⑴ 比較動態存儲器dram和靜態存儲器sram的異同點
SRAM中文含義為靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。「靜態」是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。然後，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。「隨機訪問」是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。
SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩定狀態，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用於控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快於DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。
SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。
從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為非同步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。非同步SRAM的訪問獨立於時鍾，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鍾的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均於時鍾信號相關。
DRAM：動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。
SRAM：靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。
SDRAM：同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鍾來同步。主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。一個是靜態的，一個是動態的，靜態的是用的雙穩態觸發器來保存信息，而動態的是用電子，要不時的刷新來保持。 內存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態隨機存儲器SRAM，和動態隨機存儲器DRAM兩種。我們經常說的「 內存」是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。
SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保 持數據完整性。SRAM內部採用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。製造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用於CPU 內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網路伺服器以及路由器上能夠使用SRAM
⑵ DRAM需要刷新。SRAM不需要刷新。這里的刷新是什麼意思
刷新是指給儲存數據的電容重新充電，因為sram是用晶體管存數據所以不用刷新
⑶ SRAM存儲元電路是什麼電路
SRAM存儲元電路是由兩個MOS反相器交叉耦合而成的觸發器，一個存儲元存儲一位二進制代碼。
SRAM存儲器的組成：存儲體，存儲單元的集合，通常用行線和列線的交叉來選擇所需要的單元。
存儲元是組成存儲器的基礎和核心，它用來存儲一位二進制信息0或1。
⑷ SRAM是緩存還是內存
SRAM是一種讀寫速度很優秀的存儲器（比DRAM速度快很多的存儲器），因為讀寫速度優秀，所以價格就貴，所以一般容量做的比較小，容量做大的話成本就會很高（因為計算機要親民啊，做的那麼貴誰買得起呢），所以一般不拿來當內存使用（就是平常說的內存條），一般用作TLB（快表）或者用來減少存取時間的高速緩存，而DRAM一般用來做內存，一般容量比較大，為什麼容量大呢，因為他比SRAM存儲器慢所以價格便宜，容量做大一點就沒關系啦
⑸ 簡述SRAM和DRAM的區別
1、數據存儲不同：
SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失。
2、體積不同：
相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。
同樣面積的矽片可以做出更大容量的DRAM。
3、特點不同：
SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，通常DRAM是有一個非同步介面的，這樣它可以隨時響應控制輸入的變化。
同步動態隨機存取內存（synchronous dynamic random-access memory，簡稱SDRAM）是有一個同步介面的動態隨機存取內存（DRAM）。
由於在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」存儲器。
⑹ SRAM中的存儲單元是
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⑺ DRAM，SDRAM和SRAM的區別
三者在數據存儲、體積、特點不同：
1、數據存儲不同：
SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失。
SDRAM有一個同步介面，在響應控制輸入前會等待一個時鍾信號，這樣就能和計算機的系統匯流排同步。時鍾被用來驅動一個有限狀態機，對進入的指令進行管線(Pipeline)操作。這使得SDRAM與沒有同步介面的非同步DRAM(asynchronous DRAM)相比，可以有一個更復雜的操作模式。
2、體積不同：
相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。
同樣面積的矽片可以做出更大容量的DRAM。
SDRAM的體積結構已經很優化了。
3、特點不同：
SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，通常DRAM是有一個非同步介面的，這樣它可以隨時響應控制輸入的變化。
同步動態隨機存取內存（synchronous dynamic random-access memory，簡稱SDRAM）是有一個同步介面的動態隨機存取內存（DRAM）。
由於在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」存儲器。
