態和非晶態之間的轉換。1971年ECD和IBM公司合作研製成功了世界上第一片只讀相變光碟存儲器，隨後相繼開發成功了利用相變原理製造的一次寫WO盤。1983年，日本松下公司推出了世界上第一台可擦寫相變型光碟驅動器。1994年，松下公司又將相變型可擦寫光碟驅動器與四倍速CD-ROM相結合，推出了PD光碟驅動器，在一台光碟驅動器上同時具有相變型可擦寫與四倍速CD-ROM功能。松下公司一在聲稱PD並不是英文縮寫，但是人們通常將其理解為英文Phase-change Disk或Power Drive的縮寫。

與MO技術相比，由於相變光碟僅用光學技術來讀/寫，所以讀/寫光學頭可以做的相對比較簡單，存取時間也就可以提高；由於相變光碟的讀出方法與CD-ROM、CD-R光碟相同，因此兼容CD-ROM和CD-R的多功能相變光碟驅動器就變的容易實現，PD、CD-RW和可擦寫DVD-RAM等新一代可擦寫光碟存儲器均採用了相變技術。

相變光碟存儲技術經過20多年的不斷研究和穩步發展，具有比MO存儲密度高、記錄成本低、介質壽命長、驅動器結構簡單、讀出信號信噪比高和不受外界磁場環境影響等突出優點，特別是相變光碟存儲器能向下兼容目前廣泛使用的CD-ROM和CD-R，因此相變光碟技術已成為光存儲技術中的主流技術，具有廣闊的應用前景。
光碟發展歷史

光碟存儲技術是70年代初開始發展起來的一項高新技術。光碟存儲具有存儲密度高、容量大、可隨機存取、保存壽命長、工作穩定可靠、輕便易攜帶等一系列其它記錄媒體無可比擬的優點，特別適於大數據量信息的存儲和交換。光碟存儲技術不僅能滿足信息化社會海量信息存儲的需要，而且能夠同時存儲聲音、文字、圖形、圖象等多種媒體的信息，從而使傳統的信息存儲、傳輸、管理和使用方式發生了根本性的變化。

光碟存儲技術近年來不斷取得重大突破，並且進入了商業化大規模生產，在日本、北美及歐洲工業化國家已逐漸形成了獨立的光碟產業，其應用范圍也在不斷擴大，幾乎已深入到人類社會活動和生活的一切領域，對人類的工作方式、學習方式和生活方式產生了深遠的影響。在過去的幾年中，世界各主要光碟產業國家的光碟產業銷售額都在以兩位數以上的速度增長，1996年底全世界各種光碟驅動器的銷售總量達5760萬台，其中CD-ROM驅動器的銷售量為5450萬台，CD-R驅動器銷售量為150萬台。全球CD-ROM驅動器的累計裝機總量已超過1億台，CD-R驅動器的銷售量比1995年增長了10倍，是所有光碟產品中增長速度最快的一種。1996年全球光碟碟片的銷售量達到了1億片，其中CD-ROM盤約佔90%，CD-R盤約佔9%，其它可擦寫光碟僅佔1%。

一．只讀式光碟存儲器CD-ROM

自1985年Philips和Sony公布了在光碟上記錄計算機數據的黃皮書以來，CD-ROM驅動器便在計算機領域得到了廣泛的應用。CD-ROM光碟不僅可交叉存儲大容量的文字、聲音、圖形和圖象等多種媒體的數字化信息，而且便於快速檢索，因此CD-ROM驅動器已成為多媒體計算機中的標准配置之一。MPC標准已經對CD-ROM的數據傳輸速率和所支持的數據格式進行了規定。MPC 3標准要求CD-ROM驅動器的數據傳輸率為600KB/秒（4倍速），並支持CD-ROM、CD-ROM XA、Photo CD、Video CD和CD-I等光碟格式。

