存儲器的存儲周期
❶ 存儲器讀寫的工作周期是指什麼
存儲器是具有「記憶」功能的設備，它用具有兩種穩定狀態的物理器件來表示二進制數碼「0」和「1」，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發器、MOS電路或電容器等。
位(bit)是二進制數的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數稱為一個位元組(byte)。當一個數作為一個整體存入或取出時，這個數叫做存儲字。存儲字可以是一個位元組，也可以是若干個位元組。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個存儲體(MemoryBank)。
為了區分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它裡面存放的內容完全是兩回事。
存儲器在計算機中處於不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內部，直接與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內存儲器。在執行期間，程序的數據放在主存儲器內，各個存儲單元的內容可通過指令隨機訪問，這樣的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，裡面存放一次性寫入的程序或數據，僅能隨機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。
因於結構、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而採用了大容量的輔助存儲器或稱外存儲器，如磁碟、光碟等。
存儲器的主要技術指標
存儲器的特性由它的技術參數來描述。
一、存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。主存儲器的容量是指用地址寄存器(MAR)產生的地址能訪問的存儲單元的數量。如N位字長的MAR能夠編址最多達2N個存儲單元。一般主存儲器(內存)容量在幾十K到幾M位元組左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M位元組。
二、存儲周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導體存儲器的存儲周期一般為100ns-200ns。
三、存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。
四、性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容。性能價格比是一個綜合性指標，對於不同的存儲器有不同的要求。對於外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統很重要的指標
❷ 什麼是存儲器的存取時間什麼是存取周期兩者之間有什麼區別
存取時間是每次向內存寫入（讀出）數據到完成所需要的所有時間，如寫入時間是指從存儲器接收到數據到寫入被選中位置所需要的時間 讀出同理
存取周期是值 存儲器進行連續兩次獨立的讀（寫）操作所需要的最小時間間隔，
通常存取周期大於存取時間
❸ 下列存儲器中，存取周期最短的是（） A：硬碟存儲器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM
SRAM。
SRAM主要用於二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內存小。
SRAM是靜態存儲方式，以雙穩態電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由於存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。
(3)存儲器的存儲周期擴展閱讀
SRAM可分為五大部分：存儲單元陣列（core cells array），行/列地址解碼器(decode），靈敏放大器(Sense Amplifier），控制電路（control circuit），緩沖/驅動電路（FFIO）。
存取周期為存儲器的性能指標之一，直接影響電子計算機的技術性能。存儲周期愈短，運算速度愈快，但對存儲元件及工藝的要求也愈高。
例如磁芯存儲器的存取周期為零點幾到幾個微秒。半導體存儲器的存取周期通常在幾十到幾百毫微秒之間。那麼半導體存儲器的性能比磁芯存儲器的性能要好。
❹ 計算機的存取周期是什麼
存取周期：存貯器連續二次獨立的「讀」或「寫」操作所需的最短時間，單位來納秒（ns,1ns=10-9s）。存儲器完成一次「讀」或「寫」操作所需的時間稱為存儲器的訪問時間（或讀寫時間）。
❺ 存取時間與存取周期的區別存儲器帶寬的含義是什麼
存儲器帶寬的含義是指單位時間里存儲器所存取的信息量。
一、主體不同
1、存取時間：是CPU讀或寫內存內數據的過程時間。
2、存取周期：連續啟動兩次獨立的「讀」或「寫」操作（如連續的兩次「讀」操作）所需的最短時間。
