閃速存儲器

『壹』 關於閃速存儲器的相關疑問

最佳答案: 90年代INTEL公司發明的一種高密度、非易失性的讀寫半導體存儲器 閃速存儲器的特點 閃速存儲器(Flash Memory)是一類非易失性存儲器NVM(Non-Volatile ...

『貳』 閃速存儲器（FLASH EPROM）再編程錯誤 是什麼意思各位大神解釋一下

換

『叄』 EPROM和EEPROM，閃速存儲器優缺點比較

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電後數據不丟失的存儲晶元。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可編程ROM）晶元可重復擦除和寫入，解決了PROM晶元只能寫入一次的弊端。EPROM晶元有一個很明顯的特徵，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃窗口，透過該窗口，可以看到其內部的集成電路，紫外線透過該孔照射內部晶元就可以擦除其內的數據，完成晶元擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內資料的寫入要用專用的編程器，並且往晶元中寫內容時必須要加一定的編程電壓（VPP=12—24V，隨不同的晶元型號而定）。EPROM的型號是以27開頭的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM晶元。EPROM晶元在寫入資料後，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。

『肆』 計算機組成原理，閃速存儲器是一種高密度、非易失性的只讀半導體存儲器

b、2^(m+n）=2^m*2^n 和 2^m+2^n 完全不是一回事。
c、過去的快閃記憶體 EPROM 確實是只讀的，要寫的話需要紫外線照射長時間方能寫入。由於技術的進步，現代的快閃記憶體已經可以快速進行讀寫了。這個回答正確只是因為相關的知識太陳舊了。

