鐵電存儲器材料

❶ 鐵電存儲器FRAM的FRAM技術

Ramtron的FRAM技術核心是鐵電。這就使得FRAM產品既可以進行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。
F-RAM晶元包含一個鋯鈦酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]的薄鐵電薄膜，通常被稱為PZT（如圖1）。PZT 中的Zr/Ti原子在電場中改變極性，從而產生一個二進制開關。與RAM器件不同，F-RAM在電源被關閉或中斷時，由於PZT晶體保持極性能保留其數據記憶。這種獨特的性質讓F-RAM成為一個低功耗、非易失性存儲器。
當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動，當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。 內部電路感應到電荷擊穿並設置記憶體。移去電場後中心原子保持不動，記憶體的狀態也得以保存。FRAM 記憶體不需要定時刷新，掉電後數據立即保存，它速度很快，且不容易寫壞。
F-RAM、ROM都屬於非易失性存儲器，在掉電情況下數據不會丟失。新一代ROM，像EEPROM（可擦可編程只讀存儲器）和Flash存儲器，可以被擦除，並多次重復編程，但它們需要高電壓寫入且寫入速度非常慢。基於ROM技術的存儲器讀寫周期有限（僅為1E5次），使它們不適合高耐性工業應用。
F-RAM比一般串口EEPROM器件有超過10,000倍的耐性，低於3,000倍的功耗和將近500倍的寫入速度（圖 2）。 F-RAM結合了RAM和ROM的優勢，與傳統的非易失存儲器相比，具有高速、低功耗、長壽命的特點。
FRAM存儲器技術和標準的CMOS製造工藝相兼容。鐵電薄膜被放於CMOS base layers之上，並置於兩電極之間，使用金屬互連並鈍化後完成鐵電製造過程。
Ramtron 的FRAM 記憶體技術從開始到現在已經相當成熟。 最初FRAM 記憶體採用二晶體管/ 二電容器的( 2T/2C) 結構，導致元件體積相對較大。 最近發展的鐵電材料和製造工藝不再需要在鐵電存儲器每一單元內配置標准電容器。 Ramtron 新的單晶體管/ 單電容器結構記憶體可以像DRAM一樣進行操作，它使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現有的2T/2C結構相比，它有效地把內存單元所需要面積減少一半。新的設計極大的改進了die leverage並且降低了FRAM存儲器產品的生產成本。
Ramtron公司現採用0.35微米製造工藝，相對於現有的0.5微米的製造工藝而言，這極大地降低晶元功耗，提高了成本效率。
這些令人振奮的發展使FRAM在人們日常生活的各個領域找到了應用的途徑。從辦公復印機、高檔伺服器到汽車安全氣囊和娛樂設備， FRAM 使一系列產品的性能得到改進並在全世界范圍內得到廣泛的應用。

❷ 鐵電材料 內建電場的概念

鐵電材料，是指具有鐵電效應的一類材料，它是熱釋電材料的一個分支。鐵電材料及其應用研究已成為凝聚態物理、固體電子學領域最熱門的研究課題之一。由於鐵電材料具有優良的鐵電、介電刀、熱釋電及壓電等特性，它們在鐵電存儲器、紅外探測器、聲表面波和集成光電器件等固態器件方面有著非常重要的應用，這也極大地推動了鐵電物理學及鐵電材料的研究和發展。目前，世界上的鐵電元件的年產值己達數百億美元。鐵電材料是一個比較龐大的家族，目前應用得最好的是系列。但是由於鉛的有毒性及此類鐵電材料居里溫度低、耐疲勞性能差等原因，應用范圍受到了限制。開發新一代鐵電陶瓷材料己成為當今的熱門問題。

目錄 [隱藏]
1 概述
2 基本性質
3 研究進展
4 展望
5 參考資料
鐵電材料-概述

鐵電材料，是熱釋電材料中的一類。其特點是不僅具有自發極化，而且在一定溫度范圍內，自發極化偶極矩能隨外施電場的方向而改變。它的極化強度P與外施電場強度E的關系曲線如圖所示，與鐵磁材料的磁通密度與磁場強度的關系曲線（B-H曲線）極為相似。極化強度P滯後於電場強度E,稱為電滯曲線。電滯曲線是鐵電材料的特徵。即當鐵電晶體二端加上電場E後，極化強度P 隨E 增加沿OAB曲線上升，至B點後P 隨E的變化呈線性(BC線段)。E下降，P不沿原曲線下降，而是沿CBD曲線下降。當E為零時,極化強度P不等於零而為Pb,稱為剩餘極化強度。只有加上反電場EH時P方等於零,EH稱為鐵電材料的矯頑電場強度。CBDFGHIC構成整個電滯曲線。

