1T1C存儲器

❶ 電腦16G 512G PCIE +1T是什麼意思

1、16G指的是電腦擁有16G的物理內存，大容量的內存可以保證同時運行更多的應用，而且為應用提供更多的緩存空間，加快應用載入和運行的速度。

2、512G PCIE指的是電腦配置有512G容量的PCIE介面固態硬碟。固態硬碟可以提升系統啟動的速度和應用的載入和運行速度

3、1T指的是配置容量為1T的機械硬碟。大容量的機械硬碟為用戶提供更多的存儲空間，用來存放各種文件。

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電腦其他硬體指標：

1、CPU主頻

主頻是CPU工作的時鍾頻率，是時鍾周期的倒數，它為計算機工作提供一個基準的時間。例如，Intel的CPU i3 4160的主頻為3.6GHz。同等條件下，CPU的主頻越高，處理速度也越快，性能越高。

2、讀寫速度

存儲器的讀寫速度可以用存取時間或者存取周期來表示。存取時間又稱存儲器的訪問時間，是指訪問一次存儲器所需的時間。存取時間分為讀出時間和寫入時間，讀出時間是從存儲器接到有效地址開始到把數據有效輸出到數據匯流排整個過程所需的時間，寫入時間是從存儲器接收到有效地址開始到數據寫入指定的存儲單元為止所需的時間。

3、緩存容量

隨著技術的進步，CPU的性能和存儲器的性能都在提升，但存儲器性能提升的速度遠遠趕不上CPU性能提升的速度。雖然存儲器經歷了DDR、DDR2、DDR3甚至DDR4這樣的發展，但是其與CPU的發展速度上的差距還在拉大，為了解決CPU和存儲器速度不匹配的問題，在CPU和存儲器之間引入了緩存。

緩存的讀寫速度比存儲器（主存）快很多，可以把CPU最近經常訪問的數據從主存暫時放到緩存裡面，這樣可以減少訪存的時間，提升計算機整體的性能。緩存的容量越大，當然對計算機性能提升的幫助越大，但其成本也會升高。為了進一步提升性能，緩存的級數也在增加。由原來一級緩存擴展到二級、三級緩存。

4、輸入／輸出傳輸速率

計算機還需要和外設如硬碟、列印機等交換數據，因此計算機和外設通信時的輸入輸出數據傳輸速率也是計算機性能的一部分。以硬碟為例，目前主流的硬碟如西部數據的一款硬碟性能為1TB SATA3 64M。說明這個硬碟的容量為1TB（1000GB），匯流排介面為SATA3型介面，緩存為64MB，轉速為7200轉／分鍾，它的傳輸速率可以達到150MB/s左右。固態硬碟的傳輸速率可以達到500MB/s左右，是未來大容量存儲設備的發展方向。

❷ SDRM PSRAM SRAM PRAM各與各的區別是什麼

1、SDRAM，即Synchronous DRAM（同步動態隨機存儲器），曾經是PC電腦上最為廣泛應用的一種內存類型，即便在今天SDRAM仍舊還在市場佔有一席之地。既然是「同步動態隨機存儲器」，那就代表著它的工作速度是與系統匯流排速度同步的。SDRAM內存又分為PC66、PC100、PC133等不同規格，而規格後面的數字就代表著該內存最大所能正常工作系統匯流排速度，比如PC100，那就說明此內存可以在系統匯流排為100MHz的電腦中同步工作。

與系統匯流排速度同步，也就是與系統時鍾同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數據存儲時間。同步還使存儲控制器知道在哪一個時鍾脈沖期由數據請求使用，因此數據可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM採用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM介面，帶寬為64位。SDRAM不僅應用在內存上，在顯存上也較為常見。
2、
PSRAM具有一個單晶體管的DRAM儲存格，與傳統具有六個晶體管的SRAM儲存格或是四個晶體管與two-load resistor SRAM 儲存格大不相同，但它具有類似SRAM的穩定介面，內部的DRAM架構給予PSRAM一些比low-power 6T SRAM優異的長處，例如體積更為輕巧，售價更具競爭力。目前在整體SRAM市場中，有90%的製造商都在生產PSRAM組件。在過去兩年，市場上重要的SRAM/PSRAM供貨商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron與Toshiba等。