『伍』 閃速存儲器的結構圖

閃速存儲器 NOR技術 DINOR技術 NAND技術 UltraNAND技術

一、 閃速存儲器的特點
閃速存儲器（Flash Memory）是一類非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供電電源關閉後仍能保持片內信息；而諸如DRAM、SRAM這類易失性存儲器，當供電電源關閉時片內信息隨即丟失。 Flash Memory集其它類非易失性存儲器的特點：與EPROM相比較，閃速存儲器具有明顯的優勢——在系統電可擦除和可重復編程，而不需要特殊的高電壓（某些第一代閃速存儲器也要求高電壓來完成擦除和/或編程操作）；與EEPROM相比較，閃速存儲器具有成本低、密度大的特點。其獨特的性能使其廣泛地運用於各個領域，包括嵌入式系統，如PC及外設、電信交換機、蜂窩電話、網路互聯設備、儀器儀表和汽車器件，同時還包括新興的語音、圖像、數據存儲類產品，如數字相機、數字錄音機和個人數字助理（PDA）。
二、 閃速存儲器的技術分類
全球閃速存儲器的主要供應商有AMD、ATMEL、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、SHARP、TOSHIBA，由於各自技術架構的不同，分為幾大陣營。
1、NOR技術
NOR
NOR技術（亦稱為Linear技術）閃速存儲器是最早出現的Flash Memory，目前仍是多數供應商支持的技術架構。它源於傳統的EPROM器件，與其它Flash Memory技術相比，具有可*性高、隨機讀取速度快的優勢，在擦除和編程操作較少而直接執行代碼的場合，尤其是純代碼存儲的應用中廣泛使用，如PC的BIOS固件、行動電話、硬碟驅動器的控制存儲器等。
NOR技術Flash Memory具有以下特點：（1） 程序和數據可存放在同一晶元上，擁有獨立的數據匯流排和地址匯流排，能快速隨機讀取，允許系統直接從Flash中讀取代碼執行，而無需先將代碼下載至RAM中再執行；（2） 可以單位元組或單字編程，但不能單位元組擦除，必須以塊為單位或對整片執行擦除操作，在對存儲器進行重新編程之前需要對塊或整片進行預編程和擦除操作。由於NOR技術Flash Memory的擦除和編程速度較慢，而塊尺寸又較大，因此擦除和編程操作所花費的時間很長，在純數據存儲和文件存儲的應用中，NOR技術顯得力不從心。不過，仍有支持者在以寫入為主的應用，如CompactFlash卡中繼續看好這種技術。
Intel公司的StrataFlash家族中的最新成員——28F128J3，是迄今為止採用NOR技術生產的存儲容量最大的閃速存儲器件，達到128Mb（位），對於要求程序和數據存儲在同一晶元中的主流應用是一種較理想的選擇。該晶元採用0.25μm製造工藝，同時採用了支持高存儲容量和低成本的MLC技術。所謂MLC技術（多級單元技術）是指通過向多晶硅浮柵極充電至不同的電平來對應不同的閾電壓，代表不同的數據，在每個存儲單元中設有4個閾電壓(00/01/10/11），因此可以存儲2b信息；而傳統技術中，每個存儲單元只有2個閾電壓（0/1），只能存儲1b信息。在相同的空間中提供雙倍的存儲容量，是以降低寫性能為代價的。Intel通過採用稱為VFM（虛擬小塊文件管理器）的軟體方法將大存儲塊視為小扇區來管理和操作，在一定程度上改善了寫性能，使之也能應用於數據存儲中。
DINOR
DINOR(Divided bit-line NOR)技術是Mitsubishi與Hitachi公司發展的專利技術，從一定程度上改善了NOR技術在寫性能上的不足。DINOR技術Flash Memory和NOR技術一樣具有快速隨機讀取的功能，按位元組隨機編程的速度略低於NOR，而塊擦除速度快於NOR。這是因為NOR技術Flash Memory編程時，存儲單元內部電荷向晶體管陣列的浮柵極移動，電荷聚集，從而使電位從1變為0；擦除時，將浮柵極上聚集的電荷移開，使電位從0變為1。而DINOR技術Flash Memory在編程和擦除操作時電荷移動方向與前者相反。DINOR技術Flash Memory在執行擦除操作時無須對頁進行預編程，且編程操作所需電壓低於擦除操作所需電壓，這與NOR技術相反。
盡管DINOR技術具有針對NOR技術的優勢，但由於自身技術和工藝等因素的限制，在當前閃速存儲器市場中，它仍不具備與發展數十年，技術、工藝日趨成熟的NOR技術相抗衡的能力。目前DINOR技術Flash Memory的最大容量達到64Mb。Mitsubishi公司推出的DINOR技術器件——M5M29GB/T320，採用Mitsubishi和Hitachi的專利BGO技術，將閃速存儲器分為四個存儲區，在向其中任何一個存儲區進行編程或擦除操作的同時，可以對其它三個存儲區中的一個進行讀操作，用硬體方式實現了在讀操作的同時進行編程和擦除操作，而無須外接EEPROM。由於有多條存取通道，因而提高了系統速度。該晶元採用0.25μm製造工藝，不僅快速讀取速度達到80ns，而且擁有先進的省電性能。在待機和自動省電模式下僅有0�33μW功耗，當任何地址線或片使能信號200ns保持不變時，即進入自動省電模式。對於功耗有嚴格限制和有快速讀取要求的應用，如數字蜂窩電話、汽車導航和全球定位系統、掌上電腦和頂置盒、攜帶型電腦、個人數字助理、無線通信等領域中可以一展身手。
2、NAND技術
NAND
Samsung、TOSHIBA和Fujistu支持NAND技術Flash Memory。這種結構的閃速存儲器適合於純數據存儲和文件存儲，主要作為SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固態盤的存儲介質，並正成為閃速磁碟技術的核心。
NAND技術Flash Memory具有以下特點：（1） 以頁為單位進行讀和編程操作，1頁為256或512B（位元組）；以塊為單位進行擦除操作，1塊為4K、8K或16KB。具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時間是2ms；而NOR技術的塊擦除時間達到幾百ms。（2） 數據、地址採用同一匯流排，實現串列讀取。隨機讀取速度慢且不能按位元組隨機編程。（3） 晶元尺寸小，引腳少，是位成本(bit cost)最低的固態存儲器，將很快突破每兆位元組1美元的價格限制。（4） 晶元包含有失效塊，其數目最大可達到3~35塊（取決於存儲器密度）。失效塊不會影響有效塊的性能，但設計者需要將失效塊在地址映射表中屏蔽起來。 Samsung公司在1999年底開發出世界上第一顆1Gb NAND技術閃速存儲器。據稱這種Flash Memory可以存儲560張高解析度的照片或32首CD質量的歌曲，將成為下一代攜帶型信息產品的理想媒介。Samsung採用了許多DRAM的工藝技術，包括首次採用0.15μm的製造工藝來生產這顆Flash。已經批量生產的K9K1208UOM採用0.18μm工藝，存儲容量為512Mb。
UltraNAND
AMD與Fujistu共同推出的UltraNAND技術，稱之為先進的NAND閃速存儲器技術。它與NAND標准兼容：擁有比NAND技術更高等級的可*性；可用來存儲代碼，從而首次在代碼存儲的應用中體現出NAND技術的成本優勢；它沒有失效塊，因此不用系統級的查錯和校正功能，能更有效地利用存儲器容量。
與DINOR技術一樣，盡管UltraNAND技術具有優勢，但在當前的市場上仍以NAND技術為主流。UltraNAND 家族的第一個成員是AM30LV0064，採用0.25μm製造工藝，沒有失效塊，可在至少104次擦寫周期中實現無差錯操作，適用於要求高可*性的場合，如電信和網路系統、個人數字助理、固態盤驅動器等。研製中的AM30LV0128容量達到128Mb，而在AMD的計劃中UltraNAND技術Flash Memory將突破每兆位元組1美元的價格限制，更顯示出它對於NOR技術的價格優勢。
3、AND技術
AND技術是Hitachi公司的專利技術。Hitachi和Mitsubishi共同支持AND技術的Flash Memory。AND技術與NAND一樣採用「大多數完好的存儲器」概念，目前，在數據和文檔存儲領域中是另一種占重要地位的閃速存儲技術。
Hitachi和Mitsubishi公司採用0.18μm的製造工藝，並結合MLC技術，生產出晶元尺寸更小、存儲容量更大、功耗更低的512Mb-AND Flash Memory，再利用雙密度封裝技術DDP（Double Density Package Technology），將2片512Mb晶元疊加在1片TSOP48的封裝內，形成一片1Gb晶元。HN29V51211T具有突出的低功耗特性，讀電流為2mA，待機電流僅為1μA，同時由於其內部存在與塊大小一致的內部RAM 緩沖區，使得AND技術不像其他採用MLC的閃速存儲器技術那樣寫入性能嚴重下降。Hitachi公司用該晶元製造128MB的MultiMedia卡和2MB的PC-ATA卡，用於智能電話、個人數字助理、掌上電腦、數字相機、攜帶型攝像機、攜帶型音樂播放機等。
4、由EEPROM派生的閃速存儲器
EEPROM具有很高的靈活性，可以單位元組讀寫（不需要擦除，可直接改寫數據），但存儲密度小，單位成本高。部分製造商生產出另一類以EEPROM做閃速存儲陣列的Flash Memory，如ATMEL、SST的小扇區結構閃速存儲器（Small Sector Flash Memory）和ATMEL的海量存儲器（Data-Flash Memory）。這類器件具有EEPROM與NOR技術Flash Memory二者折衷的性能特點：（1） 讀寫的靈活性遜於EEPROM，不能直接改寫數據。在編程之前需要先進行頁擦除，但與NOR技術Flash Memory的塊結構相比其頁尺寸小，具有快速隨機讀取和快編程、快擦除的特點。（2） 與EEPROM比較，具有明顯的成本優勢。（3） 存儲密度比EEPROM大，但比NOR技術Flash Memory小，如Small Sector Flash Memory的存儲密度可達到4Mb，而32Mb的DataFlash Memory晶元有試用樣品提供。正因為這類器件在性能上的靈活性和成本上的優勢，使其在如今閃速存儲器市場上仍佔有一席之地。
Small Sector Flash Memory採用並行數據匯流排和頁結構（1頁為128或256B），對頁執行讀寫操作，因而既具有NOR技術快速隨機讀取的優勢，又沒有其編程和擦除功能的缺陷，適合代碼存儲和小容量的數據存儲，廣泛地用以替代EPROM。
DataFlash Memory是ATMEL的專利產品，採用SPI串列介面，只能依次讀取數據，但有利於降低成本、增加系統的可*性、縮小封裝尺寸。主存儲區採取頁結構。主存儲區與串列介面之間有2個與頁大小一致的SRAM數據緩沖區。特殊的結構決定它存在多條讀寫通道：既可直接從主存儲區讀，又可通過緩沖區從主存儲區讀或向主存儲區寫，兩個緩沖區之間可以相互讀或寫，主存儲區還可藉助緩沖區進行數據比較。適合於諸如答錄機、尋呼機、數字相機等能接受串列介面和較慢讀取速度的數據或文件存儲應用。