MPC 3標准對CD-ROM驅動器的要求只是一種基本的要求，CD-ROM驅動器從誕生至今一直持續不斷地向高倍速方向發展。1996年秋末，已有六種品牌的12倍速CD-ROM驅動器進入市場，Philips宣稱在1997年第一季度將推出16倍速CD-ROM驅動器。但是專家們認為，適於高倍速CD-ROM驅動器的操作、驅動及應用軟體還未出現，CD-ROM的使用性能並未隨著驅動器速度的加快而加快。就多媒體計算機的性能而言，6倍速的CD-ROM驅動器已能滿足要求。

CD-ROM是發行多媒體節目的優選載體。原因是它的存儲容量大，製造成本低，大批量生產時每片不到5元人民幣。目前，大量的文獻資料、視聽材料、教育節目、影視節目、游戲、圖書、計算機軟體等都通過CD-ROM來傳播。

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二．一次寫光碟存儲器CD-R

信息時代的加速到來使得越來越多的數據需要保存，需要交換。由於CD-ROM是只讀式光碟，因此用戶自己無法利用CD-ROM對數據進行備份和交換。在CD-R刻錄機大批量進入市場以前，用戶的唯一選擇就是採用可擦寫光碟機。

可擦寫光碟機根據其記錄原理的不同，有磁光碟機動器MO和相變驅動器PD。雖然這兩種產品較早進入市場，但是記錄在MO或PD碟片上的數據無法在廣泛使用的CD-ROM驅動器上讀取，因此難以實現數據交換和數據分發，更不可能製作自己的CD、VCD或CD-ROM節目。

CD-R的出現適時地解決了上述問題，使。CD-R是英文CD Recordable的簡稱，中文簡稱刻錄機。CD-R標准（橙皮書）是由Philips公司於1990年制定的，目前已成為工業界廣泛認可的標准。CD-R的另一英文名稱是CD-WO（Write Once ），顧名思意，就是只允許寫一次，寫完以後，記錄在CD-R盤上的信息無法被改寫，但可以象CD-ROM碟片一樣，在CD-ROM驅動器和CD-R驅動器上被反復地讀取多次。

CD-R盤與CD-ROM盤相比有許多共同之處，它們的主要差別在於CD-R盤上增加了一層有機染料作為記錄層，反射層用金，而不是CD-ROM中的鋁。當寫入激光束聚焦到記錄層上時，染料被加熱後燒溶，形成一系列代表信息的凹坑。這些凹坑與CD-ROM盤上的凹坑類似，但CD-ROM盤上的凹坑是用金屬壓模壓出的。

CD-R驅動器中使用的光學讀/寫頭與CD-ROM的光學讀出頭類似，只是其激光功率受寫入信號的調制。CD-R驅動器刻錄時，在要形成凹坑的地方，半導體激光器的輸出功率變大；不形成凹坑的地方，輸出功率變小。在讀出時，與CD-ROM一樣，要輸出恆定的小功率。

通常，CD-ROM除了要符合黃皮書以外，還要遵照一個附加的國際標准：ISO9660。這是因為當初Philips和Sony沒有定義CD-ROM的文件結構，而且各種計算機操作系統也只規定了該操作系統下的硬碟和軟盤文件結構，使得不同廠家生產的CD-ROM具有不同的文件結構，曾經一度引起了混亂。後來，ISO 9660規定了CD-ROM的文件結構，Microsoft公司很快就為CD-ROM開發了設備驅動軟體MSCDEX，使得不同生產廠家的CD-ROM在不同的操作系統環境下都能彼此兼容，就象該操作系統下的另外一個邏輯驅動器－－目錄或磁碟。

CD-R的發展已有5年的歷史，但是也還存在上述類似的問題。我們無法在DOS或Windows環境下對CD-R驅動器直接進行讀寫，而是要依賴於CD-R生產廠家提供的刻錄軟體。大多數刻錄軟體的用戶界面並不直觀，而且系統安裝設置也比較繁瑣，給用戶的使用帶來很多麻煩和障礙。