二、原理不同
1、存取時間：從CPU發出指令給內存時，便會要求內存取用特定地址的數據，內存響應CPU後便會將CPU所需要的數據送給CPU，一直到CPU收到數據為止，便成為一個讀取的流程。
2、存取周期：將存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔。
三、代表含義不同
1、存取時間：用存取時間的倒數來表示速度。
2、存取周期：為存儲器的性能指標之一，直接影響電子計算機的技術性能。
❻ 計算機存儲器的存取時間和存取周期，能不能詳細地介紹一下，不懂啊！！！先謝謝啦
這個是特別專業的問題了，除了設計計算機硬體，特別是CPU和存儲部件的人員以外，使用的人們不用關注這個問題的。
因為現在計算機存儲的周期都是用毫秒級別和Kbit來計算的，日常使用中存儲時間已經不是問題了。
大概是這樣的。
❼ 在計算機中什麼是內存存取時間和存儲周期
存取時間，指的是CPU讀或寫內存內數據的過程時間。
以讀取為例，從CPU發出指令給內存時，便會要求內存取用特定地址的數據，內存響應CPU後便會將CPU所需要的數據送給CPU，一直到CPU收到數據為止，便成為一個讀取的流程。
存儲周期：連續啟動兩次讀或寫操作所需間隔的最小時間
內存的存取周期一般為60ns-120ns。單位以納秒（ns）度量，換算關系1ns=10-6ms=10-9s，常見的有60ns、70ns、80ns、120ns等幾種，相應在內存條上標為-6、-7、-8、-120等字樣。這個數值越小，存取速度越快。
(7)存儲器的存儲周期擴展閱讀
存儲器的兩個基本操作為「讀出」與「寫入」，是指將存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為「取數時間TA」。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為「存儲周期TMC」。半導體存儲器的存取周期一般為6ns～10ns。
其中存儲單元(memory location)簡稱「單元」。為存儲器中存儲一機器字或一位元組的空間位置。一個存儲器劃分為若干存儲單元，並按一定順序編號，稱為「地址」。如一存儲單元存放一有獨立意義的代碼。即存放作為一個整體來處理或運算的一組數字，則稱為「字」。
字的長度，即字所包含的位數，稱為「字長」。如以位元組來劃分存儲單元，則一機器字常須存放在幾個存儲單元中。存儲單元中的內容一經寫入，雖經反復使用，仍保持不變。如須寫入新內容，則原內容被「沖掉」，而變成新寫入的內容。
❽ 比較存儲器讀周期和存儲器寫周期的差別
讀寫周期：兩次存儲器讀/寫操作的最短時間間隔。
存儲周期：稍大於讀寫周期，（在讀寫周期的基礎上加上必要的其他操作）。
讀周期或寫周期：讀寫周期具體到或讀或寫。
為了區分存儲體內的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它裡面存放的內容完全是兩回事。
存儲器在計算機中處於不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內部，直接與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內存儲器。
(8)存儲器的存儲周期擴展閱讀：
存儲器讀周期用作操作系統或其他運行程序的臨時存儲介質(稱為系統內存)。然而，當電源關閉時，RAM無法保留數據，如果需要存儲數據，則必須將其寫入長期內存(如硬碟)。因此，RAM有時被稱為「可變內存」。
RAM內存可以進一步分為靜態RAM(SRAM)和動態內存(DRAM)。由於其單位容量價格低廉，DRAM被廣泛用作系統的主存儲器。
❾ 存取器的存取周期是什麼
存儲器存取時間（memory access time）又稱存儲器訪問時間，是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間。 主存儲器得主要性能指標為主存容量﹑存儲器存取時間和存儲周期時間。存儲器的速度一般用存儲器存取時間和存儲周期來表示。
具體來說，存取時間就是：從存儲器接收到讀（或寫）的命令，到從存儲器讀出（或寫入）信息所需要的時間，稱為存儲器存取時間。
存取時間的取決於存儲介質的物理特性和訪問機構的類型。
❿ 存儲周期最短的存儲器
存取周期最短的存儲器是內存儲器。存取周期是存儲器進行一次完整的讀/寫操作所允許的最短時間間隔。存取周期越短，則存取速度越快。內存儲器的速度最快，所以它的存取周期最短，其次是硬碟，最慢的是軟盤。
內存是計算機中重要的部件之一，它是外存與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。
內存(Memory)也被稱為內存儲器和主存儲器，其作用是用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟等外部存儲器交換的數據。只要計算機在運行中，操作系統就會把需要運算的數據從內存調到CPU中進行運算，當運算完成後CPU再將結果傳送出來，內存的運行也決定了計算機的穩定運行。 內存條是由內存晶元、電路板、金手指等部分組成的。