編輯本段PSRAM與SRAM的比較：基本原理PSRAM就是偽SRAM，內部的內存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的介面跟SRAM相似，不需要SDRAM那樣復雜的控制器和刷新機制，PSRAM的介面跟SRAM的介面是一樣的。
容量PSRAM容量有4Mb,8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量沒有SDRAM那樣密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突發模式，並不是很慢，Hynix，Fidelix,Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等廠家都有供應，價格只比相同容量的SDRAM稍貴一點點，比SRAM便宜很多。

編輯本段主要應用PSRAM主要應用於手機，電子詞典，掌上電腦，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消費電子產品與SRAM(採用6T的技術)相比,PSRAM採用的是1T+1C的技術,所以在體積上更小,同時,PSRAM的I/O介面與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。目前智能手機基本採用256MB以上的PSRAM，很多採用512MB。比較於SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以對於要求有一定緩存容量的很多攜帶型產品是一個理想的選擇。

編輯本段目前發展現狀：東芝(Toshiba)、NEC Electronics和富士通(Fujitsu)三家公司日前共同提出PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory)第四版的標准介面規范，也稱之為CSOMORAM Rev. 4 (COmmon Specifications for MObile RAM)是用於移動RAM的通用規范。三家公司將各自生產與銷售自家產品，產品最快可在2007年3月推出。上述三家公司在1998年9月首次提出通用規范，將堆棧多晶元封裝(MCP)通用介面規范共享給包括快閃記憶體和SRAM在內的移動設備。隨後，他們在2002、2003和2004年分別對其進行了修訂，增加了頁面模式和突發模式等規格。COSMORAM Rev. 4為Pseudo SRAM增加了雙速率突發(DDR突發)模式。
3、SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要佔用一部分面積。
4、
PRAM是韓國三星公司推出的一款存儲器，相比普通的DRAM和快閃記憶體，PRAM具有高速低功耗的特點。如果發展順利的話，預計PRAM將從2007年起逐步取代快閃記憶體，成為下一代存儲器產品中的主導力量。

PRAM內存可在晶元供電中斷時保存數據，與普通快閃記憶體的工作原理相同。但PRAM寫入數據的速度要比快閃記憶體塊30倍，其壽命周期也將至少提高十倍。

ITRI可能不是第一家銷售PRAM內存產品的商家。全球最大晶元製造商三星公司在去年發布了512MB新內存原型，並有望在明年早些時候上市銷售。但ITRI其他公司有可能以更大的內存容量和不同功能來擊敗三星。

其他晶元製造商也在積極開發相變內存，其中有英特爾公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半導體公司、Hynix半導體公司和Ovonyx。

台積電和ITRI也在開發磁性隨機儲存內存技術（MRAM)，雙方已經獲得了與此有關的40多項專利。台積電有可能在明年底或2009年早期向客戶銷售MRAM。

新晶元運用了 "垂直電極" 及 "3D 晶體管結構" 兩項技術，讓晶元的尺寸縮小，同時在寫入新數據時，也不必先將舊資料復寫。著眼於 Samsung 日前發表的 32GB NAND 內存還是屬於 40 奈米製程，就長期來看，PRAM 也將比 NAND 更省成本。

IBM 和幾家內存模塊大廠合作，包括 Qimonda AG、台灣的旺宏電子（Macronix International），在固態內存（non-volatile memory）上頭，有了相當大的進展。

PRAM（Phase-Change RAM），這個在將來的將來可能取代快閃記憶體（將來用來取代傳統硬碟）的男人，不僅僅是在 Samsung 的大本營默默的蟄伏，以 IBM 為首的研究團隊，更是在速度上硬是壓下了 Samsung 先前發表的 30x 讀寫速度，一舉推到了 500x ~ 1000x，並且電力也只需要ㄧ半，壽命（重復寫入的次數）也大大的延長（以上皆是相較於一般快閃記憶體）,IBM還是強大啊,硬碟到PRAM一路都是IBM在唱主角.

❸ 「PSRAM」和「NORFLASH」有什麼區別

PSRAM，假靜態隨機存儲器。

PSRAM

背景：

PSRAM具有一個單晶體管的DRAM儲存格，與傳統具有六個晶體管的SRAM儲存格或是四個晶體管與two-load resistor SRAM 儲存格大不相同，但它具有類似SRAM的穩定介面，內部的DRAM架構給予PSRAM一些比low-power 6T SRAM優異的長處，例如體積更為輕巧，售價更具競爭力。目前在整體SRAM市場中，有90%的製造商都在生產PSRAM組件。在過去兩年，市場上重要的SRAM/PSRAM供貨商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron與Toshiba等。