為了改變這一狀況，國際標准化組織下的OSTA（光學存儲技術協會）最近制定了CD-UDF通用磁碟格式，只要對每一種操作系統開發相應的設備驅動軟體或擴展軟體，就可使操作系統將CD-R驅動器看作為一個邏輯驅動器。採用CD-UDF的CD-R刻錄機會使用戶感到，使用CD-R備份文件就如同使用軟盤或硬碟一樣方便。用戶可以直接使用DOS命令對CD-R進行讀寫操作，如果用戶使用如Windows Explorer這樣的圖形文件管理軟體，可將文件拖曳或投入（drag and drop）到CD-R刻錄機中，就可將文件課錄到CD-R盤上。

CD-UDF也是溝通ISO9660與DVD-UDF文件結構的橋梁，採用CD-UDF文件結構的CD-R盤可在DVD-ROM驅動器上讀出。

Philips公司最近推出的第四代CDD2600刻錄機首先採用了CD-UDF文件格式，並可在Windows 95和Windows NT環境下即插即用，使CD-R技術的發展步入了一個新的里程。

CD-R的最大特點是與CD-ROM完全兼容，CD-R盤上的信息可在廣泛使用的CD-ROM驅動器上讀取，而且其成本在各種光碟記錄介質中最低，每兆位元組所需化費的代價約為人民幣0.1元。CD-R光碟適於存儲數據、文字、圖形、圖象、聲音和電影等多種媒體，並且具有存儲可靠性高、壽命長(100年)和檢索方便等突出優點，目前已取代數據流磁帶（DDS）而成為數據備份、檔案保存、數據交換、及資料庫分發的理想記錄媒體，在企業、銀行證券、保險公司、檔案館、圖書館、博物館、醫院、出版社、新聞機關、政府機關及軍事部門的信息存儲、管理及傳遞中獲得了極為廣泛的應用。特別是為那些需要永久性存儲信息而不準擦除或更改的用戶提供了一種最佳方案。

三．可擦寫光碟存儲器

1．MO可擦寫光碟存儲器

MO是英文Magnet-Optical的縮寫，是指利用激光與磁性共同作用的結果記錄信息的光磁碟。MO盤用來存儲信息的媒體與軟磁碟相似，但其信息記錄密度和容量卻比軟磁碟高的多。這是由於記錄時在盤的上面施加磁場，而在盤下面用激光照射。磁場作用於盤面上的區域比較大，而激光通過光學系統聚焦於盤面的光點直徑只有1～2微米。在受光區域，激光的光能轉化為熱能，並使磁性層受熱而變的不穩定，即變的易受磁場影響。這樣，在直徑只有1～2微米的極小區域內就可記錄下一個單位的信息。通常的磁性記錄方式存儲一個單位的信息時，要佔用相當大的區域，因而磁軌也相應變寬，盤上記錄信息的總量也就很小。

MO碟片雖然比硬碟和軟盤便宜和耐用，但是與CD-R碟片相比就顯得比較昂貴了。MO的致命缺點是不能用普通CD-ROM驅動器讀出，因而不能滿足信息社會對計算機數據進行交換和數據分發的要求，在網路技術和網路建設不發達的國內，這一問題日驅突出和嚴重。

2．PCD可擦寫光碟存儲器

相變光碟（Phase Change Disk)與MO不同，MO光碟的記錄和讀出原理是利用磁技術和光技術相結合來記錄和讀出信息，而相變光碟的記錄和讀出原理只是用光技術來記錄和讀出信息。相變光碟利用激光使記錄介質在結晶態和非結晶態之間的可逆相變結構來實現信息的記錄和擦除。在寫操作時，聚焦激光束加熱記錄介質的目的是改變相變記錄介質晶體狀態，用結晶狀態和非結晶狀態來區分0和1；讀操作時，利用結晶狀態和非結晶狀態具有不同反射率這個特性來檢測0和1信號。