鐵電晶體是由許多小區域(電疇)所組成，每個電疇內的極化方向一致，而相鄰電疇的極化方向則不同。從宏觀來看，整個晶體是非極化的，呈中性。在外電場作用下，極化沿電場方向的電疇擴大。當所有電疇都沿外電場方向，整個晶體成為單疇晶體，即到達圖上飽和點B,當外電場繼續增加,此時晶體只有電子和離子極化,與普遍電介質一樣，P與E成直線關系（BC段），延長BC直線交P軸於T,相應的極化強度Ps即為該晶體的自發極化強度。

在某一溫度以上，鐵電材料的自發極化即消失，此溫度稱為居里點。它是由低溫的鐵電相改變為高溫的非鐵電相的溫度。

典型鐵電材料有：鈦酸鋇（BaTiO3）、磷酸二氫鉀(KH2PO4)等。過去對鐵電材料的應用主要是利用它們的壓電性、熱釋電性、電光性能以及高介電常數。近年來，由於新鐵電材料薄膜工藝的發展，鐵電材料在信息存儲、圖像顯示和全息照像中的編頁器、鐵電光閥陣列作全息照像的存儲等已開始應用。

鐵電材料-基本性質

鈦酸鋇鐵電材料晶體結構示意圖
鐵電體是這樣的晶體，其中存在自發極化，且自發極化有兩個或多個可能的取向，在電場作用下，其取向可以改變。故自發極化是鐵電體物理學研究的核心問題。

極化是一種極性矢量，自發極化的出現在晶體中造成了一個特殊方向。每個晶胞中原子的構型使正負電荷重心沿核方向發生相對位移，形成電偶極矩。整個晶體在該方向上呈現極性，一端為正，一端為負。因此，這個方向與晶體的其它任何方向都不是對稱等效的，稱為特殊極性方向。在晶體學32個點群中，只有10個具有特殊極性方向，這十個點群稱為極性點群。

晶體在整體上呈現自發極化，意即在其正負端分別有一層正的和負的電荷。束縛電荷產生的電場在晶體內部與極化反向，稱為退極化場，它使靜電能升高。在受機械約束時，伴隨著自發極化的應變還將使應變能增加。所以均勻極化的狀態是不穩定的，晶體將分成若干個小區域，每個小區域內部電偶極子沿同一方向，但各個小區域中電偶極子方向不同。這些小區域稱為電疇或疇。疇之間的界叫疇壁。疇的出現使晶體的靜電能和應變能降低，但疇壁的存在引入了疇壁能。總自由能取極小值的條件決定了電疇的穩定構型。

鐵電體的極化隨電場的變化而變化，極化強度與外加電場關系。當電場較強時，極化與電場之間呈非線性關系，在電場作用下，新疇成核長大，疇壁移動，導致極化轉向。在電場很弱時，極化線性地依賴於電場，此時可逆的疇壁移動佔主導地位。當電場增強時，新疇成核，疇壁運動成為不可逆，極化隨電場的增加比線性段塊。當電場達到點時，晶體成為單疇，極化趨於飽和。當電場進一步增強，由於感應極化的增加，總極化仍然增大段。如果趨於飽和後電場減小，極化將沿著曲線減小。當電場達到零時，晶體在宏觀上仍為極化態。線段所示的值即稱為剩餘極化。將線段延長與軸交於，線段即是自發極化。當電場反向，極化沿著曲線移動，直至達到另一極化最大值。EH代表的電場是使極化等於零的電場，稱為矯頑場。

晶體的鐵電性通常只存在一定的溫度范圍。當溫度超過某一值時，自發極化消失，鐵電體變成順電體。鐵電相與順電相之間的轉變稱為鐵電相變，該溫度稱為居里溫度或者居里點。

晶體結構是鐵電體物理學的基礎。鐵電體按晶體結構可以大致分為以下幾類1、含氧八面體的鐵電體，2、含氫鍵的鐵電體，3、含氟八面體的鐵電體，4、含其它離子基團的鐵電體，5、鐵電聚合物和鐵電液晶。