基本原理：

PSRAM就是偽SRAM，內部的內存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的介面跟SRAM相似，不需要SDRAM那樣復雜的控制器和刷新機制，PSRAM的介面跟SRAM的介面是一樣的。

PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量沒有SDRAM那樣密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突發模式，並不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等廠家都有供應，價格只比相同容量的SDRAM稍貴一點點，比SRAM便宜很多。

PSRAM主要應用於手機，電子詞典，掌上電腦，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消費電子產品與SRAM(採用6T的技術)相比,PSRAM採用的是1T+1C的技術,所以在體積上更小,同時,PSRAM的I/O介面與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比較於SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以對於要求有一定緩存容量的很多攜帶型產品是一個理想的選擇。

目前發展現狀：

東芝(Toshiba)、NEC Electronics和富士通(Fujitsu)三家公司日前共同提出PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory)第四版的標准介面規范，也稱之為CSOMORAM Rev. 4 (COmmon Specifications for MObile RAM)是用於移動RAM的通用規范。三家公司將各自生產與銷售自家產品，產品最快可在2007年3月推出。上述三家公司在1998年9月首次提出通用規范，將堆棧多晶元封裝(MCP)通用介面規范共享給包括快閃記憶體和SRAM在內的移動設備。隨後，他們在2002、2003和2004年分別對其進行了修訂，增加了頁面模式和突發模式等規格。COSMORAM Rev. 4為Pseudo SRAM增加了雙速率突發(DDR突發)模式。

NOR是現在市場上主要的非易失快閃記憶體技術。NOR一般只用來存儲少量的代碼；NOR主要應用在代碼存儲介質中。NOR的特點是應用簡單、無需專門的介面電路、傳輸效率高，它是屬於晶元內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在（NOR型）flash快閃記憶體內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分

目前大部分手機使用NORFLASH實現代碼存儲，同時採用SRAM或者PSRAM作為緩存或工作內存，而NANDFLASH廠商提倡把NANDFLASH與SDRAM相結合。

❹ 移動硬碟1t是什麼意思

存儲器中所包含存儲單元的數量稱為存儲容量，其計量基本單位是位元組（Byte。簡稱B），8個二進制位稱為1個位元組，此外還有KB、MB、GB、TB等，它們之間的換算單位是1Byte＝8bit，1KB=1024B，1MB=1024KB，1GB=1024MB，1TB=1024GB.
不過1T=1024G是電腦系統的計算方式，硬碟廠商是按1T=1000G的演算法，這樣的話1T的硬碟實際容量只有9800~9900G的。

❺ 1tb固態硬碟實際容量

1T的固態硬碟的實際容量約為931G。

一、存儲器中所包含存儲單元的數量稱為來存儲容量，其計量基本單位是位元組，單位是Byte，簡稱B，8個二進制位（bit）稱為1個位元組。

二、存儲容量的換算關系是：1Byte＝8bit，1KB=1024B，1MB=1024KB，1GB=1024MB，1TB=1024GB。

三、廠商以1000進制來計算，標出的1TB容量其實是1000000000000B，計算機裡面是以1024進制計算，其換算為1TB=1000000000000B/1024/1024/1024=931G。

(5)1T1C存儲器擴展閱讀

硬碟容量的計算方式：作為計算機系統的數據存儲器，容量是硬碟最主要的參數。硬碟容量 =柱面數(表示每面盤面上有幾條磁軌，一般總數是1024) ×磁頭數(表示盤面數) ×扇區數（表示每條磁軌有幾個扇區，一般總數是64）× 扇區(存儲基本單元，大小一般為512B/4KB)。

硬碟的主要優點：非常大的存儲量，其容量已可達千萬兆以上；採用隨機存取方式，平均存取時間極短，實現了快速存取；由於記錄密度高和磁碟轉速快，硬碟的傳輸率很高；硬碟的結構設計保證了它有高的可靠性和工作穩定性，一般無故障時間可達8000～12000h，誤碼率低於磁帶和軟磁碟一個數量級。