『陸』 什麼是閃速存儲器它有哪些特點

90年代INTEL公司發明的一種高密度、非易失性的讀寫半導體存儲器
閃速存儲器的特點
閃速存儲器（Flash Memory）是一類非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供電電源關閉後仍能保持片內信息；而諸如DRAM、SRAM這類易失性存儲器，當供電電源關閉時片內信息隨即丟失。 Flash Memory集其它類非易失性存儲器的特點：與EPROM相比較，閃速存儲器具有明顯的優勢——在系統電可擦除和可重復編程，而不需要特殊的高電壓（某些第一代閃速存儲器也要求高電壓來完成擦除和/或編程操作）；與EEPROM相比較，閃速存儲器具有成本低、密度大的特點。其獨特的性能使其廣泛地運用於各個領域，包括嵌入式系統，如PC及外設、電信交換機、蜂窩電話、網路互聯設備、儀器儀表和汽車器件，同時還包括新興的語音、圖像、數據存儲類產品，如數字相機、數字錄音機和個人數字助理（PDA）。

『柒』 閃速存儲器比高速緩存快嗎

沒有，高速緩存速度是最快的，其次才是快閃記憶體。

『捌』 閃速存儲器flash memory在斷電後仍能長久保持信息,是一種什麼性半導體存儲器

相對於斷電即失去信息的"揮發性"記憶體，快閃記憶體是一種"非揮發性"半導體存儲器。

『玖』 "快閃記憶體"就是閃速存儲器嗎

快閃記憶體就是用的不是電腦的硬碟，HDD，而是用的FLASH晶元

U盤MP3等都是用的FLASH晶元