鐵電材料-研究進展
一般認為，鐵電體的研究始於年，當年法國人發現了羅息鹽酒石酸鉀鈉，場·的特異的介電性能，導致了「鐵電性」概念的出現。迄今鐵電研究可大體分為四個階段』。第一階段是1920-1939年，在這一階段中發現了兩種鐵電結構，即羅息鹽和系列。第二階段是1940-1958年，鐵電維象理論開始建立，並趨於成熟。第三階段是年到年代，這是鐵電軟模理論出現和基本完善的時期，稱為軟模階段。第四階段是80年代至今，主要研究各種非均勻系統。到目前為止，己發現的鐵電晶體包括多晶體有一千多種。

從物理學的角度來看，對鐵電研究起了最重要作用的有三種理論，即德文希爾但等的熱力學理論，的模型理論，。父和的軟模理論。近年來，鐵電體的研究取得不少新的進展，其中最重要的有以下幾個方面。

1、第一性原理的計算。現代能帶結構方法和高速計算機的反展使得對鐵電性起因的研究變為可能。通過第一性原理的計算，對，，仇和等鐵電體，得出了電子密度分布，軟模位移和自發極化等重要結果，對闡明鐵電性的微觀機制有重要作用。

2、尺寸效應的研究。隨著鐵電薄膜和鐵電超微粉的發展，鐵電尺寸效應成為一個迫切需要研究的實際問題。近年來，人們從理論上預言了自發極化、相變溫度和介電極化率等隨尺寸變化的規律，並計算了典型鐵電體的鐵電臨界尺寸。這些結果不但對集成鐵電器件和精細復合材料的設計有指導作用，而且是鐵電理論在有限尺寸條件下的發展。

3、鐵電液晶和鐵電聚合物的基礎和應用研究。1975年MEYER發現，由手性分子組成的傾斜的層狀相『相液晶具有鐵電性。在性能方面，鐵電液晶在電光顯示和非線性光學方面很有吸引力。電光顯示基於極化反轉，其響應速
度比普通絲狀液晶快幾個數量級。非線性光學方面，其二次諧波發生效率已不低於常用的無機非線性光學晶體。
聚合物的鐵電性在年代末期得到確證。雖然的熱電性和壓電性早已被發現，但直到年代末才得到論證，並且人們發現了一些新的鐵電聚合物。聚合物組分繁多，結構多樣化，預期從中可發掘出更多的鐵電體，從而擴展鐵電
體物理學的研究領域，並開發新的應用。

4、集成鐵電體的研究。鐵電薄膜與半導體的集成稱為集成鐵電體洋，近年來廣泛開展了此類材料的研究。鐵電存貯器的基本形式是鐵電隨機存取存貯器。早期以為主要研究對象，直至年實現了的商業化。與五六十年代相比，當前的材料和技術解決了幾個重要問題。一是採用薄膜，極化反轉電壓易於降低，可以和標準的硅或電路集成，
二是在提高電滯回線矩形度的同時，在電路設計上採取措施，防止誤寫誤讀，三是疲勞特性大有改善，已制出反轉次數達仍不顯示任何疲勞的鐵電薄膜。

在存貯器上的重大應用己逐漸在鐵電薄膜上實現。與此同時，鐵電薄膜的應用也不局限於，還有鐵電場效應晶體管、鐵電動態隨機存取存貯器等。除存貯器外，集成鐵電體還可用於紅外探測與成像器件，超聲與聲表面波器件以及光電子器件等。可以看出，集成薄膜器件的應用前景不可估量。

在鐵電物理學內，當前的研究方向主要有兩個一是鐵電體的低維特性，二是鐵電體的調制結構。鐵電體低維特性的研究是應對薄膜鐵電元件的要求，只有在薄膜等低維系統中，尺寸效應才變得不可忽略腳一。極化在表面處的不均勻分布將產生退極化場，對整個系統的極化狀態產生影響。表面區域內偶極相互作用與體內不同，將導致
居里溫度隨膜厚而變化。薄膜中還不可避免地有界面效應，薄膜厚度變化時，矯頑場、電容率和自發極化都隨之變化，需要探明其變化規律並加以解釋。

鐵電超微粉的研究也逐漸升溫。在這種三維尺寸都有限的系統中，塊體材料的導致鐵電相變的布里淵區中心振模可能無法維持，也許全部聲子色散關系都要改變。庫侖作用將隨尺寸減小而減弱，當它不能平衡短程力的作用時，鐵電有序將不能建立。

鐵電材料-展望
高性能的鐵電材料是一類具有廣泛應用前景的功能材料,從目前的研究現狀來看,對於具有高性能的鐵電材料的研究和開發應用仍然處於發展階段.研究者們選用不同的鐵電材料進行研究,並不斷探索制備工藝,只是到目前為止對於鐵電材料的一些性能的研究還沒有達到令人滿意的地步.比如,用於制備鐵電復合材料的陶瓷粉體和聚合物的種類還很單一,對其復合界面的理論研究也剛剛開始,鐵電記憶器件抗疲勞特性的研究還有待發展.總之,鐵電材料是一類具有廣闊發展前景的重要功能材料,對於其特性的研究與應用還需要我們不斷的研究與探索,並給予足夠的重視.