❻ 鐵電存儲器的讀寫操作

FRAM保存數據不是通過電容上的電荷，而是由存儲單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進行記錄。直接對中心原子的位置進行檢測是不能實現的，實際的讀操作過程是：在存儲單元電容上施加一已知電場（即對電容充電），如果原來晶體的中心原子的位置與所施加的電場方向使中心原子要達到的位置相同，則中心原子不會移動；若相反，則中心原子將越過晶體中間層的高能階到達另一位置，則在充電波形上就會出現一個尖峰，即產生原子移動的比沒有產生移動的多了一個尖峰，把這個充電波形同參考位（確定且已知）的充電波形進行比較，便可以判斷檢測的存儲單元中的內容是「1」或「0」。
無論是2T2C還是1T1C的FRAM，對存儲單元進行讀操作時，數據位狀態可能改變而參考位則不會改變（這是因為讀操作施加的電場方向與原參考位中原子的位置相同）。由於讀操作可能導致存儲單元狀態的改變，需要電路自動恢復其內容，所以每個讀操作後面還伴隨一個"預充"（precharge）過程來對數據位恢復，而參考位則不用恢復。晶體原子狀態的切換時間小於1ns，讀操作的時間小於70ns，加上"預充"時間60ns，一個完整的讀操作時間約為130ns。
寫操作和讀操作十分類似，只要施加所要方向的電場改變鐵電晶體的狀態就可以了，而無需進行恢復。但是寫操作仍要保留一個"預充"時間，所以總的時間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲器的寫操作相比，速度要快得多，而且功耗小。

❼ 半浮柵晶體管的應用領域

作為一種新型的基礎器件，半浮柵晶體管（SFGT）可應用於不同的集成電路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即靜態隨機存儲器。SRAM是一種具有高速靜態存取功能的存儲器，多應用於中央處理器(CPU)內的高速緩存，對處理器性能起到決定性的作用。傳統SRAM需用6個MOSFET晶體管才能構成一個存儲單元，集成度較低，佔用面積大。半浮柵晶體管則可以單個晶體管構成一個存儲單元，存儲速度接近由6個晶體管構成的SRAM存儲單元。因此，由半浮柵晶體管（SFGT）構成的SRAM單元面積更小，密度相比傳統SRAM大約可提高10倍。顯然如果在同等工藝尺寸下，半浮柵晶體管（SFGT）構成的SRAM具有高密度和低功耗的明顯優勢。
其次，半浮柵晶體管（SFGT）還可以應用於DRAM領域。DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存儲器，廣泛應用於計算機內存。其基本單元由1T1C構成，也就是一個晶體管加一個電容的結構。由於其電容需要保持一定電荷量來有效地存儲信息，無法像MOSFET那樣持續縮小尺寸。業界通常通過挖「深槽」等手段製造特殊結構的電容來縮小其佔用的面積，但隨著存儲密度提升，電容加工的技術難度和成本大幅度提高。因此，業界一直在尋找可以用於製造DRAM的無電容器件技術，而半浮柵晶體管（SFGT）構成的DRAM無需電容器便可實現傳統DRAM全部功能，不但成本大幅降低，而且集成度更高，讀寫速度更快。
半浮柵晶體管（SFGT）不但應用於存儲器，它還可以應用於主動式圖像感測器晶元(APS)。傳統的圖像感測器晶元需要用三個晶體管和一個感光二極體構成一個感光單元，而由單個半浮柵晶體管構成的新型圖像感測器單元在面積上能縮小20%以上。感光單元密度提高，使圖像感測器晶元的解析度和靈敏度得到提升。製造工藝和產業發展

❽ 鐵電存儲器的存儲結構

FRAM的存儲單元主要由電容和場效應管構成，但這個電容不是一般的電容，在它的兩個電極板中間沉澱了一層晶態的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM每個存儲單元使用兩個場效應管和兩個電容，稱為「雙管雙容」（2T2C），每個存儲單元包括數據位和各自的參考位，簡化的2T2C存儲單元結構如圖2（a）所示。2001年Ramtron設計開發了更先進的"單管單容"（1T1C）存儲單元。1T1C的FRAM所有數據位使用同一個參考位，而不是對於每一數據位使用各自獨立的參考位。1T1C的FRAM產品成本更低，而且容量更大。簡化的1T1C存儲單元結構（未畫出公共參考位）如圖2（b）所示。

❾ 1T1R存儲器是什麼意思

存儲器的「單元(Cell)」是指用來存取資料的最小結構，如果含有一個電晶體(Transistor)與一個電容(Capacitor)則稱為「1T1C」；如果含有一個電晶體(Transistor)與一個電阻(Resistor)則稱為「1T1R」；如果含有一個 二極體(Diode)與一個電阻(Resistor)則稱為「1D1R」。
存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。
存儲器按照電源關閉後是否能夠保存數據分為兩類。斷電後依然可以保存數據的是非易失性存儲器，相反則是易失性存儲器。比較熟悉的存儲器包括：寄存器、緩存、系統內存（簡稱內存）和快閃記憶體。