需要刷新的存儲器是

『壹』 RAM存儲器需要每隔1~2ms刷新一次

RAM存儲器需要每隔1~2ms刷新一次的原因是：
DRAM電容上的電荷只能維持1-2ms，即使電源不掉電，信息也會自動消失，需要動態刷新。

『貳』 4，dram存儲器為什麼需要刷新電路

DRAM存儲器是利用晶元內部各個記憶點的微小電容記憶邏輯電平的。
而電容是會通過周圍電路放電的，一旦某個記憶點電容的電放光，該記憶點邏輯1的數據就丟失了。
刷新電路會定時給各個記憶點的微小電容重新充電。

『叄』 動態MOS存儲器為什麼要刷新常用的刷新方式有哪幾種

動態MOS存儲單元存儲信息的原理，是利用MOS管柵極電容具有暫時存儲信息的作用。但由於漏電流的存在，柵極電容上存儲的電荷不可能長久保持不變，因此為了及時補充漏掉的電荷，避免存儲信息丟失，需要定時地給柵極電容補充電荷，通常把這種操作稱作刷新或再生。 常用的刷新方式有三種，一種是集中式，另一種是分散式，第三種是非同步式。 集中式刷新：在整個刷新間隔內，前一段時間重復進行讀/寫周期或維持周期，等到需要進行刷新操作時，便暫停讀/寫或維持周期，而逐行刷新整個存儲器，它適用於高速存儲器。 分散式刷新：把一個存儲系統周期t c 分為兩半，周期前半段時間t m 用來讀/寫操作或維持信息，周期後半段時間t r 作為刷新操作時間。這樣，每經過128個系統周期時間，整個存儲器便全部刷新一遍。 非同步式刷新：前兩種方式的結合。同學們可以自己畫畫它的刷新周期圖。

『肆』 半導體動態存儲器為什麼要刷新刷新的主要方式有哪三種

動態存儲器依靠電容電荷存儲信息，時間一長，電荷可能泄放，因此要定期刷新。 刷新方式有集中刷新、分散刷新、非同步刷新。

『伍』 書上說：DRAM為了保持數據，必須隔一段時間刷新一次，如果存儲單元沒有被刷新，數據就會丟失。

首先，DRAM SRAM ROM三者都是內存，所以內存每隔一段時間得刷新一下是不正確的。
DRAM是動態隨機存儲內存，需要定期刷新；
SRAM是靜態隨機存取內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據；
ROM是只讀內存，對用戶來說是只讀而不能寫的。只能有計算機生產廠商用特殊方式寫入
一些重要的軟體和數據，如引導程序、監控程序等，斷電後，其內容不會丟失。

『陸』 哪類存儲器需要刷新ROM/DRAM/SRAM

DRAM和SRAM

『柒』 動態RAM為什麼要刷新這里的刷新是什麼概念

RAM中，半導體晶體管中的電荷每1.2微秒會消失，數據也會消失。所以為了保存數據，每1微秒會重新通一次電即刷新一次。
在動態RAM晶元內部，每個內存單元保存一位信息。單元由下面兩部分組成：一個晶體管和一個電容器。當然這些部件都非常地小，因此一個內存晶元內可以包含數百萬個。電容器保存信息位--0或1（有關位的信息，請參見位和位元組）。晶體管起到了開關的作用，能讓內存晶元上的控制線路讀取電容上的數據，或改變其狀態。 
電容器就像一個儲存電子的小桶。在存儲單元中寫入1，小桶內就充滿電子；寫入0，小桶就被清空。這只"桶"的問題在於：它會泄漏。只需大約幾毫秒的時間，一個充滿電子的小桶就會漏得一干二凈。因此，為了確保動態存儲器能正常工作，必須由CPU或是由內存控制器對所有電容不斷地進行充電，使它們在電子流失殆盡之前保持"1"值。為此，內存控制器會先行讀取存儲器中的數據，再把數據寫回去。這種刷新操作每秒鍾會自動進行數千次。 

『捌』 什麼是刷新存儲器其存儲器容量與什麼因素有關

將存儲器原有內容擦除，寫入新的內容，就叫刷新存儲器。存儲器容量與晶元集成技術發展程度有關。

『玖』 DRAM需要刷新。SRAM不需要刷新。這里的刷新是什麼意思

刷新是指給儲存數據的電容重新充電，因為sram是用晶體管存數據所以不用刷新