內建電場 內建電場（Built-in field，自建電場）是指半導體或者絕緣體中由於內部的作用而形成的電場，不是外加電場。
例如pn結空間電荷區（即勢壘區）中的電場，該電場對外並表現不出任何作用，但是對於載流子的運動卻有著至關重要的影響；實際上，pn結的單向導電性就直接與此電場有關。
其他半導體內建電場的例子：（1）大注入時出現的內建電場（這有利於提高BJT的電流增益和頻率、速度性能）。（2）不均勻摻雜所產生的內建電場（緩變基區晶體管的基區摻雜是不均勻的，產生出一個加速少數載流子運動的電場）。

❸ 誰能提供下關於PZT材料結構和制備原理方面的東西

PZT第一性原理計算及其鐵電性能研究 【摘要】： 與傳統的EEPROM和FLASH揮發性存儲器相比,非揮發性鐵電存儲器(FeRAM)具有抗輻射、低功耗、快速讀寫操作、低操作電壓等優異特性,從而更適合嵌入式應用的要求。本論文對應用於鐵電隨機存儲器的關鍵組成部分——PZT鐵電薄膜進行了第一性原理計算以及對PZT薄膜電容制備工藝和性能上進行了研究。 採用第一性原理的方法計算了PTO順電相和鐵電相,不同Zr/Ti比的PZT鐵電相,和PZO順電相、鐵電相和反鐵電相的電子結構。第一性原理對PTO、PZT與PZO不同相總能量的計算結果表明,在低溫PTO、PZT處於鐵電相,PZO處於反鐵電相是由能量最小原理決定。PTO、PZT和PZO電子結構的計算結果表明,B位Ti3d,Zr4d與O2p電子存在強烈的雜化,並且Ti與O的雜化強度大於Zr與O的雜化強度,鐵電相雜化強度大於順電相雜化強度;A位Pb6s與O2p同樣存在較強的雜化,這種雜化在鐵電相時表現最強烈。從PZT能帶的組成來看,在價帶以下部分,主要由Pb原子電子能級組成;在價帶底部主要由Ti,Zr原子與O原子的雜化能級組成,價帶頂主要由O原子能級組成;在導帶底主要由Ti與O的雜化能級組成。隨著Ti原子比例增大,鐵電相PZT中B位與O的雜化強度增大,說明鐵電性增強,但是能隙變小,漏電流將變大。 根據PZT鐵電材料的自身特性、工藝制備和理論計算結果,確定了摻Ta1%的PZT(PbZr0.3Ti0.69Ta0.01O3,PTZT)是較為理想的嵌入式鐵電存儲器用材料。使用固相反應法制備了LSMO靶材、PbO靶材和Pb過量20%的純鈣鈦礦結構的PTZT靶材。通過對TiO2,PbO和LSMO不同緩沖層制備的PTZT鐵電薄膜結構、鐵電性能和疲勞特性的分析指出,在高溫濺射LSMO作為緩沖層的PTZT鐵電薄膜是能夠滿足鐵電隨機存儲器要求的。Pt/LSMO/PTZT/LSMO/Pt/TiO2 /SiO2/Si是一種優化的,適用於鐵電存儲器的鐵電薄膜結構。從不同LSMO緩沖層厚度的PTZT鐵電薄膜的性能分析指出LSMO緩沖層厚度在約20nm左右時,薄膜的鐵電性能和疲勞特性最好。 通過對PTZT層的濺射氣壓、基片溫度、後期退火工藝和濺射氧偏壓對LSMO/PTZT/LSMO三明治薄膜結構鐵電性能的分析指出,較優的制備PTZT薄膜電容的工藝條件是:濺射工作氣壓1.5Pa,基片溫度200oC,濺射氣氛為純Ar氣,退火溫度為650度,退火時間為20分鍾。 在Pt襯底上成功地制備了直徑為75mm的LSMO/PTZT/LSMO鐵電薄膜,測試了薄膜的表面和截面形貌以及薄膜鐵電性能和介電常數。研究結果表明,薄膜表面緻密、平整,厚度均勻(偏差在3.5%以內);最大電壓12V測量的剩餘極化平均值約為52.6μC/cm2,矯頑場平均值為2V(偏差在3.5%以內),經109開關極化後,名義剩餘極化強度平均值約為初始極化的90%(偏差在2.8%);薄膜的介電常數隨頻率的增加而減小,但1MHz後下降的趨勢變得緩慢。 基於極化反轉物理行為建立了關於鐵電電容極化與外加電場的唯象物理模型。在此模型中,通過一些合理的近似假設,推得一微分方程,這一方程不但能很好地描述飽和與非飽和電滯回線以及回線間的轉換,並能准確模擬各種條件下的極化情況。用此模型對實驗數據和已報告的文獻上的實驗數據進行了模擬,結果具有很好的一致性。說明該模型對飽和電滯回線,以及非飽和、輸入電壓中途轉向的電滯回線都能進行很好的模擬。 不好意思，這不算回答，但希望對你有用