早在1968年，美國的ECD（Energy Conversion Device）公司就開始研究晶態和非晶態之間的轉換。1971年ECD和IBM公司合作研製成功了世界上第一片只讀相變光碟存儲器，隨後相繼開發成功了利用相變原理製造的一次寫WO盤。1983年，日本松下公司推出了世界上第一台可擦寫相變型光碟驅動器。1994年，松下公司又將相變型可擦寫光碟驅動器與四倍速CD-ROM相結合，推出了PD光碟驅動器，在一台光碟驅動器上同時具有相變型可擦寫與四倍速CD-ROM功能。松下公司一在聲稱PD並不是英文縮寫，但是人們通常將其理解為英文Phase-change Disk或Power Drive的縮寫。

與MO技術相比，由於相變光碟僅用光學技術來讀/寫，所以讀/寫光學頭可以做的相對比較簡單，存取時間也就可以提高；由於相變光碟的讀出方法與CD-ROM、CD-R光碟相同，因此兼容CD-ROM和CD-R的多功能相變光碟驅動器就變的容易實現，PD、CD-RW和可擦寫DVD-RAM等新一代可擦寫光碟存儲器均採用了相變技術。

相變光碟存儲技術經過20多年的不斷研究和穩步發展，具有比MO存儲密度高、記錄成本低、介質壽命長、驅動器結構簡單、讀出信號信噪比高和不受外界磁場環境影響等突出優點，特別是相變光碟存儲器能向下兼容目前廣泛使用的CD-ROM和CD-R，因此相變光碟技術已成為光存儲技術中的主流技術，具有廣闊的應用前景。

㈨ 時代芯存的相變存儲器有什麼優勢

時代芯存生產的相變存儲器的存儲速度要比傳統的同類型的存儲器產品要快千倍，除了在讀寫速度上的巨大優勢外，在產品的穩定性，功耗，抗輻射性能都具有獨特的優勢。 大大的贊哦。

㈩ 相變存儲器的發展歷史

二十世紀五十年代至六十年代，Dr. Stanford Ovshinsky開始研究無定形物質的性質。無定形物質是一類沒有表現出確定、有序的結晶結構的物質。1968年，他發現某些玻璃在變相時存在可逆的電阻系數變化。1969年，他又發現激光在光學存儲介質中的反射率會發生響應的變化。1970年，他與他的妻子Dr. Iris Ovshinsky共同建立的能量轉換裝置（ECD）公司，發布了他們與Intel的Gordon Moore合作的結果。1970年9月28日在Electronics發布的這一篇文章描述了世界上第一個256位半導體相變存儲器。
近30年後，能量轉換裝置（ECD）公司與MicronTechnology前副主席Tyler Lowery建立了新的子公司Ovonyx。在2000年2月，Intel與Ovonyx發表了合作與許可協議，此份協議是現代PCM研究與發展的開端。2000年12月，STMicroelectronics（ST）也與Ovonyx開始合作。至2003年，以上三家公司將力量集中，避免重復進行基礎的、競爭的研究與發展，避免重復進行延伸領域的研究，以加快此項技術的進展。2005年，ST與Intel發表了它們建立新的快閃記憶體公司的意圖，新公司名為Numonyx。
在1970年第一份產品問世以後的幾年中，半導體製作工藝有了很大的進展，這促進了半導體相變存儲器的發展。同時期，相變材料也愈加完善以滿足在可重復寫入的CD與DVD中的大量使用。Intel開發的相變存儲器使用了硫屬化物（Chalcogenides），這類材料包含元素周期表中的氧/硫族元素。Numonyx的相變存儲器使用一種含鍺、銻、碲的合成材料（Ge2Sb2Te5），多被稱為GST。現今大多數公司在研究和發展相變存儲器時都都使用GST或近似的相關合成材料。大部分DVD-RAM都是使用與Numonyx相變存儲器使用的相同的材料。
2011年8月31日，中國首次完成第一批基於相變存儲器的產品晶元。
2015年，《自然·光子學》雜志布了世界上第一個或可長期存儲數據且完全基於光的相變存儲器。