❹ 什麼是鐵電存儲器

鐵電存儲器（FRAM）產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優勢結合在一起。FRAM產品包括各種介面和多種密度，像工業標準的串列和並行介面，工業標準的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

非易失性記憶體掉電後數據不丟失。可是所有的非易失性記憶體均源自ROM技術。你能想像到,只讀記憶體的數據是不可能修改的。所有以它為基礎發展起來的非易失性記憶體都很難寫入，而且寫入速度慢，它們包括EPROM（現在基本已經淘汰）,EEPROM和Flash，它們存在寫入數據時需要的時間長，擦寫次數低,寫數據功耗大等缺點。

FRAM 提供一種與RAM一致的性能,但又有與ROM 一樣的非易失性。 FRAM 克服以上二種記憶體的缺陷並合並它們的優點，它是全新創造的產品，一個非易失性隨機存取儲存器。

FRAM技術

Ramtron的FRAM技術核心是鐵電。這就使得FRAM產品既可以進行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。

當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動，當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。 內部電路感應到電荷擊穿並設置記憶體。移去電場後中心原子保持不動，記憶體的狀態也得以保存。FRAM 記憶體不需要定時刷新，掉電後數據立即保存，它速度很快，且不容易寫壞。

FRAM存儲器技術和標準的CMOS製造工藝相兼容。鐵電薄膜被放於CMOS base layers之上，並置於兩電極之間，使用金屬互連並鈍化後完成鐵電製造過程。

Ramtron 的FRAM 記憶體技術從開始到現在已經相當成熟。 最初FRAM 記憶體採用二晶體管/ 二電容器的( 2T/2C) 結構，導致元件體積相對較大。 最近發展的鐵電材料和製造工藝不再需要在鐵電存儲器每一單元內配置標准電容器。 Ramtron 新的單晶體管/ 單電容器結構記憶體可以像DRAM一樣進行操作，它使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現有的2T/2C結構相比，它有效地把內存單元所需要面積減少一半。新的設計極大的改進了die leverage並且降低了FRAM存儲器產品的生產成本。

Ramtron公司現採用0.35微米製造工藝，相對於現有的0.5微米的製造工藝而言，這極大地降低晶元功耗，提高了成本效率。

這些令人振奮的發展使FRAM在人們日常生活的各個領域找到了應用的途徑。從辦公復印機、高檔伺服器到汽車安全氣囊和娛樂設備， FRAM 使一系列產品的性能得到改進並在全世界范圍內得到廣泛的應用。

鐵電應用

數據採集與記錄

存儲器（FRAM）可以讓設計者更快、更頻繁地將數據寫入非易失性存儲器，而且價格比EEPROM低。數據採集通常包括採集和存儲兩部分，系統所採集的數據（(除臨時或中間結果數據外)需要在掉電後能夠保存，這些功能是數據採集系統或子系統所具有的基本功能。在大多數情況下，一些歷史記錄是很重要的。

典型應用：儀表 (電表、氣表、水表、流量表)、RF/ID、儀器,、和汽車黑匣子、安全氣袋、GPS定位系統、電力電網監控系統。

參數設置與存儲

FRAM通過實時存儲數據幫助系統設計者解決了突然斷電數據丟失的問題。參數存儲用於跟蹤系統在過去時間內的改變，它的目的包括在上電狀態時恢復系統狀態或者確認一個系統錯誤。總的來說，數據採集是系統或子系統的功能，不論何種系統類型，設置參數存儲都是一種底層的系統功能。

典型應用： 影印機,列印機, 工業控制, 機頂盒 (Set-Top-Box), 網路設備（網路數據機）和大型家用電器。

非易失性緩沖

鐵電存貯器（FRAM）可以在數據傳遞儲存在其它存儲器之前快速存儲數據。在此情況下，信息從一個子系統非實時地傳送到另一個子系統去.。由於資料的重要性, 緩沖區內的數據在掉電時不能丟失.，在某些情況下，目標系統是一個較大容量的存儲裝置。FRAM以其擦寫速度快、擦寫次數多使數據在傳送之前得到存儲。

典型應用：工業系統、銀行自動提款機 (ATM), 稅控機, 商業結算系統 (POS), 傳真機，未來將應用於硬碟非易失性高速緩沖存儲器。

SRAM的取代和擴展

鐵電存貯器（FRAM） 快速擦寫和非易失性等特點，令系統工程師可以把現有設計中的SRAM和EEPROM器件整合到一個鐵電存貯器（FRAM）里，或者簡單地作為SRAM擴展。

在多數情況下，系統使用多種存儲器類型，FRAM提供了只使用一個器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，節省了功耗, 成本, 空間，同時增加了整個系統的可靠性。最常見的例子就是在一個有外部串列EEPROM嵌入式系統中，FRAM能夠代替EEPROM,同時也為處理器提供了額外的SRAM功能。

典型應用：攜帶型設備中的一體化存儲器，使用低端控制器的任何系統。

深圳華胄科技有限公司----RAMTRON鐵電存儲器代理商
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❺ CPU-Z裡面內存里的DC模式是什麼意思

DC模式意思為、Dual Channel。Dual Channel是關於電腦記憶體的一種技術，最早使用此技術的記憶體是RDRam。

DC模式可理解為「打開雙通道的方式」。一般在CPU-Z中的顯示有灰色不可見、「對稱」、「不對稱」、「單通道+」等方式。DC模式在部分Intel晶元組的主板上是灰色的，原因是Intel的晶元組只支持對稱雙通道同步模式。

(5)鐵電存儲器材料擴展閱讀：

在DDR Ram發展中期，內存帶寬開始出現瓶頸。原因是FSB帶寬比內存帶寬大得多，而處理器處理完的數據不能即時轉入內存，造成處理器性能得不到完全發揮。基於此,晶元組廠商引入雙通道內存技術。單條DDR內存是64位元帶寬,而兩條則是雙倍，128位元。內存瓶頸得以緩解。

注:若晶元組只支援單通道內存，就算插入兩條DDR內存也都是單通道內存，不會變成雙通道內存的。

引入雙通道內存技術的第一家晶元組廠商是nVidia。但當時AMD處理器的FSB帶寬不是很大，雙通道內存的效能提升作用輕微。

期後Intel將DDR雙通道內存技術引入，配合Xeon,晶元組名為E7205。它支援DDR266雙通道內存。用DDR的價錢，得到RDRam的效能。而主板廠將之支援Pentium 4。

畢竟是伺服器平台產品,價格比較貴。而SiS的SiS 655出現,使DDR雙通道成了平民化的技術。由於支援DDR333雙通道內存，效能比E7205更高,價錢更低。

而最經典的應該是i865PE了，支援DDR400雙通道內存，800MHz FSB的Pentium 4。 而i915P亦新增支援DDR-II 533雙通道內存。 最新的975X更支援DDR-II 667雙通道內存。

AMD平台方面，nVidia憑nForce 2 Ultra 400支援DDR400雙通道內存，成為當時AMD平台性能最佳的晶元組，更擊敗VIA的皇者地位。隨後AMD的Athlon 64系列處理器亦內建了DDR400雙通道內存控制器。

❻ 電子晶元用什麼材料做成，為什麼能記東西

電子晶元用各種半導體材料做成，目前以硅材料為主。那些能夠記憶數據的稱為存儲器，主要有兩種類型，一種是已經使用多年的利用電容存儲電荷的原理，EPROM、EEPROM、FLASH等存儲器都是基於此。另一種是近年來出現的鐵電存儲器，利用帶電的鐵電疇的翻轉來記憶兩種邏輯狀態。